JP2006310851A - 窒化物層の製造方法及びこれを用いた垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法 - Google Patents

窒化物層の製造方法及びこれを用いた垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006310851A
JP2006310851A JP2006118962A JP2006118962A JP2006310851A JP 2006310851 A JP2006310851 A JP 2006310851A JP 2006118962 A JP2006118962 A JP 2006118962A JP 2006118962 A JP2006118962 A JP 2006118962A JP 2006310851 A JP2006310851 A JP 2006310851A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
nitride
laser
buffer layer
sapphire substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006118962A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4592636B2 (ja
Inventor
Hee Seok Park
煕 錫 朴
Masayoshi Koike
正好 小池
Kyeong Ik Min
庚 ▲翼▼ 閔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electro Mechanics Co Ltd filed Critical Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Publication of JP2006310851A publication Critical patent/JP2006310851A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4592636B2 publication Critical patent/JP4592636B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B5/00—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts
    • B32B5/18—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts characterised by features of a layer of foamed material
    • B32B5/20—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts characterised by features of a layer of foamed material foamed in situ
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/065—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of foam
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • C30B29/64—Flat crystals, e.g. plates, strips or discs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/0242—Crystalline insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02441—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02447—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/10—Properties of the layers or laminate having particular acoustical properties
    • B32B2307/102—Insulating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/30—Properties of the layers or laminate having particular thermal properties
    • B32B2307/304—Insulating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/51—Elastic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2419/00—Buildings or parts thereof
    • B32B2419/04—Tiles for floors or walls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

【課題】本発明は窒化物層および垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法に関する。
【解決手段】本発明は,サファイア基板を備える段階;上記サファイア基板上に、窒化物より高い融点を有し窒化物より高い熱伝導性を有する物質からなるバッファ層を形成する段階;上記バッファ層上に窒化物層を形成する段階;及び上記サファイア基板の下部にレーザを照射し上記窒化物層を分離する段階を含む窒化物層の製造方法を提供する。本発明において上記窒化物層はＡｌｘＩｎｙＧａ(１-ｘ-ｙ)Ｎ組成式(ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１である)を有する物質で、上記バッファ層はＳｉＣからなることを特徴とする。
【選択図】図２ｃ

