JP2006259737A - 表示装置及びその駆動方法 - Google Patents

Abstract

【課題】駆動トランジスタのしきい値電圧を、その変動に関わらず、確実に補償することで、更に均一な画質を確保できる、表示装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】本発明による表示装置では各画素が、発光素子とその駆動トランジスタとに加え、２つのスイッチング部と２つのキャパシタとを含む。駆動トランジスタの初期化時、第１スイッチング部が駆動トランジスタの制御端子に対してデータ電圧を直接印加し、第２スイッチング部が駆動トランジスタの入力端子に対して駆動電圧を直接印加する。第１スイッチング部はそのとき更に、駆動トランジスタの制御端子と入力端子との間に第１のキャパシタを連結し、充電させる。
【選択図】図２

Description

本発明は表示装置及びその駆動方法に関し、特に、有機発光表示装置及びその駆動方法に関する。

一般に平板表示装置では、複数の画素がマトリックス状に配列され、外部から与えられた輝度情報に従って各画素の輝度が制御される。それにより、対応する画像が表示パネル上に再現される。有機発光表示装置は特に、蛍光性有機物質を電気的に励起して発光させる、自己発光型の平板表示装置であり、低消費電力、広視野角、高輝度、及び高い応答速度という利点を持つ。

アクティブマトリックス型の有機発光表示装置では、各画素が有機発光素子（Organic Light Emitting Element；ＯＬＥＤ）と共に、その駆動トランジスタとして薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を含む。薄膜トランジスタは、活性層の種類によって、多結晶シリコン薄膜トランジスタと非晶質シリコン薄膜トランジスタとに大別される。非晶質シリコンの薄膜は低温で蒸着可能である。従って、融点が低いガラスを基板として使用する表示装置ではスイッチング素子の半導体層として非晶質シリコンが多用される。しかし、非晶質シリコン薄膜トランジスタは電子移動度が比較的低いので、表示装置の更なる大画面化が困難である。更に、非晶質シリコン薄膜トランジスタでは、制御端子に対して直流電圧が連続的に印加されるとき、しきい値電圧が変動しやすい。これは、特に有機発光表示装置では、更なる高画質化や更なる長寿命化を阻む大きな要因である。一方、多結晶シリコン薄膜トランジスタは、電子移動度が比較的高く、高周波帯域での動作特性が優れ、かつ漏洩電流が小さい。従って、多結晶シリコン薄膜トランジスタの表示装置への応用が望まれている。有機発光表示装置では特に、低温多結晶シリコン（Low Temperature Polycrystalline Silicon；ＬＴＰＳ）基板の利用により、薄膜トランジスタの更なる長寿命化が可能である。

しかし、ＬＴＰＳ基板では、ガラス基板上に形成されたシリコン薄膜をレーザーショットで結晶化させるときに、そのレーザーショットの跡がシリコン薄膜に残る。その跡により、一つの表示パネルに含まれている複数の薄膜トランジスタ間ではしきい値電圧に偏差が生じる。その結果、更なる高画質化が妨げられる。

従来の有機発光表示装置では、駆動トランジスタのしきい値電圧の補償を目的として、駆動トランジスタの制御端子と入力端子との間にスイッチングトランジスタが設置される場合がある。そのスイッチングトランジスタは駆動トランジスタの初期化時に駆動トランジスタをダイオード接続する。しかし、このスイッチングトランジスタでは一般に、ゲートとソースとの間の寄生容量が画素ごとに大きく変動する。その変動が過大な場合、画素の中にはダイオード接続された駆動トランジスタが十分に初期化されず、しきい値電圧が補償されないものが生じ得る。その結果、更なる高画質化が妨げられる。
本発明の目的は、駆動トランジスタのしきい値電圧を、その変動に関わらず、確実に補償することで、画質の更なる均一化を可能にする有機発光表示装置及びその駆動方法、の提供にある。

本発明の一つの観点による表示装置は、
発光素子、
データ電圧が印加される第１ノードと、第２ノードとの間に連結されている第１キャパシタ、
入力端子、出力端子、及び第２ノードに連結されている制御端子、を含み、発光素子が発光するように発光素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタ、
走査信号に応じ、第１基準電圧を駆動トランジスタの制御端子に対して印加し、第１ノードからデータ電圧を遮断し、第１ノードを駆動トランジスタの入力端子に連結する第１スイッチング部、並びに、
発光信号に応じ、駆動電圧を駆動トランジスタに対して印加し、第１ノードからデータ電圧を遮断する第２スイッチング部、を有する画素、を複数備えている。ここで、駆動トランジスタが好ましくはｐチャンネル薄膜トランジスタであり、好ましくは多結晶シリコンを含む。好ましくは、第１基準電圧がデータ電圧と同一である。

第１スイッチング部は好ましくは、走査信号に応じ、第１基準電圧を駆動トランジスタの制御端子に対して印加する第１スイッチングトランジスタ、を含む。第１スイッチング部は更に好ましくは、走査信号に応じ、データ電圧を第１ノードから遮断する第２スイッチングトランジスタ、及び、走査信号に応じ、第１ノードを駆動トランジスタの入力端子に連結する第３スイッチングトランジスタ、をさらに含む。好ましくは、走査信号が、第１スイッチングトランジスタのオンオフ状態を第３スイッチングトランジスタのオンオフ状態と実質的に一致させ、かつ、第２スイッチングトランジスタのオンオフ状態とは実質的に逆にする。好ましくは、第１乃至第３スイッチングトランジスタが多結晶シリコンを含む。好ましくは、第１及び第３スイッチングトランジスタは第２スイッチングトランジスタとチャンネル型が異なる。

第２スイッチング部は好ましくは、発光信号に応じ、データ電圧を第１ノードから遮断する第４スイッチングトランジスタ、及び、発光信号に応じ、駆動電圧を駆動トランジスタの入力端子に対して印加する第５スイッチングトランジスタ、を含む。好ましくは、発光信号が、第４スイッチングトランジスタのオンオフ状態を第５スイッチングトランジスタのオンオフ状態とは実質的に逆にする。好ましくは、第４及び第５スイッチングトランジスタが多結晶シリコンを含む。好ましくは、第４スイッチングトランジスタと第５スイッチングトランジスタとは互いにチャンネル型が異なる。

本発明による上記の表示装置では好ましくは、一端が第１ノードに連結され、他端に対して第２基準電圧が印加される第２キャパシタ、を画素がさらに含む。好ましくは、第２基準電圧が駆動電圧と同一である。

