JP2006262422A - 近接センサ - Google Patents

Abstract

【課題】 携帯電話などの携帯通信機器への実装が容易であり、検知感度が高く、その調整が容易で検知の信頼性が高い近接センサを得る。
【解決手段】 開磁路型の第１のコイル１１、開磁路型の第２のコイル１２、第１のコイル１１に発振出力を供給する発振回路１３ａ、発振回路１３ａに供給される電流の変化から第１のコイル１１と第２のコイル１２の離接を検知して検知信号を出力する電流検知回路１４を備えた近接センサ。第１のコイル１１と第２のコイル１２とが接近して両者が電磁誘導結合したときに発振回路１３ａの負荷が変化し、発振回路１３ａの電流が変化する。電流検知回路１４はこの電流の変化を検知して検知信号を出力する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、物体の離接を検知する近接センサ、特に、高周波磁界により物体の離接を検知して検知信号を出力する近接センサに関する。

例えば、携帯電話などの携帯通信機器には、実使用状態における操作及び表示部の有効面積の増大を図ったり、本体や本体の一部が折り畳める折り畳み開閉機構を備え、音声通信の際に本体や本体の一部を折り畳んだ状態から開いた状態として、音声通信の際の通話を容易にするようにしたものがある。また、折り畳み状態の検知によって、省電力化や付加機能の実現を図っている携帯通信機器もある。これらの携帯通信機器にあっては、携帯用という特に小型化が要求される条件の中で、安定性及び量産性に優れた開閉状態の検知装置が必要とされる。

従来より、この種の検知装置としては、磁石とホール素子などの磁気センサとを組み合わせて非接触で開閉状態を検知するものがよく知られている。

ところで、携帯電話では、近年、多様な機能を搭載したものが登場している。例えば、ナビゲーション機能を搭載した携帯電話では、地図を実際の方位角に合わせて表示するため、地磁気を利用して方位を検知する方位センサを備えている。このようなナビゲーション機能を備えた携帯電話に、開閉状態の検知装置として、前記のような磁石と磁気センサを使用したものを採用すると、検知装置の磁石により方位センサが検知する地磁気が乱されるので方位センサは正しい方位を検知することができない。このため、ナビゲーション機能を搭載した携帯電話では、開閉状態の検知装置として磁石を必要としない例えば近接センサなどが採用されている。

ナビゲーション機能を備えた前記のような携帯電話などに採用される近接センサとしては、例えば、特許文献１に開示されている。その具体的な構成を図１５に示す。この近接センサは、制御部１を構成する発振回路２と出力回路３、ケーブル４、フェライトからなるつぼ型コア５、該つぼ型コア５内に収容されるとともに前記ケーブル４を通して発振回路２に接続されたコイル６から構成されている。つぼ型コア５はその内部に収容されたコイル６とともに検知部９を構成している。検知部９のコイル６にはケーブル４を通して発振回路２の発振出力が供給され、検知部９の前面に高周波磁界が発生している。

前記検知部９の近傍に金属製の検知物体７が接近すると、高周波磁界による磁束φの一部が検知物体７と交差し、該検知物体７の内部に渦電流８が発生する。このように、検知物体７に渦電流８が流れると、検知物体７内部の電気抵抗による電力損失（渦電流損）が生じる。この渦電流損によって消費される電力は、コイル６側、即ち、発振回路２から電磁誘導現象によって供給されたものであるから、発振回路２の負荷が変化して発振電圧が低下したり、発振が停止したりする。制御部１の出力回路３は発振回路２のこの発振状態の変化を検知して、検知信号を出力する。

ところで、高周波磁界を使用した前記のような構成を有する近接センサは、検知部９により検知される検知物体７として金属板を使用している。しかしながら、このような金属板と検知部９とを開閉状態の検知装置として携帯電話に組み込もうとすると、前記金属板は比較的大きなスペースを占有するので、小型でハンディさが優先される携帯電話などの携帯通信機器には、実装が困難であるという問題点があった。また、前記近接センサでは、検知物体７として単に金属板を使用しているので、それに発生する渦電流損が小さく検知感度が低いうえに、金属板を構成する金属材料の電気伝導度により検知感度が規定されるので、検知感度の調整も困難であるという問題点もあった。
特開平６−３３４５０７号公報

