JP2006270083A - 集合基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】反り等の変形を抑制し、各基板領域への分割性が良好な集合基板を提供する。
【解決手段】分割領域内に、平面視して分割領域２Ｙの形成方向と交差するとともに積層体１の最上層を厚み方向に貫通する複数の溝部４を分割領域２Ｙの形成方向に沿って配列させることにより、隣接する基板領域３を、溝部間に設けられた連結部５によって連結させる。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体装置や複合電子部品等に用いられる多層配線基板等の集合基板及びその製造方法に関するものである。

従来から、半導体装置や複合電子部品等に多層配線基板等の集合基板が幅広く用いられている。

かかる従来の集合基板は、図７に示す如く、複数個の絶縁層を積層してなる積層体２０の上面に、複数の基板領域２１と、隣接する基板領域２１を区画するように配される直線状の分割領域２０Ｘ、２０Ｙとから成るものである。また、積層体２０の内部には配線導体が設けられ、キャパシタやインダクタ等を構成している。このような集合基板の焼成後の寸法精度を高くするために、異なる無機組成物からなり第１絶縁層と第２絶縁層とで積層体を構成するようにしたものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。

上記集合基板の製造方法としては、例えば、第１の無機組成物から成る第１絶縁層、及び第１の無機組成物よりも高温で収縮を開始する第２の無機組成物から成る第２絶縁層を積層して積層体２０を形成する工程と、積層体２０の主面に複数の基板領域２１がマトリクス状に配されるように分割領域２０Ｘ、２０Ｙを形成する工程と、積層体２０を、第２の無機組成物の収縮開始温度よりも低く、第１の無機組成物の収縮開始温度よりも高い温度で加熱し、しかる後、積層体２０を、第２の無機組成物の収縮開始温度よりも高い温度で加熱し、第１及び第２絶縁層を焼結させる工程を含む製造方法が用いられている。

このように第１の無機組成物から成る第１絶縁層と第１の無機組成物よりも高温で収縮を開始する第２の無機組成物から成る第２絶縁層とで積層体２０を形成することにより、収縮開始温度の低い第１絶縁層が収縮を開始した際は、未焼結状態にある第２絶縁層により面方向における収縮が抑制される。一方、収縮開始温度の高い第２絶縁層が収縮を開始した際は、焼結した第１絶縁層により面方向における収縮が抑制される。以上のようなメカニズムにより、積層体２０の面方向への収縮を抑制することで、集合基板の寸法精度を高くなす試みがなされている。
特開２００４−２９６７２１号公報

ところで、上述した従来の集合基板および集合基板の製造方法では、刃身を積層体の上面に押し当てることにより、分割領域２０Ｘ、２０Ｙに対応する領域に、Ｘ方向、Ｙ方向に直線状に延びる溝部２２が形成される。

図８（ａ）は、Ｙ方向に沿った分割領域２０Ｙを通る断面図であり、図７のＡ−Ａ’線の断面図に対応するものである。溝部２２を形成するための刃身の刃先は直線状であるため、分割領域２０に沿った溝部２２の断面形状も図８（ａ）に示すように直線状になる。したがって、この溝部２２をＹ方向の異なる２点（Ｂ−Ｂ’断面、Ｃ−Ｃ’断面）で見たときの溝部２２の深さは、図８（ｂ）、（ｃ）に示すように基本的に同じになる。

しかしながら、上述した従来の集合基板において、溝部２２が積層体の上面側のいくつかの絶縁層（図では最上層および上から２番目の層）を貫通した場合、溝部２２が貫通した上面側の絶縁層において、隣接する基板領域２１同士が完全に分断されてしまうことになる。このように、隣接する基板領域２１同士が完全に分断されてしまうと、溝部２２で区画された各基板領域内の収縮抑制効果が小さくなってしまう。一方、溝部２２が達しない積層体の下面側の絶縁層では収縮抑制効果が大きいため、積層体内で収縮抑制効果が大きく異なってくる。このような収縮抑制効果の相違に起因して、積層体に反り等の変形が発生しやすく、集合基板の寸法精度が低くなってしまうという問題があった。

上記問題に対し、積層体の最上層を貫通しない深さの溝部２２を形成することにより隣接する基板領域２１同士を完全に分断しない方法も考えられる。しかしながら、この場合、溝部２２の深さが浅くなってしまい集合基板の分割性が悪くなる。

