JP2006251826A - パターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸の作用により脱離する保護基を含むベースポリマーと、アクリル化合物と、光が照射されると酸を発生する酸発生剤とを有する化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜11を形成する。レジスト膜11に対して露光光12をマスク13を介して照射してパターン露光を行なう。パターン露光されたレジスト膜11を現像して、孔又は溝よりなる開口部15を有するレジストパターン16を形成する。レジストパターン16に対して加熱しながら光を照射することにより、開口部15のサイズを縮小する。
【選択図】図1
Description
トリフェニルスルフォニウムノナフルオロブタンスルフォン酸(酸発生剤)……………………………………………………………………………………0.03g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………4g
次に、図3(a)に示すように、基板1の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して0.5μmの厚さを有するレジスト膜2を形成した後、図3(b)に示すように、レジスト膜2に対してArFエキシマレーザスキャナー(NA:0.60)から出射されたArFエキシマレーザ3を所望のマスクパターンを有するフォトマスク4を介して照射してパターン露光を行なう。
以下、第1の実施形態に係るパターン形成方法について、図1(a)〜(e)を参照しながら説明する。第1の実施形態は、酸の作用により脱離する保護基を含むベースポリマーと、アクリル化合物と、光が照射されると酸を発生する酸発生剤とを有する化学増幅型レジスト材料を用いる。
アクリル酸(アクリル化合物)……………………………………………0.2g
トリフェニルスルフォニウムノナフルオロブタンスルフォン酸(酸発生剤)……………………………………………………………………………………0.03g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………4g
次に、図1(a)に示すように、基板10の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して0.5μmの厚さを有するレジスト膜11を形成した後、図1(b)に示すように、レジスト膜11に対してArFエキシマレーザスキャナー(NA:0.60)から出射されたArFエキシマレーザ12を所望のマスクパターンを有するフォトマスク13を介して照射してパターン露光を行なう。
以下、第2の実施形態に係るパターン形成方法について、図2(a)〜(e)を参照しながら説明する。第2の実施形態は、酸の作用により脱離する保護基を含むベースポリマーと、熱により前記ベースポリマーを架橋させる熱架橋性化合物と、光が照射されると酸を発生する酸発生剤とを有する化学増幅型レジスト材料を用いる。
メラミン化合物(例えば、2,4,6-トリス(メトキシメチル)アミノ-1,3,5-s-トリアジン)(熱架橋性化合物)………………………………………………0.2g
トリフェニルスルフォニウムノナフルオロブタンスルフォン酸(酸発生剤)…………………………………………………………………………………0.025g
トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸(酸発生剤)……………………………………………………………………………………0.01g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………4g
次に、図2(a)に示すように、基板20の上に前記の化学増幅型レジスト材料を塗布して0.5μmの厚さを有するレジスト膜21を形成した後、図2(b)に示すように、レジスト膜21に対してArFエキシマレーザスキャナー(NA:0.60)から出射されたArFエキシマレーザ22を所望のマスクパターンを有するフォトマスク23を介して照射してパターン露光を行なう。
以下、第2の実施形態の第1変形例について説明するが、該第1変形例は第2の実施形態に比べて化学増幅型レジスト材料が異なるのみであるから、以下においては、化学増幅型レジスト材料についてのみ説明する。
ポリ(5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボン酸)(第2のポリマー)…0.2g
1,4-ジフェニルジアゾジスルフォン(酸発生剤)…………………0.025g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………4g
第1変形例によると、ノルボルネン誘導体を有するポリマーは、アセタール基を含むヒドロキシスチレン誘導体を有するポリマーの熱によるフローのコントラストを向上させるため、つまりレジストパターンの開口部近傍の熱フローを抑制するため、レジストパターンの開口部の形状は劣化しない。従って、レジストパターンに形成されている開口部の形状の劣化を招くことなく、開口部のサイズを縮小することができる。
以下、第2の実施形態の第2変形例について説明するが、該第2変形例は第2の実施形態に比べて化学増幅型レジスト材料が異なるのみであるから、以下においては、化学増幅型レジスト材料についてのみ説明する。
(1) 第1の具体例
ポリ((エトキシエチルオキシスチレン)−(ヒドロキシスチレン))(但し、エトキシエチルオキシスチレン:ヒドロキシスチレン=40mol%:60mol%)(第1のポリマー)……………………………………………………………………………1g
ポリ((5−t-ブチルノルボルネン−5−カルボン酸)−(無水マレイン酸))(但し、5−t-ブチルノルボルネン−5−カルボン酸:無水マレイン酸=50mol%:50mol%)(第2のポリマー)……………………………………………………0.2g