そこで、本発明の目的は、携帯電話などの小型の携帯通信機器への実装が容易であり、検知感度が高くしかもその調整が容易で検知の信頼性が高い近接センサを提供することにある。

前記目的を達成するため、本発明に係る近接センサは、発振回路及び該発振回路に接続された開磁路型の第１のコイルを有する検知部と、開磁路型の第２のコイルを有する被検知部と、を備え、前記検知部と前記被検知部とが相対的に接離可能に配置され、前記検知部が前記第１のコイルと前記第２のコイルとの電磁結合を検知して近接信号を出力することを特徴とする。

本発明に係る近接センサにおいて、第１のコイルの開放された磁束が分布する空間領域に第２のコイルの開磁路を構成する空間領域が接近すると、開放された磁束は磁気抵抗の低い第２のコイルと電磁誘導結合し、発振回路から第１のコイルに供給される発振出力が第２のコイルに供給されるようになる。これにより、発振回路の負荷が急激に変化して発振回路に供給される電流が急激に変化する。この電流の急激な変化は渦電流を用いたものよりも格段に大きい。従って、発振回路に供給される電流を検知することにより、第１のコイルと第２のコイルの接近が高感度で、簡単かつ確実に検出されることになる。また、渦電流を検出するもののように、金属板を必要としないので、実装スペースも小さくなる。

本発明に係る近接センサは、前記発振回路はその発振周波数が一定周期で変化し、前記第２のコイルはコンデンサが並列に接続されてＬＣ並列共振回路を構成しており、該ＬＣ並列共振回路が発振回路の発振周波数に同調するように構成してもよい。

これにて、第１のコイルと第２のコイルとが接近して両者が電磁的に結合すると、第２のコイルとコンデンサとにより構成されるＬＣ並列共振回路が掃引発振回路に励振されて周期的に共振し、それに同期して発振回路の負荷が周期的に変化し、掃引発振回路の発振電圧も周期的に繰り返して変化する。よって、周期的に繰り返して変化する掃引発振回路の発振電圧の変化を検知することにより、第１のコイルと第２のコイルの接近を両者の距離が大きくなっても高感度で確実に検知することができ、検知の信頼性が大幅に向上する。

また、第１及び第２のコイルは、それぞれの開磁路部分が互いに離接するように配置されていてもよい。第１のコイルと第２のコイルの開磁路部分に開放された磁束により両者が電磁結合する。これにより、第１及び第２のコイルの接近の検出距離が拡大され、第１及び第２のコイルの接近をより高感度で確実に検出できるようになる。

さらに、第１及び第２のコイルの少なくとも一方は、下鍔部と該下鍔部に接合しかつ下鍔部に対して略垂直に設けられた胴部とからなる磁性体コアと、前記胴部に巻回された巻線と、前記胴部の開放上面と前記巻線の上面とを被覆して開磁路を構成する非磁性材とからなり、該非磁性材は上面が平面状であってもよい。

磁性体コアの胴部の開放上面と巻線の上面に配置される非磁性材により、磁束が胴部から効率よく開放されて検知領域が拡大され、検出距離がより拡大される。また、組立て時において、非磁性材の平面部により実装機の吸引ノズルによるコイルの確実な吸着を可能にするとともに、吸引ノズルによる吸着の際に巻線に乱れが発生する不具合が防止される。

また、第１及び第２のコイルの少なくとも一方は、複数の磁性体層を積層してなる磁性体部と、該磁性体部の少なくとも最上層に位置する磁性体層に形成されたスパイラル状コイル導体と、前記磁性体部の上面を被覆する少なくとも１層の非磁性体層をと備えていてもよい。第１及び第２のコイルの少なくとも一方がチップ化されるので、近接スイッチがより小型化されてその実装スペースが削減され、より小型の携帯通信機器にも容易に実装することができる。

さらに、前記磁性体部と前記非磁性体層との間に、少なくとも一層のスパイラル状コイル導体が形成された非磁性体層を有していてもよい。磁性体部と非磁性体層との間に位置するスパイラル状コイル導体により発生する磁束は非磁性体層でより拡散されやすくなり、開磁路部分の領域が拡大され、検知距離が拡大される。