本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、積層体の反り等の変形を抑制し、且つ分割性が良好な集合基板およびその製造方法を提供することにある。

本発明の集合基板は、第１の無機組成物を焼成して成る第１絶縁層と前記第１の無機組成物よりも高温で収縮を開始する第２の無機組成物を焼成して成る第２絶縁層とが積層されている積層体の上面に、複数の基板領域と、隣接する基板領域を区画するように配される直線状の分割領域とを有した集合基板であって、前記分割領域内には、平面視して前記分割領域の形成方向と交差するとともに前記積層体の最上層を厚み方向に貫通する複数の溝部が前記分割領域の形成方向に沿って配列されており、隣接する基板領域が、前記積層体の最上層から前記溝部の最深部に相当する深さ位置にかけて前記分割領域の隣接する溝部間に設けられた連結部によって連結されていることを特徴とするものである。

また本発明の集合基板は、前記連結部の最頂部の高さ位置が、前記積層体の上面よりも低い位置にあることを特徴とするものである。

また本発明の集合基板は、前記第１絶縁層の厚みが前記第２絶縁層の厚みよりも薄いことを特徴とするものである。

また本発明の集合基板は、前記第１、第２絶縁層が交互に複数積層されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の集合基板。

また本発明の集合基板の製造方法は、第１の無機組成物から成る第１絶縁層と前記第１の無機組成物よりも高温で収縮を開始する第２の無機組成物から成る第２絶縁層とを積層してなる積層体を形成する工程Ａと、前記積層体の上面に、複数の基板領域に区画する直線状の分割領域を形成する工程Ｂと、前記積層体を、前記第２の無機組成物の収縮開始温度よりも低く、前記第１の無機組成物の収縮開始温度よりも高い温度で加熱し、しかる後、前記積層体を、前記第２の無機組成物の収縮開始温度よりも高い温度で加熱し、前記第１及び第２絶縁層を焼結させる工程Ｃと、を含む集合基板の製造方法において、前記分割領域には、平面視して前記分割領域の形成方向と交差するとともに前記積層体の最上層を厚み方向に貫通する複数の溝部が前記分割領域の形成方向に沿って配列されており、隣接する基板領域が、前記積層体の最上層から前記溝部の最深部に相当する深さ位置にかけて前記分割領域の隣接する溝部間に設けられた連結部によって連結されていることを特徴とするものである。

また本発明の集合基板の製造方法は、前記連結部の最頂部の高さ位置が、前記積層体の上面よりも低い位置にあることを特徴とするものである。

また本発明の集合基板の製造方法は、前記第１絶縁層の厚みが前記第２絶縁層の厚みよりも薄いことを特徴とするものである。

また本発明の集合基板の製造方法は、前記第１、第２絶縁層が交互に複数積層されていることを特徴とするものである。

本発明によれば、隣接する基板領域が、前記積層体の最上層から前記溝部の最深部に相当する深さ位置にかけて分割領域の隣接する溝部間に設けられた連結部によって連結されていることから、隣接する基板領域同士が完全には分断されず、分割領域で区画された各基板領域内の収縮抑制効果を高く維持することができ、積層体全体の面方向への収縮抑制効果を均一化することができ、積層体の反り等による変形を有効に防止することができる。

以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施形態に係る集合基板の斜視図、図２は図１の断面図であり、同図に示す集合基板は、複数の基板領域３と隣接する基板領域３を区画するように配される分割領域２とを上面に有する積層体１から構成されている。

集合基板１は、第１絶縁層１ａ，１ｂ及び第２絶縁層１ｅ〜１ｇを交互に積層することにより形成されている。また、第１絶縁層１ａ，１ｂの厚みは、第２絶縁層１ｅ〜１ｇの厚みよりも薄く設定されている。

第１絶縁層１ａ，１ｂは第１の無機組成物を焼結させてなるものであり、第１の無機組成物の材質としては、例えば８００℃〜１２００℃の比較的低い温度で焼成が可能なガラス−セラミック材料が好適に用いられ、その厚みは、例えば１０〜３００μｍに設定される。ガラス−セラミック材料にはガラス粉末及びセラミック粉末が含まれ、ガラス粉末は３０〜１００重量部含まれており、ガラス粉末を除く材料がセラミック粉末となる。