Description

本発明は窒化物層の製造方法及びこれを用いた垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法に関するものとして、より詳細には、サファイア基板上に窒化物層を成長させた後サファイア基板を除去するためのレーザリフトオフ(Ｌａｓｅｒ Ｌｉｆｔ Ｏｆｆ：ＬＬＯ)工程において、照射されるレーザの強度を適切に調節して窒化物層とバッファ層の界面で分離が起こるようにすることにより、窒化物層の分解時発生する熱をバッファ層を通じて放出し熱による窒化物層の劣化を防止することが可能な窒化物層の製造方法及びこれを用いた垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法に関する。
最近情報通信技術の急激な発達により、超高速、大容量の信号転送のための通信技術が急速に発達されつつある。特に、無線通信技術において個人携帯電話、衛星通信、軍事用レーダー、放送通信、通信用中継機などの需要が漸次拡大されるにつれ、マイクロ波とミリメータ波帯域の超高速情報通信システムが必要な高速・高電力電子素子に対する要求が増大されている趨勢である。
特に、窒素化合物(窒化物)はエネルギーギャップが大きく、高い熱的化学的安定度、高い電子飽和速度などの優れた物性を有しており光素子だけではなく、高周波・高出力用電子素子への応用が容易で様々な分野において活発に研究されている。
このような窒化物半導体を得るため従来にはサファイア基板を利用して窒化物層を成長させた。しかし、サファイア基板は絶縁体で加工することが難しく熱伝導率が悪いため素子製作工程が複雑になり素子性能向上の障害になる。このような短所を克服するためサファイア基板をレーザリフトオフ(Ｌａｓｅｒ Ｌｉｆｔ Ｏｆｆ：ＬＬＯ)のような基板分離工程を利用して窒化物層とサファイア基板を分離した。
図１は従来のレーザリフトオフ工程を利用した窒化物層製造方法を図示した断面図である。図１を参照すると、従来の窒化物層製造方法は、先ず、サファイア基板１０上にＡｌＮまたはＧａＮからなるバッファ層１１を形成し上記バッファ層１１上に窒化物層１２を成長させる。次いで、上記サファイア基板１０の下部にレーザＬを照射し、照射されたレーザがサファイア基板１０を透過してバッファ層１１を分解させることにより上記窒化物層１２を分離させた。即ち、従来の窒化物層製造方法は、レーザリフトオフ工程において上記バッファ層１１を犠牲層に利用してサファイア基板１０と窒化物層１２を分離した。
このような、従来の窒化物層製造方法は、バッファ層１１を犠牲層として使用するためバッファ層１１を分解させる過程から発生する約１０００℃の熱が窒化物層１２に伝導されることにより、上記窒化物層１２が熱によって劣化される問題点を有する。このような劣化により窒化物層の物性が悪くなり、光学及び電気的特性が低下される等の様々な問題点が発生する。
本発明は前記の従来技術の問題点を解決するため案出されたものとして、その目的はレーザリフトオフ工程において、照射されるレーザの強度を適切に調節して窒化物層とバッファ層の界面で分離が起こるようにすることにより、窒化物層の分解時発生する熱をバッファ層を通じ放出して熱による窒化物層の劣化を防止することが可能な窒化物層の製造方法及びこれを用いた垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するための技術的構成として、本発明は、
サファイア基板を備える段階と、
上記サファイア基板上に、窒化物より高い融点を有し上記窒化物より高い熱伝導性を有する物質からなるバッファ層を形成する段階と、
上記バッファ層上に窒化物層を形成する段階、及び
上記サファイア基板の下部にレーザを照射し上記窒化物層を分離する段階を含む窒化物層の製造方法を提供する。
本発明の好ましい実施形態において、上記バッファ層はＳｉＣからなりその厚さは２０００Å以下である。また、上記窒化物層はＡｌｘＩｎｙＧａ(１-ｘ-ｙ)Ｎ組成式(ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１である)を有する物質であることが可能である。
好ましく、上記窒化物層を分離する段階は、下記の数４のような強度を有するレーザをサファイア基板の下部に照射して上記バッファ層と窒化物層の界面で上記窒化物層を分離する段階である。
(Ｉ:照射されるレーザの強度、ＩＮ:窒化物層が分解されるに必要なレーザ強度、α:レーザの吸収係数、Ｚ:バッファ層の厚さ)
本発明は、上記窒化物層の製造方法を採用した垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法も提供する。本発明に伴う垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法は、
サファイア基板を備える段階と、
上記サファイア基板上にＳｉＣからなるバッファ層を形成する段階と、
上記バッファ層上にＡｌｘＩｎｙＧａ(１-ｘ-ｙ)Ｎ組成式(ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１である)を有するｎ型窒化物半導体層、活性層、ｐ型窒化物半導体層が順次に積層された発光構造物を形成する段階と、
上記ｐ型窒化物半導体層上に導電性キャリア基板を形成する段階、及び
