JP2006228927A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 誘導素子を備えた半導体装置において、共振周波数等の特性に優れ、しかも小型化が可能となる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板1と、第1の絶縁樹脂層11と、第1の配線層12と、第2の絶縁樹脂層13と、第1の配線層12に接続された第2の配線層14とを備え、第2の配線層14が誘導素子15を有し、第2の絶縁樹脂層13上には、凸部18が形成され、第2の配線層14は、隣り合う位置関係にある一方の部分と他方の部分のうち、一方が第2の絶縁樹脂層13上に形成され、他方が凸部18の上に形成されている。
【選択図】 図2
【解決手段】 半導体基板1と、第1の絶縁樹脂層11と、第1の配線層12と、第2の絶縁樹脂層13と、第1の配線層12に接続された第2の配線層14とを備え、第2の配線層14が誘導素子15を有し、第2の絶縁樹脂層13上には、凸部18が形成され、第2の配線層14は、隣り合う位置関係にある一方の部分と他方の部分のうち、一方が第2の絶縁樹脂層13上に形成され、他方が凸部18の上に形成されている。
【選択図】 図2
Description
本発明は、シリコンウエハ等の半導体基板上に誘導素子を備えた半導体装置に関する。
インピーダンスマッチング等を目的として、半導体基板上に、螺旋状のインダクタ(スパイラルインダクタ)等の誘導素子が設けられた半導体装置が用いられている(例えば、特許文献1および特許文献2参照)。
特開2002−24657号公報
特開2003−86690号公報
従来の半導体装置においては、誘導素子を構成する配線層どうしの間隔が大きいほど共振周波数等の特性を良好にすることができるが、配線層の間隔を大きくすると誘導素子の占有面積が大きくなり、半導体装置の小型化が難しくなるという問題があった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、誘導素子を備えた半導体装置において、共振周波数等の特性に優れ、しかも小型化が可能となる半導体装置を提供することを目的とする。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、誘導素子を備えた半導体装置において、共振周波数等の特性に優れ、しかも小型化が可能となる半導体装置を提供することを目的とする。
本発明の請求項1に係る半導体装置は、表面に電極が設けられた半導体基板と、該半導体基板の上に設けられた第1の絶縁樹脂層と、該第1の絶縁樹脂層の上に設けられ、前記電極に接続された第1の配線層と、前記第1の絶縁樹脂層および前記第1の配線層の上に設けられた第2の絶縁樹脂層と、該第2の絶縁樹脂層上に設けられ、前記第1の配線層に接続された第2の配線層とを備え、該第2の配線層が、螺旋状の誘導素子を有し、該誘導素子の少なくとも一部が第2の絶縁樹脂層を介して前記第1の配線層と重なるように配置され、前記第2の絶縁樹脂層上には、凸部が形成され、前記第2の配線層が、隣り合う配線の一方が前記第2の絶縁樹脂層上に形成され、他方が前記凸部の上に形成されている部分を備えていることを特徴とする。
本発明の請求項2に係る半導体装置は、請求項1において、前記凸部が、少なくとも、前記第1の配線層と第2の配線層とが第2の絶縁樹脂層を介して重なる位置に形成されていることを特徴とする。
本発明の請求項3に係る半導体装置は、請求項1または2において、前記凸部が、上方に向かって徐々に幅が狭くなる形状とされていることを特徴とする。
本発明の請求項4に係る半導体装置は、請求項1〜3のうちいずれか1項において、前記凸部が、第2の配線層の長さ方向に沿って延在して形成されていることを特徴とする。
本発明の請求項2に係る半導体装置は、請求項1において、前記凸部が、少なくとも、前記第1の配線層と第2の配線層とが第2の絶縁樹脂層を介して重なる位置に形成されていることを特徴とする。
本発明の請求項3に係る半導体装置は、請求項1または2において、前記凸部が、上方に向かって徐々に幅が狭くなる形状とされていることを特徴とする。
本発明の請求項4に係る半導体装置は、請求項1〜3のうちいずれか1項において、前記凸部が、第2の配線層の長さ方向に沿って延在して形成されていることを特徴とする。
本発明の半導体装置では、第2の配線層において、隣り合う位置関係にある配線部分のうち、一方が凸部上に形成され、他方が第2の絶縁樹脂層上に形成されているため、これら2つの配線部分は、互いに異なる高さに位置することになる。