第２絶縁層１ｅ〜１ｇは第２の無機組成物を焼結させてなるものであり、第２の無機組成物の材質としては、上記第１の無機組成物と同様にガラス−セラミック材料が好適に用いられ、その厚みは、例えば２〜１５０μｍに設定される。

本実施形態においては、例えば、第１の無機組成物はガラス粉末が８５質量％、第２の無機組成物はガラス粉末が５５質量％であり、このような組成とすることにより、第２の無機組成物は第１の無機組成物よりも高温で収縮を開始する材料に設定されている。

ガラス粉末の具体的な組成としては、例えば、必須成分として、ＳｉＯ₂を１０〜７０質量％、Ａｌ₂Ｏ₃を０．５〜３０質量％、ＭｇＯを３〜６０質量％、また任意成分として、ＣａＯを０〜３５質量％、ＢａＯを０〜３５質量％、ＳｒＯを０〜３５質量％、Ｂ₂Ｏ₃を０〜２０質量％、ＺｎＯを０〜３０質量％、ＴｉＯ₂を０〜１０質量％、Ｎａ₂Ｏを０〜３質量％、Ｌｉ₂Ｏを０〜５質量％含むものが挙げられる。

セラミック粉末としては、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＭｇＴｉＯ₃、ＣａＺｒＯ₃、ＣａＴｉＯ₃、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄、ＢａＴｉ₄Ｏ₉、ＺｒＴｉＯ₄、ＳｒＴｉＯ₃、ＢａＴｉＯ₃、ＴｉＯ₂から選ばれる１種以上が挙げられる。

上記組成のガラス粉末とセラミック粉末との組み合わせによれば、誘電率の制御も可能であり、高誘電率化による回路の小型化、低損失化、あるいは、低誘電率化による高速伝送化に適している。しかも、上記の範囲で種々組成を制御することによって、焼成収縮挙動を容易に制御、変更することができる。また、１０００℃以下での低温焼結が可能となるとともに、配線導体及びビアホール導体として、銀（融点９６０℃）、銅（融点１０８３℃）、金（融点１０６３℃）などの低抵抗導体を用いて形成することが可能となり、低損失な回路を作成できる。

このように第１、第２絶縁層からなる積層体１の表層及び内部には、配線導体やビアホール導体など（図示せず）が形成されている。表層の配線導体は、主に電子部品素子の搭載部となる接続パッドとして機能し、絶縁層間に介在する内部の配線導体は、主に各回路素子を電気的に接続する配線や、インダクタ・キャパシタ等の回路素子として機能する。表層の配線導体と内部の配線導体、若しくは異なる絶縁層間に介在する内部の配線導体同士は、ビアホール導体により電気的に接続される。

配線導体及びビアホール導体の材質としては、銀、銅、金等の上記低抵抗導体材料のいずれか一種を含む導電材料からから成る。配線導体は、厚みが例えば５〜２５μｍに設定される。ビアホール導体は、直径を任意に設定可能であり、ビアホール導体が埋設される絶縁層の厚みが１０〜３００μｍの場合、ビアホール導体の直径は例えば５０〜３００μｍに設定される。

積層体１の上面には、積層体１を各基板領域３に区画する分割領域２が設けられている。分割領域２は、図のＸ方向に延びる複数の分割領域２Ｘと、図のＹ方向に延びる複数の分割領域２Ｙとからなり、これらの分割領域２Ｘ，２Ｙによって、複数の基板領域３がマトリクス状に配されることとなる。

図２（ａ）は、図１のＡ−Ａ’線断面図である。分割領域２には、図２（ａ）に示すように、積層体１の最上層（第２絶縁層１ｅ）及び上から２番目の層（第１絶縁層１ａ）を厚み方向に貫通する複数の溝部４が形成されている。また、隣接する溝部４の間には連結部５が形成されている。

図２（ｂ）は、図１のＢ−Ｂ’線断面図であり、溝部４の最深部を通る断面位置に対応している。このように溝部４の最深部を通る断面で見たとき、第２絶縁層１ｅ、第１絶縁層１ａにおいて、隣接する基板領域３は分断されている。一方、図２（ｃ）は、図１のＣ−Ｃ’線断面図であり、連結部５の最頂部を通る断面位置に対応している。このように連結部５の最頂部を通る断面で見たとき、隣接する基板領域３は完全には分断されていない。

