JP2006278415A - 超音波接合装置及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】電子部品のサイズを問わず良好な接合品質を実現できる超音波接合装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板7上にバンプ6を介してチップ5を接合させるため、チップ5を吸引保持して、加圧と超音波振動を作用させる加圧保持部3を備えた超音波接合装置において、上記加圧保持部3の作業面8は、吸引力を作用させる吸引穴3aを形成し、前記チップ5を吸着保持する部品吸着面8aと、その外周に形成される位置ズレ阻止面8bとで構成され、上記位置ズレ阻止面8bは、上記部品吸着面8aよりも粗面の度合いが大きくなっている。
【選択図】図1

Description

本発明は、超音波接合装置及びその製造方法に係り、詳しくは、半導体素子等の電子部品を吸引保持して、加圧と超音波振動を作用させ、基板上に電子部品を実装させる超音波接合装置及びその製造方法に関する。
従来より、基板上に形成されたバンプと半導体素子等の電子部品とをフリップチップ実装する際には、上記のような超音波接合装置が広く用いられており、該装置の加圧保持部により、吸着保持された電子部品をバンプの上に下降させ、電子部品をバンプに押し当てた状態にして、加圧し超音波振動を与えることにより、電子部品とバンプと溶融接合している。
上述のように溶融接合されるまでの工程において、加圧保持部による加圧力や超音波振動のコントロールが接合品質に大きく影響するが、加圧保持部は真空吸着して電子部品を保持しているだけでその保持力が小さいので、超音波振動により横方向に電子部品が加圧保持部の部品吸着面からずれてしまい、接合不良となったり、バンプとの接合強度が低下する等の問題があった。
上記問題を解決するために、特許文献1には、超音波接合装置において、吸着ノズル(加圧保持部)の吸着面を接合させる電子部品より硬度が低い耐熱性樹脂材料によって形成し、その表面が所定の面粗度を持つ粗面に形成されたものが開示されている。
特開2004−336071号公報
これによれば、吸着面の硬度が電子部品よりも低いため、接合させる電子部品との摩擦力が大きくなり、吸着面と電子部品との間の滑りを抑制でき、また電子部品の表面が削られるという心配もない。
しかしながら、上記のものにおいても、吸着ノズル自体の吸着力は従来のものと変わらず小さいため、電子部品のサイズが大きい場合には、位置ずれを起こしてしまうという問題は解決されなかった。
本発明は上記問題点に鑑みて為されたものであり、電子部品のサイズを問わず良好な接合品質を実現できる超音波接合装置及びその製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、請求項1に記載の超音波接合装置は、基板上にバンプを介してチップを接合させるため、チップを吸引保持して、加圧と超音波振動を作用させる加圧保持部を備えた超音波接合装置において、前記加圧保持部の作業面は、吸引力を作用させる吸引穴を形成し、前記チップを吸着保持する部品吸着面と、その外周に形成される位置ズレ阻止面とで構成され、上記位置ズレ阻止面は、上記部品吸着面よりも粗面の度合いが大きくなっている。
本発明において、請求項2の発明のように、加圧保持部の作業面は、超硬合金とすることができ、請求項3の発明のように、部品吸着面は、最大表面粗さが0.2μm以下とし、位置ズレ阻止面は、最大表面粗さが0.8μm以上とすることができる。また請求項4の発明のように、部品吸着面は、1mm角以上とすることができる。
更に請求項5の発明では、請求項1〜4に記載された超音波接合装置は、加圧保持部の作業面に最大表面粗さが0.8μm以上の粗面を形成し、次いでかくして形成された粗面に、上記作業面よりも硬度の高い研磨材料片を加圧しながら超音波を作用させることで、該研磨材料片に応じた寸法の最大表面粗さが0.2μm以下とした部品吸着面を形成して、上記作業面に、上記部品吸着面の周囲に上記位置ズレ阻止面を形成することができる。
請求項1に記載の超音波接合装置によれば、チップを吸着保持する部品吸着面と、その外周に形成される位置ズレ阻止面とには粗面が形成されているので、チップとの間の摩擦抵抗が増え、チップのずれを低減させることができる。また位置ズレ阻止面は、部品吸着面よりも粗面の度合いが大きくなっているので、チップの周囲が粗い面、すなわち位置ズレ阻止面に囲まれることとなり、超音波振動がチップに印加してもチップがすべって移動してしまうことが妨げられ、接合の際のチップのズレ及び接合強度の低下を低減させることができ、接合品質を向上させることができる。
請求項2に記載の超音波接合装置によれば、加圧保持部の作業面は、超硬合金で形成されるので、超音波振動による摩擦で磨耗することが少なく、加圧保持部の寿命を長くすることができ、長期に亘って安定した接合を維持できる。
請求項3に記載の超音波接合装置によれば、部品吸着面は、最大表面粗さが0.2μm以下とし、位置ズレ阻止面は、最大表面粗さが0.8μm以上とされるので、チップの周囲が粗い面、すなわち位置ズレ阻止面に囲まれることとなり、超音波振動がチップに印加してもチップがすべって移動してしまうことが妨げられ、接合の際のチップのズレ及び接合強度の低下を低減させることができ、接合品質を向上させることができる。
なお、部品吸着面の最大表面粗さを0.3μm以上とした場合は、摩擦抵抗が大きくなりすぎてしまい、チップに損傷を与えてしまう。一方、位置ズレ阻止面の最大表面粗さを0.7μmとした場合は、チップの移動を阻止することができず、接合の際にずれを起こしてしまう。
請求項4に記載の超音波接合装置によれば、接合面積が1mm角以上のチップで、超音波出力が大きくなる場合であっても、位置ズレ阻止面によりチップの移動が阻止されるので、チップズレの抑制効果が高まる。