下記の数５のような強度を有するレーザをサファイア基板の下部に照射して上記バッファ層とｎ型窒化物半導体層の界面で上記発光構造物を分離する段階を含む。
(Ｉ:照射されるレーザの強度、ＩＮ:ｎ型窒化物半導体層が分解されるに必要なレーザ強度、α:レーザの吸収係数、Ｚ:バッファ層の厚さ)
本発明によると、サファイア基板上に窒化物層を成長させた後サファイア基板を除去するためのレーザリフトオフ(Ｌａｓｅｒ Ｌｉｆｔ Ｏｆｆ：ＬＬＯ)工程において、照射されるレーザの強度を適切に調節して窒化物層とバッファ層の界面で分離が起こるようすることにより、窒化物層の分解時発生する熱をバッファ層を通じて放出し熱による窒化物層の劣化を防止する効果がある。これによって、優秀な品質の窒化物層及び垂直構造窒化物半導体発光素子を製造することが可能な効果がある。
以下、添付の図面を参照に本発明の多様な実施形態をより詳細に説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることが可能で、本発明の範囲が以下説明される実施形態で限定されることではない。本発明の実施形態は本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するため提供される。従って、図面に図示された構成要素らの形状及び大きさ等はより明確な説明のため誇張され得る。
図２ａないし図２ｄは本発明に伴う窒化物層の製造方法を工程手順通り図示した工程断面図である。
先ず、図２ａのように、サファイア基板１００を備え、上記サファイア基板１００上にバッファ層１１０を形成する。上記バッファ層１１０は以後工程でその上面に形成される窒化物層を構成する材料より高い融点を有する物質からなることが好ましい。
さらに、その上面に形成される窒化物層との格子常数及び熱膨張係数の差を考慮して欠陥が少ない窒化物層を成長させることが可能な物質からなることが好ましい。また、以後レーザリフトオフ(Ｌａｓｅｒ Ｌｉｆｔ Ｏｆｆ)工程時窒化物層に伝達される熱を減少させるため上記窒化物より高い熱伝導性を有する物質からなることが好ましい。このようなことらを考慮し、上記バッファ層１１０はＳｉＣからなることが好ましい。
上記ＳｉＣは窒化物の成長のための基板として使用されることが可能な程度に窒化物との格子常数及び熱膨張係数の差が少ないながら、同時に１５００℃以上の温度でも化学的、物理的に安定した物質である。上記バッファ層１１０は公知の蒸着工程を利用して形成されることが可能である。上記バッファ層１１０の厚さはレーザが透過され窒化物層１２０との界面まで到達することが可能であるよう２０００Å以下の厚さで形成することが好ましい。
次いで、図２ｂのように、上記バッファ層１１０上に窒化物層１２０を形成する。上記窒化物層１２０はＡｌｘＩｎｙＧａ(１-ｘ-ｙ)Ｎ組成式(ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１である)を有する物質であることが好ましい。上記窒化物層１２０はＡｌｘＩｎｙＧａ(１-ｘ-ｙ)Ｎ組成式(ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１である)を有する物質を有機金属気相蒸着法(Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ)、分子ビーム成長法(Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ)またはハイブリッド気相蒸着法(Ｈｙｂｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ：ＨＶＰＥ)のような公知の蒸着工程を利用して形成されることが可能である。
次いで、図２ｃのように、窒化物層１２０を下部の構造物と分離するため、サファイア基板１００の下部にレーザを照射するレーザリフトオフ工程を実施する。この際、照射されるレーザはサファイア基板１００を透過し、上記バッファ層１１０及び窒化物層１２０に吸収されることが可能な波長を有するＫｒＦレーザまたはＱ-スイッチトＮｄ:ＹＡＧレーザ等を使用することが可能である。
この工程においてレーザＬの強度は、サファイア基板１００を透過してバッファ層１１０に到達した後、比較的薄い厚さのバッファ層１１０を通過しながら一部エネルギーが吸収されるため指数(ｅｘｐｏｎｅｎｔｉａｌ)関数で減少する。バッファ層１１０を通過したレーザはバッファ層１１０と窒化物層１２０の界面Ｂに到達して上記界面Ｂ付近の窒化物層１２０を分解させる。
下記の数６は強度Ｉのレーザが照射される時、厚さＺのバッファ層１１０を透過したレーザの強度(ＩＮ)を示す。
(Ｉ:照射されるレーザの強度、ＩＮ:窒化物層が分解されるに必要なレーザ強度、α:レーザの吸収係数、Ｚ:バッファ層の厚さ)
即ち、照射されたレーザが厚さの指数関数で減少するようになる。上記の数６からバッファ層１１０と窒化物層１２０との界面までレーザが到達するために照射すべきレーザの強度を下記の数７の通り求めることが可能である。
(Ｉ:照射されるレーザの強度、ＩＮ:窒化物層が分解されるに必要なレーザ強度、α:レーザの吸収係数、Ｚ:バッファ層の厚さ)
