KR102534667B1 - 인-챔버 타입 박막 분석 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 분석 대상이 되는 시료가 배치되는 챔버(chamber) 내부에 분광학적 타원계가 설치된 대기 상태의 이너 챔버(inner chamber)를 위치시켜 안정적인 분석 환경을 구현하기 위한 방법을 제안한다. 상기 방법은 내부에 제1 공간이 형성되고, 상기 제1 공간이 외부와 차단되어 밀폐 공간을 형성하며, 분석 대상이 되는 시료가 배치되는 챔버, 상기 챔버 내부에 배치되어 내부에 제2 공간이 형성되고, 상기 제2 공간이 외부와 연통되어 대기 상태가 유지되는 이너 챔버, 적어도 일부가 상기 이너 챔버 내부에 배치되며, 상기 이너 챔버를 통해 대기 상태에서 상기 챔버에 배치된 상기 시료를 분석하는 측정기를 포함한다.

Description

인-챔버 타입 박막 분석 장치{Device for in-chamber type thin film analysis}
본 발명은 분석 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 분석 대상이 되는 시료가 배치되는 챔버(chamber) 내부에 분석 장치가 설치된 대기 상태의 이너 챔버(inner chamber)를 위치시켜 안정적인 분석 환경을 구현하기 위한 인-챔버 타입 박막 분석 장치에 관한 것이다.
최근에는 반도체 산업의 급속한 발전에 따라 디스플레이 장치, 유기발광다이오드(OLED), 태양전지 등의 전자 소자의 고성능, 고품질이 요구되고 있다. 구체적으로, 전자 소자의 박막 두께는 점점 얇아져 원자층 수준까지 도달하였으며, 박막의 패턴은 기존의 2차원 구조에서 3차원 구조로 복잡화되는 추세이다.
이에 따라, 고성능 및 고품질의 전자 소자를 제조하기 위해서는 박막을 손상시키지 않도록 비접촉식으로 이루어지면서도 박막의 두께, 나노 패턴의 형상 등과 같은 나노 스케일의 형상 및 물성을 보다 정확하게 분석하기 위한 측정기술에 대한 필요성이 증대되고 있다.
이러한, 박막을 측정하기 위한 방법으로는 특수 조명 장치를 이용하는 매크로 검사(macro test), 특수 현미경을 이용하는 마이크로 검사(micro test), 갠트리 로봇(gantry robot)을 이용하는 위치 정밀도 검사 등이 있다. 이외에도, 시그널을 인가하여 나타나는 패턴을 육안으로 검사하는 방법, 색도계를 이용하여 색상을 검사하는 방법 등 다양한 방법들이 시도되고 있다.
그러나, 상기 방법들은 검사를 위해 시료의 표면에 직접 프로브(probe)를 접촉해야 하므로, 별도의 검사용 더미(dummy) 기판을 사용해야 하는 번거로움이 있다. 또한, 프로브로 측정 가능한 한계에 따른 제약이 있으며, 대면적의 시료에는 사용할 수 없는 문제점이 있다.
분광학적 타원해석법(spectroscopic ellipsometry)은 시료에 입사된 빛이 표면에서 반사 또는 투과 후, 시료 매질의 굴절률이나 두께에 따라 빛의 편광 상태가 변화하는 성질을 이용하여 시료의 광학적인 특성을 조사하는 분석법이다.
이러한, 분광학적 타원해석법은 극한 환경 속에서도 실시간으로 측정이 가능하며, 다른 분석법에 비해 간단하면서도 신속하고, 분석의 민감도가 우수하여 물리, 화학, 반도체 재료 등 응용분야가 매우 넓다. 따라서, 분광학적 타원해석법은 다양한 분야에서 물질의 광학적 성질 또는 표면의 미세 구조적 성질을 측정하기 위해 널리 사용되고 있다.
한편, 분광학적 타원해석법을 적용하기 위한 장치인 분광학적 타원계(spectroscopic ellipsometer)는 시료에서 반사된 편광상태를 검출하는 반사형 타원계와 시료를 투과하면서 변한 편광상태를 검출하는 투과형 타원계가 있다.
이러한, 분광학적 타원계는 측정을 위해 광을 방사하게 되는데, 방사된 광의 특정 파장대가 산소와 수분 등에 의해 쉽게 흡수된다. 또한, 분광학적 타원계를 이용하여 분석되는 시료는 산소와 수분 등에 의해 쉽게 변질되는 문제점이 있다. 이에 따라, 분광학적 타원계는 별도의 챔버를 통해 측정 환경을 차폐하고, 가스공급장치를 이용하여 고순도 질소 또는 고순도 아르곤 등의 비활성 가스로 측정빔 경로를 채우는 퍼징 시스템(purging system)을 구비한다.
한편, 분광학적 타원계는 퍼징 시스템이 구비되는 경우, 챔버 내의 저산소 분위기에서 파츠들을 광학적으로 연결하는 광 섬유(optical fiber)로 인해 인(phosphorus)과 탄소(carbon)가 석출되어, 일정 시간이 경과된 후에 특정 파장대의 광량이 감소하는 문제점이 발생되었다.
이로 인해, 일반적인 현장에서는 분광학적 타원계를 통해 시료 측정 후 일정 시간이 경과하면, 내부의 고순도 질소를 제거한 후 벤트(vent)를 통해 챔버 내부를 환기시키고, 다시 고순도 질소를 공급한 후 측정을 제개하고 있다.
