JP2006261823A - 発振回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】 発振信号を取り出す段階で高調波、特にレベルの大きい2倍高調波を効果的に抑制できる発振回路を提供する。
【解決手段】 コレクタ又はベースが高周波的に接地された発振トランジスタ21と、発振トランジスタ21のエミッタを直流的にグランドに接続するバイアス抵抗27とを備え、発振周波数でインピーダンスが最大となる共振手段28を前イアス抵抗27とグランドとの間に介挿し、バイアス抵抗27と共振手段28との接続点から発振信号を取り出した。
【選択図】 図1
【解決手段】 コレクタ又はベースが高周波的に接地された発振トランジスタ21と、発振トランジスタ21のエミッタを直流的にグランドに接続するバイアス抵抗27とを備え、発振周波数でインピーダンスが最大となる共振手段28を前イアス抵抗27とグランドとの間に介挿し、バイアス抵抗27と共振手段28との接続点から発振信号を取り出した。
【選択図】 図1
Description
本発明は、二次高調波を抑圧した発振信号を取り出すようにした発振回路に関する。
従来の発振回路は図5に示すように、コントロール端子Cと、出力端子Pと、コントロール端子Cに印加される制御電圧Vcによって共振周波数が変化する共振回路1と、この共振回路1の共振周波数発振周波数が決定される発振段12と、発振段12から出力される信号を増幅すると共に、負荷変動によって発振周波数が変動するのを防止するためのバッファ段3と出力端子Pに舌属される次段回路と整合を取ると共に、高調波を抑制するための出力整合段4とを備えている。
共振回路1は、カップリングコンデンサC1と、可変容量ダイオードVDと、共振インダクタL1と、共振用コンデンサC2とを備える。コントロール端子Cに印加された制御電圧Vcは、チョークコイルL2を介して可変容量ダイオードVDに与えられる。コントロール端子Cは、高周波バイパスコンデンサC3によって高周波的に接地される。
発振段12は、発振用トランジスタQ1と、バイアス抵抗R1〜R3と、コルピッツ容量C4、C5と、高周波バイパスコンデンサC6と、バイアス抵抗R3に直列に接続されるストリップラインSLと、ストリップラインSLに並列に接続されるチップコンデンサCcとを備える。発振段12は、カップリングコンデンサC7を介して共振回路1と接続されている。バイアス抵抗R3は、発振用トランジスタQ1の電流出力端子としてのエミッタの直流バイアスを規定する。チップインダクタLLは発振周波数帯においてバイアス抵抗R3よりも十分に大きなインピーダンスになるようなインダクタンスを有している。ストリップラインSLとチップコンデンサCcとは並列共振回路21を形成する。
バッファ段3はバッファ用トランジスタQ2と、バイアス抵抗R4、R5とを備える。バッファ段3は、カップリングコンデンサC8を介して発振段12と接続されている。出力整合段4は、チョークコイルL3と、カップリングコンデンサC10と、高周波バイパスコンデンサC11と、出力端子Pとを備える。駆動用電源端子Bは、高周波バイパスコンデンサC12によって接地される(例えば、特許文献1参照。)。
従来の発振回路は、出力整合段4によって高調波を抑制する構成となっているが、発振用トランジスタQ1のエミッタから出力される発振信号に含まれる高調波レベルが大きいと、これを十分に抑圧できない。
本発明は、発振信号を取り出す段階で高調波、特にレベルの大きい2倍高調波を効果的に抑制できる発振回路を提供する。
第1の解決手段は、コレクタ又はベースが高周波的に接地された発振トランジスタと、前記発振トランジスタのエミッタを直流的にグランドに接続するバイアス抵抗とを備え、発振周波数でインピーダンスが最大となる共振手段を前記バイアス抵抗とグランドとの間に介挿し、前記バイアス抵抗と前記共振手段との接続点から発振信号を取り出した。
また、第2の解決手段は、前記共振手段を、インダクタンス素子と容量素子との並列回路から構成した。
また、第3の解決手段は、前記共振手段を、第1のインダクタンス素子と容量素子との並列回路と前記並列回路に直列接続された第2のインダクタンス素子とから構成した。
また、第4の解決手段は、前記共振手段を、第1のインダクタンス素子と容量素子との直列回路と、前記直列回路に並列接続された第2のインダクタンス素子とから構成した。
また、第5の解決手段は、前記共振手段を、前記発振周波数に対応する波長の1/4の長さを有するマイクロストリップラインで構成した。
