JP2006253449A - リードフレームモジュール - Google Patents

Abstract

【課題】 高耐圧性を保持しつつトランスのリードフレームに対する絶縁距離を短くして、トランス自体の小型化を果たし、しかも放熱性にも優れたリードフレームモジュールを提供する。
【解決手段】 金属板により回路パターン３が形成されたリードフレーム１と、リードフレーム１に実装されたトランス４と、リードフレーム１の表面に絶縁樹脂層２をモールドすることにより形成した場合、トランス４のボビン４ａを絶縁樹脂層２に一体に形成し、ボビン４ａにトランス４のコイル４ｃを巻き線すると共に、コイル４ｃの端末４ｅを回路パターン３の端子部３ａに接続した。
【選択図】 図１

Description

本発明は、リードフレームを絶縁樹脂層により封止（モールド）することにより、電子機器の回路基板を構成したリードフレームモジュールに関する。

従来電子機器に使用されている回路基板には、プリント基板に電子部品を実装したものが主に使用されており、プリント基板の基材としては、紙フェノール材やコンポジット材、ガラスエポキシ材、セラミック材、金属基板等があり、いずれも一長一短がある。

紙フェノール材やコンポジット材、ガラスエポキシ材を基材としたプリント基板は、放熱性や絶縁距離については並みで、かつ比較的安価なため現在もっとも多く使用されているが、紙フェノール材は温度や湿度変化に弱いため信頼性が低い上、加工性に劣るため、スルーホールを形成するのが難しい等の欠点がある。

コンポジット材やガラスエポキシ材は、耐熱温度が低いため信頼性に欠けるが、加工性がよい等の利点がある。

セラミック材は、放熱や信頼性が高く、絶縁距離を短くできる利点を有しているが、割れやすいため加工性に劣る等の欠点がある。

また金属基板はパターンと金属基板間にある絶縁層が薄いために絶縁性と経年変化後の信頼性に問題がある。

一方リードフレームは、放熱性が高いことから、放熱部品を多く使用するソリッドステートリレー、ＩＨジャー等に使用され金属例えば銅系金属から構成している。

銅系金属や鉄等の金属よりなるリードフレームは、プリント基板に比べて熱伝導率が高いため放熱効果に優れている上、パターン間に介在される絶縁樹脂よりなる絶縁層が厚いため、絶縁距離を短くしても絶縁性能が確保できる等の利点を有している。

リードフレームは、銅系金属や鉄系金属よりなる金属板をプレス等で打ち抜いたり、エッチング処理等の手段で回路パターンを形成しており、リードフレームの回路パターンに，ＩＣチップ等の表面実装部品を実装した後、全体をエポキシ樹脂等の絶縁樹脂によりモールドすることにより、リードフレームモジュールを構成している。

そして、リードフレームモジュールは、回路パターン間に介在された絶縁樹脂により高い絶縁性が得られる上、回路パターン間の絶縁距離を短縮できるため、回路基板全体の小型化が図れる等の利点を有している。

また金属よりなるリードフレームは放熱性が高いため、放熱部品を多く使用した電子機器の電源部に使用することにより発熱部品の放熱効果が向上し、これによって発熱部品の劣化が防止できるため、信頼性も向上する等の効果が得られる。

このように構成したリードフレームモジュールは、例えば電子機器の電源部等によく使用されている。

そして前記リードフレームの利点を利用して電子機器の電源部を構成したものとして、例えば特許文献１に記載されたものが公知である。

前記特許文献１に記載された技術は、金属板により形成されたリードフレームの一部に、樹脂の一体成形により１次ボビンを一体成形し、その後リードフレームの不要部分を切除した後、１次ボビンに１次巻線を巻線したら、筒状の２次ボビンを１次ボビンの外周に嵌合して、２次巻線を行うようになっている。

その後リードフレームを金属製のケースに収容した後、ケース内に絶縁樹脂層を充填して、ケースに対しリードフレームやトランス、整流器を固定すると同時に絶縁対策を施したもので、整流器部分の小型化が図れる等の効果を有している。
特開２００１−１３６７４８号公報

しかし前記特許文献１に記載されたリードフレームモジュールでは、リードフレームの一部に絶縁樹脂の一体成形によりトランスの第１ボビンを成形する構造のため、トランスの位置がリードフレームの端部に限定されてしまい、部品を配置する際の自由度が制限される問題がある。

