JP2006294847A - ドライエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】貴金属を含む膜のドライエッチング方法において、ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で貴金属を含む膜に低周波のバイアス電力を印加することにより側壁付着物のないドライエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で貴金属を含む膜に低周波のバイアス電力を印加する方法とする。
【選択図】図1
【解決手段】ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で貴金属を含む膜に低周波のバイアス電力を印加する方法とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、圧電素子、焦電素子等に用いられる貴金属を含む膜を微細加工するための貴金属を含む膜のドライエッチング方法に関するものである。
従来この種のドライエッチング方法としては、ウエットエッチング、あるいはArガスを用いたイオンミリング、塩素系ガスを用いたドライエッチング等が行われていた。
なお、この出願に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1〜4が知られている。
特開平02−209728号公報
特開平04−369220号公報
特開平05−144778号公報
特開平05−267243号公報
しかしながら、Ptはウエットエッチングでは対応が困難であり、またArの不活性ガスを用いたイオンミリングではエッチング速度が遅く、工業生産的には向かないうえ、エッチングされた物質がエッチング側壁およびレジストパターン側壁に再付着するという課題がある。また、ハロゲン系のエッチングガス、例えば塩素ガスのみを用いたドライエッチングでは貴金属を含む膜のエッチングレートが遅く、また貴金属を含む膜を構成する元素のハロゲン化物の蒸気圧が低いため、被エッチング体の面上に反応生成物が付着したり、エッチング側壁に反応生成物が付着するという課題があった。
図3はこのような問題を説明するための断面図であり、1は基板、2は貴金属を含む膜、4はパターン形成されたレジスト膜であり、これらを総称して被エッチング体5と称する。また6は側壁付着物である。
図3に示すように、Arガスのみによるイオンミリング、あるいは塩素ガスのみによるドライエッチングを行った場合、レジストマスク側壁およびエッチング加工側壁面に不揮発性の堆積物が付着する。この側壁付着物はレジスト剥離工程後においても溶解または剥離されず壁状に残るため、その後の工程において配線の断線、またはショート等の原因になることがある。
前記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
本発明の請求項1に記載の発明は、特に、ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとして用い、大流量のガスを流し、かつその時のガス圧が高真空になるように制御し、さらにバイアス電力に低周波電力を印加するという方法のものであり、これにより、エッチングで生成された不揮発性の物質がエッチング側壁およびレジスト側壁に付着しないという作用効果を有する。
本発明の請求項2に記載の発明は、特に、貴金属を含む膜がPt、Au、Pd、Irおよびそれらの化合物であるというものであり、これにより、圧電素子等で信頼性の高い電極が作成できるという作用効果を有する。
本発明の請求項3に記載の発明は、特に、ハロゲンガスと不活性ガスの総流量に対するハロゲンガス流量比率が40%以下であるというものであり、これにより、高速でエッチングしても側壁に付着物が付きにくいという作用効果を有する。
本発明の請求項4に記載の発明は、特に、エッチング処理ガスとしてCF4ガスもしくは、C4F8等のフロロカーボン系ガスとArガスの混合ガスを使用するというものであり、これにより、CF4ガスもしくは、C4F8等のフロロカーボン系ガスによる化学的エッチングとArガスによるスパッタエッチングの相互効果によりエッチングガスの混合比率を最適化することにより高速でエッチングしても側壁に付着物がつきにくいという作用効果を有する。
本発明の請求項5に記載の発明は、特に、エッチング処理ガスとしてSF6ガスとArガスの混合ガスを使用するというものであり、これにより、SF6ガスによる化学的エッチングとArガスによるスパッタエッチングの相互効果によりエッチングガスの混合比率を最適化することにより高速でエッチングしても側壁に付着物がつきにくいという作用効果を有する。