このため、これら隣り合う2つの配線部分の相互距離を十分に確保し、それにより共振周波数などの特性を向上させることができる。共振周波数を高めることは、誘導素子の使用可能周波数が向上することにつながるため、有用である。
また、上記構造によれば、誘導素子における間隔を狭くし、装置のサイズを小さくすることができる。
このため、これら隣り合う2つの配線部分の相互距離を十分に確保し、それにより共振周波数などの特性を向上させることができる。共振周波数を高めることは、誘導素子の使用可能周波数が向上することにつながるため、有用である。
また、上記構造によれば、誘導素子における間隔を狭くし、装置のサイズを小さくすることができる。
図1および図2は、本発明の半導体装置の一例を示す図面であり、図1は平面図、図2(a)は部分切欠斜視図、図2(b)は、図1に示すA−A線に沿う断面図である。
この半導体装置10は、半導体基板1上に設けられた第1の絶縁樹脂層11(第1の絶縁層)と、この第1の絶縁樹脂層11の上に設けられた第1の配線層12(第1の導電部)と、第1の絶縁樹脂層11および第1の配線層12の上に設けられた第2の絶縁樹脂層13(第2の絶縁層)と、第2の絶縁樹脂層13上に設けられた第2の配線層14(第2の導電部)とを有する。
この半導体装置10は、半導体基板1上に設けられた第1の絶縁樹脂層11(第1の絶縁層)と、この第1の絶縁樹脂層11の上に設けられた第1の配線層12(第1の導電部)と、第1の絶縁樹脂層11および第1の配線層12の上に設けられた第2の絶縁樹脂層13(第2の絶縁層)と、第2の絶縁樹脂層13上に設けられた第2の配線層14(第2の導電部)とを有する。
半導体基板1は、シリコンウエハなどの基材2上に、集積回路(図示略)の電極3と、パッシベーション膜4が形成されている。
電極3は、Al、Cuなどで構成することができる。
パッシベーション膜4は、不動態化された絶縁膜であり、SiN、SiO2等からなる。
パッシベーション膜4には、電極3と整合する位置に開口部5が設けられており、この開口部5で電極3が露出している。
パッシベーション膜4は、例えばLP−CVD法等により形成することができ、その厚さは例えば0.1〜0.5μmである。
電極3は、Al、Cuなどで構成することができる。
パッシベーション膜4は、不動態化された絶縁膜であり、SiN、SiO2等からなる。
パッシベーション膜4には、電極3と整合する位置に開口部5が設けられており、この開口部5で電極3が露出している。
パッシベーション膜4は、例えばLP−CVD法等により形成することができ、その厚さは例えば0.1〜0.5μmである。
第1の絶縁樹脂層11は、パッシベーション膜4を覆うように設けられ、電極3と整合する位置に形成された第1の開口部16を有する。第1の絶縁樹脂層11は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等からなり、その厚さは例えば1〜30μmとすると良い。
第2の絶縁樹脂層13は、第1の絶縁樹脂層11と同様の材料が使用でき、第1の絶縁樹脂層11および第1の配線層12を覆うように設けられ、第2の配線層14の端部14a、14bに整合する位置に、第2の開口部17が形成されている。
第2の絶縁樹脂層13は、第1の絶縁樹脂層11と同様の材料が使用でき、第1の絶縁樹脂層11および第1の配線層12を覆うように設けられ、第2の配線層14の端部14a、14bに整合する位置に、第2の開口部17が形成されている。
第1の配線層12は、電極3とスパイラルコイル15とを接続する再配線層である。第1の配線層12の一端部12aは、第1の開口部16を介して電極3と接続されている。第1の配線層12の他端部12bは、第2の開口部17と整合する位置まで延びている。
第1の配線層12の材料としては例えばCu等が用いられ、その厚さは例えば1〜20μmである。
第1の配線層12の材料としては例えばCu等が用いられ、その厚さは例えば1〜20μmである。
第2の配線層14は、螺旋状に形成されたスパイラルコイル15(誘電素子)を有する。第2の配線層14の端部14a、14bは、第2の開口部17を介して、それぞれ第1の配線層12の他端部12bと接続されている。第2の配線層14は、凸部18上を経由して形成されている。
第2の配線層14の材料としては例えばCu等が用いられ、その厚さは例えば1〜30μmとすると良い。