本発明の他の観点による表示装置は、
発光素子、
データ電圧が印加される第１ノードと、第２ノードとの間に連結されている第１キャパシタ、
入力端子、発光素子に連結されている出力端子、及び第２ノードに連結されている制御端子、を含む駆動トランジスタ、
走査信号に応じて動作し、第１基準電圧を第２ノードに対して印加する第１スイッチングトランジスタ、
走査信号に応じて動作し、データ電圧を第１ノードから遮断する第２スイッチングトランジスタ、
走査信号に応じて動作し、第１ノードと駆動トランジスタの入力端子との間を連結する第３スイッチングトランジスタ、
発光信号に応じて動作し、データ電圧を第１ノードから遮断する第４スイッチングトランジスタ、並びに、
発光信号に応じて動作し、駆動電圧を駆動トランジスタの入力端子に対して印加する第５スイッチングトランジスタ、を有する。好ましくは、第１基準電圧がデータ電圧と同一である。

本発明によるこの表示装置では好ましくは、第１期間では、第１、第３、及び第５スイッチングトランジスタがオン状態に維持され、第２及び第４スイッチングトランジスタがオフ状態に維持される。第１期間に続く第２期間では、第１及び第３スイッチングトランジスタがオン状態に維持され、第２及び第５スイッチングトランジスタがオフ状態に維持される。第２期間に続く第３期間では、第２及び第４スイッチングトランジスタがオン状態に維持され、第１、第３、及び第５スイッチングトランジスタがオフ状態に維持される。第３期間に続く第４期間では、第５スイッチングトランジスタがオン状態に維持され、第１、第３、及び第４スイッチングトランジスタがオフ状態に維持される。

本発明による表示装置の駆動方法は好ましくは、次のような表示装置に利用される。その表示装置は、
発光素子、
第１ノードと第２ノードとの間に連結されている第１キャパシタ、
第１ノードに連結されている第２キャパシタ、並びに、
入力端子、発光素子に連結されている出力端子、及び第２ノードに連結されている制御端子、を含む駆動トランジスタ、を有する。本発明による表示装置の駆動方法は、
第１基準電圧を第２ノードに対して印加する第１印加段階、
駆動電圧を第１ノードに対して印加する第２印加段階、
第１キャパシタを放電させる放電段階、
データ電圧を第１ノードに対して印加する第３印加段階、及び、
駆動電圧を駆動トランジスタの入力端子に対して印加する第４印加段階、を有する。

好ましくは、第２印加段階が、第１ノードと駆動トランジスタの入力端子との間を連結する段階を含む。好ましくは、放電段階が、第１ノードと駆動トランジスタの入力端子とから駆動電圧を遮断する段階を含む。好ましくは、第３印加段階が、駆動トランジスタの入力端子を孤立させる段階を含む。更に好ましくは、その入力端子を孤立させる段階が、駆動トランジスタの入力端子を第１ノードから遮断する段階を含む。好ましくは、第３印加段階が、第２ノードから第１基準電圧を遮断する段階を含む。本発明による上記の駆動方法が、駆動電圧を第２キャパシタに対して印加する段階をさらに有しても良い。

本発明による上記の表示装置は、従来の装置とは異なり、特に第１期間で、駆動トランジスタの制御端子に対しては第１基準電圧を直接印加し、駆動トランジスタの入力端子に対しては駆動電圧を直接印加し、それにより駆動トランジスタを初期化する。その結果、駆動トランジスタのしきい値電圧が確実に補償される。従って、複数の画素間で駆動トランジスタのしきい値電圧に偏差が生じてもそれに関わらず、更に均一な画質が得られる。

以下、添付された図面を参照しながら、本発明の好ましい実施例について詳細に説明する。
本発明の一実施例による有機発光表示装置は、図１に示されているように、表示パネル300、走査駆動部400、データ駆動部500、発光駆動部700、及び信号制御部600を有する。

表示パネル300は、複数の画素Px、複数の信号線G₁−G_n、D₁−D_m、S₁−S_n、及び複数の電圧線（図示せず）を含む（図１参照）。複数の画素Pxは表示パネル300内にマトリックス状に配列されている。信号線は、n本（n＞1）の走査信号線G₁−G_n、m本（m＞1）のデータ線D₁−D_m、及びn本の発光信号線S₁−S_nを含む。走査信号線G₁−G_nと発光信号線S₁−S_nとは同数であり、画素Pxのマトリックスの列方向では互いに交互に配列され、画素Pxマトリックスの行方向では互いに平行にのびている。マトリックスのi番目の行（i＝1、2、…、n）に並んでいる画素Pxは、i番目の走査信号線G_iと、i番目の発光信号線S_iとに連結されている。データ線D₁−D_mは、画素Pxのマトリックスの列方向に対して平行にのびている。マトリックスのj番目の列（j＝1、2、…、m）に並んでいる画素Pxはj番目のデータ線D_jに連結されている。電圧線は駆動電圧線と共通電圧線とを含む（図示せず）。駆動電圧線は全ての画素Pxに連結され、駆動電圧Vddを伝達する。共通電圧線は全ての画素Pxに連結され、共通電圧Vssを伝達する。

各画素Pxは、図２に示されているように、有機発光素子LD、駆動トランジスタQd、二つのキャパシタC1、C2、第１スイッチング部、及び第２スイッチング部を含む。更に、第１スイッチング部は三つのスイッチングトランジスタQs1〜Qs3を含み、第２スイッチング部は二つのスイッチングトランジスタQs4、Qs5を含む。第５スイッチングトランジスタQs5の入力端子は駆動電圧線に連結され、出力端子は駆動トランジスタQdの入力端子Nsに連結されている。駆動トランジスタQdの出力端子Ndは有機発光素子LDのアノードに連結されている。有機発光素子LDのカソードは共通電圧線に連結されている。

有機発光素子LDは好ましくはアノードとカソードとの間に、正孔注入層HIL、正孔輸送層HTL、発光層EML、電子輸送層ETL、及び電子注入層EILを順番に含み、図４に示されているようなバンド構造を構成している。アノードの電位がカソードの電位より所定のしきい値電圧以上高いとき、アノードからは正孔が発光層EMLに移動し、カソードからは電子が発光層EMLに移動する。発光層EMLではそれらの正孔と電子とが再結合する。そのとき放出されるエネルギーにより発光層EML内の有機物質が励起され、発光する。そのときの発光色は有機物質の種類によって三原色（赤、緑、青）のいずれにも設定可能である。更に、正孔注入層HILが発光層EMLに移動する正孔の数を増大させ、電子注入層EILが発光層EMLに移動する電子の数を増大させる。その上、正孔輸送層HTLと電子輸送層ETLとが発光層EMLに移動する正孔と電子との間の量的均衡を良好に維持する。こうして、有機発光素子LDの発光効率が向上する。尚、これらの付帯層HIL、EIL、HTL、及びETLは場合に応じて省略されても良い。

第５スイッチングトランジスタQs5と駆動トランジスタQdとが共にオン状態であるとき、有機発光素子LDのアノードとカソードとの間に対し、駆動電圧Vddと共通電圧Vssとの差Vdd−Vssが印加される（図２参照）。駆動電圧Vddと共通電圧Vssとの間の差Vdd−Vssは有機発光素子LDのしきい値電圧以上に設定されているので、有機発光素子LDが発光する。有機発光素子LDの発光強度は、第５スイッチングトランジスタQs5と駆動トランジスタQdとを通して有機発光素子LDに供給される駆動電流I_LDの大きさで決まる。ここで、駆動電流I_LDの大きさは駆動トランジスタQdの制御端子Ngと出力端子Nsとの間の電圧で調節される。