대한민국 공개특허공보 제10-2017-0055661호, ‘대면적 실시간 박막 측정 분광 영상 타원계측 장치’, (2017.05.22. 공개)
본 발명의 일 목적은 분석 대상이 되는 시료가 배치되는 챔버(chamber) 내부에 분광학적 타원계가 설치된 대기 상태의 이너 챔버(inner chamber)를 위치시켜 안정적인 분석 환경을 구현하기 위한 인-챔버 타입 박막 분석 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 바와 같은 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 분석 대상이 되는 시료가 배치되는 챔버(chamber) 내부에 분광학적 타원계가 설치된 대기 상태의 이너 챔버(inner chamber)를 위치시켜 안정적인 분석 환경을 구현하기 위한 방법을 제안한다. 상기 방법은 내부에 제1 공간이 형성되고, 상기 제1 공간이 외부와 차단되어 밀폐 공간을 형성하며, 분석 대상이 되는 시료가 배치되는 챔버, 상기 챔버 내부에 배치되어 내부에 제2 공간이 형성되고, 상기 제2 공간이 외부와 연통되어 대기 상태가 유지되는 이너 챔버, 적어도 일부가 상기 이너 챔버 내부에 배치되며, 상기 이너 챔버를 통해 대기 상태에서 상기 챔버에 배치된 상기 시료를 분석하는 측정기를 포함한다.
구체적으로, 상기 측정기는 상기 이너 챔버 내부에서 편광 상태의 광을 상기 이너 챔버를 통해 상기 챔버에 배치된 시료 표면에 조사하는 광 조사부, 상기 광 조사부에 의해 조사된 광을 통해 상기 시료 표면으로부터 반사된 광의 편광 상태 변화를 측정하는 광 수신부를 포함할 수 있다.
상기 광 조사부는 특정 파장의 광을 방사하는 광원, 상기 광원으로부터 방사된 상기 광에서 상기 시료와 대응하는 특정 편광을 생성하는 편광자 및 상기 편광자로부터 출력되는 편광의 방향을 조절하여 상기 시료 표면에 조사하는 보상기를 포함할 수 있다.
상기 광원은 상기 이너 챔버의 외부에 배치되어 광 섬유(optical fiber)를 통해 상기 편광자에 광을 전달하는 것을 특징으로 한다.
상기 광 수신부는 상기 시료 표면으로부터 반사된 광을 수광하여 특정 편광을 통과시키는 검광자, 상기 검광자로부터 수신된 광을 검출하는 검출기 및 상기 검출기로부터 검출된 광을 분석하는 분석기를 포함할 수 있다.
상기 이너 챔버는 내부에 상기 제2 공간을 형성하는 이너 챔버 몸체, 상기 이너 챔버 몸체의 일측면으로부터 상기 챔버의 외부면에 연결되어, 외부의 대기와 연통되어 상기 제2 공간을 대기 상태로 유지시키는 연통부를 포함할 수 있다.
상기 연통부는 플렉서블 튜브(flexible tube)인 것을 특징으로 한다.
상기 이너 챔버는 상기 측정기로부터 방사되는 광 또는 상기 시료 표면에 반사되는 광의 경로 상에 배치되어, 상기 제2 공간을 상기 제1 공간과 차단한 상태에서 상기 측정기로부터 방사되는 광 또는 상기 시료 표면에 반사되는 광을 통과시키는 뷰포트(viewport)를 더 포함할 수 있다.
상기 챔버는 내부에 상기 제1 공간을 형성하는 박스 몸체, 상기 박스 몸체의 일측부에 배치되어, 상기 시료의 불순물을 진공으로 제거하여 상기 박스 몸체로 이송시키는 트랜스퍼 이너 챔버, 상기 박스 몸체 내부에 배치되어, 상기 트랜스퍼 이너 챔버로부터 상기 불순물이 제거된 시료가 안착되는 스테이지 및 상기 제1 공간 내부에 비활성 가스를 공급하여 상기 제1 공간을 비활성 가스 분위기로 형성하는 정화부를 포함할 수 있다.
상기 비활성 가스는 질소(nitrogen) 가스 또는 아르곤(argon) 가스 인 것을 특징으로 한다.
상기 챔버는 상기 연통부의 끝단부에 배치되어, 외부의 공기를 상기 연통부를 통해 상기 이너 챔버에 유입시키고, 상기 이너 챔버 내부의 공기를 외부로 유출시키는 송풍팬을 더 포함할 수 있다.
상기 챔버는 상기 이너 챔버 몸체의 상부 또는 하부에 고정 결합되는 고정부, 상기 박스 몸체의 상부면에 배치되어 상기 고정부의 이동을 가이드하며, 상기 고정부를 이동시켜 상기 고정부에 고정 결합된 상기 이너 챔버를 수평 이동시키는 이동부를 더 포함할 수 있다.
상기 측정기는 상기 이동부에 의해 상기 이너 챔버와 함께 이동하여, 상기 시료의 측정 위치를 변경하는 것을 특징으로 한다.