図３は、図１のＤ部分の拡大斜視図である。同図に示すように溝部４は、積層体１を平面視したとき、分割領域２の形成方向（図では、Ｙ方向）と直交する方向（図では、Ｘ方向）に延びるように形成され、その溝部４が分割領域２の形成方向に沿って配列されている。

上記の如く形成された溝部４によって、隣接する基板領域３は、分割領域２の隣接する溝部間に設けられた連結部５によって連結された状態になっている。これより、分割領域２ｘ、２ｙによって区画された各基板領域において、第１絶縁層１ａ、第２絶縁層１eは、完全には分断されず、連結部５によって互いに連結された構造となる。これにより、溝部４で区画された各基板領域内の収縮抑制効果を高く維持することができ、積層体全体の面方向への収縮抑制効果をほぼ均一にすることができ、積層体１の反り等による変形を有効に防止することが可能となる。

連結部５の最頂部の高さ位置は、積層体１の上面よりも低い位置に設定しておくことが好ましい。これにより分割領域２における分割性が良好になる。このように分割性を良好にする観点から、最上層には厚みの厚い絶縁層を配置し、連結部５の最頂部の高さ位置を積層体１の上面よりできる限り低い位置に設定することが好ましい。すなわち、本実施形態においては、第１絶縁層よりも厚みの厚い第２絶縁層を最上層に配置しておくことが好ましい。

上述した集合基板は、例えば以下に示す工程を含む製造方法によって得られる。

（工程Ａ）先ず、第１絶縁層１ａ，１ｂ、第２絶縁層１ｅ〜１ｇをセラミックグリーンシートとして形成する。セラミックグリーンシートは、例えば上述したガラス粉末とセラミック粉末とを組み合わせた第１及び第２の無機組成物の粉末に、有機バインダと有機溶剤及び必要に応じて可塑剤とを混合してスラリー化し、このスラリーを用いてドクターブレード法などによりテープ成形を行い、所定寸法に切断することによって得られる。

本実施形態においては、例えば、第１の無機組成物に用いる粉末は、ガラス粉末８５質量％、セラミック粉末としてＭｇＴｉＯ_３１５質量％の組成からなる。なお、第１の無機組成物に用いるガラス粉末の組成は、例えば、ＳｉＯ_２が１５質量％、Ａｌ_２Ｏ_３が２質量％、ＭｇＯが４０質量％、ＣａＯが１質量％、ＢａＯが１５質量％、Ｂ_２Ｏ_３が２０質量％、ＺｎＯが１質量％、ＴｉＯ_２が０．５質量％、Ｎａ_２Ｏが０．５質量％、Ｌｉ_２Ｏが５質量％である。

一方、第２の無機組成物に用いる粉末は、ガラス粉末５５重量％、セラミック粉末としてＡｌ_２Ｏ_３４５質量％の組成からなる。なお、第２の無機組成物に用いるガラス粉末の組成は、例えば、ＳｉＯ_２が５０質量％、Ａｌ_２Ｏ_３が５質量％、ＭｇＯが２０質量％、ＣａＯが２４質量％、ＢａＯが０．５質量％、Ｂ_２Ｏ_３が０．３質量％、Ｌｉ_２Ｏが０．２質量％である。

上述した第１及び第２の無機組成物の粉末に、有機バインダとしてアクリルバインダ、有機溶剤としてトルエンを添加してなるスラリーを調整し、それぞれ第１絶縁層１ａ，１ｂ、第２絶縁層１ｅ〜１ｇとなるセラミックグリーンシートを形成した。

第１絶縁層１ａ，１ｂの厚みは、例えば２〜１５０μｍに設定され、第２絶縁層１ｅ〜１ｇの厚みは、例えば１０〜３００μｍに設定される。

得られたセラミックグリーンシートに金型による打ち抜き等の方法を用いて貫通孔を形成し、その貫通孔内に導体ペーストを充填してビアホール導体を形成し、セラミックグリーンシートの主面には導体ペーストをスクリーン印刷法などによって被着させて配線導体を形成する。

配線導体とビアホール導体の材料は、例えば、銀粉末に、有機バインダとしてエチルセルロース、有機溶剤として２−２−４−トリメチル−３−３−ペンタジオールモノイソブチレートを添加して成るペーストを用いた。