図２では更に、第１キャパシタC1と第２キャパシタC2とが駆動電圧線と駆動トランジスタQdの制御端子Ngとの間に直列に連結されている。以下、第１キャパシタC1と第２キャパシタC2との間のノードN1を第１ノードといい、第２キャパシタC2と駆動トランジスタQdの制御端子Ngとの間のノードN2を第２ノードという（すなわち、第１ノードN1と第２ノードN2との間には第２キャパシタC2が連結されている。従って、特許請求の範囲や、課題を解決するための手段の欄に記載された「第１キャパシタ」には第２キャパシタC2が相当し、「第２キャパシタ」には第１キャパシタC1が相当する）。第１スイッチングトランジスタQs1の入力端子と第４スイッチングトランジスタQs4の入力端子とはいずれも同じデータ線D_jに連結されている。第１スイッチングトランジスタQs1の出力端子は第２ノードN2を通して駆動トランジスタQdの制御端子Ngに連結されている。一方、第４スイッチングトランジスタQs4の出力端子は第２スイッチングトランジスタQs2の入力端子に連結されている。第２スイッチングトランジスタQs2の出力端子は第１ノードN1に連結されている。第３スイッチングトランジスタQs3の入力端子は第１ノードN1に連結され、出力端子は駆動トランジスタQdの入力端子Nsに連結されている。第１スイッチング部では、第１〜第３スイッチングトランジスタQs1〜Qs3の各制御端子がいずれも同じ走査信号線G_iに連結され、同じ走査信号Vg_iに従ってオンオフ動作を行う。第２スイッチング部では、第４及び第５スイッチングトランジスタQs4、Qs5の各制御端子がいずれも同じ発光信号線S_iに連結され、同じ発光信号Vs_iに従ってオンオフ動作を行う。

好ましくは、第１スイッチングトランジスタQs1、第３スイッチングトランジスタQs3、及び第４スイッチングトランジスタQs4はｎチャンネル薄膜トランジスタであり、第２スイッチングトランジスタQs2、第５スイッチングトランジスタQs5、及び駆動トランジスタQdはｐチャンネル薄膜トランジスタである。従って、第２スイッチングトランジスタQs2は第１スイッチングトランジスタQs1と第３スイッチングトランジスタQs3とはオンオフ状態が実質的に逆である。同様に、第４スイッチングトランジスタQs4は第５スイッチングトランジスタQs5とはオンオフ状態が実質的に逆である。更に好ましくは、いずれのトランジスタも多結晶シリコンから成る。その他に、非晶質シリコンから形成されても良い。更に、各トランジスタが別のチャンネル型であっても良い。

好ましくは、上記の駆動トランジスタQdと有機発光素子LDとが以下の積層構造を持つ（図３参照）。
本発明の実施例による表示パネル300は基板110を含む。基板110は好ましくは、透明な絶縁物（好ましくはガラス）から成る。基板110の表面は遮断膜111で覆われている。遮断膜111は好ましくは、酸化ケイ素（SiO₂）または窒化ケイ素（SiNx）から成る。遮断膜111自体が多層構造であっても良い。

遮断膜111の上には各画素に半導体151が形成されている（図３参照）。半導体151は好ましくは多結晶シリコンから成り、導電性不純物をほとんど含まない真性領域と、導電性不純物を含む不純物領域とに分かれている。ここで、導電性不純物は好ましくは、ホウ素（B）やガリウム（Ga）などのｐ型不純物、又は、リン（P）やヒ素（As）などのｎ型不純物である。真性領域は更にチャンネル領域154を含む。一方、不純物領域は更に、不純物濃度が高い高濃度不純物領域と、不純物濃度が低い低濃度不純物領域152とに分かれている。特に、高濃度不純物領域はソース領域153とドレイン領域155とを含む。ソース領域153とドレイン領域155とは、チャンネル領域154を境にして両側に分離されている。低濃度不純物領域152は、ソース領域153とチャンネル領域154との間、及びドレイン領域155とチャンネル領域154との間に挟まれている。ここで、低濃度不純物領域152の幅は他の領域153、154、155のいずれの幅よりも狭い。

遮断膜111と半導体151とはゲート絶縁膜140で覆われている（図３参照）。ゲート絶縁膜140は好ましくは、窒化ケイ素（SiNx）または酸化ケイ素（SiO₂）から成り、厚さが数百Åである。半導体151のチャンネル領域154と重なっているゲート絶縁膜140の部分の上には、制御端子電極（ゲート電極）124が形成されている。制御端子電極124は好ましくは、アルミニウム系金属（アルミニウム（Al）やアルミニウム合金など）、銀系金属（銀（Ag）や銀合金など）、銅系金属（銅（Cu）や銅合金）、モリブデン系金属（モリブデン（Mo）やモリブデン合金など）、クロム（Cr）、タンタル（Ta）、又はチタニウム（Ti）から成る。制御端子電極124は更に、物理的性質の異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜であっても良い。ここで、一方の導電膜は好ましくは、比抵抗が低い金属（例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、又は銅系金属）から成る。それにより、制御端子電極124では信号遅延や電圧降下が減少する。更に、他方の導電膜は好ましくは、特にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）又はＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）との物理的、化学的、及び電気的な接触特性がいずれも優れている物質（例えば、モリブデン系金属、クロム、チタニウム、タンタル）から成る。このような導電膜の組み合わせは好ましくは、クロム製の下部膜とアルミニウム（合金）製の上部膜との組み合わせ、又は、アルミニウム（合金）製の下部膜とモリブデン（合金）製の上部膜との組み合わせである。尚、制御端子電極124はその他に、多様な金属や導電体から形成され得る。好ましくは、上部の薄膜が円滑に連結されるように、制御端子電極124の側面が基板110の表面に対して傾いている。

制御端子電極124とゲート絶縁膜140との上には、層間絶縁膜160が形成されている（図３参照）。層間絶縁膜160は好ましくは、窒化ケイ素などの無機物、有機物、又は低誘電率絶縁物から成る。低誘電率絶縁物は好ましくは、a−Si：C：O又はa−Si：O：Fから成り、プラズマ化学気相蒸着（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；ＰＥＣＶＤ）で形成される。層間絶縁膜160を構成する物質は更に好ましくは、平坦化特性に優れ、かつ感光性を持つ。層間絶縁膜160とゲート絶縁膜140とには第１接触孔163と第２接触孔165とが形成されている。第１接触孔163ではソース領域153が露出し、第２接触孔165ではドレイン領域155が露出している。