第1の解決手段によれば、コレクタ又はベースが高周波的に接地された発振トランジスタと、発振トランジスタのエミッタを直流的にグランドに接続するバイアス抵抗とを備え、発振周波数でインピーダンスが最大となる共振手段をバイアス抵抗とグランドとの間に介挿し、バイアス抵抗と共振手段との接続点から発振信号を取り出したので、高調波を抑圧した発振信号を取り出せると共に、発振信号のC/Nを改善することもできる。
また、第2の解決手段によれば、共振手段を、インダクタンス素子と容量素子との並列回路から構成したので、簡単な構成で高調波を抑圧した発振信号を取り出せると共に、発振信号のC/Nを改善することもできる。
また、第3の解決手段によれば、共振手段を、第1のインダクタンス素子と容量素子との並列回路と並列回路に直列接続された第2のインダクタンス素子とから構成したので、2倍高調波を抑圧した発振信号を取り出せると共に、発振信号のC/Nを改善することもできる。
また、第4の解決手段によれば、共振手段を、第1のインダクタンス素子と容量素子との直列回路と、直列回路に並列接続された第2のインダクタンス素子とから構成したので、2倍高調波を抑圧した発振信号を取り出せると共に、発振信号のC/Nを改善することもできる。
また、第5の解決手段によれば、共振手段を、発振周波数に対応する波長の1/4の長さを有するマイクロストリップラインで構成したので、専用の回路部品を使用することなく2倍高調波を抑圧した発振信号を取り出せると共に、発振信号のC/Nを改善することもできる。
本発明の発振回路を図1乃至図4に従って説明する。図1は第1の実施形態、図2は第2の実施形態、図3は第3の実施形態、図4は第4の実施形態を示すが、図1乃至図4には本発明の発振回路と共にバッファアンプも示す。
先ず、図1において、発振トランジスタ21のコレクタは電源Bに接続されると共にバイパスコンデンサ22によって高周波的に接地され、ベースとエミッタとの間に帰還コンデンサ23が接続され、エミッタとコレクタ(接地)との間に帰還コンデンサ24が接続される。また、ベースには直列接続された2つのベースバイアス抵抗25、26の接続点からバイアス電圧が印加される。エミッタにはエミッタバイアス抵抗27の一端が接続され、このエミッタバイアス抵抗27の他端は、発振周波数でインピーダンスが最大となる共振手段28を介して接地される。共振手段28はインダクタンス素子28aと容量素子28bと並列回路からなる。従って、この共振手段28は並列共振回路を構成し、その並列共振周波数を発振周波数に一致させている。
発振トランジスタ21のベースとコレクタ(接地)との間には、共振回路29が結合される。すなわち、共振回路29はアノードが接地されたバラクタダイオード29aと、一端が接地されたストリップライン29bを有し、バラクタダイオード29aのカソードはコンデンサ29cによってストリップライン29bの他端に結合され、ストリップライン29bの他端は結合コンデンサ30によって発振トランジスタ21のベースに結合される。
バラクタダイオード29aのカソードはチョークインダクタ31を介して制御端子32に接続される。制御端子32はバイパスコンデンサ33によって高周波的に接地される。そして、制御端子32からバラクタダイオード29aのカソードに制御電圧が印加され、これによってバラクタダイオード29aの容量値が変えられ、発振周波数は変化する。
発振信号はエミッタバイアス抵抗27と共振手段28との接続点から出力され、結合コンデンサ34を介してバッファアンプ35に供給される。バッファアンプ34の出力側には、例えば、発振信号の高調波を抑圧するための回路が接続される。
以上の構成において、発振トランジスタ21のエミッタに現れる発振信号はエミッタバイアス抵抗27と共振手段28とによって分圧されるが、発振周波数においては共振手段28のインピーダンスが最大となる(理想的には無限大)ので、エミッタバイアス抵抗27と共振手段28との接続点から出力される発振信号の基本波はほとんど減衰されない。しかし、共振手段28のインピーダンスは周波数が高くなると低下するので、高調波が抑圧された発振信号を取り出すことができる。また、基本波はエミッタバイアス抵抗27には流れないので、ここでの損失がなく、発振信号のC/Nが大きくなる。
図2に示す共振手段は28、第1のインダクタンス素子28cと容量素子28dと並列回路と、この並列回路に直列接続された第2のインダクタンス素子28eとから構成される。従って、この共振手段28は並列共振周波数とそれよりも周波数が高い直列共振周波数とを有する。そして、並列共振周波数を発振周波数に一致させ、直列共振周波数を高調波(例えば第2高調波)の周波数に一致させる。従って、2倍高調波を最大限に抑圧した発振信号を取り出すことができる。
