JP2006238284A - 固体撮像装置およびそれを用いたカメラシステム - Google Patents
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Abstract
【課題】水平信号線に供給されるバイアス電圧における電源電圧の影響を無くし、低雑音の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】水平信号線9に、水平信号線リセットトランジスタ10を介してバイアス電圧を供給するバイアス電圧発生回路11を、ドレインに電源電圧13が接続され、ゲートが接地されたデプレッション型トランジスタ15と、ドレインにデプレッション型トランジスタ15のソースが接続され、ゲートおよびソースが接地されたデプレッション型トランジスタ16とで構成し、デプレッション型トランジスタ15のソース電圧をバイアス電圧とする。
【選択図】図1
【解決手段】水平信号線9に、水平信号線リセットトランジスタ10を介してバイアス電圧を供給するバイアス電圧発生回路11を、ドレインに電源電圧13が接続され、ゲートが接地されたデプレッション型トランジスタ15と、ドレインにデプレッション型トランジスタ15のソースが接続され、ゲートおよびソースが接地されたデプレッション型トランジスタ16とで構成し、デプレッション型トランジスタ15のソース電圧をバイアス電圧とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、主にMOS型固体撮像装置に関し、電源からのノイズを低減する技術に関する。
図5は、従来のMOS型撮像装置の構成を示す一例である(特許文献1,2参照)。
この固体撮像装置は、フォトダイオード1と、前記フォトダイオードに蓄積された電荷を転送する転送ゲート2と、リセットするリセットゲート4と、増幅トランジスタ5と、選択トランジスタ3を有する単位画素が二次元状に配列され、列方向に画素を選択する垂直シフトレジスタ7と、水平方向の信号を読み出す水平選択トランジスタ6と、水平選択トランジスタ6に選択パルスを供給する水平シフトレジスタ8と、水平選択トランジスタ6からの信号を受け取る水平信号線9と、水平信号線9をリセットする水平信号線リセットトランジスタ10と、水平信号線リセットトランジスタ10により水平信号線9の電圧を決めるバイアス電圧発生回路11と、を備えている。雑音抑圧回路12は、増幅トランジスタ5が発生する雑音を抑圧する機能を持っている。
図6に従来のバイアス電圧発生回路11の一例を示す。図6(a)は抵抗分割により構成したものである。図6(a)はMOSトランジスタを用いたものである。どちらも電源電圧13とグランド(0V)の間を分割して中間電圧を発生させ、出力電圧14としている。
特開平10−93066号公報
特開平9−247538号公報
従来、これらの固体撮像装置は、家庭用ビデオカメラやデジタルスチルカメラ等に応用してきた。
しかし、近年、携帯電話等に応用されるため小型化が進み、その結果、固体撮像装置に印加される電圧に雑音が多く重畳される場合が増えてきた。図3からわかるように信号を出力する水平信号線9には、水平信号線リセットトランジスタ10を介しバイアス電圧発生回路11の出力電圧が直接出力される。
図6に示すように、バイアス電圧発生回路11の出力電圧14は、電源電圧13が分割されて発生しているので、電源電圧13に雑音が重畳すると、その雑音が水平信号線9に直接現われ、固体撮像装置の雑音となり、感度低下、S/N低下等の弊害をもたらす。
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、水平信号線に電源電圧の雑音が重畳しないバイアス電圧発生回路を提案し、電源雑音に強い固体撮像装置を提供するものである。
前記課題を解決するために、本発明の固体撮像装置は、半導体基板上に、少なくとも入射光を電荷に変換する光電変換手段と、前記光電変換手段の信号電荷を増幅する増幅手段と、を有する単位画素を行列状に配列した感光領域と、前記感光領域の列選択を行う列選択手段と、前記列選択手段により選択された前記単位画素からの出力を行選択する行選択手段と、前記行選択手段からの出力を受ける水平選択スイッチと、前記水平選択スイッチからの出力を受ける水平信号線と、前記水平信号線をリセットする水平信号線リセット手段と、前記水平信号線リセット手段に入力されリセットされる前記水平信号線のバイアス電圧を決める水平信号線バイアス手段と、を備え、前記水平信号線バイアス手段は、ドレインが電源電圧に、ゲート電極が接地されたデプレッション型トランジスタのソースに一端が接地された抵抗手段が接続された構成であり、前記デプレッション型トランジスタのソース電圧を前記バイアス電圧とすることを特徴とする。