層間絶縁膜160の上には、入力端子電極173と出力端子電極175とが形成されている（図３参照）。入力端子電極173と出力端子電極175とは特に制御端子電極124の上方で互いに分離され、制御端子電極124を中心にして互いに対向している。入力端子電極173は第１接触孔163を通じてソース領域153と連結されている。出力端子電極175は第２接触孔165を通じてドレイン領域155と連結されている。入力端子電極173と出力端子電極175との各側面は好ましくは、基板110の表面に対して傾いている。更に、入力端子電極173が駆動電圧線に連結されている（図示せず）。

入力端子電極173と出力端子電極175とは好ましくは、耐熱性金属（モリブデン、クロム、タンタル、若しくはチタニウム、またはこれらの合金）から成る。入力端子電極173と出力端子電極175とは更に好ましくは多重膜（図示せず）であり、耐熱性金属から成る下部膜と低抵抗物質から成る上部膜とを含む。そのような多重膜は好ましくは、クロム若しくはモリブデン（合金）製の下部膜とアルミニウム製の上部膜とを含む二重膜、又は、モリブデン（合金）製の下部膜、アルミニウム（合金）製の中間膜、及びモリブデン（合金）製の上部膜を含む三重膜である。

制御端子電極124、その下地のゲート絶縁膜140、入力端子電極173、出力端子電極175、及び半導体151が、薄膜トランジスタを構成し、図２に示されている駆動トランジスタQdとして利用される。特に駆動トランジスタQdのチャンネルは半導体151のチャンネル領域154に形成される。ここで、半導体151では、低濃度不純物領域152が、薄膜トランジスタQdでの電流の漏洩やパンチスルー現象を防止する。尚、低濃度不純物領域152に代え、不純物が含まれていないオフセット領域が形成されても良い。その他に、薄膜トランジスタQdがｐ型である場合、低濃度不純物領域152は省略されても良い。

入力端子電極173、出力端子電極175、及び層間絶縁膜160は、保護膜180で覆われている（図３参照）。保護膜180は好ましくは、層間絶縁膜160と同一の物質から成る。保護膜180には第３接触孔185が形成され、そこから、出力端子電極175が露出している。保護膜180の上には、各画素に一つずつ、画素電極190が形成されている。画素電極190は第３接触孔185を通じて出力端子電極175と連結されている。表示パネル300が背面発光方式である場合、画素電極190は好ましくは、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質から成る。一方、表示パネル300が前面発光方式である場合、画素電極190は好ましくは、アルミニウム、または銀合金などの光反射性に優れている金属から成る。

保護膜180の上には更に、隔壁360が形成されている（図３参照）。隔壁360は好ましくは、有機絶縁物質または無機絶縁物質から成る。隔壁360は特に、一つの画素電極190の周辺を堤防のように囲み、各画素の開口部を区切っている。隔壁360に囲まれた画素電極190の上には、有機発光部材370が積層されている。有機発光層370では好ましくは、画素電極190に近い順に、正孔注入層HIL、正孔輸送層HTL、発光層EML、電子輸送層ETL、及び電子注入層EILが積層されている（図４参照）。尚、発光層EML以外の付帯層（ETL、HTL、EIL、及びHIL）は省略されても良い。隔壁360と有機発光部材370との上には、共通電極270が形成されている。共通電極270は共通電圧線に連結されている（図示せず）。表示パネル300が背面発光方式である場合、共通電極270は好ましくは、カルシウム（Ca）、バリウム（Ba）、アルミニウム、銀などを含む光反射性の高い金属から成る。表示パネル300が前面発光方式である場合、共通電極270は好ましくは、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質から成る。

画素電極190、有機発光部材370、及び共通電極270が、図２に示されている有機発光素子LDを構成する。特に、画素電極190がアノードに相当し、共通電極270がカソードに相当する。反対に、画素電極190がカソードに相当し、共通電極190がアノードに相当しても良い。その場合、有機発光層370に含まれている各層の順序が上記の順序とは逆である。

再び図１に戻る。走査駆動部400は表示パネル300の走査信号線G₁−G_nに連結されている。走査駆動部400は、信号制御部600から受信される走査制御信号CONT1に従い、走査信号Vg₁−Vg_nを走査信号線G₁−G_nに対して順番に印加する。ここで、走査信号Vg₁−Vg_nはそれぞれ、ゲートオン電圧Vonとゲートオフ電圧Voffとの組み合わせから成る。ゲートオン電圧Vonは各画素で、第１スイッチングトランジスタQs1と第３スイッチングトランジスタQs3とをターンオンさせ、第２スイッチングトランジスタQs2をターンオフさせる（図２参照）。ゲートオフ電圧Voffはその逆である。発光駆動部700は表示パネル300の発光信号線S₁−S_nに連結されている。発光駆動部700は、信号制御部600から受信される発光制御信号CONT3に従い、発光信号Vs₁−Vs_nを発光信号線S₁−S_nに対して順番に印加する。ここで、発光信号Vs₁−Vs_nはそれぞれ、好ましくは走査信号Vg₁−Vg_nと同様に、ゲートオン電圧Vonとゲートオフ電圧Voffとの組み合わせから成る。ゲートオン電圧Vonは各画素で、第４スイッチングトランジスタQs4をターンオンさせ、第５スイッチングトランジスタQs5をターンオフさせる（図２参照）。ゲートオフ電圧Voffはその逆である。データ駆動部500は表示パネル300のデータ線D₁−D_mに連結されている。データ駆動部500は、信号制御部600から供給される映像信号DATに対応するレベルでデータ電圧Vdatを生成し、信号制御部600から受信されるデータ制御信号CONT2に従い、そのデータ電圧Vdatを特定のデータ線D₁−D_mに対して印加する。

信号制御部600は、走査駆動部400、データ駆動部500、及び発光駆動部700の各動作を制御する。信号制御部600は特に、外部のグラフィック制御部（図示せず）から、入力映像信号R、G、Bと入力制御信号とを受信する。入力制御信号は、例えば、垂直同期信号Vsync、水平同期信号Hsync、メインクロックMCLK、及びデータイネーブル信号DEを含む。信号制御部600は入力制御信号に従って入力映像信号R、G、Bを表示パネル300の動作条件（例えばガンマ値）に合うように適切に処理し、映像信号DATを生成する。信号制御部600は更に、入力制御信号に基づき、走査制御信号CONT1、データ制御信号CONT2、及び発光制御信号CONT3を生成する。走査制御信号CONT1は好ましくは、垂直同期開始信号、走査クロック信号、及び走査出力イネーブル信号を含む（図示せず）。垂直同期開始信号は、フレームごとに走査信号Vg₁−Vg_nの印加開始のタイミングを示す。走査クロック信号は、各フレーム内でのゲートオン電圧Vonとゲートオフ電圧Voffとの各出力タイミングを示す。走査出力イネーブル信号はゲートオン電圧Vonの持続時間を指定する。データ制御信号CONT2は好ましくは、水平同期開始信号、ロード信号、及びデータクロック信号を含む（図示せず）。水平同期開始信号は、１水平周期ごとに画素Pxのマトリックスの各行に対するデータ電圧の印加開始のタイミングを示す。ロード信号とデータクロック信号とは、各水平周期内でデータ線D₁−D_mに対するデータ電圧の印加のタイミングを示す。発光制御信号CONT3は好ましくは、走査制御信号CONT1と同様に、発光同期開始信号、発光クロック信号、及び発光出力イネーブル信号を含む（図示せず）。発光同期開始信号は、フレームごとに発光信号Vs₁−Vs_nの印加開始のタイミングを示す。発光クロック信号は、各フレーム内でのゲートオン電圧Vonとゲートオフ電圧Voffとの各出力タイミングを示す。発光出力イネーブル信号はゲートオン電圧Vonの持続時間を指定する。走査制御信号CONT1は走査駆動部400に送出され、データ制御信号CONT2と映像信号DATとはデータ駆動部500に送出され、発光制御信号CONT3は発光駆動部700に送出される。