기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시 예들에 따르면, 박막 분석 장치는 분석 대상이 되는 시료가 배치되는 챔버 내부에 측정기가 설치된 대기 상태의 이너 챔버를 위치시켜 안정적인 분석 환경을 구현할 수 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과로 제한되지 아니하며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 분석 장치를 나타낸 구성도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 분석 장치를 나타낸 구성도이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막 분석 장치를 나타낸 구성도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막 분석 장치의 동작을 설명하기 위한 예시도이다.
본 명세서에서 사용되는 기술적 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아님을 유의해야 한다. 또한, 본명세서에서 사용되는 기술적 용어는 본 명세서에서 특별히 다른 의미로 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 의미로 해석되어야 하며, 과도하게 포괄적인 의미로 해석되거나, 과도하게 축소된 의미로 해석되지 않아야 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 기술적인 용어가 본 발명의 사상을 정확하게 표현하지 못하는 잘못된 기술적 용어일 때에는, 당업자가 올바르게 이해할 수 있는 기술적 용어로 대체되어 이해되어야 할 것이다. 또한, 본 발명에서 사용되는 일반적인 용어는 사전에 정의되어 있는 바에 따라, 또는 전후 문맥상에 따라 해석되어야 하며, 과도하게 축소된 의미로 해석되지 않아야 한다.
또한, 본 명세서에서 사용되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, '구성된다' 또는 '가지다' 등의 용어는 명세서 상에 기재된 여러 구성 요소들, 또는 여러 단계들을 반드시 모두 포함하는 것으로 해석되지 않아야 하며, 그 중 일부 구성 요소들 또는 일부 단계들은 포함되지 않을 수도 있고, 또는 추가적인 구성 요소 또는 단계들을 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다.
또한, 본 명세서에서 사용되는 제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 '연결되어' 있다거나 '접속되어' 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "'직접 연결되어' 있다거나 '직접 접속되어' 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 발명의 사상을 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 발명의 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다. 본 발명의 사상은 첨부된 도면 외에 모든 변경, 균등물 내지 대체물에 까지도 확장되는 것으로 해석되어야 한다.
한편, 분광학적 타원계는 측정을 위해 광을 방사하게 되는데, 방사된 광의 특정 파장대가 산소와 수분 등에 의해 쉽게 흡수된다. 또한, 분광학적 타원계를 이용하여 분석되는 시료는 산소와 수분 등에 의해 쉽게 변질되는 문제점이 있다. 이에 따라, 분광학적 타원계는 별도의 챔버를 통해 측정 환경을 차폐하고, 가스공급장치를 이용하여 고순도 질소 또는 고순도 아르곤 등의 비활성 가스로 측정빔 경로를 채우는 퍼징 시스템(purging system)을 구비한다.
한편, 분광학적 타원계는 퍼징 시스템이 구비되는 경우, 챔버 내의 저산소 분위기에서 파츠들을 광학적으로 연결하는 광 섬유(optical fiber)로 인해 인(phosphorus)과 탄소(carbon)가 석출되어, 일정 시간이 경과된 후에 특정 파장대의 광량이 감소하는 문제점이 발생되었다.
이로 인해, 일반적인 현장에서는 분광학적 타원계를 통해 시료 측정 후 일정 시간이 경과하면, 내부의 고순도 질소를 제거한 후 벤트(vent)를 통해 챔버 내부를 환기시키고, 다시 고순도 질소를 공급한 후 측정을 제개하고 있다.
이러한 한계를 극복하고자, 본 발명은 분석 대상이 되는 시료가 배치되는 챔버 내부에 분광학적 타원계가 설치된 대기 상태의 이너 챔버를 위치시켜 안정적인 분석 환경을 구현할 수 있는 다양한 수단들을 제안하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 분석 장치를 나타낸 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 분석 장치는 챔버(chamber, 100), 이너 챔버(inner chamber, 200) 및 측정기(300)를 포함하여 구성될 수 있다.
챔버(100)는 내부에 이너 챔버(200) 및 측정기(300)를 수용하기 위한 제1 공간이 형성되고, 제1 공간이 외부와 차단되어 밀폐 공간을 형성하여, 분석 대상이 되는 시료가 배치될 수 있다.
이러한, 챔버(100)는 박스 몸체(110), 트랜스퍼 이너 챔버(120), 스테이지(130) 및 정화부(140)를 포함하여 구성될 수 있다.
박스 몸체(110)는 내부에 이너 챔버(200) 및 측정기(300)를 수용하기 위한 제1 공간을 형성할 수 있다.
여기서, 제1 공간은 외부와 차폐된 공간이며 내부가 질소(nitrogen) 가스 분위기 또는 아르곤(argon) 가스 분위기로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 공간은 내부에 질소 가스가 채워진 형태일 수 있다. 이러한, 제1 공간은 시료의 종류에 따라 다양하게 설정될 수 있으며, 작업 내용에 따라 크기 및 내부 모양이 변경될 수 있다.
이러한, 박스 몸체(110)는 외부에서 직관적으로 내부의 측정 상태를 확인할 수 있도록, 적어도 일면에 투명한 재질로 형성되는 투시창이 설치될 수 있다. 또한, 박스 몸체(110)는 제1 공간을 진공 상태로 유지하면서, 작업자가 내부의 시료나 각 장비들을 조작할 수 있도록 하기 위한 글로브(glove)가 설치될 수 있다. 여기서, 글로브는 작업자가 직접 시야로 확인하면서 시료 또는 각 장비들을 조작할 수 있도록 투시창의 일면에 설치되는 것이 바람직하며, 플렉서블(flexible) 한 재질로 형성되어 외부에서 착용 가능한 장갑 형태가 될 수 있다.