また絶縁樹脂によりリードフレームの一部に成形されたボビンに巻線を行ってトランスを形成した後、リードフレームをケースに収容して、ケース内に絶縁樹脂を充填することにより全体をモールドする構成のため、絶縁樹脂をモールドする工程が複数となって製作に多くの工数を必要とし、製品が高価となる問題がある。

さらに電子機器の電源部に使用されている小型のトランスでは、高電圧で使用する場合、耐圧性を高めるため回路パターンとの絶縁距離を大きくとった上、安全規格等をクリアするため使用温度範囲も１３０℃以下とすることが求められている。

この要求を満たすために、絶縁距離を短くでき、かつ放熱効果も高いリードフレームを使用することになるが、前記特許文献１に記載のリードフレームモジュールのように、リードフレームの一部に絶縁樹脂をモールドしてトランスを形成した後ケース内に収容し、さらに全体を絶縁樹脂で再びモールドした構造では、回路パターンとの絶縁距離を大きくとる必要があるために、トランス全体の小型化に限度がある上、トランスで発生した熱をリードフレーム全体に拡散して放熱することができないため、放熱性にも劣る等の問題もある。

本発明はかかる問題を改善するためになされたもので、高耐圧性を保持しつつトランスのリードフレームに対する絶縁距離を短くして、トランス自体の小型化を果たし、しかも放熱性にも優れたリードフレームモジュールを提供することを目的とするものである。

本発明のリードフレームモジュールは、金属板により回路パターンが形成されたリードフレームと、前記リードフレームに実装されたトランスと、前記リードフレームの表面に絶縁樹脂をモールドすることにより形成した絶縁樹脂層とを有して構成したリードフレームモジュールであって、前記トランスのボビンを前記絶縁樹脂層に一体に形成したことを特徴とするものである。

前記構成により、トランスの構成要素であるボビンを絶縁樹脂層に一体に形成したことにより、ボビンを絶縁樹脂層を形成する際に同時に形成することができ、しかも、ボビンと回路パターンとの間には絶縁樹脂層が介在することになって、トランスの回路パターンに対する絶縁距離を小さく設定したとしても高耐圧性を発揮することができることになり、しかも、絶縁距離を小さくすることができる結果、トランスの厚みを薄くしてトランス自体の小型化を達成することができ、延いてはリードフレームモジュール全体構成の小型化を果たすことができ、しかも、大電流を扱う電子機器の電源部に使用したとしても、リードフレームの面積を大幅に削減することができるため、リードフレームモジュールを使用する電子機器の小型化が図れるようになる。

また前記構成により、リードフレームの任意な位置にトランスを設けることができるため、部品を配置する際の自由度に制限を受けることが少なくなり、これによって電子機器に合わせたリードフレームモジュールの設計が容易になると共に、リードフレームに絶縁樹脂をモールドしてトランスを形成した後、リードフレームをケースに収容して全体をさらにモールドする必要がないため、絶縁樹脂層のモールド工程が１工程で済み、これによって製作コストの低減が図れる上、ケースが不要となる分部品点数も少なくなるため、この点からの部品のコスト低減とリードフレームモジュールの小型化も図れる。

またトランスより発生した熱は、熱伝導率の高い金属により形成されたリードフレーム全体に熱が拡散された後、リードフレームを覆う絶縁樹脂層に放熱されるため、肉厚の薄い銅箔により回路パターンが形成されたプリント基板に比べて放熱性が格段に向上し、これによって高電圧を扱う電源部に使用する場合でも、使用温度範囲が１３０℃以下という安全基準を十分に満足するリードフレームモジュールが得られるようになる。

本発明のリードフレームモジュールは、請求項１に記載のリードフレームモジュールにおいて、前記ボビンに前記トランスのコイルを巻き線すると共に、前記コイルの端末を前記回路パターンの端子部に接続したことを特徴とするものである。

前記構成により、トランスの作動時にコイルに発生した熱を絶縁樹脂層に放熱されることになる。

本発明のリードフレームモジュールは、請求項２に記載の前記回路パターンの端子部にピンを植設し、かつ前記ピンに前記コイルの端末を巻き付けることにより、前記コイルの端末を前記端子部に接続したことを特徴とするものである。