本発明の請求項6に記載の発明は、特に、バイアス電力の周波数が2MHz以下であるというものであり、これにより、入射するイオン加速電圧が上昇し、スパッタ作用の効果が大きくなり、より効果的にエッチングができるという作用効果を有する。
本発明のドライエッチング方法は、エッチングガスとしてハロゲンガスと不活性ガスとの混合ガスを用い、エッチングガスを大容量供給しながら高真空でプラズマを生成し、かつバイアスに低周波電力を印加してエッチングすることにより貴金属を含む膜を不活性ガスのスパッタリング作用により分離させ、ハロゲンガスとの化合物を促進し、ハロゲン化物ガスとして揮発させると共に、不揮発性ガスは高真空のため周辺に付着することなく排気され、エッチング側壁に付着物のない貴金属を含む膜をドライエッチングできるという効果を有する。
(実施の形態)
以下、実施の形態を用いて、本発明の特に全請求項に記載の発明について図面を参照しながら説明する。
以下、実施の形態を用いて、本発明の特に全請求項に記載の発明について図面を参照しながら説明する。
なお、上記背景技術の項において説明したものと同じ構成の部材などについては、同じ符号を付与し詳細な説明は省略する。
図1は、本発明の一実施の形態におけるドライエッチング装置の概要を示した断面図であり、図2は同実施の形態における被エッチング体を示した断面図である。
図1において、処理室15にはエッチング処理に用いるハロゲンガスを供給するハロゲンガス供給部7と、不活性ガスを供給する不活性ガス供給部8を設け、また処理室15の内部を所定の圧力に排気する真空ポンプ9、10と、ガスを供給したときに所定のガス圧に保つためのオリフィスバルブ11が設置されている。さらにこの処理室15の内部には強誘電体膜が形成された被エッチング体5を載置するための載置台14が設置されており、この載置台14にはバイアス電圧を印加できるようにマッチング回路13を介してバイアス電源12が接続されている。また、処理室15の外部にはプラズマを発生させるためのアンテナ16と、マッチング回路17を介して高周波電源18が接続されている。
なお、本発明は図1に示すような誘導結合型プラズマエッチング装置を使用して説明するが、誘導結合型プラズマエッチング装置で発生するような、高真空下で高密度プラズマを発生することができるECR型プラズマエッチング装置、ヘリコン波型プラズマエッチング装置等を用いても実施可能である。
次に、ドライエッチング方法について説明する。熱酸化膜が形成されたSi基板1に電極膜2となる白金などの貴金属を含む膜をスパッタ等で形成する。ドライエッチング加工用のマスクとしては有機系のレジスト膜4をスピンコータ等で5μm以上の厚みにコーティングし、フォトリソグラフィー工程を経て所定のパターン形状を形成する。
この貴金属を含む膜2が形成された被エッチング体5をドライエッチング装置の処理室15内の載置台14の上に載置する。次に、オリフィスバルブ11を全開にして処理室15を高真空、例えば10-2Pa以下に排気した後、オリフィスバルブ11を絞り、処理室15内にエッチング処理ガスとしてCF4ガスをハロゲンガス供給部7から80SCCM、Arガスを不活性ガス供給部8から20SCCM供給する。このとき処理室15のガス圧を0.2Paとなるようにオリフィスバルブ11を制御する。次に、高周波電源18より13.56MHzの高周波を1000Wの電力で印加し、処理室15内にプラズマを生成させる。また、載置台14にはバイアス電源12より500kHzの低周波を400Wの電力で印加する。なお、バイアス電源の周波数を500kHzとしたが、2MHz以下でもかまわない。当該プラズマによりレジスト膜4で覆われていない貴金属を含む膜3がエッチングされる。
図4にエッチングガスの総流量に対するCF4ガスの流量比とエッチング速度との関係を示す。図5はエッチングガスの総流量に対するCF4ガスの流量比とレジストエッチング速度、さらに図6にはエッチングガスの総流量に対するCF4ガスの流量比と側壁付着物の関係を示す。
図4に示すように、CF4ガスの流量比が40%以下ではエッチング速度はアップする。しかし、Arガスのみでは逆にエッチング速度が低下する。また、CF4ガス流量比が小さいと図5に示すようにレジストエッチング速度が低下する。ここでレジストエッチング速度が遅いということは、レジストマスクが減少しないため、形状が精度よくできる。
さらに図6に示すように、CF4ガスの流量比が40%以下では側壁への付着物が少なくなる。これは、側壁付着物が再エッチングされるものと考えられる。特にCF4ガスが20SCCMの流量のとき側壁付着物は観察されなかった。