図3に示す共振手段は28、第1のインダクタンス素子28fと容量素子28gと直列回路と、この直列回路に並列接続された第2のインダクタンス素子28hとから構成される。従って、この共振手段28も並列共振周波数とそれよりも周波数が高い直列共振周波数とを有する。そして、並列共振周波数を発振周波数に一致させ、直列共振周波数を高調波(例えば第2高調波)の周波数に一致させる。従って、2倍高調波を最大限に抑圧した発振信号を取り出すことができる。
図4に示す共振手段28は、専用の回路部品を使用せず、マイクロストリップラインによって構成される。マイクロストリップラインの長さは、発振周波数に対応する波長の1/4に設定される。よって、エミッタバイアス抵抗27とマイクロストリップラインとの接続点から接地側をみたインピーダンスは、理想的には無限大となる。一方2倍高調波に対しては1/2波長の長さとなるのでインピーダンスは0となる。このことから、発振信号の基本波を減衰せずに2倍高調波を減衰できる。
なお、図2乃至図4においては、共振手段28以外の構成は同一である。また、図1乃至図4では、コレクタ接地方式の発振回路で説明したが、ベース接地方式にも適用できることは明らかである。
21:発振トランジスタ
22、33:バイパスコンデンサ
23、24:帰還コンデンサ
25、26:ベースバイアス抵抗
27:エミッタバイアス抵抗
28:共振手段
28a:インダクタンス素子
28b、28d、28g:容量素子
28c、28f:第1のインダクタンス素子
28e、28h:第2のインダクタンス素子
29:共振回路
29a:バラクタダイオード
29b:マイクロストリップライン
30:結合コンデンサ
31:チョークインダクタ
32:制御端子
34:結合コンデンサ
35:バッファアンプ
22、33:バイパスコンデンサ
23、24:帰還コンデンサ
25、26:ベースバイアス抵抗
27:エミッタバイアス抵抗
28:共振手段
28a:インダクタンス素子
28b、28d、28g:容量素子
28c、28f:第1のインダクタンス素子
28e、28h:第2のインダクタンス素子
29:共振回路
29a:バラクタダイオード
29b:マイクロストリップライン
30:結合コンデンサ
31:チョークインダクタ
32:制御端子
34:結合コンデンサ
35:バッファアンプ
Claims (5)
- コレクタ又はベースが高周波的に接地された発振トランジスタと、前記発振トランジスタのエミッタを直流的にグランドに接続するバイアス抵抗とを備え、発振周波数でインピーダンスが最大となる共振手段を前記バイアス抵抗とグランドとの間に介挿し、前記バイアス抵抗と前記共振手段との接続点から発振信号を取り出したことを特徴とする発振回路。
- 前記共振手段を、インダクタンス素子と容量素子との並列回路から構成したことを特徴とする請求項1に記載の発振回路。
- 前記共振手段を、第1のインダクタンス素子と容量素子との並列回路と前記並列回路に直列接続された第2のインダクタンス素子とから構成したことを特徴とする請求項1に記載の発振回路。
- 前記共振手段を、第1のインダクタンス素子と容量素子との直列回路と、前記直列回路に並列接続された第2のインダクタンス素子とから構成したことを特徴とする請求項1に記載の発振回路。
- 前記共振手段を、前記発振周波数に対応する波長の1/4の長さを有するマイクロストリップラインで構成したことを特徴とする請求項1に記載の発振回路。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005073693A JP2006261823A (ja) | 2005-03-15 | 2005-03-15 | 発振回路 |
EP06110838A EP1703631A1 (en) | 2005-03-15 | 2006-03-08 | Oscillating circuit |
CN200610067889.0A CN100481709C (zh) | 2005-03-15 | 2006-03-14 | 振荡电路 |
US11/374,758 US7369007B2 (en) | 2005-03-15 | 2006-03-14 | Oscillating circuit for suppressing second harmonic wave |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005073693A JP2006261823A (ja) | 2005-03-15 | 2005-03-15 | 発振回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006261823A true JP2006261823A (ja) | 2006-09-28 |
Family
ID=36088375