1,4-ジフェニルジアゾジスルフォン(酸発生剤)……………………0.03g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………4g
(2) 第2の具体例
ポリ((テトラヒドロピラニルオキシスチレン)−(ヒドロキシスチレン))(但し、テトラヒドロピラニルオキシスチレン:ヒドロキシスチレン=40mol%:60mol%)(第1のポリマー)……………………………………………………………1g
ポリ((5−t-ブチルノルボルネン−5−カルボン酸)−(無水マレイン酸))(但し、5−t-ブチルノルボルネン−5−カルボン酸:無水マレイン酸=50mol%:50mol%)(第2のポリマー)………………………………………………………0.2g
トリフェニルスルフォニウムトシレート(酸発生剤)………………0.03g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………4g
第2変形例によると、ノルボルネン誘導体−無水マレイン酸を有するポリマーは、アセタール基を含むヒドロキシスチレン誘導体を有するポリマーの熱によるフローのコントラストを向上させるため、つまりレジストパターンの開口部近傍の熱フローを抑制するため、レジストパターンの開口部の形状は劣化しない。従って、レジストパターンに形成されている開口部の形状の劣化を招くことなく、開口部のサイズを縮小することができる。
以下、第2の実施形態の第3変形例について説明するが、該第3変形例は第2の実施形態に比べて化学増幅型レジスト材料が異なるのみであるから、以下においては、化学増幅型レジスト材料についてのみ説明する。
ポリ(5−t-ブチルノルボルネン−5−カルボン酸)(第2のポリマー)……………………………………………………………………………………………0.1g
ポリ((5−t-ブチルノルボルネン−5−カルボン酸)−(無水マレイン酸))(但し、5−t-ブチルノルボルネン−5−カルボン酸:無水マレイン酸=50mol%:50mol%)(第3のポリマー)………………………………………………………0.1g
1,4-ジフェニルジアゾジスルフォン(酸発生剤)…………………0.025g
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(溶媒)……………4g
第3変形例によると、ノルボルネン誘導体を有するポリマー及びノルボルネン誘導体−無水マレイン酸を有するポリマーは、アセタール基を含むヒドロキシスチレン誘導体を有するポリマーの熱によるフローのコントラストを向上させるため、つまりレジストパターンの開口部近傍の熱フローを抑制するため、レジストパターンの開口部の形状は劣化しない。従って、レジストパターンに形成されている開口部の形状の劣化を招くことなく、開口部のサイズを縮小することができる。
(1) 以下、第1又は第2の実施形態に用いられる、酸の作用により脱離する保護基を有するポリマーの例を挙げる。
(a) 保護基を含むメタクリルポリマーの例
○ ポリ((2-メチル-2-アダマンタンメタクリル酸エステル)−(メバロニックラクトンメタクリル酸エステル))(但し、2-メチル-2-アダマンタンメタクリル酸エステル:メバロニックラクトンメタクリル酸エステル=50mol%:50mol%)
○ ポリ((2-エチル-2-アダマンタンメタクリル酸エステル)−(γ-ブチロラクトンメタクリル酸エステル))(但し、2-エチル-2-アダマンタンメタクリル酸エステル:γ-ブチロラクトンメタクリル酸エステル=50mol%:50mol%)
(b) 保護基を含むアクリルポリマーの例
○ ポリ((2-メチル-2-アダマンタンアクリル酸エステル)−(メバロニックラクトンアクリル酸エステル))(但し、2-メチル-2-アダマンタンアクリル酸エステル:メバロニックラクトンアクリル酸エステル=50mol%:50mol%)
○ ポリ((2-エチル-2-アダマンタンアクリル酸エステル)−(γ-ブチロラクトンアクリル酸エステル))(但し、2-エチル-2-アダマンタンアクリル酸エステル:γ-ブチロラクトンアクリル酸エステル=50mol%:50mol%)
(c) 保護基を含む(メタクリル+アクリル)ポリマーの例
○ ポリ((2-メチル-2-アダマンタンアクリル酸エステル)−(メバロニックラクトンメタクリル酸エステル))(但し、2-メチル-2-アダマンタンアクリル酸エステル:メバロニックラクトンメタクリル酸エステル=50mol%:50mol%)
○ ポリ((2-エチル-2-アダマンタンアクリル酸エステル)−(γ-ブチロラクトンメタクリル酸エステル))(但し、2-エチル-2-アダマンタンアクリル酸エステル:γ-ブチロラクトンメタクリル酸エステル=50mol%:50mol%)
(d) 保護基を含むフェノールポリマーの例
○ ポリ((エトキシエチルオキシスチレン)−(ヒドロキシスチレン))(但し、エトキシエチルオキシスチレン:ヒドロキシスチレン=35mol%:65mol%)
○ ポリ((メトキシメチルオキシスチレン)−(ヒドロキシスチレン))(但し、メトキシメチルオキシスチレン:ヒドロキシスチレン=40mol%:60mol%)
○ ポリ((テトラヒドロピラニルオキシスチレン)−(ヒドロキシスチレン))(但し、テトラヒドロピラニルオキシスチレン:ヒドロキシスチレン=35mol%:65mol%)
○ ポリ((フェノキシエチルオキシスチレン)−(ヒドロキシスチレン))(但し、フェノキシエチルオキシスチレン:ヒドロキシスチレン=32mol%:68mol%)
○ ポリ((t-ブチルオキシスチレン)−(ヒドロキシスチレン))(但し、t-ブチルオキシスチレン:ヒドロキシスチレン=30mol%:70mol%)
○ ポリ((t-ブチルオキシカルボニルオキシスチレン)−(ヒドロキシスチレン))(但し、t-ブチルオキシカルボニルオキシスチレン:ヒドロキシスチレン=30mol%:70mol%)
○ ポリ((t-ブチルオキシカルボニルメチルオキシスチレン)−(ヒドロキシスチレン))(但し、t-ブチルオキシカルボニルメチルオキシスチレン:ヒドロキシスチレン=28mol%:72mol%)