例えば、レーザリフトオフ工程に使用されるレーザが約１０５/ｃｍの吸収係数を有する３５５ｎｍ波長のＱ-スイッチトＮｄ：ＹＡＧレーザを使用してレーザリフトオフ工程を進行し、窒化物層１２０が３００ｍＪ/ｃｍ２の強度を有するレーザにより分解され始まるとすると、１０ｎｍ厚さのバッファ層を利用した場合に、照射すべきレーザ強度は、Ｉ=３００/ｅ-１０００００×０．０００００１≒３３２ｍＪ/ｃｍ２になる。このように、数７を利用してこれで図２ｄのように、上記バッファ層１１０と窒化物層１２０の界面で窒化物層１２０の分離が発生するようにすることが可能なレーザの強度を計算することが可能である。
また、上記数７を利用してバッファ層１１０と窒化物層１２０の界面で窒化物層１２０の分離が発生するようレーザの強度を調節すると、窒化物層１２０の分離時発生する熱が熱伝導性が高いバッファ層１１０を通じて伝達されるため窒化物層１２０へ熱が伝導され発生する窒化物層１２０の品質劣化を防止することが可能である。
図３は本発明に伴いレーザリフトオフ工程を進行した後窒化物層の分離された面をＸＰＳで分析した結果図である。この際バッファ層の材料としてはＳｉＣを利用し、窒化物層はＧａＮからなっている。図３に示した通り、窒化物層の分離された面からＣ、Ｏ、Ｎ、Ｇａ、Ａｕ等の元素が検出されたが、バッファ層の材料を構成するＳｉは検出されなかった。これでＳｉＣからなるバッファ層の分解は成されず、バッファ層と窒化物層の界面で分離が成されたことが分かる。
図４は本発明に伴いレーザリフトオフ工程を進行した後窒化物層の分離された面のＴＥＭ写真である。図３と同様にバッファ層の材料としてはＳｉＣを利用し、窒化物層はＧａＮからなっている。図４に図示された通り、窒化物層の分離された面からＧａＮの格子が鮮明に現れた。これでＳｉＣからなるバッファ層の分解は成されず、バッファ層と窒化物層の界面で分離が成されたことが分かる。
以上から説明した本発明に伴う窒化物層の製造方法はバルク窒化物基板を製造する際に使用されることが可能で、さらに、サファイア基板を分離する工程が必要な垂直構造窒化物半導体発光素子の製造に使用されることも可能である。本発明が適用された垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法が図５ａないし図５ｆに図示される。
先ず図５ａのように、サファイア基板２００を具備した後、上記サファイア基板２００上にＳｉＣからなるバッファ層２１０を形成する。上記バッファ層２１０を形成する工程は前記の工程と同一であるため詳細な説明は省略することとする。
次いで、図５ｂのように、上記バッファ層２１０上にＡｌｘＩｎｙＧａ(１-ｘ-ｙ)Ｎ組成式(ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１である)を有するｎ型窒化物半導体層２２１、活性層２２２、ｐ型窒化物半導体層２２３が順次に積層された発光構造物２２０を形成する。
上記ｎ型窒化物半導体層２２１はＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、ＴｅまたはＣ等を不純物として添加しＡｌｘＩｎｙＧａ(１-ｘ-ｙ)Ｎ組成式(ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１である)を有する半導体物質を有機金属気相蒸着法(Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ)、分子ビーム成長法(Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ)またはハイブリッド気相蒸着法(Ｈｙｂｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ：ＨＶＰＥ)のような公知の蒸着工程を使用してサファイア基板上に順次に成長させることが可能である。
上記活性層２２２は光を発光するための層として、単一または多重量子井戸構造を有するＧａＮまたはＩｎＧａＮ等の窒化物層で構成され上記ｎ型窒化物半導体層２２１と同様に有機金属気相蒸着法(Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ)、分子ビーム成長法(Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ)またはハイブリッド気相蒸着法(Ｈｙｂｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ：ＨＶＰＥ)のような公知の蒸着工程を使用して上記ｎ型窒化物半導体層２２１上に形成される。
上記ｐ型窒化物半導体層２２３は上記ｎ型窒化物半導体層２２１と同様に、ＡｌｘＩｎｙＧａ(１-ｘ-ｙ)Ｎ組成式(ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１である)を有するｐドーピングされた半導体物質を有機金属気相蒸着法(Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ)、分子ビーム成長法(Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ)またはハイブリッド気相蒸着法(Ｈｙｂｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ：ＨＶＰＥ)のような公知の蒸着工程を使用して上記活性層２２２上に成長させることが可能である。上記ｐ型窒化物半導体層２２３のドーピングに使用される不純物としてはＭｇ、ＺｎまたはＢｅ等がある。
