JP2006263774A - はんだ材とそれを用いた半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】はんだ材は非鉛系はんだと室温における熱膨張係数が0〜-10×10-6/℃の範囲である粒子とを含有する。半導体装置1において、金属放熱板2とセラミックス回路基板3とは、そのような非鉛系のはんだ材7により接合されている。セラミックス回路基板3上にはパワー半導体素子8等が接合、搭載される。
【選択図】図1
Description
まず、表1に示す配合割合で、はんだシートおよびはんだペーストを作製した。はんだシートの厚さは約100μmであった。実施例1〜7では粒子として、結晶化ガラスA(β-ユークリプタイト固溶体を主結晶とする結晶化ガラス、熱膨張係数:-7.6×10-6/℃)、結晶化ガラスB(β-スポジュメン固溶体を主結晶とする結晶化ガラス、熱膨張係数:-0.7×10-6/℃)、結晶化ガラスC(β-石英固溶体を主結晶とする結晶化ガラス、熱膨張係数:-2.6×10-6/℃)、スーパーインバー(Fe−32%Ni−5%Co合金、熱膨張係数:-0.1×10-6/℃)を用いた。
半導体装置の接合後のはんだ接合体を切り出し、熱膨張係数および熱伝導率を測定した。熱膨張係数は熱機械特性(TMA)装置を用いて測定し、また熱伝導率はレーザーフラッシュ法により測定した。
セラミックス基板と金属放熱板とを高温ではんだ接合すると、これらの熱膨張係数の差によって接合後に金属放熱板の中央部が上に凸の状態で湾曲し、基板の反りが発生する。そこで、接合工程を終了してから2時間後の金属放熱板下面の最大反り量を測定した。
半導体装置の接合終了後24時間までに、はんだ接合層にクラックまたは剥離が発生した場合を×、発生しなかった場合を○で評価した。
半導体装置に-40℃(60分)+室温(5分)+125℃(60分)+室温(5分)を1サイクルとする冷熱サイクルを繰り返し施し、300サイクル後のはんだ接合層のクラックまたは剥離の有無を確認した。
Claims (8)
- 非鉛系はんだと、
前記非鉛系はんだ中に含まれ、室温における熱膨張係数が0〜-10×10-6/℃の範囲である粒子と
を具備することを特徴とするはんだ材。 - 前記粒子はβ-ユークリプタイト固溶体、β-スポジュメン固溶体、およびβ-石英固溶体から選ばれる少なくとも1種を主結晶とすることを特徴とする請求項1記載のはんだ材。
- 前記粒子の含有率は5〜30質量%の範囲であることを特徴とする請求項1または請求項2記載のはんだ材。
- 室温における熱膨張係数が8〜17×10-6/℃の範囲であり、かつ熱伝導率が50W/m・K以上であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載のはんだ材。
- 前記非鉛系はんだはSnとAg、Cu、Zn、Bi、InおよびSbから選ばれる少なくとも1種とを含有することを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項記載のはんだ材。
- 前記非鉛系はんだは150〜300℃の範囲の融点を有することを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項記載のはんだ材。
- 金属放熱板と、
非鉛系はんだと室温における熱膨張係数が0〜-10×10-6/℃の範囲である粒子とを含み、かつ前記金属放熱板上に配置されたはんだ材と、
前記金属放熱板に前記はんだ材を介して接合されたセラミックス基板と、
前記セラミックス基板上に搭載された半導体素子と
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体素子はパワー半導体素子であることを特徴とする請求項7記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005085543A JP4054029B2 (ja) | 2005-03-24 | 2005-03-24 | はんだ材とそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005085543A JP4054029B2 (ja) | 2005-03-24 | 2005-03-24 | はんだ材とそれを用いた半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2006263774A true JP2006263774A (ja) | 2006-10-05 |
JP4054029B2 JP4054029B2 (ja) | 2008-02-27 |
Family
ID=37200281
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2005085543A Expired - Fee Related JP4054029B2 (ja) | 2005-03-24 | 2005-03-24 | はんだ材とそれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4054029B2 (ja) |
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