本発明に係る近接センサによれば、二つのコイルの電磁結合を利用して、これらコイルの一方を駆動する発振回路や掃引発振回路に供給される電流変化などを検出することにより、二つのコイルの離接を検出するようにしたので、渦電流を利用するものよりも、二つのコイルの離接による発振回路や掃引発振回路の負荷変動が格段に大きくなり、携帯通信機器などに実装が容易なコンパクトな構成で簡単かつ確実に離接を検出することができる。

以下、本発明に係る近接センサの実施例を添付図面を参照して説明する。

（第１実施例、図１〜図６参照）
図１に第１実施例である近接センサのブロック構成を、図２に該近接センサを実装した携帯電話の外観をそれぞれ示す。この近接センサは、開磁路型の第１のコイル１１、開磁路型の第２のコイル１２、第１のコイル１１に接続されて発振出力を供給する発振回路１３ａ、該発振回路１３ａに供給される電流の変化から第１のコイル１１に対する第２のコイル１２の離接を検知して検知信号を出力する電流検知回路１４を備えている。

第１のコイル１１、発振回路１３ａ及び電流検知回路１４は、第２のコイル１２の離接を検知する検知部１５を構成している。また、第２のコイル１２は、その両端に接続された抵抗Ｒとともに検知部１５の第１のコイル１１に対する離接が検知される被検知部１６を構成している。

発振回路１３ａは、例えば、１３．５６ＭＨｚなどのＩＭＳ帯で発振し、その発振出力により第１のコイル１１を励振する。なお、図１において、第２のコイル１２の両端間に接続された抵抗Ｒは、第１のコイル１１と第２のコイル１２とが接近して両者が電磁誘導結合したときに発振回路１３ａの負荷となり、その抵抗値により検知部１５の検知感度が調節される。

検知部１５は、図２に示すように、折り畳み式の携帯電話２０のダイヤルキー２１が設けられた本体部２２側に、折り畳み機構２３とは反対側に実装されている。また、被検知部１６は、携帯電話２０のディスプレイ２４が設けられた蓋部２５側に、折り畳み機構２３とは反対側に実装される。

被検知部１６の第２のコイル１２は、携帯電話２０の蓋部２５を本体部２２に対して矢印Ａで示すように開閉することにより、検知部１５の第１のコイル１１に対して離接するようになっている。検知部１５の電流検知回路１４は、携帯電話２０の蓋部２５が本体部２２の上に折り畳まれて第２のコイル１２が第１のコイル１１に接近したとき、発振回路１３ａの負荷電流量が変化して該発振回路１３ａに流れる電流が変化するので、この電流変化を検知して近接信号を出力する。

ここで、第１のコイル１１についてその構造を説明するが、第２のコイル１２も同じ構造を有している。図３に第１のコイル１１の外観を示し、図４にその垂直断面を示す。開磁路型の第１のコイル１１は、下鍔部３１と胴部３２とからなる磁性体コア３３と、胴部３２に巻回された巻線３４と、その上面に位置する非磁性材３５とで構成されている。

磁性体コア３３の胴部３２は、その底部が下鍔部３１に接合し、かつ、該下鍔部３１に対して垂直に設けられている。つまり、第１のコイル１１は、磁気抵抗の低い磁性体コア３３を磁路として通過した磁束φを、該磁性体コア３３の胴部３２の開放上面３６を上側にし、磁気抵抗の大きい非磁性材３５を通して上方に開放する開磁路型のコイル構造を有している。

磁性体コア３３の胴部３２に巻回された巻線３４は、銅線材にポリウレタンなどの絶縁皮膜を施したものである。巻線３４の両終端部３４ａ，３４ｂは、下鍔部３１の底面から側面にわたって形成されている外部電極３７ａ，３７ｂに熱圧着などの方法により電気的に接続されている。

さらに、胴部３２の開放上面３６と巻線３４の上面を被覆するように、非磁性材３５が形成されており、該非磁性材３５の上面は平面状とされている。非磁性材３５がこのように形成される理由は、第１のコイル１１（及び第２のコイル１２）を、図５に示すように、回路基板４１（及び回路基板４２）に実装する際に、図示しない実装機の吸引ノズルによる第１のコイル１１（及び第２のコイル１２）の確実な吸着を可能にするとともに、吸引ノズルによる吸着の際に巻線３４に乱れが発生するのを防止するためである。