上記発光構造物２２０は上記ｎ型窒化物半導体層２２１を形成する前に上記バッファ層２１０上に形成された非ドーピング(ｕｎｄｏｐｅｄ)窒化物半導体層(未図示)をさらに含むことが可能である。上記非ドーピング窒化物半導体層は格子不整合を緩和させるため形成されたものである。
次いで、図５ｃのように、上記ｐ型窒化物半導体層２２３上に導電性キャリア基板２３０を形成する。上記導電性キャリア基板２３０はＳｉまたは導電性を有する金属物質からなることが可能である。上記導電性キャリア基板２３０は別途の接合層を介してｐ型窒化物半導体層２２３上にボンディングされるか、またはメッキが可能な金属物質を利用する場合所定厚さでｐ型窒化物半導体層２２３上にメッキすることにより形成されることが可能である。垂直構造窒化物半導体発光素子の場合、ｎ型窒化物半導体層２２１のサファイア基板が分離された面を光放出面に活用するため上記ｐ型窒化物半導体層２２３と導電性キャリア基板２３０との間には反射度が高い金属からなる反射膜が形成されることも可能である。
次いで、図５ｄにように、サファイア基板２００の下部にレーザを照射し上記バッファ層２１０とｎ型窒化物半導体層２２１の界面で発光構造物２２０とバッファ層２１０を相互分離して図５ｅにような結果物を得た。この際、照射されるレーザの強度は下記の数８の通りである。
(Ｉ:照射されるレーザの強度、ＩＮ:ｎ型窒化物半導体層が分解されるに必要なレーザ強度、α:レーザの吸収係数、Ｚ:バッファ層の厚さ)
上記ｎ型窒化物半導体層２２１とバッファ層２１０の界面で分離が起こるようにするためのレーザ強度の設定及びレーザの波長に関する説明は前記の窒化物層製造方法で既に説明した通りであるため省略することとする。
一方、発光構造物２２０がｎ型窒化物半導体層２２１の下部に形成された非ドーピング窒化物半導体層(未図示)をさらに含む場合、上記レーザ照射による分離は上記バッファ層２１０と非ドーピング窒化物半導体層との間で起こる。
次いで、図５ｆのように、上記サファイア基板が分離されたｎ型窒化物半導体層２２１の下面にｎ側電極２４０を形成し、上記キャリア基板２３０の上面にｐ側電極２５０を形成して垂直構造窒化物半導体発光素子を完成する。このような垂直構造窒化物半導体発光素子はサファイア基板が分離されたｎ型窒化物半導体層２２１の下面が主発光面として使用される。上記ｎ側電極２４０とｎ型窒化物半導体層２２１との間には電流拡散を改善するためＩＴＯ等からなる透明電極層が形成され得る。また、上記導電性キャリア基板２３０が優秀な電気伝導性を有する金属物質からなる場合キャリア基板２３０自体をｐ側電極に使用することが可能なため、別途のｐ側電極２５０を省略することも可能である。
一方、発光構造物２２０がｎ型窒化物半導体層２２１の下部に形成された非ドーピング窒化物半導体層(未図示)をさらに含む場合、上記レーザ照射による分離が完了された以後、上記非ドーピング窒化物半導体層を乾式及び湿式蝕刻、化学機械的研磨(ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ)で構成されたグループから選択された少なくとも一つの工程を利用して除去し上記ｎ型窒化物半導体層２２１の下面を露出させた後上記ｎ型窒化物半導体層２２１の露出された下面にｎ側電極を形成することが好ましい。
本発明で採用したレーザリフトオフ工程はバッファ層を犠牲させず、レーザの強度を調節して窒化物層とバッファ層の界面で分離が起こるようにすることにより、窒化物層の分解時発生する熱をバッファ層を通じて放出し熱による窒化物層の劣化を防止することが可能なため、優秀な品質の窒化物層を製造することが可能である。
従来の窒化物層製造方法を図示した断面図である。 本発明に伴う窒化物層製造方法を図示した工程断面図である。 本発明に伴う窒化物層製造方法を図示した工程断面図である。 本発明に伴う窒化物層製造方法を図示した工程断面図である。 本発明に伴う窒化物層製造方法を図示した工程断面図である。 本発明に伴いレーザリフトオフ工程を進行した後窒化物層の分離された面をＸＰＳで分析した結果図である。 本発明に伴いレーザリフトオフ工程を進行した後窒化物層の分離された面のＴＥＭ写真である。 本発明の一実施形態に伴う垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法を図示した工程断面図である。 本発明の一実施形態に伴う垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法を図示した工程断面図である。 本発明の一実施形態に伴う垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法を図示した工程断面図である。 本発明の一実施形態に伴う垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法を図示した工程断面図である。 本発明の一実施形態に伴う垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法を図示した工程断面図である。 本発明の一実施形態に伴う垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法を図示した工程断面図である。
符号の説明
１００ サファイア基板 １１０ バッファ層
１２０ 窒化物層 Ｌ レーザ