트랜스퍼 이너 챔버(120)는 박스 몸체(110)의 일측부에 배치되어, 시료의 불순물(particle)을 진공으로 제거하여 박스 몸체(110)로 이송시키는 역할을 할 수 있다. 즉, 트랜스퍼 이너 챔버(120)는 수분(H2O), 산소(O2) 등의 불순물을 진공으로 제거하기 위하여, 진공 밸브(vacuum valve), 질소 가스 또는 아르곤 가스를 충전하기 위한 리필 밸브(refill valve)가 장착되어 시료의 불순물을 진공으로 제거하고, 질소 가스 또는 아르곤 가스를 퍼지(purge)하여 박스 몸체(110)로 이송하는 역할을 수행할 수 있다.
스테이지(130)는 박스 몸체(110) 내부에 배치되어, 트랜스퍼 이너 챔버(120)로부터 불순물이 제거된 시료가 안착될 수 있다. 이러한, 스테이지(130)는 도시되지는 않지만, 트랜스퍼 이너 챔버(120)와 박스 몸체(110) 사이를 이동하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 스테이지(130)는 트랜스퍼 이너 챔버(120) 내에 배치된 상태에서 시료가 안착되고, 트랜스퍼 이너 챔버(120)에 의해 불순물 제거가 완료되면, 박스 몸체(110) 내부로 이동하는 형태로 구성될 수 있다.
한편, 스테이지(130)에 안착되는 분석 대상이 되는 시료는 기판과, 기판 상에 배치되는 박막층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판은 금속 기판 또는 반도체 기판 등이 될 수 있으나, 이에 한정된 것은 아니다. 예를 들어, 박막층은 전자 소자를 구동하기 위한 트랜지스터의 액티브 층(active layer)이 될 수 있다. 여기서, 전자 소자는 디스플레이 장치, 유기발광다이오드(OLED), 또는 태양전지 등이 될 수 있으나, 이에 한정된 것은 아니다.
정화부(140)는 제1 공간 내부에 비활성 가스를 공급하여, 제1 공간을 비활성 가스 분위기로 형성할 수 있다. 구체적으로, 정화부(140)는 박스 몸체(110) 내부를 질소 분위기 또는 아르곤 분위기로 유지시킬 수 있다.
또한, 챔버(100)는 후술할 이너 챔버(200)의 연통부(220)의 끝단부에 배치되어, 외부의 공기를 연통부(220)를 통해 이너 챔버(200)에 유입시키고, 이너 챔버(200) 내부의 공기를 외부로 유출시키는 송풍팬(150)을 더 포함할 수 있다.
여기서, 송풍팬(150)은 일면이 외부와 연결될 수 있고, 일면과 대향하는 타면이 이너 챔버(200)의 연통부(220)와 연결될 수 있다. 이러한, 송풍팬(150)은 공기의 흐름을 바꾸는 팬(fan)을 구비하여, 팬의 회전에 의해 이너 챔버(200)의 제2 공간의 대기 상태에 따라 이너 챔버(200) 내부의 공기를 외부로 유출시키거나, 회전 방향을 바꾸어 외부 공기를 이너 챔버(200) 내부로 유입시킬 수 있다. 예를 들어, 송풍팬(150)은 이너 챔버(200) 내부의 수분(H2O) 및/또는 산소(O2)가 설정 값 이하인 경우, 외부의 공기를 내부로 유입시킬 수 있으며, 이너 챔버(200) 내부의 수분(H2O) 및/또는 산소(O2)가 설정 값을 초과하는 경우, 내부의 공기를 외부로 유출시킬 수 있다.
다음 구성으로, 이너 챔버(200)는 챔버(100) 내부에 배치되어 내부에 제2 공간이 형성되고, 제2 공간이 외부와 연통되어 대기 상태가 유지할 수 있다.
이러한, 이너 챔버(200)는 이너 챔버 몸체(210) 및 연통부(220)를 포함하여 구성될 수 있다.
이너 챔버 몸체(210)는 챔버(100) 내부에 위치할 수 있으며 내부에 측정기(300)를 수용하기 위한 제2 공간이 형성될 수 있다. 여기서, 제2 공간은 외부와 연통되어 외부 대기와 동일한 상태로 구성될 수 있으며, 챔버(100)의 제1 공간과는 차폐된 상태일 수 있다. 이러한, 이너 챔버 몸체(210)는 측정기(300)로부터 방사되는 광이 챔버(100)에 위치한 시료로 전달될 수 있고, 작업자가 외부에서 챔버(100)를 통해 측정기(300)를 관찰할 수 있도록 투명한 유리 재질로 형성되는 것이 바람직하다. 이러한, 이너 챔버 몸체(210)는 연통부(220)를 통해 외부 대기와 연통될 수 있다.
연통부(220)는 이너 챔버 몸체(210)의 일측면으로부터 제1 공간을 통과하여 박스 몸체(110)의 외부면에 연결되어, 외부의 대기와 연통되어 제2 공간을 대기 상태로 유지시킬 수 있다. 이러한, 연통부(220)는 플렉서블 튜브(flexible tube)가 적용될 수 있다.