ところがこのガス流量でバイアス電源の周波数を高周波、例えば13.56MHzの周波数で確認したところ側壁付着物が多く見受けられた。これはバイアス周波数が低周波により、入射するイオンの加速電圧が上昇するため、スパッタ作用の効果が大きくなりエッチング速度が速くなるとともに、付着した物も再エッチングされたものと考えられる。
また、プロセスパラメータの中で処理圧力にも大きな影響を受ける。その理由は処理圧力が下がると反応生成物や堆積物の沸点が下がったり、また被エッチング体5上空の反応生成物の分圧が下がることにより、側壁に付着しにくくなったり、エッチングガスどうしの衝突頻度が減少し、その結果として側壁に付着しにくくなるものと考えられる。
本発明にかかるドライエッチング方法は、エッチングガスとしてハロゲンガスと不活性ガスとの混合ガスを用い、エッチングガスを大容量供給しながら高真空でプラズマを生成し、かつバイアスに低周波電力を印加してエッチングすることにより貴金属を含む膜の結合力を不活性ガスのスパッタリング作用により分離させ、ハロゲンガスとの化合物生成を促進し、ハロゲン化物ガスとして揮発させると共に、不揮発性ガスは高真空のため周辺に付着することなく排気され、エッチング側壁に付着物のない貴金属を含む膜をドライエッチングできるという効果を有し、圧電素子、焦電素子等に用いられる貴金属を含む膜を微細加工するための貴金属を含む膜のドライエッチング方法に関する用途として有用である。
1 Si基板
2 電極膜
4 レジスト膜
5 被エッチング体
6 側壁付着物
7 ハロゲンガス供給部
8 不活性ガス供給部
9 真空ポンプ
10 真空ポンプ
11 オリフィスバルブ
12 バイアス電源
13 マッチング回路
14 載置台
15 処理室
16 プラズマ生成アンテナ
17 マッチング回路
18 高周波電源
2 電極膜
4 レジスト膜
5 被エッチング体
6 側壁付着物
7 ハロゲンガス供給部
8 不活性ガス供給部
9 真空ポンプ
10 真空ポンプ
11 オリフィスバルブ
12 バイアス電源
13 マッチング回路
14 載置台
15 処理室
16 プラズマ生成アンテナ
17 マッチング回路
18 高周波電源
Claims (6)
- 貴金属を含む膜のドライエッチング方法において、ハロゲンガスと不活性ガスとの混合ガスをエッチング処理ガスとして用い、被エッチング体に低周波のバイアス電圧を印加し、ガス流量が50SCCM以上、ガス圧が0.1Pa〜1Paでエッチングを行うドライエッチング方法。
- 貴金属を含む膜がPt、Au、Pd、Irおよびそれらの化合物である請求項1に記載のドライエッチング方法。
- 混合ガスの総流量に対するハロゲンガスの流量比率が40%以下である請求項1または2に記載のドライエッチング方法。
- エッチング処理ガスのハロゲンガスがCF4もしくはC4F8等のフロロカーボン系であり、不活性ガスがArの混合ガスである請求項1〜3のいずれか一つに記載のドライエッチング方法。
- エッチング処理ガスのハロゲンガスがSF6であり、不活性ガスがArの混合ガスである請求項1〜3のいずれか一つに記載のドライエッチング方法。
- 低周波のバイアス電力の周波数が2MHz以下である請求項1に記載のドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005113220A JP2006294847A (ja) | 2005-04-11 | 2005-04-11 | ドライエッチング方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009212289A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Fujifilm Corp | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
JP2018065318A (ja) * | 2016-10-20 | 2018-04-26 | ローム株式会社 | インクジェットプリントヘッドおよびその製造方法 |
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2005
- 2005-04-11 JP JP2005113220A patent/JP2006294847A/ja active Pending
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