Claims (10)

  1. サファイア基板を備える段階と、
    上記サファイア基板上に、窒化物より高い融点を有し窒化物より高い熱伝導性を有する物質からなるバッファ層を形成する段階と、
    上記バッファ層上に窒化物層を形成する段階と、
    上記サファイア基板の下部にレーザを照射して上記窒化物層を分離する段階とを含む窒化物層の製造方法。
  2. 上記バッファ層の厚さは２０００Å以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物層の製造方法。
  3. 上記バッファ層はＳｉＣからなることを特徴とする請求項１に記載の窒化物層の製造方法。
  4. 上記窒化物層はＡｌｘＩｎｙＧａ(１-ｘ-ｙ)Ｎ組成式(ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１である)を有する物質であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物層の製造方法。
  5. 上記窒化物層を分離する段階は、
    Ｉを照射されるレーザの強度、ＩＮを窒化物層が分解されるに必要なレーザ強度、αをレーザの吸収係数、Ｚをバッファ層の厚さとして、下記の数１のような強度を有するレーザをサファイア基板の下部に照射して上記バッファ層と窒化物層の界面で上記窒化物層を分離する段階であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物層の製造方法。
  6. サファイア基板を備える段階と、
    上記サファイア基板上にＳｉＣからなるバッファ層を形成する段階と、
    上記バッファ層上にＡｌｘＩｎｙＧａ(１-ｘ-ｙ)Ｎ組成式(ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１である)を有する窒化物層を形成する段階と、
    Ｉを照射されるレーザの強度、ＩＮを窒化物層が分解されるに必要なレーザ強度、αをレーザの吸収係数、Ｚをバッファ層の厚さとして、下記の数２のような強度を有するレーザをサファイア基板の下部に照射して上記バッファ層と窒化物層の界面で上記窒化物層を分離する段階とを含む窒化物層の製造方法。
  7. サファイア基板を備える段階と、
    上記サファイア基板上にＳｉＣからなるバッファ層を形成する段階と、
    上記バッファ層上にＡｌｘＩｎｙＧａ(１-ｘ-ｙ)Ｎ組成式(ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１である)を有するｎ型窒化物半導体層、活性層、ｐ型窒化物半導体層が順次に積層された発光構造物を形成する段階と、
    上記ｐ型窒化物半導体層上に導電性キャリア基板を形成する段階と、
    Ｉを照射されるレーザの強度、ＩＮをｎ型窒化物半導体層が分解されるに必要なレーザ強度、αをレーザの吸収係数、Ｚをバッファ層の厚さとして、下記の数３のような強度を有するレーザをサファイア基板の下部に照射して上記バッファ層と発光構造物の界面で上記発光構造物を分離する段階とを含む垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法。
  8. 上記サファイア基板が分離されたｎ型窒化物半導体層の下面にｎ側電極を形成する段階と、
    上記キャリア基板の上面にｐ側電極を形成する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法。
  9. 上記発光構造物は、
    上記ｎ型窒化物半導体層の下部に形成された非ドーピング窒化物半導体層をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法。
  10. 上記サファイア基板を分離する段階以後、非ドーピング窒化物半導体層を乾式及び湿式蝕刻、化学機械的研磨(ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ)で構成されたグループから選択された少なくとも一つの工程を利用して除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法。
JP2006118962A 2005-04-26 2006-04-24 窒化物層の製造方法及びこれを用いた垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法 Active JP4592636B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050034351A KR100665173B1 (ko) 2005-04-26 2005-04-26 질화물층의 제조방법 및 이를 이용한 수직구조 질화물반도체 발광소자의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006310851A true JP2006310851A (ja) 2006-11-09
JP4592636B2 JP4592636B2 (ja) 2010-12-01