또한, 이너 챔버(200)는 측정기(300)로부터 방사되는 광 또는 시료 표면에 반사되는 광의 경로 상에 배치되어, 제2 공간을 제1 공간과 차단한 상태에서 측정기(300)로부터 방사되는 광 또는 시료 표면에 반사되는 광을 통과시키는 뷰포트(230, viewport)를 더 포함하여 구성될 수 있다.
여기서, 뷰포트(230)는 측정기(300)와 이너 챔버 몸체(110)를 연결하는 틀 역할을 수행하는 하우징(housing)과, 측정기(300)로부터 방사되는 광을 통과시키는 윈도우(window)로 구성될 수 있다.
또한, 이너 챔버(200)는 내부의 온도를 사전 설정된 온도로 유지시키는 온도 조절부를 더 포함하여 구성될 수 있다. 여기서, 온도 조절부는 내부 온도를 일정하게 유지시키기 위한 다양한 수단이 적용될 수 있다.
다음 구성으로, 측정기(300)는 적어도 일부가 이너 챔버(200) 내부에 배치되며, 이너 챔버(200)를 통해 대기 상태에서 챔버(100)에 배치된 시료를 분석할 수 있다.
이러한, 측정기(300)는 이너 챔버(200) 내부에서 편광 상태의 광을 이너 챔버(200)를 통해 챔버(100)에 배치된 시료 표면에 조사하는 광 조사부(310) 및 광 조사부(310)에 의해 조사된 광을 통해 시료 표면으로부터 반사된 광의 편광 상태 변화를 측정하는 광 수신부(320)를 포함하여 구성될 수 있다.
여기서, 광 조사부(310)는 광원(311), 편광자(313) 및 보상기(315)를 포함하여 구성될 수 있다.
광원(311)은 특정 파장의 광을 방사할 수 있다. 예를 들어, 광원(311)은 넓은 파장대의 광(250 ~ 1700㎚)의 광을 생성하는 광대역(broadband) 광원, 또는 다파장(multi-wavelength) 광원일 수 있다. 또한, 광원(311)은 파장을 가변 할 수 있는 파장 가변(tunable) 광원일 수 있다. 또한, 광원(311)은 한 개의 파장의 광을 생성하는 단일 파장 레이저 광원일 수 있다. 여기서, 광원(311)이 단일 파장 레이저 광원인 경우, 광 조사부(310)는 서로 다른 파장의 광을 생성하는 다수의 레이저 광원들을 구비할 수 있고, 요구되는 파장에 따라 복수의 광원이 교체될 수 있다. 이러한, 광원(311)은 제논(xenon) 램프, 텅스텐(tungsten)-할로겐(halogen) 램프, 듀테륨(deuterium) 램프, 레이저로 구동되는 광원(laser driven light source), 가스 레이저, 레이저 다이오드 중 선택되는 적어도 하나가 될 수 있다.
편광자(313)는 광원으로부터 방사된 광에서 시료와 대응하는 특정 편광을 생성할 수 있다. 이러한, 편광자(313)는 편광축 방향의 광을 통과시키고, 소광축 방향의 광을 흡수하여, 광원(311)에서 출력된 광을 편광시킬 수 있다. 예를 들어, 편광자(313)는 광원(311)으로부터 입력된 광을 선형 편광(linear polarization)시켜 출력할 수 있다. 예컨대, 편광자(313)는 입사된 광에서 P 편광성분(또는 수평성분), 또는 S 편광성분(또는 수직성분)만을 통과시켜 출력시킴으로써, 입사된 광을 선형 편광시킬 수 있다.
보상기(315)는 편광자(313)로부터 출력되는 편광의 방향을 조절하여 시료(10) 표면에 조사할 수 있다. 즉, 보상기(315)는 편광자에 의해 편광된 광을 fast축 방향과 slow축 방향의 광에 대해 λ/4 위상차를 발생시켜 보정할 수 있다. 다시 말하면, 보상기(315)는 편광자(313)로부터의 광을 원형 편광(circular polarization) 또는 타원 편광(elliptical polarization)시켜 출력할 수 있다. 보상기(315)는 선형 편광된 광에 위상차를 줌으로써, 직선 편광을 원편광이나 타원편광으로 또는 원편광을 직선 편광으로 변화시킬 수 있다. 이에 따라, 보상기(315)는 위상 지연자(phase retarder)라고 불리기도 한다. 예컨대, 보상기(315)는 1/4 파장판(quater-wave plate)일 수 있다.
광 수신부(320)는 검광자(321), 검출기(323) 및 분석기(325)를 포함하여 구성될 수 있다.
검광자(321)는 시료에 의해 반사된 광을 선형 편광시켜, 소광된 광을 검출기(323)로 출력한다. 즉, 검광자(321)는 시료(10)에서 반사되어 편광 방향이 변한 반사광을 선택적으로 통과시킬 수 있다. 예를 들어, 검광자(321)는 입사된 광 중에서 특정 편광 성분만을 통과시키고 나머지 성분들은 차단하는 일종의 선형 편광기일 수 있다.
한편, 시료(10)와 검광자(321) 사이에 저배율 광학계가 배치되는 경우, 검광자(321)는 저배율 광학계의 후단에 배치될 수도 있다.