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005073693A Withdrawn JP2006261823A (ja) | 2005-03-15 | 2005-03-15 | 発振回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7369007B2 (ja) |
EP (1) | EP1703631A1 (ja) |
JP (1) | JP2006261823A (ja) |
CN (1) | CN100481709C (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200849813A (en) * | 2007-06-13 | 2008-12-16 | Richwave Technology Corp | Noise filter |
US9106179B2 (en) * | 2011-03-18 | 2015-08-11 | Freescale Semiconductor Inc. | Voltage-controlled oscillators and related systems |
US8912854B2 (en) * | 2013-01-04 | 2014-12-16 | International Business Machines Corporation | Structure for an inductor-capacitor voltage-controlled oscillator |
CN110510796A (zh) * | 2019-09-15 | 2019-11-29 | 北京航天国环技术有限公司 | 一种废乳液的处理方法及系统 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08148933A (ja) | 1994-11-22 | 1996-06-07 | Murata Mfg Co Ltd | 電圧制御型発振器 |
US5856763A (en) * | 1997-03-05 | 1999-01-05 | Motorola Inc. | Dual frequency voltage controlled oscillator |
US6326854B1 (en) * | 1999-09-30 | 2001-12-04 | Nortel Networks Limited | Coaxial resonator and oscillation circuits featuring coaxial resonators |
JP3740977B2 (ja) | 1999-12-22 | 2006-02-01 | 株式会社村田製作所 | 電圧制御発振器、及び、これを用いた電子装置 |
JP3689642B2 (ja) * | 2001-03-22 | 2005-08-31 | アルプス電気株式会社 | テレビジョンチューナ用中間周波結合回路 |
US6593819B2 (en) * | 2001-04-28 | 2003-07-15 | Cts Corporation | Low phase noise dual band voltage controlled oscillator |
JP4281365B2 (ja) * | 2003-01-21 | 2009-06-17 | パナソニック株式会社 | 高周波信号受信装置 |
-
2005
- 2005-03-15 JP JP2005073693A patent/JP2006261823A/ja not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-03-08 EP EP06110838A patent/EP1703631A1/en not_active Withdrawn
- 2006-03-14 CN CN200610067889.0A patent/CN100481709C/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100481709C (zh) | 2009-04-22 |
US7369007B2 (en) | 2008-05-06 |
CN1835386A (zh) | 2006-09-20 |
US20060208819A1 (en) | 2006-09-21 |
EP1703631A1 (en) | 2006-09-20 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
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