JP2006274396A5 - - Google Patents

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  1. 真空槽、該真空槽内部に形成され各々独立の成膜雰囲気を維持可能な複数の小成膜室、各小成膜室に配置される少なくとも1つの蒸着源、該蒸着源に対面する所定の成膜位置に該基板を配置させる基板保持手段、および、該基板保持手段を駆動する移送機構を備え、
    該移送機構によって任意の小成膜室内に任意の基板配置され、各小成膜室において該基板それぞれが独立してかつ所望の時間に成膜されることを特徴とする薄膜形成装置。
  2. 請求項1記載の薄膜形成装置であって、
    該小成膜室は該基板を搬出入するゲートを有し、該小成膜室内の所定の成膜位置に該基板配置されることにより該基板保持手段が該ゲートを閉蓋し、該小成膜室内に外部とは独立した空間形成されることを特徴とする薄膜形成装置。
  3. 該小成膜室を同心円状に配列する請求項2記載の薄膜形成装置であって、
    該移送機構が、
    同心円状に配列した該基板保持手段を旋回させ、所望の小成膜室のゲート位置まで所望の基板を保持する該基板保持手段を配置させた後、該ゲート方向に該基板保持手段を移動させて該ゲートを閉蓋し、該基板保持手段を該ゲート方向と逆方向に移動させることにより該小成膜室のゲートを開蓋するよう構成されたことを特徴とする薄膜形成装置。
  4. 請求項1乃至3記載の薄膜形成装置であって、
    該移送機構によって順次所望の小成膜室内に該基板移送され該基板に多層膜形成される間、該小成膜室内に配置した該蒸着源の蒸発速度一定に維持され、稼動する該蒸着源をシャッターにより遮蔽した状態で該小成膜室開放されることを特徴とする薄膜形成装置。
  5. 請求項1乃至4記載の薄膜形成装置であって、
    該基板保持手段は自転機構を備え、成膜時に該基板を自転させることを特徴とする薄膜膜形成装置。
  6. 請求項1乃至4記載の薄膜形成装置であって、
    複数の蒸着マスクパターンを備え、さらに、所望の蒸着マスクパターンを基板下に配置する蒸着マスク変換機構を有することを特徴とする薄膜形成装置。
  7. 請求項1乃至4記載の薄膜形成装置であって、
    該蒸着源に再蒸発を防止する冷却機構を設けたことを特徴とする薄膜形成装置。
  8. 請求項1乃至4記載の薄膜形成装置であって、
    薄膜形成後の該基板を外気に暴露することなく切り離し移動するトランスファーベッセルを備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
  9. 請求項1乃至4記載の薄膜形成装置であって、
    予め入力された所望の素子構造に基づいて、該蒸着源および該移送機構を操作する制御装置を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
  10. 真空槽内部に各々独立の成膜雰囲気を維持可能な複数の小成膜室形成し、各小成膜室に少なくとも1つの蒸着源配置し、該蒸着源に成膜される基板を対向配置させる基板保持手段を備え、該基板保持手段を駆動することにより任意の小成膜室内に任意の基板を配置させ、各小成膜室において独立してかつ所望の時間に成膜を行うことを特徴とする薄膜形成方法。
  11. 請求項10記載の薄膜形成方法であって、
    該小成膜室は該基板を搬出入するゲートを有し、該ゲートの閉蓋手段に該基板が保持されることを特徴とする薄膜形成方法。
  12. 請求項10記載の薄膜形成方法であって、
    該基板を順次所望の小成膜室内に移送して多層膜を形成する間、該小成膜室内に配置した該蒸着源の蒸発速度を一定に維持し、該小成膜室の開放時にはシャッターを用いて該蒸着源を遮蔽することを特徴とする薄膜形成方法。
  13. 請求項1記載の薄膜形成装置を用い、
    所望の有機材料を備える該小成膜室に順次該基板を移送することによる有機層の積層、および、電荷発生性材料を備える該小成膜室に該基板を移送することによる電荷発生層の形成を繰返し、タンデム積層型有機EL素子を作成することを特徴とする制御方法。
  14. 請求項13記載の制御方法であって、該薄膜形成装置が該小成膜室内にシャッターを備え、該シャッターの開閉により該蒸着源から該基板への該有機材料の飛散を制御することを特徴とする制御方法。
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