前記構成により、半田付けをせずにコイルの端末を端子部に接続できるため、半田作業の削減と、半田不良の防止が図れる。

本発明のリードフレームモジュールは、請求項２記載の前記回路パターンの端子部を折り起こして、コイルの端末をこの端子部に接続したものである。

前記構成により、絶縁樹脂層の表面より上方へ端子部が突出するため、半田作業が容易かつ確実に行える。

本発明のリードフレームモジュールは、請求項２乃至４のいずれか一に記載のリードフレームに実装されたトランスの表面を、さらに絶縁樹脂層で被覆したものである。

前記構成により、絶縁樹脂層でトランス全体が密封されるため、トランスの絶縁特性や耐湿度特性が向上する。

本発明は、金属板により回路パターンが形成されたリードフレームと、前記リードフレームに実装されたトランスと、前記リードフレームの表面に絶縁樹脂層をモールドすることにより形成した絶縁樹脂層とを有して構成したリードフレームモジュールであって、前記トランスを構成する巻き線を前記リードフレームに実装すると共に、前記巻き線を前記絶縁樹脂層により被覆して構成されたことを特徴とするものである。

前記構成により、トランスを構成する巻き線をリードフレームに実装すると共に、絶縁樹脂層により被覆したことにより、巻き線の一次側と二次側との間に絶縁樹脂層が介在することになって、巻き線の一次側と二次側との間の絶縁距離を小さく設定したとしても高耐圧性を発揮することができることになり、しかも、絶縁距離を小さくすることができる結果、トランスの厚みを薄くしてトランス自体の小型化を達成することができ、延いてはリードフレームモジュール全体構成の小型化を果たすことができ、しかも、大電流を扱う電子機器の電源部に使用地他としても、リードフレームの面積を大幅に削減することができるため、リードフレームモジュールを使用する電子機器の小型化が図れるようになる。

また前記構成により、リードフレームの任意な位置にトランスを設けることができるため、部品を配置する際の自由度に制限を受けることが少なくなり、これによって電子機器に合わせたリードフレームモジュールの設計が容易になると共に、リードフレームに絶縁樹脂層をモールドしてトランスを形成した後、リードフレームをケースに収容して全体をさらにモールドする必要がないため、絶縁樹脂層のモールド工程が１工程で済み、これによって製作コストの低減が図れる上、ケースが不要となる分部品点数も少なくなるため、この点からの部品のコスト低減とリードフレームモジュールの小型化も図れる。

またトランスより発生した熱は、熱伝導率の高い金属により形成されたリードフレーム全体に熱が拡散された後、リードフレームを覆う絶縁樹脂層に放熱されるため、肉厚の薄い銅箔により回路パターンが形成されたプリント基板に比べて放熱性が格段に向上し、これによって高電圧を扱う電源部に使用する場合でも、使用温度範囲が１３０℃以下という安全基準を十分に満足するリードフレームモジュールが得られるようになる。

本発明のリードフレームモジュールによれば、絶縁距離を小さく設定したとしても高耐圧性を発揮することができることになり、しかも、絶縁距離を小さくすることができる結果、トランスの厚みを薄くしてトランス自体の小型化を達成することができ、延いてはリードフレームモジュール全体構成の小型化を果たすことができ、しかも、大電流を扱う電子機器の電源部に使用地他としても、リードフレームの面積を大幅に削減することができるため、リードフレームモジュールを使用する電子機器の小型化が図れるようになる。

また本発明のリードフレームモジュールによれば、リードフレームの任意な位置にトランスを設けることができるため、部品を配置する際の自由度に制限を受けることが少なくなり、これによって電子機器に合わせたリードフレームモジュールの設計が容易になると共に、リードフレームに絶縁樹脂層をモールドしてトランスを形成した後、リードフレームをケースに収容して全体をさらにモールドする必要がないため、絶縁樹脂層のモールド工程が１工程で済み、これによって製作コストの低減が図れる上、ケースが不要となる分部品点数も少なくなるため、この点からの部品のコスト低減とリードフレームモジュールの小型化も図れる。