非磁性材３５の形成は、例えば、巻線３４が巻回された磁性体コア３３を、胴部３２の開放上面３６側から樹脂浴（図示せず）に浸漬して巻線３４の上部及び胴部３２の上部に樹脂を付与した後、樹脂浴から引き揚げ、光又は熱などにより樹脂を硬化させることにより行われる。なお、この際に、樹脂が巻線３４の外周面にも形成されるように、樹脂浴への浸漬を行ってもよい。また、非磁性材３５は、板状部材を貼着することにより設置してもよい。

図５に示すように、第１のコイル１１は携帯電話２０の本体部２２側に収容される本体部側基板４１に実装される。また、第２のコイル１２は、携帯電話２０の蓋部２５側に収容される蓋部側基板４２に実装される。これら第１及び第２のコイル１１，１２は、折り畳み機構２３により蓋部２５を本体部２２に折り畳んだときに第１のコイル１１の中心軸と第２のコイル１２の中心軸とがほぼ合致し、両者の磁気回路の開磁路部分３８が対向するように、基板４１，４２にそれぞれ実装される。蓋部側基板４２にはチップ状の抵抗Ｒが実装され、該抵抗Ｒは蓋部側基板４２に形成された導体パターン４３を通して第２のコイル１２の外部電極３７ａ，３７ｂ間に接続されている。

以上の構成を有する近接センサにあっては、図４に示すように、第１のコイル１１の磁性体コア３３の胴部３２に巻回された巻線３４に発振回路１３ａの発振出力が供給されると、巻線３４に鎖交するように発生する磁束φは、磁気抵抗の低い磁性体コア３３を磁路の一部として通過し、胴部３２の開放上面３６に配置された磁気抵抗の高い非磁性材３５の開磁路部分３８から上方の空間に開放されたあと、磁性体コア３３の下鍔部３１に戻る。

携帯電話２０の蓋部２５が本体部２２に向かって矢印Ａで示すように折り畳まれると、回路基板４２が回路基板４１に向かって移動し、図６に示すように、第１のコイル１１の開磁路部分３８で開放された磁束φが分布する空間領域に第２のコイル１２の磁性体コア３３の胴部３２上端が侵入し、開放された磁束φは磁気抵抗の低い第２のコイル１２の磁性体コア３３を流れる。

これにより、第１のコイル１１と第２のコイル１２とが電磁誘導結合し、発振回路１３ａから第１のコイル１１に供給される発振出力（電力）が第２のコイル１２からそれに接続された抵抗Ｒに供給されるようになる。即ち、抵抗Ｒは発振回路１３ａの発振出力の負荷抵抗となる。この状態では、発振回路１３ａの発振出力（電力）は抵抗Ｒにてジュール熱として消費される。よって、携帯電話２０の蓋部２５が本体部２２に折り畳まれると、発振回路１３ａに供給される電流が急激に増大する。電流検知回路１４は、この電流の急激な増大を検知して第２のコイル１２が第１のコイル１１に接近したこと、即ち、携帯電話２０の蓋部２５が本体部２２に折り畳まれたことを示す信号を出力することになる。

このように、本第１実施例では、携帯電話２０の蓋部２５が本体部２２に折り畳まれて第２のコイル１２が第１のコイル１１に接近すると、第２のコイル１２に接続された抵抗Ｒが発振回路１３ａの発振出力の負荷抵抗となり、発振回路１３ａの発振出力（電力）は抵抗Ｒにてジュール熱として消費される。このジュール熱は一般に金属板などの内部に発生する渦電流損よりも格段に大きいので、本第１実施例では、検知感度が従来のものに比して格段に高くなる。また、抵抗Ｒはその抵抗値を自由に選択することができるので、発振回路１３ａの負荷抵抗を調節することにより、発振回路１３ａに流れる電流を調整して、検知感度を大きな範囲で自由に調整することができる。

（第２実施例、図７及び図８参照）
図７に第２実施例である近接センサのブロック構成を示す。この近接センサは、図１〜図６を参照して説明した第１実施例において、第２のコイル１２に接続される抵抗Ｒに代えてコンデンサＣを第２のコイル１２に並列に接続する一方、発振回路１３ａに代えて掃引発振回路１３ｂを使用するようにした。