上記セラミックグリーンシートを、所定の積層順序に応じて積層して積層体を形成する。

（工程Ｂ）次に、得られた積層体１の上面に、複数の基板領域３に区画する直線状の分割領域２を形成する。

このとき分割領域２には、積層体１を平面視したとき、分割領域２の形成方向と交差するとともに積層体１の最上層を厚み方向に貫通する複数の溝部４が形成される。同時に、隣接する基板領域同士を連結しておく連結部５が形成される。かかる溝部４及び連結部５は、図４に示す如く、例えば、鋸状の刀身１０を押し当てることにより形成される。より具体的には、刀身１０の刃先の先端部１０ａが最上層の第２絶縁層１ｅを厚み方向に貫く位置まで達し、且つ刀身１０の刃先の最深部１０ｂが最上層の第２絶縁層１ｅを貫かないようにして刀身１０を押し当てることにより、溝部４と連結部５とが形成される。

このように分割領域２に、連結部５を形成することにより、続く工程Ｃにおいて、積層体１を焼成する際、溝部４で区画された各基板領域内の収縮抑制効果を高く維持することができ、積層体全体の面方向への収縮抑制効果をほぼ均一にすることができ、積層体１の反り等による変形を有効に防止することが可能となる。

（工程Ｃ）そして、積層体１を、第２の無機組成物の収縮開始温度よりも低く、第１の無機組成物の収縮開始温度よりも高い温度で加熱し、第１絶縁層１ａ，１ｂをその面方向に比べて厚み方向に大きく収縮させ、しかる後、積層体１を、第２の無機組成物の収縮開始温度よりも高い温度で加熱し、第２絶縁層１ｅ〜１ｇをその面方向に比べて厚み方向に大きく収縮させる。このようにして第１絶縁層１ａ，１ｂ及び第２絶縁層１ｅ〜１ｇを焼結させることにより、本発明の集合基板が得られる。

また、第１絶縁層１ａ，１ｂの厚みを第２絶縁層１ｅ〜１ｇの厚みよりも薄く設定している。これにより、第１絶縁層１ａ，１ｂは収縮量が小さくなるので、焼結するときの面方向の収縮を、厚みの厚い未焼結状態の第２絶縁層１ｅ〜１ｇによって効果的に抑制することができる。

更に本実施形態においては、第２絶縁層１ｅ〜１ｇが複数積層されるとともに、第１絶縁層１ａ，１ｂが、第２絶縁層１ｅ〜１ｇ間に介在されている。このため、第１絶縁層１ａ，１ｂが焼結するときの収縮が、上下を挟む未焼結状態の第２絶縁層１ｅ〜１ｇによって抑制されるので、反り等の変形が発生しにくくなる。

本実施形態においては、第１の無機組成物は焼結開始温度が７８３℃、第２の無機組成物は焼結開始温度が６９０℃という組成となっており、この結果、積層体の焼成収縮が終了した時の面方向の線収縮率が３％と小さくすることができ、反りや変形の少ない集合基板が得られた。

また、工程Ｃに続いて、集合基板を分割領域に沿って基板領域ごとにチョコレートブレークすることにより、図５に示すような個片としての基板６が得られる。

尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更、改良等が可能である。

例えば上述の実施形態では、溝部４の最深部が、最上層から３番目の第１絶縁層１ａに達する例を説明したが、このような形態に限らず、図６（ａ）に示す如く、溝部４の最深部がより深い絶縁層、例えば最上層から５番目の絶縁層１ｇまで達するように、溝部４を形成しても構わない。

また上述の実施形態においては、溝部４は、積層体１の上面のみに形成しているが、図６（ｂ）に示すように上面及び下面に形成するようにしても構わない。

また上述の実施形態においては、第１絶縁層よりも厚みの厚い第２絶縁層を積層体の最外層に配置するようにしたが、最外層の寸法精度を重視する場合は、厚みの薄い絶縁層を積層体の最外層に配置することが好ましい。最外層に配置される絶縁層は、他の絶縁層に接している片面のみが焼成時に拘束されるため、最外層に配置される絶縁層の厚みを他の絶縁層よりも薄く形成しておくことで、最外層に配置される絶縁層の変形を小さくすることができる。

