JP2006253540A - 無線信号処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電波あるいは電磁波を非接触で受信するアンテナ部分、受信した無線信号を処理する制御部分、さらに制御された信号をデータとして記憶する部分が同一絶縁基板上に形成され、信号を処理する複数の素子要素が薄膜トランジスタと強誘電体不揮発性記憶素子からなることを特徴とする無線信号処理装置。
【選択図】 図5
Description
(3)において、21は絶縁層となる1000nmのシリコン酸化膜である。これは一般的な低温の気相成長法で堆積する。次に、フォトリソグラフィとエッチングにより、21にコンタクトホールを形成した後、気相成長によりタングステンを埋め込みビア接続22を形成する。(4)において、アモルファスシリコン23を100nm堆積し、よく知られたKrFエキシマーレーザアニールにより再結晶化させる。これにより、23では単結晶シリコンの約1/3の約200cm2/Vsの電子移動度を実現できる。レーザスキャン条件の最適化により約400cm2/Vsの電子移動度も実現できることを付記する。(5)において、(22)の上にゲート絶縁膜となる窒化シリコン膜24を50nm堆積させ、続いて多結晶シリコン25を堆積し、ゲート電極としてパターン形成する。さらに、リンを含むプラズマガスで処理し、23の露出部および25にリンを堆積し、450℃のアニールを10分施すことにより、ゲート25、ソース26およびドレイン27の高濃度層を形成する。さらに、21、22と同様にして、層間絶縁膜28およびビア接続29を形成し、Al膜の堆積によりにより配線およびアンテナ30を一体形成する。本プロセスにより、簡便な工程でアンテナ一体型の高性能RFタグが製造できる。
Claims (4)
- 電波あるいは電磁波を非接触で受信するアンテナ部分、受信した無線信号を処理する制御部分、さらに制御された信号をデータとして記憶する部分が同一絶縁基板上に形成され、信号を処理する複数の素子要素が薄膜トランジスタと不揮発性記憶素子からなることを特徴とする無線信号処理装置。
- 請求項1にあって、前記薄膜トランシスタはシリコン薄膜によって形成されることを特徴とする無線信号処理装置。
- 請求項1にあって、前記不揮発性記憶素子は強誘電体メモリであることを特徴とする無線信号処理装置。
- 請求項3にあって、前記強誘電体メモリの上に前記薄膜トランジスタが積層することを特徴とする無線信号処理装置。
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- 2005-03-14 JP JP2005070523A patent/JP2006253540A/ja active Pending
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