走査駆動部400、データ駆動部500、及び発光駆動部700は好ましくは、複数の集積回路を含む。それらの集積回路は好ましくは、表示パネル300の上に直接実装されたチップ群である。その他に、それらの集積回路が、表示パネル300の周縁部に接着されたフレキシブル（可撓性）印刷回路フィルムの上にＴＣＰ（Tape Carrier Package）方式で実装されても良い。更にそれらとは別に、走査駆動部400、データ駆動部500、または発光駆動部700が、表示パネル300に集積化されても良い。一方、信号制御部600は好ましくは、データ駆動部500と同じＩＣに集積化される。そのとき、更に好ましくは、走査駆動部400と発光駆動部700とのいずれかが、そのＩＣに集積化される。

本発明の実施例による上記の有機発光表示装置は好ましくは、以下の表示動作を行う。
まず、信号制御部600が、走査制御信号CONT1を走査駆動部400に出力し、データ制御信号CONT2と映像信号DATとをデータ駆動部500に出力し、発光制御信号CONT3を発光駆動部700に出力する（図１参照）。データ駆動部500はデータ制御信号CONT2に従い、画素Pxのマトリックスの各行に対する映像信号DATを順次、データ電圧Vdatに変換し、特定のデータ線D₁−D_mに対して印加する。一方、走査駆動部400は走査制御信号CONT1に従い、走査信号線G₁−G_nに対する走査信号Vg₁−Vg_nの各レベルを順番に、ゲートオン電圧Vonに所定時間ずつ維持する。同様に、発光駆動部700は発光制御信号CONT3に従い、発光信号線S₁−S_nに対する発光信号Vs₁−Vs_nの各レベルを順番に、ゲートオン電圧Vonに所定時間ずつ維持する。

ここで、図５に示されているように、データ駆動部500が画素Pxのマトリックスのi番目の行（i＝1、…、n）に対するデータ電圧Vdatをデータ線D_jに対して印加し始めたとき、まず、走査駆動部400がi番目の走査信号線G_iに対する走査信号Vg_iのレベルをゲートオン電圧Vonに維持し始める（図５に示されている時刻t1参照）。次に、走査信号Vg_iのレベルがゲートオン電圧Vonに維持されている間に、発光駆動部700がi番目の発光信号線S_iに対する発光信号Vs_iのレベルをゲートオン電圧Vonに維持し始める（図５に示されている時刻t2参照）。続いて、発光信号Vs_iのレベルがゲートオン電圧Vonに維持されている間に、走査駆動部400がi番目の走査信号線G_iに対する走査信号Vg_iのレベルをゲートオフ電圧Voffに維持し始める（図５に示されている時刻t3参照）。最後に、データ駆動部500がデータ線D_jに対するデータ電圧Vdatの印加を終える前に、発光駆動部700がi番目の発光信号線S_iに対する発光信号Vs_iのレベルをゲートオフ電圧Voffに維持し始める（図５に示されている時刻t4参照）。以下、時刻t1から時刻t2までの第１期間を予備充電期間といい、時刻t2から時刻t3までの第２期間を放電期間といい、時刻t3から時刻t4までの第３期間をデータ入力期間といい、時刻t4以降の第４期間を発光期間という。

予備充電期間T1では、走査信号線G_iがゲートオン電圧Vonに維持され、発光信号線S_iがゲートオフ電圧Voffに維持される（図５参照）。従って、走査信号線G_iと発光信号線S_iとに連結された画素Pxでは、第１スイッチングトランジスタQs1、第３スイッチングトランジスタQs3、及び第５スイッチングトランジスタQs5がオン状態に維持され、第２スイッチングトランジスタQs2と第４スイッチングトランジスタQs4とがオフ状態に維持される（図２参照）。すなわち、予備充電期間T1では画素Pxの等価回路が図６で表される。図６に示されているように、第１ノードN1と駆動トランジスタQdの入力端子Nsとに対しては駆動電圧Vddが印加され、第２ノードN2と駆動トランジスタQdの制御端子Ngとに対してはデータ電圧Vdatが印加される（第１及び第２印加段階）。従って、第２キャパシタC2が充電され、二つのノードN1、N2間の電圧差Vdd−Vdatが第２キャパシタC2により保持される。ここで、駆動電圧Vddとデータ電圧Vdatとの間の差Vdd−Vdatは駆動トランジスタQdのしきい値電圧Vth（Vth＜0）の絶対値より十分に高いので、駆動トランジスタQdがターンオンする。そのとき、データ電圧Vdatと駆動トランジスタQdのしきい値電圧Vthとに依存する大きさの電流が、駆動トランジスタQdの出力端子Ndを通じて有機発光素子LDに供給され、有機発光素子LDが発光する。但し、予備充電期間T1は１フレームに比べて非常に短いので、この期間T1では有機発光素子LDの発光は視認されない。従って、その発光はその画素の表示目標の輝度にはほとんど影響を与えない。

放電期間T2では、発光信号線S_iがゲートオン電圧Vonに維持される（図５参照）。従って、第４スイッチングトランジスタQs4がターンオンし、第５スイッチングトランジスタQs5がターンオフする（図２参照）。一方、走査信号線G_iは、放電期間T2でもゲートオン電圧Vonに維持される（図５参照）ので、第１スイッチングトランジスタQs1と第３スイッチングトランジスタQs3とはオン状態を維持し、第２スイッチングトランジスタQs2はオフ状態を維持する（図２参照）。すなわち、放電期間T2では画素Pxの等価回路が図７で表される。図７に示されているように、第１ノードN1と駆動トランジスタQdの入力端子Nsとは共に、駆動電圧線から遮断される。しかし、第１ノードN1に対する第２ノードN2の電圧−Vdd＋Vdatが駆動トランジスタQdのしきい値電圧Vthより低いので、放電期間T2の開始からしばらくは駆動トランジスタQdがオン状態を維持する。それにより、第２キャパシタC2に充電されている電荷が駆動トランジスタQdを通じて放出される（放電段階）。駆動トランジスタQdの入力端子Nsに対する制御端子Ngの電圧が駆動トランジスタQdのしきい値電圧Vthに一致する時まで、第２キャパシタC2の放電は持続する。その放電が停止する時、第１ノードN1の電圧VN1は次式(1)で表される値に収斂する。すなわち、第２キャパシタC2が駆動トランジスタQdのしきい値電圧Vthを保持する。