また本発明のリードフレームモジュールによれば、トランスより発生した熱は、熱伝導率の高い金属により形成されたリードフレーム全体に熱が拡散された後、リードフレームを覆う絶縁樹脂層に放熱されるため、肉厚の薄い銅箔により回路パターンが形成されたプリント基板に比べて放熱性が格段に向上し、これによって高電圧を扱う電源部に使用する場合でも、使用温度範囲が１３０℃以下という安全基準を十分に満足するリードフレームモジュールが得られるようになる。

本発明の実施の形態を、図面を参照して詳述する。

図１は本発明にかかる実施例を描画したリードフレームモジュールの全体的な斜視図、図２はＡ−Ａ線に沿う断面図、図３は図１における樹脂でモールドされたリードフレームの斜視図、図４は図３におけるボビンに巻線した状態の斜視図、図５はボビンにコアを取り付けた状態の斜視図である。

図１に示すリードフレームモジュールは、図示しない電子機器例えば電源部を構成するもので、金属板よりなるリードフレーム１と、リードフレーム１の表面に絶縁樹脂をモールドして形成した絶縁樹脂層２とで構成している。

リードフレーム１を形成する金属板は、鉄板や銅板、アルミニウム板等であって、プリント基板に用いられている銅箔の肉厚３５μｍに対してほぼ７倍の２５０μｍ程の肉厚の金属板が使用されている。

金属板よりリードフレーム１を形成するに当たっては、プレスによる打ち抜きやエッチング処理等の手段により適宜大きさの金属板に回路パターン３を形成するが、回路パターン３の周辺部には、回路パターン３間の絶縁距離や強度を維持するために設けられた切除部（図示せず）が枠状に残されており、この切除部は、絶縁樹脂層２のモールド後に切除されるようになっている。

リードフレーム１の回路パターン３としては、ほぼ中央部に電源部の主要部品であるトランス４を実装するための複数の端子部３ａが間隔を存して例えば２列設けられていて、その周辺には、絶縁樹脂層２をモールドする前にリードフレーム１に面実装部品５を実装するパターン部３ｂと、絶縁樹脂層２のモールド後リードフレーム１に挿入部品６を後付け実装するパターン部３ｃが設けられており、端子部３ａ及びパターン部３ｂには、何れもピン孔３ｄが穿設されている。

またリードフレーム１のパターン部３ｂには、電源部の整流回路等を形成する面実装部品５が実装された後、回路パターン３と面実装部品５を覆うように絶縁樹脂層２がモールドされており、絶縁樹脂層２を構成する絶縁樹脂としては絶縁性が高く、かつ熱伝導率も高い例えばエポキシ樹脂が使用されている。

絶縁樹脂層２のモールド方法としては、トランスファモールドや射出成形等の方法が採用されており、絶縁樹脂層２を成形する際、図３に示すように絶縁樹脂層２の上面にトランス４を構成するボビン４ａが一体に成形されている。

トランス４のボビン４ａは、断面がほぼ長方形の角筒状に形成されていて、ボビン４ａの中心線が絶縁樹脂層２の上面とほぼ平行するようになっており、両端部に突設された鍔部４ｂがリードフレーム１を覆う絶縁樹脂層２の上面に連設されている。

またボビン４ａの下面と絶縁樹脂層２の上面との間には、トランス４のコイル４ｃを巻く際に支障をきたさない程度に隙間が形成されており、ボビン４ａの両端部側に位置するように設けられた回路パターン３の端子部３ａは、コイル４ｃの端末４ｅを半田付けする際支障とならないよう露出されていると共に、挿入部品６を実装するための端子部３ｃを覆う絶縁樹脂層２には、端子部３ｃのピン孔３ｄとほぼ同じ位置にピン孔２ａが形成されている。

以上のようにして切除部を除く全体が絶縁樹脂層２によりモールドされたリードフレーム１は、絶縁樹脂層２の周辺にはみ出した切除部が打ち抜き等の方法で切除された後、絶縁樹脂層２と一体に成形されたボビン４ａに、トランス４の１次コイルと２次コイルとからなるコイル４ｃが図示しない巻線機により図４に示すように巻かれている。

そして各コイル４ｃの端末４ｅは、絶縁樹脂層２の表面に露出した端子部３ａに半田付けされ、絶縁樹脂層２の表面に穿設されたピン孔２ａより挿入された挿入部品６は、パターン部３ｃに半田付けされている。