前記抵抗手段が、ゲート電極が接地された別のデプレッション型トランジスタであることが好ましい。
前記抵抗手段が、ゲート電極がドレインと接続されたエンハンスメント型トランジスタであってもよい。
本発明のカメラシステムは、上記本発明の固体撮像装置を備えることを特徴とする。
前記カメラシステムが、携帯機器であることが好ましい。
本発明のバイアス回路を用いると、電源電圧に無関係なバイアス電圧を作ることができ、この電圧を水平信号線9に水平信号線リセットトランジスタ10を介し印加することにより、低雑音の固体撮像素子を実現できる。特に、雑音の多い電源電圧をもったカメラシステムにおいても、高感度でかつS/N比の高いシステムが実現できる。
本発明の実施形態におけるバイアス電圧発生回路の構成を図1に示す。
第1のデプレッション型トランジスタ(M1)15はゲートが接地されており、そのチャネル電位は電源電圧13より小さい値に設定する。チャネル電位とグランド電位(0V)の間をゲートが接地された第2のデプレッション型トランジスタ(M2)16のチャネル抵抗と第1のデプレッション型トランジスタ(M1)15のチャネル抵抗で分圧しバイアス電圧を作り、出力電圧14とする。
この原理を電位図で説明する。図2はM1とM2の直列回路の電位図である。下方が+方向の電位である。図中斜線部は電子を現しており、接地(0V)レベルからM2→M1と通り、電源電圧13に流れ込んでいる。なお、電子は負の電荷をもっているので、0Vから電源電圧13に流れ込む。
ゲートが接地されたM1のチャネル電位は電源電圧より低く設定しており、このチャネル電位と0Vの間をM1のチャネル抵抗とM2のチャネルで分圧する。この場合はM1、M2とも五極管領域で動作している場合である。M2のチャネル電位が小さいのでバイアス電圧となる出力電圧14はM2のチャネル電位より高い。
バイアス電圧発生回路を上記の構成とすれば、ゲートが接地されたデプレッション型トランジスタを直列接続して用いるため、高い方のチャネル電位をそれらのチャネル抵抗で分割でき、電源電圧と無関係なバイアス電圧を発生させることができる。
M1とM2の別の電位図を図3に示す。図2はM2のチャネル電位をM1のチャネル電位よりも低く設定した場合に対応するが、図3は、M1とM2とが、同じ種類のトランジスタである場合に対応し、M1とM2のチャネル電位が同じである。
図2に示したのと動作上、異なる点は、出力のバイアス電圧すなわちM2のドレイン電圧がM2のチャネル電位より低いためM2が三極管領域で動作している点である。
しかし、効果としては図2に示した場合と同じである。
以上のように、本実施形態におけるバイアス電圧発生回路によれば、バイアス電圧は電源電圧とは無関係なので、電源電圧の雑音の影響を受けない。
また、M1のチャネル電位として、必要なバイアス電圧の約2倍のチャネル電位を用いると、分圧する上下のトランジスタの抵抗がほぼ等しくなり、電流が一定の場合に最も低インピーダンスのバイアス回路が作れる。
また、本実施の形態における回路構成の基本的な考え方は、ゲートを接地したデプレッショントランジスタのチャネル電位と0Vの間を、そのデプレッショントランジスタの抵抗と他の抵抗とで分割して、電源電圧と無関係な電圧を発生させることにあるので、例えば、図4に示すような構成を用いてもよい。図4(a)は他の抵抗(M2にあたる)としてゲートとドレインを結線したエンハンスメントトランジスタ17を用いた例であり、図4(b)は抵抗素子18を用いた例である。
また、本実施の形態に示したバイアス電圧発生回路を、図1に示した固体撮像装置におけるバイアス電圧発生回路11として用いることにより、ノイズが低減でき、高感度の固体撮像装置を実現できる。
また、この固体撮像装置を、携帯電話に代表される携帯機器等の雑音の多い電源電圧をもったカメラシステムに適用すれば、高感度で、かつS/N比の高いシステムが実現できる。
本発明における固体撮像装置によれば、電源電圧の変動に影響を受けない低雑音の固体撮像装置を実現でき、雑音の多い電源電圧をもったカメラシステムにおいて、高感度で、かつS/N比の高いシステムが実現できる点で有用である。