VN1＝Vdat−Vth (1)

データ入力期間T3では、走査信号線G_iがターンオフ電圧Voffに維持される（図５参照）。従って、第１スイッチングトランジスタQs1と第３スイッチングトランジスタQs3とがターンオフし、第２スイッチングトランジスタQs2がターンオンする（図２参照）。一方、発光信号線S_iは、データ入力期間T3でもゲートオン電圧Vonに維持される（図５参照）ので、第４スイッチングトランジスタQs4がオン状態を維持し、第５スイッチングトランジスタQs5がオフ状態を維持する（図２参照）。すなわち、データ入力期間T3では画素Pxの等価回路が図８で表される。図８に示されているように、駆動トランジスタQdの入力端子Nsは第１ノードN1から遮断されて孤立した状態（フローティング状態）に維持され、第１ノードN1に対してはデータ線からデータ電圧Vdatが印加される（第３印加段階）。ここで、第２キャパシタC2が駆動トランジスタQdのしきい値電圧Vthを保持し、第２キャパシタC2を通じて電流が流れないので、第２ノードN2の電圧VN2は式(2)で表される値に維持される。一方、第１キャパシタC1が充電され、式(3)で表される電圧VC1を保持する。

VN2＝Vdat＋Vth (2)
VC1＝Vdd−Vdat (3)

発光期間T4では、発光信号線S_iがターンオフ電圧Voffに維持される（図５参照）。従って、第４スイッチングトランジスタQs4がターンオフし、第５スイッチングトランジスタQs5がターンオンする（図２参照）。一方、走査信号線G_iは、発光期間T4でもターンオフ電圧Voffに維持される（図５参照）ので、第１スイッチングトランジスタQs1と第３スイッチングトランジスタQs3とがオフ状態を維持し、第２スイッチングトランジスタQs2がオン状態を維持する（図２参照）。すなわち、発光期間T4では画素Pxの等価回路が図９で表される。図９に示されているように、駆動トランジスタQdの入力端子Nsに対しては駆動電圧Vddが印加される一方、第１ノードN1からはデータ電圧Vdatが遮断される（第４印加段階）。ここで、駆動トランジスタQdの制御端子Ngには電流が実質上流れないので、第１キャパシタC1がデータ入力期間T3に充電された電圧VC1（式(3)参照）を発光期間T4でも保持し、第２キャパシタC2が放電期間T2で残された、駆動トランジスタQdのしきい値電圧Vthを発光期間T4でも保持する。従って、第２ノードN2の電圧が式(2)の値VN2に維持される。そのとき、駆動電圧Vddが十分に高く設定されているので、駆動トランジスタQdの制御端子Ngと入力端子Nsとの間の電圧差Vgs（＝VN2−Vdd）が駆動トランジスタQdのしきい値電圧Vthより低い。従って、駆動トランジスタQdがターンオンし、その電圧差Vgsで制御される駆動電流I_LDが駆動トランジスタQdの出力端子Ndを通じて有機発光素子LDに供給される。有機発光素子LDは、駆動電流I_LDの大きさに応じて異なる強度で発光する。その駆動電流I_LDの大きさは次式(4)で決定される。

I_LD＝1／2×K×(Vgs−Vth)²
＝1／2×K×(VN2−Vdd−Vth)²
＝1／2×K×(Vdat＋Vth−Vdd−Vth)²
＝1／2×K×(Vdat−Vdd)² (4)

ここで、係数Kは薄膜トランジスタの特性で決まる定数であり、電界効果移動度μ、絶縁層の容量Ci、及び、駆動トランジスタQdのチャンネルの幅Wと長さLとを用いて次式で表される： K＝μ・Ci・W／L。

式(4)から明らかなとおり、発光期間T4での駆動電流I_LDはデータ電圧Vdatと駆動電圧Vddとだけで決定される。すなわち、駆動電流I_LDは駆動トランジスタQdのしきい値電圧Vthの影響を受けない。それ故、表示パネル300に含まれる画素間では、駆動トランジスタQdのしきい値電圧Vthに偏差があっても、同じデータ電圧Vdatに対しては駆動電流I_LDが均一に流れる。こうして、表示パネル300は画像を更に均一な画質で表示できる。

次のフレームでi番目の行の画素Pxに対する予備充電期間T1が再び始まる時まで、発光期間T4が持続する。各行の画素Pxに対し、上記四つの期間T1〜T4での動作が繰り返される。ただし、好ましくは、i番目の行のデータ入力期間T3が終了した後に（i＋1）番目の行の予備充電期間T1が始まるように、各行に対する各期間のタイミングが設定される。このような方式で、全ての走査信号線G₁−G_nと全ての発光信号線S₁−S_nとに対して順次、上記四つの期間T1〜T4での動作制御を行う。それにより、全ての画素Pxが所定の輝度で発光するので、表示パネル300に所定の画像が表示される。尚、各期間T1〜T4の長さは必要に応じて調整される。更に、データ駆動部500が予備充電期間T1でデータ電圧Vdatをデータ線D₁−D_mに対して印加し始めても良い。その場合、放電期間T2ではデータ電圧Vdatが変動しないように維持される。

本発明の上記の実施例による有機発光表示装置では、従来の装置とは異なり、駆動トランジスタQdの制御端子Ngと入力端子Nsとの間をダイオード接続する代わりに、予備充電期間T1で制御端子Ngに対してはデータ電圧Vdatを直接印加し、入力端子Nsに対しては駆動電圧Vddを直接印加し、駆動トランジスタQdを初期化する。その結果、駆動トランジスタQdのしきい値電圧を確実に補償できる。

本発明の上記の実施例による有機発光表示装置が駆動トランジスタQdのしきい値電圧を確実に補償できることは、以下のような、駆動トランジスタQdのしきい値電圧Vthの変動に関する模擬実験の結果から確認されている（図１０参照）。図１０には、駆動トランジスタQdのしきい値電圧Vthが、−1.0V、−1.5V、及び−2.0Vの各値に設定されるごとに測定された、駆動トランジスタQdの制御端子電圧Vngの波形（a）と、有機発光素子LDの駆動電流I_LDの波形（b）とが示されている。ここで、模擬実験はＳＰＩＣＥ（Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis）を利用して行った。更に、模擬実験での条件として、ゲートオン電圧Vonが10Vに設定され、、ゲートオフ電圧Voffが−4Vに設定され、データ電圧Vdatが約2.5Vに設定された。このような条件下では、図１０の（a）に示されている通り、駆動トランジスタQdのしきい値電圧Vthが0.5Vずつ低下するごとに、駆動トランジスタQdの制御端子Ngの電圧Vngが約0.5Vずつ低下する。それに対し、有機発光素子LDの駆動電流I_LDは、図１０の（b）に示されている通り、駆動トランジスタQdのしきい値電圧Vthの値にかかわらず、実質的に一定であることが確認された。このような模擬実験の結果からも、本発明の上記の実施例による有機発光表示装置では、駆動トランジスタQdのしきい値電圧Vthの変動が生じても、しきい値電圧Vthが確実に補償されることが分かる。