コイル４ｃの巻線が完了したボビン４ａには、コア４ｄを取り付けられているが、コア４ｄは図５に示すように、ほぼロ字形をなしていて、ボビン４ａを支持する鍔部４ｂの外周に嵌着することにより、リードフレーム１のほぼ中央部にトランス４が一体に設けられたリードフレームモジュールが構成されている。

次に前記構成されたリードフレームモジュールの作用を説明すると、前記リードフレームモジュールは、電子機器の部品の一部として電子機器に組み込まれて使用されるが、使用中トランス４が発熱する。

トランス４より発生した熱は、コイル４ｃの端末４ｅを介してリードフレーム１へ伝達されるが、リードフレーム１は熱伝導率の高い金属により形成されているため、リードフレーム１へ伝達された熱は、リードフレーム１全体に熱が拡散される。

同時にリードフレーム１を覆う絶縁樹脂層２にも熱伝導率の高い例えばエポキシ樹脂が使用されていいて、リードフレーム１全体に拡散された熱は絶縁樹脂層２に放熱されるため、肉厚の薄い銅箔により回路パターンが形成されたプリント基板に比べて放熱性が格段に向上する。

これによって高電圧を扱う電源部に対しても、使用温度範囲が１３０℃以下という安全基準を十分に満足するリードフレームモジュールが得られるようになる。

またリードフレーム１の各回路パターン３間に絶縁樹脂層２が介在することにより、各回路パターン３間の絶縁距離を次の理由で短縮することができる。

回路パターン３が空間距離を介して隣接している従来のプリント基板の場合、１．０ｍｍ／ｋｖの絶縁距離が必要となり、扱う電圧が高くなるのに伴い回路パターン３間の絶縁距離を大きくしなければならないため、回路基板が大型化する。

これに対し絶縁樹脂層２でリードフレーム１をモールドしたリードフレームモジュールの場合、絶縁確保に必要な距離は絶縁樹脂層２の絶縁特性により決まってくるが、絶縁樹脂層２にエポキシ樹脂を使用した場合絶縁距離は０．１ｍｍ／ｋｖとなり、従来のプリント基板に比べて絶縁距離を１／１０程度に短縮できるため、高電圧を扱う電源部であっても大幅な小型化が可能になる。

一方従来のプリント基板に使用されている回路パターンの銅箔の肉厚は、標準で３５μｍ、最大で１０５μｍ程度であり、大電流を流すとパターン発熱が大きくなるため、電流に対するパターン幅は１．０[Ａ／ｍｍ]程度必要である。

このため大電流を扱うプリント基板の場合パターン幅を大きくしなければならないため、基板面積が大きくなって回路基板の小型化ができないが、リードフレーム１の場合、同じ銅系金属を使用しても、標準で２５０μｍ程度の肉厚があり、従来の回路パターンの肉厚のほぼ７倍に相当する。

これによってリードフレームモジュールでの大電流によるパターン幅は７．０[Ａ／ｍｍ]となり、大電流を扱う電子機器の電源部であっても、リードフレーム１の面積を大幅に縮小することができるため、リードフレームモジュールの小型化に合わせて電子機器の小型化が図れるようになる。

更に、本実施例においては、絶縁樹脂層２に鍔部４ｂを介して一体にボビン４ａを形成したことにより、ボビン４ａを絶縁樹脂層２を形成する際に同時に形成することができ、しかも、ボビン２と回路パターン３との間には絶縁樹脂層２が介在し、しかも、絶縁樹脂層２とボビン４ａとの間に鍔部４ｂが介在することになって、トランス４の回路パターン３に対する絶縁距離を小さく設定したとしても高耐圧性を発揮することができることになり、しかも、絶縁距離を小さくすることができる結果、トランス４の厚みを薄くしてトランス４自体の小型化を達成することができ、延いてはリードフレームモジュール全体構成の小型化を果たすことができ、しかも、大電流を扱う電子機器の電源部に使用地他としても、リードフレームの面積を大幅に削減することができるため、リードフレームモジュールを使用する電子機器の小型化が図れるようになる。

またリードフレーム１の任意な位置にトランス４を設けることができるため、部品を配置する際の自由度に制限を受けることが少なくなり、これによって電子機器に合わせたリードフレームモジュールの設計が容易になると共に、リードフレーム１に絶縁樹脂をモールドしてトランス４を形成した後、リードフレーム１をケースに収容して全体をさらにモールドする必要がないため、絶縁樹脂層２のモールド工程が１工程で済み、これによって製作コストの低減が図れる上、ケースが不要となる分部品点数も少なくなるため、この点からの部品のコスト低減とリードフレームモジュールの小型化も図れる。