Family

ID=36685737

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006118962A Active JP4592636B2 (ja) 2005-04-26 2006-04-24 窒化物層の製造方法及びこれを用いた垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7524692B2 (ja)
EP (1) EP1717872A3 (ja)
JP (1) JP4592636B2 (ja)
KR (1) KR100665173B1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008294379A (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体素子の製造方法
JP2010056210A (ja) * 2008-08-27 2010-03-11 Toshiba Corp 半導体発光素子の製造方法
WO2014196437A1 (ja) * 2013-06-08 2014-12-11 エルシード株式会社 ＳｉＣ材料の製造方法及びＳｉＣ材料積層体

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101740331B (zh) * 2008-11-07 2012-01-25 东莞市中镓半导体科技有限公司 利用固体激光器无损剥离GaN与蓝宝石衬底的方法
KR101064068B1 (ko) 2009-02-25 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자의 제조방법
WO2011069242A1 (en) * 2009-12-09 2011-06-16 Cooledge Lighting Inc. Semiconductor dice transfer-enabling apparatus and method for manufacturing transfer-enabling apparatus
US20110151588A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Cooledge Lighting, Inc. Method and magnetic transfer stamp for transferring semiconductor dice using magnetic transfer printing techniques
US8334152B2 (en) * 2009-12-18 2012-12-18 Cooledge Lighting, Inc. Method of manufacturing transferable elements incorporating radiation enabled lift off for allowing transfer from host substrate
CN102064255A (zh) * 2010-12-10 2011-05-18 西安神光安瑞光电科技有限公司 发光二极管及其制造方法
JP2013110137A (ja) * 2011-11-17 2013-06-06 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイス層の移替装置およびレーザー加工機
CN103824905A (zh) * 2014-02-24 2014-05-28 无锡晶凯科技有限公司 一种氮化镓led蓝宝石衬底柔性电子应用的激光剥离方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003218470A (ja) * 2001-11-13 2003-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6649494B2 (en) * 2001-01-29 2003-11-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Manufacturing method of compound semiconductor wafer
US7029939B2 (en) * 2001-06-18 2006-04-18 Toyoda Gosei Co., Ltd. P-type semiconductor manufacturing method and semiconductor device
CA2466141C (en) * 2002-01-28 2012-12-04 Nichia Corporation Nitride semiconductor device having support substrate and its manufacturing method
KR101030068B1 (ko) * 2002-07-08 2011-04-19 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 소자의 제조방법 및 질화물 반도체 소자
JP4830315B2 (ja) * 2004-03-05 2011-12-07 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003218470A (ja) * 2001-11-13 2003-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008294379A (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体素子の製造方法
JP2010056210A (ja) * 2008-08-27 2010-03-11 Toshiba Corp 半導体発光素子の製造方法
JP4599442B2 (ja) * 2008-08-27 2010-12-15 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
US8329489B2 (en) 2008-08-27 2012-12-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing semiconductor light emitting device
US8470627B2 (en) 2008-08-27 2013-06-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing semiconductor light emitting device
US9059374B2 (en) 2008-08-27 2015-06-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device
WO2014196437A1 (ja) * 2013-06-08 2014-12-11 エルシード株式会社 ＳｉＣ材料の製造方法及びＳｉＣ材料積層体