更に上述の実施形態においては、積層体１は第１及び第２絶縁層となるセラミックグリーンシートを積層したものであるが、第１絶縁層については、第２絶縁層となるセラミックグリーンシートの主面に、第１絶縁層の形成にペースト状になした第１の無機組成物を印刷等で塗布して直接形成するようにしても良い。この場合、厚みの薄い第１絶縁層がペーストの塗布等によって比較的簡単に形成されるようになる。厚みの薄い第１絶縁層をセラミックグリーンシート等で構成する場合と比べ、第１絶縁層を形成する際の作業性が良好となり、生産性を向上させることができる利点もある。

また上述の実施形態においては、第１絶縁層と第２絶縁層とを交互に積層しているが、これに代えて、複数の第１絶縁層や複数の第２絶縁層を厚み方向に連続して積層するようにしても構わない。

更に上述した実施形態においては、積層体１として多層配線基板を構成しているが、この他にも、積層セラミックコンデンサ、積層セラミックインダクタ、積層セラミックレゾネータ、または積層誘電体フィルタ等を構成することも可能である。

本発明の一実施形態に係る集合基板の外観斜視図である。 図１に示す集合基板の断面図である。 図１に示す集合基板の部分拡大斜視図である。 本発明の集合基板の製造方法の一工程を示す断面図である。 本発明の集合基板から得られる個片の斜視図である。 本発明の他の実施形態に係る集合基板の断面図である。 本発明の背景技術を説明するための集合基板の外観斜視図である。 図７に示す集合基板の断面図である。

符号の説明

１・・・積層体
２・・・分割領域
３・・・基板領域
４・・・溝部
５・・・連結部

Claims (8)

1. 第１の無機組成物を焼成して成る第１絶縁層と前記第１の無機組成物よりも高温で収縮を開始する第２の無機組成物を焼成して成る第２絶縁層とが積層されている積層体の上面に、複数の基板領域と、隣接する基板領域を区画するように配される直線状の分割領域とを有した集合基板であって、
   前記分割領域内には、平面視して前記分割領域の形成方向と交差するとともに前記積層体の最上層を厚み方向に貫通する複数の溝部が前記分割領域の形成方向に沿って配列されており、
   隣接する基板領域が、前記積層体の最上層から前記溝部の最深部に相当する深さ位置にかけて前記分割領域の隣接する溝部間に設けられた連結部によって連結されていることを特徴とする集合基板。
2. 前記連結部の最頂部の高さ位置が、前記積層体の上面よりも低い位置にあることを特徴とする請求項１に記載の集合基板。
3. 前記第１絶縁層の厚みが前記第２絶縁層の厚みよりも薄いことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の集合基板。
4. 前記第１、第２絶縁層が交互に複数積層されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の集合基板。
5. 第１の無機組成物から成る第１絶縁層と前記第１の無機組成物よりも高温で収縮を開始する第２の無機組成物から成る第２絶縁層とを積層してなる積層体を形成する工程Ａと、
   前記積層体の上面に、複数の基板領域に区画する直線状の分割領域を形成する工程Ｂと、
   前記積層体を、前記第２の無機組成物の収縮開始温度よりも低く、前記第１の無機組成物の収縮開始温度よりも高い温度で加熱し、しかる後、前記積層体を、前記第２の無機組成物の収縮開始温度よりも高い温度で加熱し、前記第１及び第２絶縁層を焼結させる工程Ｃと、
   を含む集合基板の製造方法において、
   前記分割領域には、平面視して前記分割領域の形成方向と交差するとともに前記積層体の最上層を厚み方向に貫通する複数の溝部が前記分割領域の形成方向に沿って配列されており、
   隣接する基板領域が、前記積層体の最上層から前記溝部の最深部に相当する深さ位置にかけて前記分割領域の隣接する溝部間に設けられた連結部によって連結されていることを特徴とする集合基板の製造方法。
6. 前記連結部の最頂部の高さ位置が、前記積層体の上面よりも低い位置にあることを特徴とする請求項５に記載の集合基板の製造方法。
7. 前記第１絶縁層の厚みが前記第２絶縁層の厚みよりも薄いことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の集合基板の製造方法。
8. 前記第１、第２絶縁層が交互に複数積層されていることを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれかに記載の集合基板の製造方法。

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