またトランスより発生した熱は、熱伝導率の高い金属により形成されたリードフレーム１全体に熱が拡散された後、リードフレーム１を覆う絶縁樹脂層２に放熱されるため、肉厚の薄い銅箔により回路パターンが形成されたプリント基板に比べて放熱性が格段に向上し、これによって高電圧を扱う電源部に使用する場合でも、使用温度範囲が１３０℃以下という安全基準を十分に満足するリードフレームモジュールが得られるようになる。

また、絶縁樹脂層２に一体に形成されたボビン４ａにトランス４のコイル４ｃを巻き線すると共に、コイル４ｃの端末を回路パターン３の端子部３ａに接続したことから、トランス４の作動時にコイル４ｃに発生した熱を絶縁樹脂層２に放熱されることになる。

また回路パターン３の端子部３ａにピン７を植設し、かつピン７にコイル４ｃの端末４ｅを巻き付けることにより、コイル４ｃの端末４ｅを端子部３ａに接続したことにより、半田付けをせずにコイル４ｃの端末４ｅを端子部３ａに接続できるため、半田作業の削減と、半田不良の防止が図れる。

また回路パターン３の端子部３ａを折り起こして、コイルの端末をこの端子部に接続したことにより、絶縁樹脂層２の表面より上方へ端子部３ａが突出するため、半田作業が容易かつ確実に行える。

なお、図６ないし図１３は変形例を示すもので、次にこれら変形例を説明する。

図６及び図７は、トランス４のコイル４ｃ端末４ｅを接続する端子部３ａの変形例で、図６に示すように端子部３ａのピン孔３ｄにピン７を植設し、かつこれらピン７に１次コイル及び２次コイルからなるコイル４ｃの端末４ｅを図７に示すように巻き付けた後、ボビン４ａにコア４ｄを嵌合してトランス４を成形した変形例を示したものである。

図８及び図９は、絶縁樹脂層２の表面に露出された端子部３ａを上方向へほぼ直角に折り曲げて、これら端子部３ａに図９に示すようにコイル４ｃの端末４ｅを半田付けした後、ボビン４ａにコア４ｄを嵌合してトランス４を形成した変形例を示したものである。

図１０は、前記実施の形態で説明したリードフレームモジュールのトランス４表面を、さらに絶縁樹脂層２ｂで被覆した変形例を示しもので、前記図６ないし図９に示す変形例で説明したトランス４にも同様に実施してもよく、絶縁樹脂層２ｂでトランス４全体が密封されるため、トランス４の絶縁特性や耐湿度特性が向上する。

図１１ないし図１３に示す変形例は、トランス４の１次コイル４ｈと２次コイル４ｉを渦巻状に形成した導電性材料で構成するもので、１次コイル４ｈと２次コイル４ｉを上下に離間された状態で各コイル４ｈ，４ｉの端末をリードフレーム１の端子部３ａに半田付けにより実装した後、リードフレーム１及び１次コイル４ｈ及び２次コイル４ｉを絶縁樹脂層２でモールドしたもので、図面上コア４ｃは省略してある。

このように１次コイル４ｈ及び２次コイル４ｉを渦巻状に形成することにより、大電流に対応できるトランス４が容易に得られると共に、各コイル４ｈ，４ｉの線間及び１次コイル４ｈと２次コイル４ｉの間に絶縁樹脂層２が介在されるため、線間距離を小さくして巻線数を多くしたり、１次コイル４ｈと２次コイル４ｉの絶縁距離を短縮することができるようになり、これによってリードフレーム１に一体化されたトランス４の小型化が可能になるばかりでなく、上記実施例と同様の効果を奏するものである。