여기서, 저배율 광학계는 도시되지는 않지만, 결상 광학계(imaging optics)의 일종으로, 검광자(321)로부터의 광을 등배율 또는 저배율로 결상시킬 수 있다. 여기서, 저배율은 1:1의 등배율을 포함하여 1:100 이하의 배율을 의미할 수 있다. 한편, 1:100을 초과하는 배율은 고배율로 분류될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 광 수신부(320)는 저배율 광학계를 이용함으로써, 기존의 분광학적 타원계에 비해 획기적으로 넓은 FOV(Field of View)를 가지고 결함 검사를 고속으로 수행할 수 있다. 예컨대, 1:100의 저배율 광학계가 A/100의 면적에 해당하는 FOV를 갖는다고 하면, A 면적을 갖는 검사 대상의 결함 검사를 위해 적어도 100번의 샷(shot)이 필요할 수 있다. 그에 반해, 1:10의 저배율 광학계는 A 면적에 해당하는 FOV를 가지게 되므로, 단 한번의 샷으로 A 면적을 갖는 검사 대상의 결함을 검사할 수 있다. 저배율 광학계는 시료(10)의 표면이 반사광에 대해 기울어짐으로 인해 발생하는 영상의 왜곡을 보정하여, 시료(10)의 표면을 평행하게 결상시킬 수 있다. 예컨대, 저배율 광학계는 샤임플러그(Scheimpflug) 광학계로 구현될 수 있다. 저배율 광학계는 광의 경로 변경이나 왜곡 방지를 위한 적어도 하나의 반사 거울을 포함할 수 있다. 저배율 광학계는 1:1에서 1:M(1<M=100)으로 배율을 자유롭게 조절할 수 있는 줌 렌즈 시스템(zoom lens system)으로 구현될 수 있다.
검출기(323)는 검광자로부터 수신된 광을 검출할 수 있다. 즉, 검출기(323)는 검광자(321)로부터 편광된 광의 이미지를 검출할 수 있다. 다시 말하면, 검출기(323)는 검광자(321)로부터 출력된 편광된 광의 패턴을 촬상하여 광 이미지를 획득할 수 있다. 이를 위해, 검출기(323)는 카메라로 구성될 수 있다. 이때, 검출기(323)는 고감도의 제1 카메라 또는 저감도의 제2 카메라를 포함할 수 있다.
제1 카메라는 매우 약한 신호도 검측할 수 있는 고감도(high sensitivity) 카메라일 수 있다. 예를 들어, 제1 카메라는 ISO(International Organization for Standardization) 감도가 3000 이상일 수 있으며, EMCCD(Electron Multiplying CCD) 카메라 또는 sCMOS(Scientific CMOS) 카메라가 될 수 있다. 이러한, 고감도의 제1 카메라를 이용하여 널(null) 조건 상태에서 결함(defect)에 의해 발생한 매우 미세한 산란광을 검출할 수 있다.
또한, 제1 카메라는 외부로부터의 광이 완전히 차단될 수 있도록 박스 내부에 밀폐되어 배치되고, 셔터가 입구에 배치될 수 있다. 이러한, 셔터와 박스는 저조도에 민감한 제1 카메라의 픽셀들을 보호하기 위해 배치될 수 있다. 예를 들어, 셔터는 널 조건이 아닐 때 닫히고, 널 조건일 때만 열림으로써, 세기가 강한 반사광들로부터 픽셀들을 보호할 수 있다. 예를 들어, 셔터는 0.05Lx 이하의 조도에서만 열릴 수 있다.
제2 카메라는 제1 카메라보다는 감도가 낮은 일반 또는 저감도의 카메라일 수 있다. 제2 카메라는 널 조건을 구하는데 이용될 수 있다. 한편, 널 조건을 보다 정밀하게 구하기 위하여 제1 카메라가 함께 이용될 수 있다. 예를 들어, 널 조건을 위한 측정에서, 세기가 강한 반사광의 범위에서는 제2 카메라를 통해 반사광을 측정하고, 널 조건에 근접하여 세기가 비교적 약한 반사광의 범위에서는 감도가 높은 제1 카메라를 통해 반사광을 측정할 수 있다.
분석기(325)는 검출기(323)로부터 검출된 광을 분석할 수 있다. 즉, 분석기(325)는 검출기(323)로부터 검출된 광의 편광 상태를 분석하여, 시료(10)의 물성을 획득할 수 있다. 이러한, 분석기(325)는 챔버(100)의 외부에 배치될 수 있다. 이를 통해, 본 발명의 실시예에 따른 분석기(325)는 유지 보수가 용이할 수 있다. 예를 들어, 분석기(325)는 분석 프로세스를 구비한 일반 PC(Personal Computer), 워크스테이션(workstation), 슈퍼 컴퓨터 등이 해당될 수 있다.
또한, 분석기(325)는 챔버(100), 이너 챔버(200) 및 측정기(300)의 각 구성에 대한 전반적인 기능을 제어할 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 분석 장치에 대하여 설명하도록 한다.
한편, 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 분석 장치는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 분석 장치와 측정기의 구성을 제외하면 실질적으로 동일한 구성을 갖는다. 따라서, 동일한 구성에 대한 설명은 생략하도록 하며, 동일한 구성에 대하여 동일한 참조부호를 부여하도록 한다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 분석 장치를 나타낸 구성도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 분석 장치는 챔버(100), 이너 챔버(200) 및 측정기(400)를 포함하여 구성될 수 있다.
