JP2006253335A - 測定装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 測定装置1を、膜厚変化の測定を行うエリプソメトリ測定系と、有機物の除去を行うUV光照射系と、から構成する。該エリプソメトリ測定系は、光源8と、偏光レンズ9と、1/4波長板10と、焦点レンズ11と、偏光検出装置12と、受光素子13と、から構成される。また、該UV光照射系は、UVランプ15と、石英ガラス16と、から構成される。
【選択図】 図1
Description
の変化度合いから、エア内の有機物含有量を算出する(S104)。
2 テストウェハ
4 エア吸入口
5 エア排出口
8 光源
12 偏光検出装置
14 表示ディスプレイ
15 UVランプ
31 CPU
37 データ処理部
50 外部端末
Claims (11)
- 測定対象エアの有機物の含有量を測定する測定装置であって、
前記測定装置内に前記測定対象エアを取り入れるエア吸入口と、
前記測定装置外に前記測定対象エアを排出するエア排出口と、
表面に酸化膜を形成した半導体材料で、前記測定対象エアに含まれる測定対象有機物を付着させるテストウェハと、
前記テストウェハの膜厚を測定する測定手段と、
前記テストウェハに付着した付着有機物を除去する除去手段と、を有し、
前記除去手段は、
前記測定手段が前記テストウェハの前記膜厚の測定を開始する前に、前記テストウェハに付着した前記付着有機物を除去し、
前記測定手段は、
前記付着有機物の除去された前記テストウェハ上を前記測定対象エアが通過し、前記測定対象エアに含まれる前記測定対象有機物が付着することにより生じる、前記テストウェハの前記膜厚の変化を測定することを特徴とする測定装置。 - 前記測定装置により測定された前記テストウェハの前記膜厚の変化から、前記測定対象エアの有機物含有量を算出する算出手段を有することを特徴とする請求項1記載の測定装置。
- 前記測定装置は、偏光解析法を用いて前記テストウェハの前記膜厚を測定するエリプソメトリ測定装置であることを特徴とする請求項1または2に記載の測定装置。
- 前記除去手段は、UV光を照射する素子を有し、
前記UV光を照射することで前記テストウェハ上に付着した前記付着有機物を除去することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の測定装置。 - 前記テストウェハ表面に形成された前記酸化膜の膜厚は3nm以上であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の測定装置。
- 前記測定装置は、前記測定手段により測定された前記テストウェハの前記膜厚の変化データを表示する表示手段を有することを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の測定装置。
- 前記測定装置は、前記測定手段により測定された前記テストウェハの前記膜厚の変化データと前記算出手段により算出された前記測定対象エアの有機物含有量データのうち、少なくとも1つを表示する表示手段を有することを特徴とする請求項2から6のいずれか1項に記載の測定装置。
- 前記測定装置は、外部端末に接続されており、
前記測定手段により測定された前記テストウェハの前記膜厚の変化データを前記外部端末に通信する通信手段を有することを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の測定装置。 - 前記測定手段は、外部端末に接続されており、
前記測定手段により測定された前記テストウェハの前記膜厚の変化データと前記算出手段により算出された前記測定対象エアの有機物含有量データのうち、少なくとも1つを前記外部端末に通信する通信手段を有することを特徴とする請求項2から7のいずれか1項に記載の測定装置。 - 前記測定装置は、前記測定装置の異常発生を検知する異常検知手段を有し、
前記異常検知手段は、所定の条件が検知された場合には異常が発生したものとして、前記表示手段を用いて異常発生の旨を外部に報知することを特徴とする請求項7から9のいずれか1項に記載の測定装置。 - 前記所定の条件とは、前記テストウェハの前記膜厚が前記膜厚の飽和値を超過することであることを特徴とする請求項10記載の測定装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107917665A (zh) * | 2016-10-09 | 2018-04-17 | 睿励科学仪器(上海)有限公司 | 用于确定光斑位置的方法和设备 |
KR102534667B1 (ko) * | 2022-10-20 | 2023-05-26 | 세미랩코리아 주식회사 | 인-챔버 타입 박막 분석 장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60157035A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-17 | Toshiba Corp | 環境の清浄度評価方法 |
JPH04314348A (ja) * | 1991-04-12 | 1992-11-05 | Fujitsu Ltd | 半導体製造環境の評価方法 |
JPH05275410A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Mitsubishi Materials Corp | ウェーハ表面の付着有機化合物の評価方法 |
JP2002093871A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-03-29 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP2003254741A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体エピタキシャルウェーハの測定方法、半導体エピタキシャルウェーハの測定装置、半導体エピタキシャルウェーハの製造方法及びコンピュータプログラム |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60157035A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-17 | Toshiba Corp | 環境の清浄度評価方法 |
JPH04314348A (ja) * | 1991-04-12 | 1992-11-05 | Fujitsu Ltd | 半導体製造環境の評価方法 |
JPH05275410A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Mitsubishi Materials Corp | ウェーハ表面の付着有機化合物の評価方法 |
JP2002093871A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-03-29 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP2003254741A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体エピタキシャルウェーハの測定方法、半導体エピタキシャルウェーハの測定装置、半導体エピタキシャルウェーハの製造方法及びコンピュータプログラム |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107917665A (zh) * | 2016-10-09 | 2018-04-17 | 睿励科学仪器(上海)有限公司 | 用于确定光斑位置的方法和设备 |
CN107917665B (zh) * | 2016-10-09 | 2020-02-11 | 睿励科学仪器(上海)有限公司 | 用于确定光斑位置的方法和设备 |
KR102534667B1 (ko) * | 2022-10-20 | 2023-05-26 | 세미랩코리아 주식회사 | 인-챔버 타입 박막 분석 장치 |
WO2024085437A1 (ko) * | 2022-10-20 | 2024-04-25 | 세미랩코리아 주식회사 | 인-챔버 타입 박막 분석 장치 |
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