なお、本第２実施例にあっては、他の構成は前記第１実施例と同様であり、同じ部材、部分には同じ符号を付し、重複した説明は省略する。

第２のコイル１２とコンデンサＣとは、掃引発振回路１３ｂの発振出力により励振されるＬＣ並列共振回路１７を構成している。また、掃引発振回路１３ｂは、その発振周波数がコンデンサＣと第２のコイル１２が形成するＬＣ並列共振回路１７の共振周波数ｆ０を含む予め設定した周波数範囲で一定の周期で掃引（スイープ）される。

このような構成を有する近接センサにあっては、携帯電話２０の蓋部２５が本体部２２に折り畳まれ、図８に示すように、第１のコイル１１の開磁路部分３８で開放された磁束が分布する空間領域に第２のコイル１２の磁性体コア３３の胴部３２上端が侵入すると、開放された磁束φは磁気抵抗の低い第２のコイル１２の磁性体コア３３を流れ、第１のコイル１１と第２のコイル１２とが電磁誘導結合する。

これにより、第２のコイル１２とコンデンサＣとにより構成されるＬＣ共振回路１７は、掃引発振回路１３ｂの発振出力により励振され、該発振出力がＬＣ共振回路１７の共振周波数ｆ０と合致すると、ＬＣ共振回路１７のインピーダンスが急激に減少する。そして、掃引発振回路１３ｂの発振負荷が発振周波数の掃引の周期と同期して急激に小さくなり、定電流モードで動作する掃引発振回路１３ｂの発振電圧も前記周期に同期して急激に小さくなる。電流検知回路１４は、掃引発振回路１３ｂの発振電圧のこの周期的な減少を検知して第２のコイル１２が第１のコイル１１に接近したこと、即ち、携帯電話２０の蓋部２５が本体部２２に折り畳まれたことを示す信号を掃引発振回路１３ｂの掃引周期に同期して繰り返し出力する。

このように、本第２実施例では、携帯電話２０の蓋部２５が本体部２２に折り畳まれて第２のコイル１２が第１のコイル１１に接近すると、第２のコイル１２とコンデンサＣとにより構成されるＬＣ並列共振回路１７が掃引発振回路１３ｂに励振されて周期的に共振し、それに応じて電流検知回路１４は第２のコイル１２が第１のコイル１１に接近したこと、即ち、携帯電話２０の蓋部２５が本体部２２に折り畳まれたことを示す信号を、掃引発振回路１３ｂの掃引周期に同期して繰り返し出力する。

これにより、本第２実施例の近接センサは、前記第１実施例の近接センサが奏する効果に加えて、検知の信頼性が大幅に向上する。特に、第２のコイル１２のＱ値を大きなものとすることにより、ＬＣ共振回路１７の共振特性が急峻になり、検知感度が高く雑音などの影響を少なくすることができる。

（第３実施例、図９〜図１１参照）
第３実施例である近接センサは、前記第１及び第２実施例である近接センサにおいて採用した第１のコイル１１及び第２のコイル１２に代えて、図９に示すようなチップ型の開磁路積層型コイル部品６０を使用するようにしたものである。

本第３実施例にあっても、チップ型の開磁路積層型コイル部品６０以外の構成は第１及び第２実施例である近接センサと同じであり、他の構成要素についての重複した説明は省略する。

また、以下の説明では、開磁路型積層コイル部品６０は、１個１個製作する場合について説明しているが、量産する場合には、多数の内部導体パターンをマザーセラミックグリーンシートの表面に印刷し、このマザーセラミックグリーンシートを複数枚積層及び圧着させて未焼成のセラミック積層体ブロックを形成する。そして、このセラミック積層体ブロックを内部導体パターンの配置に合わせてカットし、個々の積層セラミックチップを切り出してそれを焼成し、焼成された積層セラミックチップに外部電極を形成することにより生産される。セラミックグリーンシートは未焼成の積層セラミックチップの焼成により、焼成された積層セラミックチップ内でセラミック層となる。

開磁路型積層コイル部品６０は、図１０及び図１１に示すように、複数枚の磁性セラミックグリーンシート６１と、非磁性セラミックグリーンシート６２とを順次積層し、図９に示すようなチップ状に形成し、焼成してなるチップ状のセラミック積層体６３からなる。