(e) 保護基を含むノルボルネンポリマーの例
○ ポリ((5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート)−(ノルボルネン-5-カルボキシレート))(但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート:ノルボルネン-5-カルボキシレート=40mol%:60mol%)
○ ポリ((5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)−(ノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール))(但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール:ノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール=35mol%:65mol%)
(f) 保護基を含むノルボルネン−無水マレイン酸誘導体のポリマーの例
○ ポリ((5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート)−(無水マレイン酸))(但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート:無水マレイン酸=50mol%:50mol%)
○ ポリ((5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート)−(ノルボルネン-5-カルボキシレート)−(無水マレイン酸))(但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート:ノルボルネン-5-カルボキシレート:無水マレイン酸=40mol%:10mol%:50mol%)
○ ポリ((5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)−(無水マレイン酸))(但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール:無水マレイン酸=50mol%:50mol%)
○ ポリ((5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)−(ノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)−(無水マレイン酸))(但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール:ノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール:無水マレイン酸=35mol%:15mol%:50mol%)
(g) 保護基を含むノルボルネン−無水マレイン酸誘導体とメタクリル酸誘導体とのポリマーの例
○ ポリ((5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート)−(無水マレイン酸)−(2-メチル-2-アダマンタンメタクリレート)−(γ-ブチロラクトンメタクリレート))(但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート:無水マレイン酸:2-メチル-2-アダマンタンメタクリレート:γ-ブチロラクトンメタクリレート=25mol%:25mol%:30mol%:20mol%)
○ ポリ((5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート)−(無水マレイン酸)−(γ-ブチロラクトンメタクリレート))(但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート:無水マレイン酸:γ-ブチロラクトンメタクリレート=40mol%:40mol%:20mol%)
(h) 保護基を含むノルボルネン−無水マレイン酸誘導体とアクリル酸誘導体とのポリマーの例
○ ポリ((5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート)−(無水マレイン酸)−(2-エチル-2-アダマンタンアクリレート)−(メバロニックラクトンアクリレート))(但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート:無水マレイン酸:2-エチル-2-アダマンタンアクリレート:メバロニックラクトンアクリレート=25mol%:25mol%:35mol%:15mol%)
○ ポリ((5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート)−(無水マレイン酸)−(メバロニックラクトンアクリレート))(但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート:無水マレイン酸:メバロニックラクトンアクリレート=40mol%:40mol%:20mol%)
(2) 以下、第1の実施形態に用いられるアクリル化合物の例を挙げる。
○ アクリル酸
○ メチルアクリレート
○ エチルアクリレート
○ フェニルアクリレート
○ ビニールアクリレート
(3) 以下、第2の実施形態に用いられる熱架橋性化合物の例を挙げる。
○ 2,4,6-トリス(エトキシメチル)アミノ-1,3,5-s-トリアジン(メラミン化合物)
(4) 以下、第2の実施形態の第1、第2又は第3の変形例に用いられる第1のポリマーに含まれる、アセタール基を含むヒドロキシスチレン誘導体の例を挙げる。
○ エトキシエチルオキシスチレン
○ メトキシメチルオキシスチレン
○ テトラヒドロピラニルオキシスチレン
○ フェノキシエチルオキシスチレン
(5) 以下、第2の実施形態の第1、第2又は第3の変形例に用いられる第1のポリマー(アセタール保護基を含むヒドロキシスチレン誘導体のポリマー)の例を挙げる。