本発明のリードフレームモジュールは、絶縁距離を小さく設定したとしても高耐圧性を発揮することができることになり、しかも、絶縁距離を小さくすることができる結果、トランスの厚みを薄くしてトランス自体の小型化を達成することができ、延いてはリードフレームモジュール全体構成の小型化を果たすことができ、しかも、大電流を扱う電子機器の電源部に使用地他としても、リードフレームの面積を大幅に削減することができるため、リードフレームモジュールを使用する電子機器の小型化が図れ、また、リードフレームの任意な位置にトランスを設けることができるため、部品を配置する際の自由度に制限を受けることが少なくなり、これによって電子機器に合わせたリードフレームモジュールの設計が容易になると共に、リードフレームに絶縁樹脂をモールドしてトランスを形成した後、リードフレームをケースに収容して全体をさらにモールドする必要がないため、絶縁樹脂層のモールド工程が１工程で済み、これによって製作コストの低減が図れる上、ケースが不要となる分部品点数も少なくなって、この点からの部品のコスト低減とリードフレームモジュールの小型化も図れ、しかも、トランスより発生した熱は、熱伝導率の高い金属により形成されたリードフレーム全体に熱が拡散された後、リードフレームを覆う絶縁樹脂層に放熱されるため、肉厚の薄い銅箔により回路パターンが形成されたプリント基板に比べて放熱性が格段に向上し、これによって高電圧を扱う電源部に使用する場合でも、使用温度範囲が１３０℃以下という安全基準を十分に満足するリードフレームモジュールが得られるようになるため、リードフレームを絶縁樹脂層により封止(モールド)することにより、電子機器の回路基板を構成するリードフレームモジュール等に最適である。

本発明の実施の形態になるリードフレームモジュールの斜視図である。 図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。 本発明の実施の形態になるリードフレームモジュールのリードフレームを絶縁樹脂層でモールドした状態の斜視図である。 本発明の実施の形態になるリードフレームモジュールに設けられたボビンにコイルを巻いた状態の斜視図である。 本発明の実施の形態になるリードフレームモジュールに設けられたボビンにコアを取り付けた状態の斜視図である。 本発明の実施の形態になるリードフレームモジュールの変形例１を示す斜視図である。 図６におけるリードフレームモジュールにコイルの端末を接続した状態を示す斜視図である。 本発明の実施の形態になるリードフレームモジュールの変形例２を示す斜視図である。 図８におけるリードフレームモジュールにコイルの端末を接続した状態を示す斜視図である。 本発明の実施の形態になるリードフレームモジュールの変形例３を示す斜視図である。 本発明の実施の形態になるリードフレームの変形例４を示す斜視図である。 図１１に示すリードフレームに絶縁樹脂層を形成して完成したリードフレームモジュールを示す斜視図である。 図１２のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。

符号の説明

１ リードフレーム
２ 絶縁樹脂層
２ｂ 絶縁樹脂
３ 回路パターン
３ａ 端子部
４ トランス
４ａ ボビン
４ｃ コイル
４ｅ 端末
５ 面実装部品
６ 挿入部品
７ ピン

Claims (6)

1. 金属板により回路パターンが形成されたリードフレームと、前記リードフレームに実装されたトランスと、前記リードフレームの表面に絶縁樹脂をモールドすることにより形成した絶縁樹脂層とを有して構成したリードフレームモジュールであって、前記トランスのボビンを前記絶縁樹脂層に一体に形成したことを特徴とするリードフレームモジュール。
2. 前記ボビンに前記トランスのコイルを巻き線すると共に、前記コイルの端末を前記回路パターンの端子部に接続したことを特徴とする請求項１記載のリードフレームモジュール。
3. 前記回路パターンの端子部にピンを植設し、かつ前記ピンに前記コイルの端末を巻き付けることにより、前記コイルの端末を前記端子部に接続したことを特徴とする請求項２記載のリードフレームモジュール。
4. 前記回路パターンの端子部を折り起こして、前記コイルの端末を前記端子部に接続したことを特徴とする請求項２記載のリードフレームモジュール。
5. 前記リードフレームに実装された前記トランスの表面を、さらに絶縁樹脂で被覆したことを特徴とする請求項１ないし４の何れかに記載のリードフレームモジュール。
6. 金属板により回路パターンが形成されたリードフレームと、前記リードフレームに実装されたトランスと、前記リードフレームの表面に絶縁樹脂をモールドすることにより形成した絶縁樹脂層とを有して構成したリードフレームモジュールであって、前記トランスを構成する巻き線を前記リードフレームに実装すると共に、前記巻き線を前記絶縁樹脂層により被覆して構成されたことを特徴とするリードフレームモジュール。
   

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