JP2006301653A - 表示装置およびその作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に画素電極105,106を形成し、画素電極上に絶縁層110を形成し、平坦化工程により画素電極の各境界部が絶縁層111,112で埋め込まれた状態とする。平坦化工程の際、画素電極表面をDLC膜109で保護することにより画素電極の過剰な薄膜化を防ぐことができる。また、絶縁層により電極表面には段差がなくなり、液晶材料の配向不良や光の乱反射等によるコントラストの低下等を防ぐことができる。
【選択図】図1
Description
絶縁表面を有する基板上に形成された複数の電極と、
前記複数の電極を覆うDLC膜と、
前記複数の電極の境界部に埋め込まれた絶縁層と、
を少なくとも有することを特徴とする。
第1の基板および透光性を有する第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に挟持された液晶層と、
を少なくとも含む半導体装置であって、
前記第1の基板および前記第2の基板に形成されたストライプ状の電極と、
前記ストライプ状の電極を覆うDLC膜と、
前記ストライプ状の電極の境界部に埋め込まれた絶縁層と、
を少なくとも有することを特徴とする。
絶縁表面を有する基板上にマトリクス状に形成された複数の半導体素子と、
前記複数の半導体素子の各々に接続された複数の画素電極と、
を少なくとも有する半導体装置であって、
前記画素電極を覆うDLC膜と、
前記画素電極の境界部に埋め込まれた絶縁層と、
を少なくとも有することを特徴とする。
マトリクス状に形成された複数の半導体素子および該複数の半導体素子の各々に接続された複数の画素電極を有する基板と、
前記基板上に保持された液晶層と、
を少なくとも含む半導体装置であって、
前記画素電極を覆うDLC膜と、
前記画素電極の境界部に埋め込まれた絶縁層と、
を少なくとも有することを特徴とする。
絶縁表面を有する基板上に複数の電極を形成する工程と、
前記複数の電極の表面を覆うDLC膜を形成する工程と、
前記DLC膜上に絶縁層を形成する工程と、
前記DLC膜の表面と前記絶縁層の表面とが同一平面をなす様に前記絶縁層を平坦化する工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする。
第1の基板および透光性を有する第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に挟持された液晶層と、
を少なくとも含む半導体装置の作製方法であって、
前記第1の基板上にストライプ状の電極を形成する工程と、
前記ストライプ状の電極の表面を覆うDLC膜を形成する工程と、
前記DLC膜上に絶縁層を形成する工程と、
前記DLC膜の表面と前記絶縁層の表面とが同一平面をなす様に前記絶縁層を平坦化する工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする。
絶縁表面を有する基板上に複数の半導体素子を形成する工程と、
前記複数の半導体素子の各々と電気的に接続する複数の画素電極を形成する工程と、
前記複数の画素電極の表面を覆うDLC膜を形成する工程と、
前記DLC膜上に絶縁層を形成する工程と、
前記DLC膜の表面と前記絶縁層の表面とが同一平面をなす様に前記絶縁層を平坦化し、前記複数の画素電極の境界部を前記絶縁層で埋め込む工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする。
マトリクス状に形成された複数の半導体素子および該複数の半導体素子の各々に接続された複数の画素電極を有する基板と、
前記基板上に保持された液晶層と、
を少なくとも含む半導体装置の作製方法であって、
前記複数の画素電極の表面を覆うDLC膜を形成する工程と、
前記DLC膜上に絶縁層を形成する工程と、
前記DLC膜の表面と前記絶縁層の表面とが同一平面をなす様に前記絶縁層を平坦化し、前記複数の画素電極の境界部を前記絶縁層で埋め込む工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする。
102、103 画素TFT
104 層間絶縁膜
105、106 画素電極
107、108 境界部
109 DLC膜
110 埋め込み用の絶縁層
111、112 埋め込み絶縁層
Claims (15)
- 基板上に形成された複数の電極と、
前記複数の電極を覆うDLC膜と、
前記複数の電極の各境界部に埋め込まれた絶縁層と、
を有することを特徴とする表示装置。 - 基板上に形成されたストライプ状の電極と、
前記ストライプ状の電極を覆うDLC膜と、
前記ストライプ状の電極の各境界部に埋め込まれた絶縁層と、
を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1または請求項2において、前記DLC膜の膜厚は10〜50nmであることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至3のいずれか一において、前記絶縁層は遮光性を有していることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至4のいずれか一において、前記絶縁層は有機性樹脂膜であることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至5のいずれか一に記載の前記表示装置を具備したことを特徴とする電気光学装置。
- 基板上に複数の電極を形成する工程と、
前記複数の電極の表面を覆うDLC膜を形成する工程と、
前記DLC膜上に前記複数の電極の各境界部を埋める絶縁層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上に複数の電極を形成する工程と、
前記複数の電極の表面を覆うDLC膜を形成する工程と、
前記DLC膜上に絶縁層を形成する工程と、
前記DLC膜の表面と前記絶縁層の表面とが同一平面をなす様に前記絶縁層を平坦化し、前記複数の電極の各境界部を前記絶縁層で埋め込む工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項7または請求項8において、前記DLC膜を形成する工程の前に前記複数の電極を平坦化する工程を行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
- 基板上にストライプ状の電極を形成する工程と、
前記ストライプ状の電極の表面を覆うDLC膜を形成する工程と、
前記DLC膜上に前記ストライプ状の電極の各境界部を埋める絶縁層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の作製方法。 - 基板上にストライプ状の電極を形成する工程と、
前記ストライプ状の電極の表面を覆うDLC膜を形成する工程と、
前記DLC膜上に絶縁層を形成する工程と、
前記DLC膜の表面と前記絶縁層の表面とが同一平面をなす様に前記絶縁層を平坦化し、前記ストライプ状の電極の各境界部を前記絶縁層で埋め込む工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項10または請求項11において、前記DLC膜を形成する工程の前に前記ストライプ状の電極を平坦化する工程を行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項7乃至12のいずれか一において、前記絶縁層は遮光性を有していることを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項7乃至13のいずれか一において、前記絶縁層は有機性樹脂膜であることを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項7乃至14のいずれか一において、前記DLC膜の膜厚は10〜50nmであることを特徴とする表示装置の作製方法。
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