第2の配線層14の材料としては例えばCu等が用いられ、その厚さは例えば1〜30μmとすると良い。
第2の絶縁樹脂層13上には、凸部18が形成されている。
凸部18は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等の合成樹脂からなり、第2の絶縁樹脂層13の表面から上方に突出して形成されている。凸部18の形状は、例えば円錐台状、角錐台状、円柱状、角柱状、半球状、直方体状とすることができる。
凸部18は、上方に向かって徐々に幅が狭くなる形状とするのが好ましい。図示例では、縦断面形状(半導体基板1に対し垂直な方向の断面形状)が、上方に向かって徐々に幅が狭くなる台形とされ、その側面は、上方に向かって凸部18の中心軸に漸次近づくように傾斜した傾斜面となっている。
凸部18の高さは、例えば10〜50μmとすることができる。
凸部18の底部の幅(または直径)は、20〜60μmとするのが望ましい。
凸部18は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等の合成樹脂からなり、第2の絶縁樹脂層13の表面から上方に突出して形成されている。凸部18の形状は、例えば円錐台状、角錐台状、円柱状、角柱状、半球状、直方体状とすることができる。
凸部18は、上方に向かって徐々に幅が狭くなる形状とするのが好ましい。図示例では、縦断面形状(半導体基板1に対し垂直な方向の断面形状)が、上方に向かって徐々に幅が狭くなる台形とされ、その側面は、上方に向かって凸部18の中心軸に漸次近づくように傾斜した傾斜面となっている。
凸部18の高さは、例えば10〜50μmとすることができる。
凸部18の底部の幅(または直径)は、20〜60μmとするのが望ましい。
凸部18は、第1の配線層12と第2の配線層14とが第2の絶縁樹脂層13を介して重なる位置(以下、重複部分ということがある)に形成するのが好ましい。図示例では、2つの凸部18は、いずれも重複部分、すなわち配線層12、14が交差する部分に形成されている。
なお、第1の配線層12と第2の配線層14とが重なるとは、絶縁樹脂層11、13の面内における配線層12、14の位置が一致することを意味する。
なお、第1の配線層12と第2の配線層14とが重なるとは、絶縁樹脂層11、13の面内における配線層12、14の位置が一致することを意味する。
図示例では、2つの凸部18のうち、第1の凸部18aは、スパイラルコイル15の第2周回めの始端に相当する位置に形成され、第2の凸部18bは、第4周回めの始端に相当する位置に形成されている。
第1の凸部18a上に相当する部分のスパイラルコイル15(第2周始端部分15a)に隣接する第3周始端部分15bは、第2の絶縁樹脂層13上に形成されている。
よって、隣り合う位置関係にある2つの配線部分である第2周始端部分15aと第3周始端部分15bは、互いに異なる高さに位置することになる。
また、第3周始端部分15bに隣接する第4周始端部分15cは第2の凸部18b上に形成されているため、これら第3周始端部分15bと第4周始端部分15cも、互いに異なる高さに位置することになる。
第1の凸部18a上に相当する部分のスパイラルコイル15(第2周始端部分15a)に隣接する第3周始端部分15bは、第2の絶縁樹脂層13上に形成されている。
よって、隣り合う位置関係にある2つの配線部分である第2周始端部分15aと第3周始端部分15bは、互いに異なる高さに位置することになる。
また、第3周始端部分15bに隣接する第4周始端部分15cは第2の凸部18b上に形成されているため、これら第3周始端部分15bと第4周始端部分15cも、互いに異なる高さに位置することになる。
第2の絶縁樹脂層13および第2の配線層14の上には、必要に応じて、少なくとも第2の配線層14を覆う封止層(図示略)を設けることができる。
封止層は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなり、その厚さは例えば10〜150μmである。封止層には、外部への端子を出力するための開口部が設けられる。
図1、図2では、半導体基板上の誘導素子1つに対応する部分のみを図示したが、本発明は、複数の誘導素子を備えた半導体装置に適用することもできる。また、図示しないが、本発明の半導体装置には、第2の配線層を封止する封止層、バンプ等の外部への出力端子等の構造物を付加することができる。
