JP2006312620A - ジベンゾシロール誘導体、その前駆化合物及び製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(ジベンゾシロール誘導体)
まず、本発明のジベンゾシロール誘導体について述べる。
本発明の一般式(1)の置換基について、さらに述べる。
本発明の一般式(2)の置換基について、さらに述べる。
なお、R33〜R36、R37〜R40、及びR42〜R45が、それぞれに、その置換基の内、任意の二以上のものと互いに結合した場合、その結合は特に限定はなく、例えば、置換基を有してもよいベンゼン環、置換基を有してもよいシクロヘキサン環、置換基を有してもよいチオフェン環等を挙げることができる。
一般式(2)で示される前駆化合物をジリチオ化する場合、用いるジリチオ化剤は、一般式(2)におけるハロゲンX1及びX2をリチウムに置換することができるものである限り特に限定されず、例えば、有機リチウム試薬、有機リチウムアミド試薬、リチウム金属を挙げることができる。該有機リチウム試薬として、例えばn−ブチルリチウム、sec−ブチルリチウム、tert−ブチルリチウム、メチルリチウム、フェニルリチウム等を挙げることができ;該有機リチウムアミド試薬として、例えばN,N−ジイソプロピルアミド、リチウムヘキサメチルジシラジド等を挙げることができる。係るジリチオ化剤は、好ましくはn−ブチルリチウムである。
X3及びX4の2つの脱離基を有し、ジリチオ化及び/又はジグリニャール化した上記一般式(2)の化合物と反応し、一般式(1)のジベンゾシロール誘導体を与えるものであれば特に限定されない。ここに、脱離基の種類としては、例えば塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基、又はジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等を挙げることができる。脱離基を有するシラン化合物の例として、ジクロロジメチルシラン、ジクロロジエチルシラン、ジクロロジ(n−ブチル)シラン、ジクロロジ(イソブチル)シラン、ジクロロジ(ネオペンチル)シラン、ジクロロジ(n−ヘキシル)シラン、ジクロロジ(n−オクチル)シラン、ジクロロジフェニルシラン、ジクロロジ(p−フルオロフェニル)シラン、ジクロロジ(ビフェニル)シラン、ジクロロジ{ビ(ペンタフルオロフェニル)}シラン、ジクロロジ(ビピリジニル)シラン、ジブロモジ(n−オクチル)シラン、ジメトキシジ(n−オクチル)シラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジフェノキシシラン、ジメチルビス(ジメチルアミノ)シラン等を挙げることができる。
(ベンゾシクロブタジハロビフェニル誘導体製造方法)
次に、本発明の一般式(2)で示されるベンゾシクロブタジハロビフェニル誘導体の製造方法について述べる。係る製造方法は(前駆体製造方法I)と(前駆体製造方法II)が可能である。なお、(前駆体製造方法I)は(前駆体製造方法II)に比べ工程が簡便であり経済性に優れる。特に(前駆体製造方法I)は一般式(2)において、n=1であり且つB環が一般式(B−1)であるベンゾシクロブタジハロビフェニル誘導体(以下、ビス(ベンゾシクロブタ)ジハロビフェニル誘導体と称する。)の効率的な製造に適する。
(前駆体製造方法I)
まず、(前駆体製造方法I)について、ビス(ベンゾシクロブタ)ジハロビフェニル誘導体の製造を例に、述べる。
リチオ化剤を用いてホモカップリング反応させ、即ち2つの2,3−ジハロビフェニレン誘導体を単結合させて、得ることができる。
係る反応は、例えば、THF溶剤中で、アリール金属試薬として2−ハロアリールジンククロライドを一般式(4)で示される2,3−ジハロビフェニレン誘導体に対し0.8〜2.2当量、触媒としてテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム等の0価のパラジウム化合物又はジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム等の2価のパラジウム化合物を0.1モル%〜20モル%用い、反応温度10〜100℃、反応時間は0.5〜48時間で実施される。
(ベンゾシクロブタジハロビフェニル誘導体の製造原料である2,3−ジハロビフェニレン誘導体の製造例)
次に、一般式(2)で示されるベンゾシクロブタジハロビフェニル誘導体の製造原料である、一般式(4)で示される2,3−ジハロビフェニレン誘導体を得る方法、及びさらにその原料である一般式(7)で示されるテトラハロビフェニルを得る方法について述べる。
アリールリチウムを用いて置換基X7及びX8をジリチオ化し、銅化合物と反応させることにより得ることができる。
係る反応は、例えば、THF溶剤中で、アリール金属試薬として2−ハロアリールジンククロライドを一般式(8)で示されるテトラハロベンゼンに対し0.8〜2.2当量、触媒としてテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム等の0価のパラジウム化合物又はジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム等の2価のパラジウム化合物を0.1モル%〜20モル%用い、反応温度10〜100℃、反応時間は0.5〜48時間で実施される。