Also Published As

Publication number Publication date
US20060292718A1 (en) 2006-12-28
EP1717872A2 (en) 2006-11-02
KR100665173B1 (ko) 2007-01-09
JP4592636B2 (ja) 2010-12-01
KR20060112013A (ko) 2006-10-31
EP1717872A3 (en) 2012-08-22
US7524692B2 (en) 2009-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4592636B2 (ja) 窒化物層の製造方法及びこれを用いた垂直構造窒化物半導体発光素子の製造方法
JP5167384B2 (ja) 基板の分割方法
US8088637B1 (en) Method of manufacturing a semiconductor device including a superlattice strain relief layer
US7435994B2 (en) Semiconductor device and method for fabricating the same
KR101082788B1 (ko) 다공성 질화물 반도체 상의 고품질 비극성／반극성 반도체 소자 및 그 제조 방법
KR101361630B1 (ko) 방사선 방출 반도체 칩의 제조 방법
EP1990841A2 (en) Superlattice strain relief layer for semiconductor devices
US20040065889A1 (en) Semiconductor wafer, semiconductor device, and methods for fabricating the same
KR19980079320A (ko) 고품질 쥐에이엔계층의 선택성장방법, 고품질 쥐에이엔계층 성장기판 및 고품질 쥐에이엔계층 성장기판상에 제작하는 반도체디바이스
US7759219B2 (en) Method of manufacturing nitride semiconductor device
KR20120032258A (ko) 질화갈륨계 반도체소자 및 그 제조방법
KR20070095364A (ko) 질화물 반도체 소자, 질화물 반도체 결정층의 성장 방법 및 질화물 반도체 발광 소자의 제법
US9490119B2 (en) Fabrication of thin-film devices using selective area epitaxy
JP2016184747A (ja) オプトエレクトロニクス半導体チップ
WO2005088687A1 (ja) 窒化ガリウム系半導体基板の作製方法
JP2016058693A (ja) 半導体装置、半導体ウェーハ、及び、半導体装置の製造方法
US20130032821A1 (en) Schottky barrier diode and method for manufacturing the same
JP7023882B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板の製造方法、半導体装置、基板、及び、基板の製造装置
US6797532B2 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN111463326B (zh) 半导体器件及其制备方法
US8383494B2 (en) Method for forming buffer layer for GaN single crystal
JP2005303250A (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR20130008281A (ko) 파워소자의 제조방법
JP2014500842A (ja) 基板上に成長したｉｉｉ族窒化物層
JP2006179623A (ja) 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090512

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20090812

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090817

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090911

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100817

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100914

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4592636

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20100930

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20101021

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

A072 Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination]

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072

Effective date: 20110301

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S631 Written request for registration of reclamation of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924

Year of fee payment: 3

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S631 Written request for registration of reclamation of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631

S633 Written request for registration of reclamation of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313633

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924

Year of fee payment: 3

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250