請求項5に記載の方法によれば、簡易な方法で、本発明の超音波接合装置を製造することができる。
以下に本発明の最良の実施の形態について、図面に基づいて説明する。
図1は本発明の超音波接合装置の要部断面図(図2におけるX部の拡大断面図)図2は本発明の超音波接合装置の加圧保持部の構成を示す部分断面図、図3は本発明の加圧保持部の作業面を示す平面図、図4(a)(b)は本発明の超音波接合装置の製造工程を示す断面図である。
本発明の超音波接合装置1は、LEDチップ等の電子部品(以下チップ5という)を基板7に押圧荷重と超音波振動とを加えてフェイスダウン実装する装置であり、超音波ホーン2の先端に取り付けた加圧保持部3と接合面を上にした基板7が載置されるステージ部4とを備えている。ステージ部4には、基板7を加熱し短時間で接合可能とする温度調節が可能なヒータ部4aが内蔵されており、該基板7はクランプ機構(不図示)により固定保持されている。加圧保持部3は上下方向に動作可能であり、図2に示すように、チップを吸着するために吸引力を作用させる吸引穴3aが形成されている。この吸引穴3aは加圧保持部3を貫く中空構造となっており、真空配管9を介して真空吸引装置(不図示)へと接続されている(図2参照)。こうして加圧保持部3は、チップ5を下方から真空吸引し吸着保持して、ステージ部4上面に配置された基板7への移送を可能としている。
基板7の表面には、Cu、Ni、Au等により形成された電極7aを備えており、そこにワイヤボンディング技術等により形成した金属製、或いはCu、Alやその合金、金メッキのバンプ6が形成されている。ここで、パンプ6は上述のように、基板7側に形成されるものに限定されず、チップ5側の電極に形成されたものでもよい。また基板7はセラミック、合成樹脂、フィルム、金属、リードフレーム、Si、Al等により形成される。
超音波ホーン2の基端部(不図示)には超音波振動子を備えており、ここで発生させた超音波により加圧保持部3を図1及び図2の矢印に示すようにチップ5に対して水平方向(横方向)に揺動させ、加圧保持部3の作業面8とチップ5との間に超音波振動を与えてチップ5を振動させ、上方より加圧することにより、バンプ6との間に摩擦を生じさせて溶融接合する。ここで加圧及び超音波を印加させる時間等は、接合させるチップ5の構造、大きさ等に応じて制御可能である。
本発明の超音波接合装置1では、加圧保持部3の作業面8は、吸引力を作用させる吸引穴3aを形成し、前記チップ5を吸着保持する部品吸着面8aと、その外周に形成される位置ズレ阻止面8bとで構成され、上記位置ズレ阻止面8bは、上記部品吸着面8aよりも粗面の度合いが大きくなっていることを特徴とする。
これによれば、チップ5を基板7に接合する際、チップ5に超音波振動が印加され、加圧保持部3の作業面8からズレようとしても、位置ズレ阻止面8bにより横方向への動きを阻止され、チップ5が吸着されるべき箇所から移動してしまうことを防ぐことができる。
ここで、加圧保持部3の作業面8を超硬合金製とすれば、表面粗さの凹凸の変化を小さくすることができ、超音波振動による摩擦で磨耗することが少ないので、加圧保持部の寿命を長くすることができ、長期に亘って安定した接合を維持できる。超硬合金にはWC−Co系、WC−Ti(Ta、Nb)C−Co系等がある。
図3には、本発明の超音波接合装置1の加圧保持部3の作業面8の平面図を示している。
部品吸着面8aは、接合させるチップ5のサイズに応じて形成されており、最大表面粗さが0.2μm以下に形成される。また、位置ズレ阻止面8bは、最大表面粗さが0.8μm以上に形成されている。
これによれば、チップ5の周囲が粗い面、すなわち位置ズレ阻止面8bに囲まれることとなり、超音波振動をチップ5に印加してもチップ5がすべって横方向に移動してしまうことが妨げられ、接合の際のチップ5のズレ及び接合強度の低下を低減させることができる。よって、チップ5が接合すべき箇所から移動してしまうことを防ぐことができ、接合品質を向上させることができる。
ここで部品吸着面8aの最大表面粗さを0.3μm以上とした場合は、チップ5に損傷を与えてしまうので適切でない。また位置ズレ阻止面8bの最大表面粗さを0.7μmとした場合は、チップ5の移動を阻止することができないので、接合の際にずれを起こしてしまう。
また通常、チップ5のサイズが大きくなり、接合面積が増えると超音波出力が大きくなってしまうので、チップ5のずれが起こりやすいが、本発明によれば、1mm角以上のチップ5であっても、位置ズレ阻止面8bによりチップ5の移動が阻止されるので、チップズレを抑制することができる。
次いで、本発明の超音波接合装置1の製造方法について説明する。
図4は本発明の作業面8の形成方法を示している。まず、図4(a)に示すように作業面8の全面80を最大表面粗さ0.8μm以上となるように一様に加工する。このときの表面加工の方法は特に限定されるものではないが、ブラスト加工、エッチング加工、吹き付け加工等がある。ついでかくして形成された粗面を図4(b)に示すように、作業面8よりも硬度の高い研磨材料片Sを加圧しながら超音波を作用させて、最大表面粗さが0.2μm以下となるように表面加工する。このとき研磨材料片Sとしては、サファイア片が好適であるがこれに限定されず、作業面8を研磨できる素材であればよい。また研磨材料片Sは、基板7に接合するチップ5と同サイズものを用いてなされる。このようにすれば、表面粗さの異なる面を容易に形成することができる。
本発明の超音波接合装置の要部断面図(図2におけるX部の拡大断面図)である。 本発明の超音波接合装置の加圧保持部の構成を示す部分断面図である。 本発明の加圧保持部の作業面を示す平面図である。 (a)(b)本発明の超音波接合装置の製造工程を示す断面図である。
符号の説明
1 超音波接合装置
2 超音波ホーン
3 加圧保持部
3a 吸引穴
5 チップ
8 作業面
8a 部品吸着面
8b 位置ズレ阻止面