本発明の一般式(1)で示されるジベンゾシロール誘導体は平面剛直性が高いことから優れた半導体特性を与えることが期待できる。
1,2−ジブロモ−4,5−ジヨードベンゼンをシンレット、2003年、29−34頁に記載されている方法に従い、1,2−ジブロモベンゼンから合成した。
融点:177−179℃(分解)
1H NMR(CDCl3,21℃):δ=8.16(s,1H),7.93(d,J=7.8Hz,1H),7.43(s,1H),7.42(t,J=7.6Hz,1H),7.17−7.06(m,2H)
MS m/z: 564(M+,25%),437(M+−I,80),310(M+−2I,26),150(M+−(2Br+2I),100)
参考例2 (2,3−ジブロモビフェニレンの合成)
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器にp−フルオロブロモベンゼン(和光純薬工業製)1.43g(8.16mmol)及びTHF50mlを添加した。この溶液を−72℃に冷却し、n−ブチルリチウム(関東化学製、1.59M)のヘキサン溶液4.8ml(7.6mmol)を滴下した。−72℃で15分間反応を行った後、−98℃に冷却しp−フルオロフェニルリチウムの溶液を調製した。
融点:152−153℃
1H NMR(CDCl3,21℃):δ=6.86(s,2H),6.83(dd,J=5.0Hz,2.9Hz,2H),6.70(dd,J=4.9Hz,2.9Hz,2H)
MS m/z: 310(M+,73%),229(M+−Br,5),150(M+−2Br,100)
実施例1 (3,3’−ジブロモ−2,2’−ビス(ベンゾシクロブタ)ビフェニルの合成)
窒素雰囲気下、50mlシュレンク反応容器に参考例2で合成した2,3−ジブロモビフェニレン178mg(0.574mmol)及びTHF6mlを加えた。これを−95℃に冷却し、n−ブチルリチウム(関東化学製、1.59M)のヘキサン溶液0.18mL(0.286mmol)を滴下した。−95℃で1時間反応後、3N塩酸を加えた。トルエン及びNaClを添加し分相し、さらに有機相を飽和食塩水で洗浄した。減圧濃縮し、得られた固体残渣をトルエン6.2mlを用い再結晶化した。析出した固体を濾過、乾燥し3,3’−ジブロモ−2,2’−ビス(ベンゾシクロブタ)ビフェニルの黄色固体を得た(83mg,収率63%)。
融点:294−298℃
1H NMR(CDCl3,21℃):δ=6.89(s,2H),6.81(dd,J=5.0Hz,2.8Hz,4H),6.70(dd,J=5.4Hz,2.8Hz,4H),6.48(s,2H)
MS m/z: 460(M+,30%),300(M+−2Br,100),150((M+−2Br)/2,81)
1H NMRスペクトルを図1に示した。
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に実施例1で合成した3,3’−ジブロモ−2,2’−ビス(ベンゾシクロブタ)ビフェニル79.3mg(0.172mmol)及びTHF8mlを加えた。−85℃に冷却し、n−ブチルリチウム(関東化学製、1.59M)のヘキサン溶液0.23ml(0.37mmol)を滴下した。−85℃で5分間撹拌した後、ジクロロジメチルシラン23.4mg(0.181mmol)を滴下した。一晩かけて室温まで昇温した後、水を加えた。トルエン及びNaClを添加し分相し、有機相をさらに飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィーで精製した後(溶離液;ヘキサン:トルエン=50:1)、ジメチルビス(ベンゾシクロブタ)ジベンゾシロールの濃黄色固体を得た(31.5mg,収率51%)。
融点:251−254℃
1H NMR(CDCl3,21℃):δ=7.03(s,2H),6.85(s,2H),6.77−6.71(m,4H),6.71−6.64(m,2H),6.64−6.58(m,2H),0.35(s,6H)
MS m/z: 358(M+,100%),343(M+−CH3,42),328(M+−2CH3,10)
1H NMRスペクトルを図2に示した。
Claims (7)
- 下記一般式(1)で示されるジベンゾシロール誘導体。
- 請求項1に記載される一般式(1)で示されるジベンゾシロール誘導体において、n=1であり且つA環が一般式(A−1)であるジベンゾシロール誘導体。
- 下記一般式(2)で示される、請求項1乃至2記載のジベンゾシロール誘導体の前駆化合物であるベンゾシクロブタジハロビフェニル誘導体。
- 請求項3に記載される一般式(2)で示されるベンゾシクロブタジハロビフェニル誘導体において、n=1であり且つB環が一般式(B−1)であるビス(ベンゾシクロブタ)ジハロビフェニル誘導体。
- 請求項3乃至4に記載のベンゾシクロブタジハロビフェニル誘導体をジリチオ化及び/又はジグリニャール化し、さらに脱離基を有するシラン化合物と反応させることを特徴とする請求項1乃至2記載のジベンゾシロール誘導体の製造方法。
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