1 フォトダイオード
2 転送ゲート
3 選択トランジスタ
4 リセットゲート
5 増幅トランジスタ
6 水平選択トランジスタ
7 垂直シフトレジスタ
8 水平シフトレジスタ
9 水平信号線
10 水平信号線リセットトランジスタ
11 バイアス電圧発生回路
12 雑音抑圧回路
13 電源電圧
14 バイアス発生回路の出力電圧
15 第1のデプレッション型トランジスタ
16 第2のデプレッション型トランジスタ
17 ゲートとドレインを結線したエンハンスメント型トランジスタ
18 抵抗素子
2 転送ゲート
3 選択トランジスタ
4 リセットゲート
5 増幅トランジスタ
6 水平選択トランジスタ
7 垂直シフトレジスタ
8 水平シフトレジスタ
9 水平信号線
10 水平信号線リセットトランジスタ
11 バイアス電圧発生回路
12 雑音抑圧回路
13 電源電圧
14 バイアス発生回路の出力電圧
15 第1のデプレッション型トランジスタ
16 第2のデプレッション型トランジスタ
17 ゲートとドレインを結線したエンハンスメント型トランジスタ
18 抵抗素子
Claims (5)
- 半導体基板上に、少なくとも入射光を電荷に変換する光電変換手段と、前記光電変換手段の信号電荷を増幅する増幅手段と、を有する単位画素を行列状に配列した感光領域と、前記感光領域の列選択を行う列選択手段と、前記列選択手段により選択された前記単位画素からの出力を行選択する行選択手段と、前記行選択手段からの出力を受ける水平選択スイッチと、前記水平選択スイッチからの出力を受ける水平信号線と、前記水平信号線をリセットする水平信号線リセット手段と、前記水平信号線リセット手段に入力されリセットされる前記水平信号線のバイアス電圧を決める水平信号線バイアス手段と、を備え、
前記水平信号線バイアス手段は、ドレインが電源電圧に、ゲート電極が接地されたデプレッション型トランジスタのソースに一端が接地された抵抗手段が接続された構成であり、
前記デプレッション型トランジスタのソース電圧を前記バイアス電圧とすることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記抵抗手段が、ゲート電極が接地された別のデプレッション型トランジスタであることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記抵抗手段が、ゲート電極がドレインと接続されたエンハンスメント型トランジスタであることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 請求項1ないし3のいずれかに記載の固体撮像装置を備えることを特徴とするカメラシステム。
- 前記カメラシステムが、携帯機器であることを特徴とする請求項4記載のカメラシステム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005052847A JP2006238284A (ja) | 2005-02-28 | 2005-02-28 | 固体撮像装置およびそれを用いたカメラシステム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005052847A JP2006238284A (ja) | 2005-02-28 | 2005-02-28 | 固体撮像装置およびそれを用いたカメラシステム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006238284A true JP2006238284A (ja) | 2006-09-07 |
Family
ID=37045414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005052847A Pending JP2006238284A (ja) | 2005-02-28 | 2005-02-28 | 固体撮像装置およびそれを用いたカメラシステム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006238284A (ja) |
-
2005
- 2005-02-28 JP JP2005052847A patent/JP2006238284A/ja active Pending
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