本発明の他の実施例による有機発光表示装置では、図１１に示されているように、各画素が、上記の実施例による画素（図２参照）と同様に、有機発光素子LD、駆動トランジスタQd、二つのキャパシタC1、C2、及び五つのスイッチングトランジスタQs1−Qs5を含む。但し、図１１では、五つのスイッチングトランジスタQs1−Qs5のチャンネル型が、図２に示されている五つのスイッチングトランジスタQs1−Qs5のチャンネル型とは反対である。すなわち、第１スイッチングトランジスタQs1、第３スイッチングトランジスタQs3、及び第４スイッチングトランジスタQs4がｐチャンネル薄膜トランジスタであり、第２スイッチングトランジスタQs2と第５スイッチングトランジスタQs5とがｎチャンネル薄膜トランジスタである。この違いを除けば、図１１に示されている画素の等価回路は図２に示されている画素の等価回路と実質的に同一である。従って、各スイッチングトランジスタQs1−Qs5の制御端子に対して印加される走査信号Vg_iと発光信号Vs_iとの各電圧レベルの極性が、図１２に示されているように、図５に示されている極性と反対であれば、上記四つの期間T1−T4の各動作は上記の実施例での各動作と実質的に同一である。

本発明の別の実施例による有機発光表示装置では、図１３に示されているように、各画素が、図２に示されている上記の実施例による画素と同様な等価回路で表される。但し、第１スイッチングトランジスタQs1の入力端子に対し、データ電圧Vdatに代え、基準電圧Vrefが印加される点で、図１３に示されている画素は図２に示されている画素とは異なる。尚、その他の回路構成は両方の画素間で実質的に同一である。図１３に示されている画素では特に、予備充電期間T1と放電期間T2とで第１スイッチングトランジスタQs1がオン状態に維持されることで、駆動トランジスタQdの制御端子Ngに対して一定の基準電圧Vrefが印加される。従って、図２に示されている画素とは異なり、駆動トランジスタQdの制御端子Ngに印加される電圧が変わらない。それ故、駆動トランジスタQdのしきい値電圧Vthが更に確実に補償される。その上、データ電圧Vdatが放電期間T2で印加され始めてもかまわないので、データ電圧Vdatの駆動タイミングに余裕ができる。

本発明の更に別の実施例による有機発光表示装置では、図１４に示されているように、各画素が、図１３に示されている上記の実施例による画素と同様な等価回路で表される。但し、図１４に示されている五つのスイッチングトランジスタQs1−Qs5のチャンネル型が、図１３に示されている五つのスイッチングトランジスタQs1−Qs5のチャンネル型とは反対である。尚、その他の回路構成は実質的に同一である。従って、各スイッチングトランジスタQs1−Qs5の制御端子に対して印加される走査信号Vg_iと発光信号Vs_iとの各電圧レベルの極性が、図１２に示されているように、図５に示されている極性と反対であれば、上記四つの期間T1−T4の各動作は上記の実施例での各動作と実質的に同一である。図１４に示されている画素では特に、図１３に示されている画素と同様に、予備充電期間T1と放電期間T2とで第１スイッチングトランジスタQs1がオン状態に維持されることで、駆動トランジスタQdの制御端子Ngに対して一定の基準電圧Vrefが印加される。従って、駆動トランジスタQdの制御端子Ngに印加される電圧が変わらないので、駆動トランジスタQdのしきい値電圧Vthが更に確実に補償される。その上、データ電圧Vdatが放電期間T2で印加され始めてもかまわないので、データ電圧Vdatの駆動タイミングに余裕ができる。

本発明の上記の実施例による有機発光表示装置では、第１キャパシタC1が駆動電圧線と第１ノードN1との間に連結されている。その他に、駆動電圧線の代りに別の電圧線が連結され、第１キャパシタC1に対して駆動電圧とは別の基準電圧が印加されても良い。
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明した。しかし、本発明の技術的範囲は上記の実施例には限定されない。実際、当業者であれば、特許請求の範囲で定義されている本発明の基本概念を利用した様々な変形や改良が可能であろう。これらの変形や改良も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。

本発明の一実施例による有機発光表示装置のブロック図 本発明の一実施例による有機発光表示装置の一つの画素を表す等価回路図 図２に示されている画素に含まれている駆動トランジスタと有機発光素子との断面図 本発明の一実施例による有機発光表示装置に含まれている有機発光素子のバンド構造を示す模式図 本発明の一実施例による有機発光表示装置で利用される駆動信号のタイミング図 図５に示されている予備充電期間T1での画素を表す等価回路図 図５に示されている放電期間T2での画素を表す等価回路図 図５に示されているデータ入力期間T3での画素を表す等価回路図 図５に示されている発光期間T4での画素を表す等価回路図 本発明の一実施例による有機発光表示装置に対して行われた模擬実験で得られた、駆動信号の波形図、及び、駆動トランジスタのしきい値電圧の値別に測定された駆動トランジスタの制御端子電圧と有機発光素子の駆動電流とを示す波形図 本発明の他の実施例による有機発光表示装置の一つの画素を表す等価回路図 本発明の他の実施例による有機発光表示装置で利用される駆動信号のタイミング図 本発明の別の実施例による有機発光表示装置の一つの画素を表す等価回路図 本発明の更に別の実施例による有機発光表示装置の一つの画素を表す等価回路図

符号の説明

110 基板
111 遮断膜
124 制御端子電極
140 ゲート絶縁膜
151〜155 半導体
160 層間絶縁膜
163、165、185 接触孔
173 入力端子電極
175 出力端子電極
180 保護膜
190 画素電極
270 共通電極
300 表示パネル
360 隔壁
370 有機発光部材
400 走査駆動部
500 データ駆動部
600 信号制御部
700 発光駆動部

Claims (26)