특히, 측정기(400)는 편광 상태의 광을 이너 챔버(200)를 통해 챔버(100)에 배치된 시료 표면에 조사하는 광 조사부(410) 및 광 조사부(410)에 의해 조사된 광을 통해 시료 표면으로부터 반사된 광의 편광 상태 변화를 측정하는 광 수신부(320)를 포함하여 구성될 수 있다.
여기서, 광 조사부(410)는 광원(411), 편광자(413) 및 보상기(415)를 포함하여 구성될 수 있다.
광원(411)은 이너 챔버(200)의 외부에 배치되어 광 섬유(optical fiber)를 통해 편광자(413)에 광을 전송할 수 있다. 편광자(413)는 외부에 배치된 광원(411)으로부터 수신된 광에서 시료와 대응하는 특정 편광을 생성할 수 있다. 보상기(415)는 편광자(413)로부터 출력되는 편광의 방향을 조절하여 시료(10) 표면에 조사할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 분석 장치는 소모성 부품인 광원(411)을 이너 챔버(200) 외부에 배치하고, 광 섬유를 통해 편광자(413)에 광을 전송함으로써, 이너 챔버(200) 내부 환경의 변화를 가하지 않고도 유지 보수가 용이할 수 있다.
이하, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막 분석 장치에 대하여 설명하도록 한다.
한편, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막 분석 장치는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 분석 장치와 챔버의 구성을 제외하면 실질적으로 동일한 구성을 갖는다. 따라서, 동일한 구성에 대한 설명은 생략하도록 하며, 동일한 구성에 대하여 동일한 참조부호를 부여하도록 한다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막 분석 장치를 나타낸 구성도이고, 도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막 분석 장치의 동작을 설명하기 위한 예시도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 분석 장치는 챔버(500), 이너 챔버(200) 및 측정기(300)를 포함하여 구성될 수 있다.
특히, 챔버(500)는 고정부(520) 및 이동부(530)를 더 포함하여 구성될 수 있다.
고정부(520)는 이너 챔버(200)의 상부에 고정 결합될 수 있다. 즉, 고정부(520)는 일측이 이너 챔버(200)의 상부에 고정 결합되며, 타측이 이동부(530)에 결합될 수 있다. 한편, 본 발명의 또 다른 실시예에서는 고정부(520)가 이너 챔버(200)의 상부에 고정 결합된 것으로 설명하고 있으나, 이에 한정된 것은 아니고, 이너 챔버(200)의 하부에 고정될 수도 있다.
여기서, 고정부(520)는 이동부(530)에 슬라이드(slide) 결합되어, 이동부(530)를 따라 이너 챔버(200)를 수평 이동시킬 수 있다. 또한, 고정부(520)는 상하이동수단을 구비하여, 이너 챔버(200)를 수직 이동시킬 수 있다.
이동부(530)는 박스 몸체(510)의 상부면에 배치되어, 고정부(520)의 이동을 가이드하며, 고정부(520)를 이동시켜, 고정부(520)에 고정 결합된 이너 챔버(200)를 수평 이동시킬 수 있다.
이에 따라, 측정기(300)는 이동부(530)에 의해 이너 챔버(200)와 함께 이동하여, 시료의 측정 위치를 변경할 수 있다.
예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 작업자로부터 제어 신호를 입력 받아, 이동부(530)를 제어하여 측정기(300)가 설치된 이너 챔버(200)를 스테이지(130)를 중심으로 우측으로 이동시킬 수 있다. 여기서, 작업자의 제어 신호는 전술한 분석기(325)를 통해 입력 받을 수 있다.
이를 통해, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 박막 분석 장치는 측정 위치의 제약을 극복하여 챔버(100) 내부에서 스테이지(130)를 고정한 상태에서 측정기(300)의 측정 위치를 자유자제로 제어할 수 있다.
이상과 같이, 본 명세서와 도면에는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 개시하였으나, 여기에 개시된 실시예 외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다. 또한, 본 명세서와 도면에서 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 발명의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 따라서, 상술한 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적해석에 의해 선정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다.