Claims (5)

  1. 基板上にバンプを介してチップを接合させるため、チップを吸引保持して、加圧と超音波振動を作用させる加圧保持部を備えた超音波接合装置において、
    上記加圧保持部の作業面は、吸引力を作用させる吸引穴を形成し、前記チップを吸着保持する部品吸着面と、その外周に形成される位置ズレ阻止面とで構成され、上記位置ズレ阻止面は、上記部品吸着面よりも粗面の度合いが大きくなっている超音波接合装置。
  2. 請求項1において、
    上記加圧保持部の作業面は、超硬合金でなることを特徴とする超音波接合装置。
  3. 請求項1又は2において、
    上記部品吸着面は、最大表面粗さが0.2μm以下であり、上記位置ズレ阻止面は、最大表面粗さが0.8μm以上であることを特徴とする超音波接合装置。
  4. 請求項1乃至3において、
    上記部品吸着面は、1mm角以上であることを特徴とする超音波接合装置。
  5. 請求項1乃至4に記載された超音波接合装置を製造する方法であって、
    加圧保持部の作業面に最大表面粗さが0.8μm以上の粗面を形成し、次いでかくして形成された粗面に、上記作業面よりも硬度の高い研磨材料片を加圧しながら超音波を作用させることで、該研磨材料片に応じた寸法の最大表面粗さが0.2μm以下とした部品吸着面を形成して、上記作業面に、上記部品吸着面の周囲に上記位置ズレ阻止面を形成することを特徴とする超音波接合装置の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101519993B1 (ko) 2013-06-13 2015-05-14 한국생산기술연구원 초음파 성형 가공 장치
US9735100B2 (en) 2013-02-06 2017-08-15 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000183115A (ja) * 1998-12-14 2000-06-30 Tdk Corp チップ接合用ノズル
JP2004087539A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 超音波ボンディング用ボンディングツール

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000183115A (ja) * 1998-12-14 2000-06-30 Tdk Corp チップ接合用ノズル
JP2004087539A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 超音波ボンディング用ボンディングツール

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9735100B2 (en) 2013-02-06 2017-08-15 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR101519993B1 (ko) 2013-06-13 2015-05-14 한국생산기술연구원 초음파 성형 가공 장치

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