○ ポリ((エトキシエチルオキシスチレン)−(ヒドロキシスチレン))(但し、エトキシエチルオキシスチレン:ヒドロキシスチレン=35mol%:65mol%)
○ ポリ((メトキシメチルオキシスチレン)−(ヒドロキシスチレン))(但し、メトキシメチルオキシスチレン:ヒドロキシスチレン=40mol%:60mol%)
○ ポリ((テトラヒドロピラニルオキシスチレン)−(ヒドロキシスチレン))(但し、テトラヒドロピラニルオキシスチレン:ヒドロキシスチレン=35mol%:65mol%)
○ ポリ((フェノキシエチルオキシスチレン)−(ヒドロキシスチレン))(但し、32mol%:68mol%)
(6) 以下、第2の実施形態の第1又は第3の変形例に用いられる第2のポリマーに含まれるノルボルネン誘導体の例を挙げる。
○ 5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート
○ 5-t-ブチルオキシカルボニルノルボルネン-5-カルボキシレート
○ 5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール
○ ノルボルネン-5-カルボキシレート
○ ノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール
○ ノルボルネン
(7) 以下、第2の実施形態の第1又は第3の変形例に用いられる第2のポリマー(ノルボルネン誘導体のポリマー)の例を挙げる。
○ ポリ((5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート)−(ノルボルネン-5-カルボキシレート))(但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート:ノルボルネン-5-カルボキシレート=40mol%:60mol%)
○ ポリ((5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)−(ノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール))(但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール:ノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール=35mol%:65mol%)
○ ポリ(5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート)
○ ポリ(5-t-ブチルオキシカルボニルノルボルネン-5-カルボキシレート)
○ ポリ(5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)
○ ポリ(ノルボルネン-5-カルボキシレート)
○ ポリ(ノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)
○ ポリ(ノルボルネン)
(8) 以下、第2の実施形態の第2の変形例の第2のポリマー又は第3の変形例の第3のポリマーに含まれるノルボルネン−無水マレイン酸誘導体の例を挙げる。
○ 5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート−無水マレイン酸
○ 5-t-ブチルオキシカルボニルノルボルネン-5-カルボキシレート−無水マレイン酸
○ 5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール−無水マレイン酸
○ ノルボルネン-5-カルボキシレート−無水マレイン酸
○ ノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール−無水マレイン酸
○ ノルボルネン−無水マレイン酸
(9) 以下、第2の実施形態の第2の変形例の第2のポリマー又は第3の変形例の第3のポリマー(ノルボルネン−無水マレイン酸誘導体のポリマー)の例を挙げる。
○ ポリ((5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート)−(無水マレイン酸)(但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート:無水マレイン酸=50mol%:50mol%)
○ ポリ((5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート)−(ノルボルネン-5-カルボキシレート)−(無水マレイン酸))(但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート:ノルボルネン-5-カルボキシレート:無水マレイン酸=40mol%:10mol%:50mol%)
○ ポリ((5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)−(無水マレイン酸))(但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール:無水マレイン酸=50mol%:50mol%)
○ ポリ((5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)−(ノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)−(無水マレイン酸))(但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール:ノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール:無水マレイン酸=35mol%:15mol%:50mol%)
○ ポリ((5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート)−(無水マレイン酸))(但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-カルボキシレート:無水マレイン酸=50mol%:50mol%)