100, 500 : 챔버 110: 박스 몸체
120 : 트랜스퍼 이너 챔버 130 : 스테이지
140 : 정화부 200 : 이너 챔버
210 : 이너 챔버 몸체 220 : 연통부
300, 400 : 측정기 310 : 광 조사부
320 : 광 수신부

Claims (10)

  1. 내부에 제1 공간이 형성되고, 상기 제1 공간이 외부와 차단되어 밀폐 공간을 형성하며, 분석 대상이 되는 시료가 배치되는 챔버(chamber);
    상기 챔버 내부에 배치되어 내부에 제2 공간이 형성되고, 상기 제2 공간이 외부와 연통되어 대기 상태가 유지되는 이너 챔버(inner chamber); 및
    적어도 일부가 상기 이너 챔버 내부에 배치되며, 상기 이너 챔버를 통해 대기 상태에서 상기 챔버에 배치된 상기 시료를 분석하는 측정기; 를 포함하고,
    상기 챔버는
    내부에 상기 제1 공간을 형성하는 박스 몸체;
    상기 박스 몸체의 일측부에 배치되어, 상기 시료의 불순물을 진공으로 제거하여 상기 박스 몸체로 이송시키는 트랜스퍼 이너 챔버;
    상기 박스 몸체 내부에 배치되어, 상기 트랜스퍼 이너 챔버로부터 상기 불순물이 제거된 시료가 안착되는 스테이지; 및
    상기 제1 공간 내부에 비활성 가스를 공급하여 상기 제1 공간을 비활성 가스 분위기로 형성하는 정화부; 를 포함하는 것을 특징으로 하며,
    상기 이너 챔버는
    상기 제1 공간에 배치되되, 상기 제1 공간과 차폐되는 제2 공간이 내부에 형성된 이너 챔버 몸체;
    상기 이너 챔버 몸체의 일측면으로부터 제1 공간을 통과하여 상기 챔버의 외부면에 연결되어, 외부의 대기와 연통되어 상기 제2 공간을 대기 상태로 유지시키는 연통부; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 분석 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 측정기는
    상기 이너 챔버 내부에서 편광 상태의 광을 상기 이너 챔버를 통해 상기 챔버에 배치된 시료 표면에 조사하는 광 조사부; 및
    상기 광 조사부에 의해 조사된 광을 통해 상기 시료 표면으로부터 반사된 광의 편광 상태 변화를 측정하는 광 수신부; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 분석 장치.
  3. 제2 항에 있어서, 상기 광 조사부는
    특정 파장의 광을 방사하는 광원;
    상기 광원으로부터 방사된 상기 광에서 상기 시료와 대응하는 특정 편광을 생성하는 편광자; 및
    상기 편광자로부터 출력되는 편광의 방향을 조절하여 상기 시료 표면에 조사하는 보상기; 를 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 분석 장치.
  4. 제3 항에 있어서, 상기 광 수신부는
    상기 시료 표면으로부터 반사된 광을 수광하여 특정 편광을 통과시키는 검광자;
    상기 검광자로부터 수신된 광을 검출하는 검출기; 및
    상기 검출기로부터 검출된 광을 분석하는 분석기; 를 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 분석 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 연통부는 플렉서블 튜브(flexible tube)인 것을 특징으로 하는, 박막 분석 장치.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 이너 챔버는
    상기 측정기로부터 방사되는 광 또는 상기 시료 표면에 반사되는 광의 경로 상에 배치되어, 상기 제2 공간을 상기 제1 공간과 차단한 상태에서 상기 측정기로부터 방사되는 광 또는 상기 시료 표면에 반사되는 광을 통과시키는 뷰포트(viewport)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 분석 장치.
  7. 제1 항에 있어서, 상기 비활성 가스는
    질소(nitrogen) 가스 또는 아르곤(argon) 가스 인 것을 특징으로 하는, 박막 분석 장치.
  8. 제1 항에 있어서, 상기 챔버는
    상기 연통부의 끝단부에 배치되어, 외부의 공기를 상기 연통부를 통해 상기 이너 챔버에 유입시키고, 상기 이너 챔버 내부의 공기를 외부로 유출시키는 송풍팬;
    상기 이너 챔버는
    상기 이너 챔버 내부의 온도를 사전 설정된 온도로 유지시키는 온도 조절부; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 분석 장치.
  9. 제8 항에 있어서, 상기 챔버는
    상기 이너 챔버의 상부 또는 하부에 고정 결합되어, 상기 이너 챔버를 수직 이동시키는 고정부; 및
    상기 박스 몸체의 상부면에 배치되어 상기 고정부의 이동을 가이드하며, 상기 고정부를 이동시켜 상기 고정부에 고정 결합된 상기 이너 챔버를 수평 이동시키는 이동부; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 분석 장치.
  10. 제9 항에 있어서, 상기 측정기는
    상기 이동부에 의해 상기 이너 챔버와 함께 이동하여, 상기 시료의 측정 위치를 변경하는 것을 특징으로 하는, 박막 분석 장치.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020006670A (ko) * 1999-03-12 2002-01-24 시마무라 테루오 노광장치 및 노광방법, 그리고 디바이스 제조방법
JP2005098773A (ja) * 2003-09-24 2005-04-14 Okamoto Machine Tool Works Ltd 半導体基板のクラックの有無を検査する表面検査装置
JP2006253335A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Ricoh Co Ltd 測定装置
JP2006352099A (ja) * 2005-05-17 2006-12-28 Olympus Corp 基板検査装置
KR20170055661A (ko) 2015-11-12 2017-05-22 조선대학교산학협력단 대면적 실시간 박막 측정 분광 영상 타원계측 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020006670A (ko) * 1999-03-12 2002-01-24 시마무라 테루오 노광장치 및 노광방법, 그리고 디바이스 제조방법
JP2005098773A (ja) * 2003-09-24 2005-04-14 Okamoto Machine Tool Works Ltd 半導体基板のクラックの有無を検査する表面検査装置
JP2006253335A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Ricoh Co Ltd 測定装置
JP2006352099A (ja) * 2005-05-17 2006-12-28 Olympus Corp 基板検査装置
KR20170055661A (ko) 2015-11-12 2017-05-22 조선대학교산학협력단 대면적 실시간 박막 측정 분광 영상 타원계측 장치

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