複数枚の磁性セラミックグリーンシート６１のうち最上層に位置するものの主面には、スパイラル状のコイル導体パターン６４が形成されている。また、非磁性セラミックグリーンシート６２の主面には引出導体パターン６５が形成されている。該引出導体パターン６５は、その一端が非磁性セラミックグリーンシート６２に形成されたビアホール導体６６を通してスパイラル状のコイル導体パターン６４の中心側の端部６４ａに電気的に接続され、他端が図９のセラミック積層体６３の一端側に形成された外部電極６７に電気的に接続されている。スパイラル状のコイル導体パターン６４の外側の端部６４ｂは、セラミック積層体６３の他端側に形成されたいま一つの外部電極６８に引き出されている。

磁性セラミックグリーンシート６１のそれぞれは、以下のようにして製造される。酸化第二鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化銅（ＣｕＯ）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式混合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を７５０℃で一時間仮焼する。この仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕し、フェライトセラミック粉末を得る。

このフェライトセラミック粉末に対して結合剤と可塑剤、湿潤剤、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレードを用いて、シート状に形成して乾燥させ、所望の膜厚の磁性セラミックグリーンシート６１を作製する。

また、非磁性セラミックグリーンシート６２は、以下のようにして製造される。酸化第二鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）及び酸化銅（ＣｕＯ）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式混合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を７５０℃で一時間仮焼する。この仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕し、非磁性セラミック粉末を得る。

この非磁性セラミック粉末に対して結合剤と可塑剤、湿潤剤、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレードを用いて、シート状に形成して乾燥させ、所望の膜厚の非磁性セラミックグリーンシート６２を作製する。非磁性セラミックグリーンシート６２の膜厚は、例えば、２０μｍとする。

非磁性セラミックグリーンシート６２に形成されるビアホール導体６６は、レーザビームなどを用いて非磁性セラミックグリーンシート６２に貫通孔を形成し、この貫通孔にＡｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性ペーストを印刷塗布などの手法により充填することによって形成される。また、非磁性セラミックグリーンシート６２に形成される引出導体パターン６５及び最上層の磁性セラミックグリーンシート６１に形成されるスパイラル状のコイル導体パターン６４は、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性ペーストをスクリーン印刷法などで塗布することにより、あるいは、フォトリソグラフィ法などの手法で形成される。

磁性セラミックグリーンシート６１は、主面にコイル導体パターン６４が形成された磁性セラミックグリーンシート６１が最上位となるように順次積み重ねられ、その上に非磁性セラミックグリーンシート６２が積層される。そして、焼成工程を経て、セラミック積層体６３が形成され、外部電極６７，６８が形成される。

このようにして得られた開磁路型積層コイル部品６０は、前記第１及び第２実施例における第１のコイル１１及び第２のコイル１２と同様に、コイル導体パターン６４の下側に磁性セラミックグリーンシート６１が焼成された磁性体層が位置し、コイル導体パターン６４の上側に非磁性セラミックグリーンシート６２が焼成された非磁性セラミック層が位置することになるので、コイル導体パターン６４に高周波電流が供給されたときに生じる磁束は、非磁性セラミック層及びその上方の空間に開放される。

これにより、開磁路型積層コイル部品６０を用いた本第３実施例にあっても、第１及び第２実施例と同様の効果を奏する。また、本第３実施例では、第１のコイル１１及び第２のコイル１２としてチップ型を有する小型のものを使用しているので、より小型の携帯通信機器にも容易に実装することが可能となる。

（第４実施例、図１２〜図１４参照）
図１２〜図１４に示すように、本第４実施例では、開磁路積層型コイル部品７０として、前記開磁路積層型コイル部品６０において、主面にコイル導体パターン６４を形成した磁性セラミック層６１と非磁性セラミック層６２との間に、主面にスパイラル状のコイル導体パターン７４が形成されたいま一つの非磁性セラミック層７２を設け、該非磁性セラミック層７２に形成したビアホール導体７３を通して、コイル導体パターン６４の内側の端部６４ａとコイル導体パターン７４の内側の端部７４ａとを接続したものを使用している。そして、コイル導体パターン６４，７４の外側の端部６４ｂ，７４ｂは、セラミック積層体６３に形成された外部電極６８，６７にそれぞれ電気的に接続されている。