○ ポリ((5-t-ブチルオキシカルボニルノルボルネン-5-カルボキシレート)−(無水マレイン酸))(但し、5-t-ブチルオキシカルボニルノルボルネン-5-カルボキシレート:無水マレイン酸=50mol%:50mol%)
○ ポリ((5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)−(無水マレイン酸))(但し、5-t-ブチルノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール:無水マレイン酸=50mol%:50mol%)
○ ポリ((ノルボルネン-5-カルボキシレート)−(無水マレイン酸))(但し、ノルボルネン-5-カルボキシレート:無水マレイン酸=50mol%:50mol%)
○ ポリ((ノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール)−(無水マレイン酸))(但し、ノルボルネン-5-メチレンヘキサフルオロイソプロピルアルコール:無水マレイン酸=50mol%:50mol%)
○ ポリ((ノルボルネン)−(無水マレイン酸))(但し、ノルボルネン:無水マレイン酸=50mol%:50mol%)
(10) 以下、第1の実施形態、第2の実施形態又は第2の実施形態の第1、第2若しくは第3の変形例に用いられる酸発生剤の例を挙げる。
○ 1,4-ジフェニルジアゾジスルフォン
○ トリフェニルスルフォニウムトシレート
○ カンファーイミノトシレート
○ ナフチルイミノトシレート
○ カンファーイミノトリフルオロメタンスルフォン酸
○ ナフチルイミノトリフルオロメタンスルフォン酸
○ トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルフォン酸
○ トリフェニルスルフォニウムノナフルオロブタンスルフォン酸
○ ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルフォン酸
○ ジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルフォン酸
○ ジ(4-t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルフォン酸
○ ジ(4-t−ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロブタンスルフォン酸
11 レジスト膜
11a 露光部
11b 未露光部
12 ArFエキシマレーザ
13 フォトマスク
14 加熱
15 開口部
16 レジストパターン
17 加熱
18 ArFエキシマレーザ
20 基板
21 レジスト膜
21a 露光部
21b 未露光部
22 ArFエキシマレーザ
23 フォトマスク
24 加熱
25 開口部
26 レジストパターン
27 加熱
Claims (4)
- 酸の作用により脱離する保護基としてアセタール基を含むヒドロキシスチレン誘導体を有する第1のポリマーと、ノルボルネン誘導体を有する第2のポリマーと、光が照射されると酸を発生する酸発生剤とを有する化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に対して露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、
パターン露光された前記レジスト膜を現像して、孔又は溝よりなる開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを加熱することにより、前記開口部のサイズを縮小する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。 - 酸の作用により脱離する保護基としてアセタール基を含むヒドロキシスチレン誘導体を有する第1のポリマーと、ノルボルネン誘導体−無水マレイン酸を有する第2のポリマーと、光が照射されると酸を発生する酸発生剤とを有する化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に対して露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、
パターン露光された前記レジスト膜を現像して、孔又は溝よりなる開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを加熱することにより、前記開口部のサイズを縮小する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。 - 酸の作用により脱離する保護基としてアセタール基を含むヒドロキシスチレン誘導体を有する第1のポリマーと、ノルボルネン誘導体を有する第2のポリマーと、ノルボルネン誘導体−無水マレイン酸を有する第3のポリマーと、光が照射されると酸を発生する酸発生剤とを有する化学増幅型レジスト材料よりなるレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に対して露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、
パターン露光された前記レジスト膜を現像して、孔又は溝よりなる開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを加熱することにより、前記開口部のサイズを縮小する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。 - 前記アセタール基は、エトキシエチル基又はテトラヒドロピラニル基であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
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