JP2006245115A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 光源からの光を用いて、投影光学系を介して基板を露光する露光方法において、
   マスクに形成されたコンタクトホールパターン及び補助パターンの周期に応じて、前記光源からの光の偏光状態を設定する設定ステップと、
   前記コンタクトホールパターンが解像され、且つ、前記補助パターンの解像が抑制されるように、前記設定ステップにおいて偏光状態が設定された光で前記マスクを照明するステップとを有し、
   前記設定ステップにおいて、λを前記光の波長、ＮＡを前記投影光学系の像側の開口数とすると、前記コンタクトホールパターン及び補助パターンのうち隣り合うパターンの中心間隔の半分の長さをλ／ＮＡで規格化した値を０．２５×√２と比較した結果に基づいて前記偏光状態を設定することを特徴とする露光方法。
2. 前記中心間隔は、前記補助パターンと、前記補助パターンに隣り合う前記コンタクトホールパターンとの中心間隔であることを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
3. 前記コンタクトホールパターンは、孤立コンタクトホール又は中間周期のコンタクトホールパターンを含むことを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
4. 前記コンタクトホールパターンは、孤立コンタクトホールのみからなり、前記中心間隔は前記補助パターンの隣り合うパターンの中心間隔であることを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
5. 前記コンタクトホールパターンは、孤立コンタクトホールと、中間周期のコンタクトホールパターン若しくはデンスコンタクトホールパターンとを含み、
   前記中心間隔は前記補助パターンの隣り合うパターンの中心間隔であることを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
6. 前記コンタクトホールパターンは、デンスコンタクトホールパターンを含み、前記補助パターンの隣り合うパターンの中心間隔は前記デンスコンタクトホールの中心間隔に等しいことを特徴とする請求項５に記載の露光方法。
7. 前記マスクはバイナリーマスク又はハーフトーンマスクであり、
   前記設定ステップにおいて、
   前記値が０．２５×√２よりも大きい場合には動径方向に偏光した軸外照明を設定し、
   前記値が０．２５×√２以下である場合には接線方向に偏光した軸外照明を設定することを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
8. 前記マスクは位相シフトマスクであり、
   前記設定ステップにおいては、
   前記値が０．２５×√２よりも大きい場合には無偏光照明を設定し、
   前記値が０．２５×√２以下である場合には動径方向に偏光した軸外照明を設定することを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
9. 光源からの光を用いて、投影光学系を介して基板を露光する露光方法において、
   マスクに形成されたコンタクトホールパターン及び補助パターンの周期に応じて、前記光源からの光の偏光状態を設定する設定ステップと、
   前記コンタクトホールパターンが解像され、且つ、前記補助パターンの解像が抑制されるように、前記設定ステップにおいて偏光状態が設定された光で前記マスクを照明するステップとを有し、
   前記設定ステップにおいて、λを前記光の波長、ＮＡを前記投影光学系の像側の開口数とすると、直交する２方向のうち縦方向における前記コンタクトホールパターン及び補助パターンのうち隣り合うパターンの中心間隔をλ／ＮＡで規格化した値の２乗の逆数と横方向における前記コンタクトホールパターン及び補助パターンのうち隣り合うパターンの中心間隔をλ／ＮＡで規格化した値の２乗の逆数との和を１６と比較した結果に基づいて前記偏光状態を設定することを特徴とする露光方法。
10. 光源からの光を用いて基板を露光する露光装置において、
    前記光源からの光を用いて、コンタクトホールパターン及び補助パターンを有する前記マスクを照明する照明光学系と、
    前記マスクのパターンの像を基板に投影する投影光学系と、
    前記マスクに形成された前記コンタクトホールパターン及び前記補助パターンの周期に応じて、前記光源からの光の偏光状態を設定するユニットと、
    前記ユニットは、λを前記光の波長、ＮＡを前記投影光学系の像側の開口数とすると、前記コンタクトホールパターン及び補助パターンのうち隣り合うパターンの中心間隔の半分の長さをλ／ＮＡで規格化した値を０．２５×√２と比較した結果に基づいて前記偏光状態を設定することを特徴とする露光装置。
11. 前記ユニットは、
    前記マスクがバイナリーマスク又はハーフトーンマスクである場合に、前記周期に対応する第１の値が閾値としての第２の値よりも大きい場合には動径方向に偏光した軸外照明を設定し、前記第１の値が前記第２の値以下である場合には接線方向に偏光した軸外照明を設定し、
    前記マスクが位相シフトマスクである場合に、前記第１の値が前記第２の値よりも大きい場合には無偏光照明を設定し、前記第１の値が前記第２の値以下であれば動径方向に偏光した軸外照明を設定し、
    λを前記光の波長、ＮＡを前記投影光学系の像側の開口数、σ_ｍａｘを前記照明光学系のマスク側の開口数と前記投影光学系の物体側の開口数の比σの最大値又はσが１以上であれば１とすると、前記第１の値は直交する２方向の一方の方向において前記デンスコンタクトホールの隣り合うコンタクトホールの中心間隔の半分の長さをλ／ＮＡで規格化した値であり、前記第２の値は０．２５×√２／σ_ｍａｘであることを特徴とする請求項１０に記載の露光装置。
12. 請求項１０又は１１に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
    前記露光された基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。