本第４実施例にあっても、チップ型の開磁路積層型コイル部品７０以外の構成は前記第１及び第２実施例と同じであり、他の構成要素についての重複した説明は省略する。

本第４実施例では、コイル導体パターン６４とコイル導体パターン７４とを直列に接続しているので、検出磁界の強度が大きくなり、第３実施例の近接センサが奏する効果に加えて、距離が大きくなっても確実に検知することができる。

（他の実施例）
本発明に係る近接センサは前記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の構成とすることができる。

特に、電流の変化を検知する他に、周波数の変化や発信の有無を検知するようにしてもよい。あるいは、各実施例では自励振を示したが、他励振であってもよい。また、第１実施例の近接センサにおいて、抵抗Ｒを省略し、第２のコイル１２の両端を短絡するようにしてもよい。

本発明の第１実施例である近接センサの構成を示すブロック図である。 本発明に係る近接センサを実装した携帯電話の一例を示す斜視図である。 本発明に係る近接センサの第１及び第２のコイルの構成を示す斜視図である。 図３に示したコイルの断面図である。 図３に示したコイルを実装した携帯電話の基板を示す斜視図である。 図１に示した近接センサの動作説明図である。 本発明の第２実施例である近接センサの構成を示すブロック図である。 図７に示した近接センサの動作説明図である。 本発明の第３実施例である近接センサにおける第１及び第２のコイルの外観を示す斜視図である。 図９に示したコイルの断面図である。 図９に示したコイルの分解斜視図である。 本発明の第４実施例である近接センサにおける第１及び第２のコイルの外観を示す斜視図である。 図１２に示したコイルの断面図である。 図１２に示したコイルの分解斜視図である。 従来の近接センサの構成を示すブロック図である。

符号の説明

１１…第１のコイル
１２…第２のコイル
１３ａ…発振回路
１３ｂ…掃引発振回路
１４…電流検知回路
１５…検知部
１６…被検知部
３１…下鍔部
３２…胴部
３３…磁性体コア
３５…非磁性材
３６…開放上面
３８…開磁路部分
４１，４２…回路基板
６０…第１のコイル（第２のコイル）
６１…磁性セラミックグリーンシート
６２…非磁性セラミックグリーンシート
６４…コイル導体パターン
７０…第１のコイル（第２のコイル）
７４…コイル導体パターン

Claims (6)

1. 発振回路及び該発振回路に接続された開磁路型の第１のコイルを有する検知部と、開磁路型の第２のコイルを有する被検知部と、を備え、
   前記検知部と前記被検知部とが相対的に離接可能に配設され、
   前記検知部が前記第１のコイルと前記第２のコイルとの電磁結合を検知して近接信号を出力すること、
   を特徴とする近接センサ。
2. 前記発振回路はその発振周波数が一定周期で変化し、前記第２のコイルはコンデンサが並列に接続されてＬＣ並列共振回路を構成しており、該ＬＣ並列共振回路が発振回路の発振周波数に同調することを特徴とする請求項１に記載の近接センサ。
3. 前記第１及び第２のコイルは、それぞれの開磁路部分が互いに離接するように配置されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の近接センサ。
4. 前記第１及び第２のコイルの少なくとも一方は、下鍔部と該下鍔部に接合しかつ下鍔部に対して略垂直に設けられた胴部とからなる磁性体コアと、前記胴部に巻回された巻線と、前記胴部の開放上面と前記巻線の上面とを被覆して開磁路を構成する非磁性材とからなり、該非磁性材は上面が平面状であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の近接センサ。
5. 前記第１及び第２のコイルの少なくとも一方は、複数の磁性体層を積層してなる磁性体部と、該磁性体部の少なくとも最上層に位置する磁性体層に形成されたスパイラル状コイル導体と、前記磁性体部の上面を被覆する少なくとも１層の非磁性体層とを備えていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の近接センサ。
6. 前記磁性体部と前記非磁性体層との間に、少なくとも一層のスパイラル状コイル導体が形成された非磁性体層を有していることを特徴とする請求項５に記載の近接センサ。

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