1. 発光素子、
   データ電圧が印加される第１ノードと、第２ノードとの間に連結されている第１キャパシタ、
   入力端子、出力端子、及び前記第２ノードに連結されている制御端子、を含み、前記発光素子が発光するように前記発光素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタ、
   走査信号に応じ、第１基準電圧を前記駆動トランジスタの制御端子に対して印加し、前記第１ノードからデータ電圧を遮断し、前記第１ノードを前記駆動トランジスタの入力端子に連結する第１スイッチング部、並びに、
   発光信号に応じ、駆動電圧を前記駆動トランジスタに対して印加し、前記第１ノードから前記データ電圧を遮断する第２スイッチング部、
   を有する画素、
   を複数備えた表示装置。
2. 前記駆動トランジスタがｐチャンネル薄膜トランジスタである、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１基準電圧がデータ電圧と同一である、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１スイッチング部が、
   前記走査信号に応じ、前記第１基準電圧を前記駆動トランジスタの制御端子に対して印加する第１スイッチングトランジスタ、
   を含む、請求項１に記載の表示装置。
5. 前記第１スイッチング部が、
   前記走査信号に応じ、前記データ電圧を前記第１ノードから遮断する第２スイッチングトランジスタ、及び、
   前記走査信号に応じ、前記第１ノードを前記駆動トランジスタの入力端子に連結する第３スイッチングトランジスタ、
   をさらに含む、請求項４に記載の表示装置。
6. 前記走査信号が、前記第１スイッチングトランジスタのオンオフ状態を前記第３スイッチングトランジスタのオンオフ状態と実質的に一致させ、かつ、前記第２スイッチングトランジスタのオンオフ状態とは実質的に逆にする、請求項５に記載の表示装置。
7. 前記第１スイッチングトランジスタ、前記第２スイッチングトランジスタ、前記第３スイッチングトランジスタ、又は前記駆動トランジスタが、多結晶シリコンを含む、請求項５に記載の表示装置。
8. 前記第１スイッチングトランジスタと前記第３スイッチングトランジスタとの各チャンネル型が、前記第２スイッチングトランジスタのチャンネル型と異なる、請求項５に記載の表示装置。
9. 前記第２スイッチング部が、
   前記発光信号に応じ、前記データ電圧を前記第１ノードから遮断する第４スイッチングトランジスタ、及び、
   前記発光信号に応じ、前記駆動電圧を前記駆動トランジスタの入力端子に対して印加する第５スイッチングトランジスタ、
   を含む、請求項１に記載の表示装置。
10. 前記発光信号が、前記第４スイッチングトランジスタのオンオフ状態を前記第５スイッチングトランジスタのオンオフ状態とは実質的に逆にする、請求項９に記載の表示装置。
11. 前記第４スイッチングトランジスタ、前記第５スイッチングトランジスタ、又は前記駆動トランジスタが、多結晶シリコンを含む、請求項９に記載の表示装置。
12. 前記第４スイッチングトランジスタと前記第５スイッチングトランジスタとは互いにチャンネル型が異なる、請求項９に記載の表示装置。
13. 一端が前記第１ノードに連結され、他端に対して第２基準電圧が印加される第２キャパシタ、を前記画素がさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
14. 前記第２基準電圧が前記駆動電圧と同一である、請求項１３に記載の表示装置。
15. 発光素子、
    データ電圧が印加される第１ノードと、第２ノードとの間に連結されている第１キャパシタ、
    入力端子、前記発光素子に連結されている出力端子、及び前記第２ノードに連結されている制御端子、を含む駆動トランジスタ、
    走査信号に応じて動作し、第１基準電圧を前記第２ノードに対して印加する第１スイッチングトランジスタ、
    前記走査信号に応じて動作し、データ電圧を前記第１ノードから遮断する第２スイッチングトランジスタ、
    前記走査信号に応じて動作し、前記第１ノードと前記駆動トランジスタの入力端子との間を連結する第３スイッチングトランジスタ、
    発光信号に応じて動作し、前記データ電圧を前記第１ノードから遮断する第４スイッチングトランジスタ、並びに、
    発光信号に応じて動作し、駆動電圧を前記駆動トランジスタの入力端子に対して印加する第５スイッチングトランジスタ、
    を有する表示装置。
16. 前記第１基準電圧が前記データ電圧と同一である、請求項１５に記載の表示装置。
17. 第１期間では、前記第１スイッチングトランジスタ、前記第３スイッチングトランジスタ、及び第５スイッチングトランジスタがオン状態に維持され、前記第２スイッチングトランジスタと前記第４スイッチングトランジスタとがオフ状態に維持され、
    前記第１期間に続く第２期間では、前記第１スイッチングトランジスタと前記第３スイッチングトランジスタとがオン状態に維持され、前記第２スイッチングトランジスタと前記第５スイッチングトランジスタとがオフ状態に維持され、
    前記第２期間に続く第３期間では、前記第２スイッチングトランジスタと前記第４スイッチングトランジスタとがオン状態に維持され、前記第１スイッチングトランジスタ、前記第３スイッチングトランジスタ、及び第５スイッチングトランジスタがオフ状態に維持され、
    前記第３期間に続く第４期間では、前記第５スイッチングトランジスタがオン状態に維持され、前記第１スイッチングトランジスタ、前記第３スイッチングトランジスタ、及び前記第４スイッチングトランジスタがオフ状態に維持される、
    請求項１５に記載の表示装置。
18. 一端が前記第１ノードに連結され、他端に対して第２基準電圧が印加される第２キャパシタ、をさらに有する、請求項１５に記載の表示装置。
19. 前記第２基準電圧が前記駆動電圧と同一である、請求項１８に記載の表示装置。
20. 発光素子、
    第１ノードと第２ノードとの間に連結されている第１キャパシタ、
    前記第１ノードに連結されている第２キャパシタ、並びに、
    入力端子、前記発光素子に連結されている出力端子、及び前記第２ノードに連結されている制御端子、を含む駆動トランジスタ、
    を有する表示装置、を駆動する方法であり、
    第１基準電圧を前記第２ノードに対して印加する第１印加段階、
    駆動電圧を前記第１ノードに対して印加する第２印加段階、
    前記第１キャパシタを放電させる放電段階、
    データ電圧を前記第１ノードに対して印加する第３印加段階、及び、
    前記駆動電圧を前記駆動トランジスタの入力端子に対して印加する第４印加段階、
    を有する、表示装置の駆動方法。
21. 前記第２印加段階が、前記第１ノードと前記駆動トランジスタの入力端子との間を連結する段階を含む、請求項２０に記載の表示装置の駆動方法。
22. 前記放電段階が、前記第１ノードと前記駆動トランジスタの入力端子とから前記駆動電圧を遮断する段階を含む、請求項２０に記載の表示装置の駆動方法。
23. 前記第３印加段階が、前記駆動トランジスタの入力端子を孤立させる段階を含む、請求項２０に記載の表示装置の駆動方法。
24. 前記入力端子を孤立させる段階が、前記駆動トランジスタの入力端子を前記第１ノードから遮断する段階を含む、請求項２３に記載の表示装置の駆動方法。
25. 前記第３印加段階が、前記第２ノードから前記第１基準電圧を遮断する段階を含む、請求項２０に記載の表示装置の駆動方法。
26. 前記駆動電圧を前記第２キャパシタに対して印加する段階をさらに有する、請求項２０に記載の表示装置の駆動方法。

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