封止層は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなり、その厚さは例えば10〜150μmである。封止層には、外部への端子を出力するための開口部が設けられる。
図1、図2では、半導体基板上の誘導素子1つに対応する部分のみを図示したが、本発明は、複数の誘導素子を備えた半導体装置に適用することもできる。また、図示しないが、本発明の半導体装置には、第2の配線層を封止する封止層、バンプ等の外部への出力端子等の構造物を付加することができる。
次に、半導体装置10の製造方法について説明する。
図3および図4に示すように、半導体基板1のパッシベーション膜4の上に、第1の開口部16を有する第1の絶縁樹脂層11を形成する。
第1の絶縁樹脂層11は、回転塗布法、印刷法、ラミネート法などによって、上記樹脂からなる膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術等を利用して、電極3と整合する位置に第1の開口部16を形成する方法によって得ることができる。
図3および図4に示すように、半導体基板1のパッシベーション膜4の上に、第1の開口部16を有する第1の絶縁樹脂層11を形成する。
第1の絶縁樹脂層11は、回転塗布法、印刷法、ラミネート法などによって、上記樹脂からなる膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術等を利用して、電極3と整合する位置に第1の開口部16を形成する方法によって得ることができる。
図5に示すように、第1の絶縁樹脂層11の上に第1の配線層12を形成する。
第1の配線層12は、例えば次のようにして形成することができる。スパッタ法等によりシード層を第1の絶縁樹脂層11上に形成する。シード層は、例えばCu層とCr層からなる積層体、またはCu層とTi層からなる積層体とすることができる。
次いで、シード層の上に、電解メッキ用のレジスト膜(図示略)を形成する。このレジスト膜は第1の配線層12を形成すべき領域以外の領域に形成する。
シード層上に、電解銅メッキ法等のメッキ法、スパッタ法、蒸着法等により、Cu等からなる第1の配線層12を形成する。第1の配線層12を形成した後、不要なレジスト膜およびシード層をエッチング等により除去する。
第1の配線層12は、例えば次のようにして形成することができる。スパッタ法等によりシード層を第1の絶縁樹脂層11上に形成する。シード層は、例えばCu層とCr層からなる積層体、またはCu層とTi層からなる積層体とすることができる。
次いで、シード層の上に、電解メッキ用のレジスト膜(図示略)を形成する。このレジスト膜は第1の配線層12を形成すべき領域以外の領域に形成する。
シード層上に、電解銅メッキ法等のメッキ法、スパッタ法、蒸着法等により、Cu等からなる第1の配線層12を形成する。第1の配線層12を形成した後、不要なレジスト膜およびシード層をエッチング等により除去する。
図6に示すように、第1の絶縁樹脂層11および第1の配線層12を覆うように第2の絶縁樹脂層13を形成する。
第2の絶縁樹脂層13は、第1の絶縁樹脂層11と同様に、樹脂膜を形成した後、第2の配線層14の端部14a,14bに整合する位置に第2の開口部17を形成する方法によって得ることができる。
第2の絶縁樹脂層13は、第1の絶縁樹脂層11と同様に、樹脂膜を形成した後、第2の配線層14の端部14a,14bに整合する位置に第2の開口部17を形成する方法によって得ることができる。
図7に示すように、第2の絶縁樹脂層13上に、凸部18を形成する。
凸部18は、第2の絶縁樹脂層13上に、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などにより上記樹脂(ポリイミド樹脂など)からなる膜を形成した後に、フォトリソグラフィ技術を利用したパターニングにより形成することができる。
凸部18は、インクジェット式樹脂吐出装置を用いて、液状樹脂を吐出させて第2の絶縁樹脂層13上に堆積させ、これを熱処理などにより硬化させる方法によって形成することもできる。この方法によれば、フォトリソグラフィ技術を利用した場合よりも製造時間の短縮、コスト削減が可能となる。
凸部18は、第2の絶縁樹脂層13上に、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などにより上記樹脂(ポリイミド樹脂など)からなる膜を形成した後に、フォトリソグラフィ技術を利用したパターニングにより形成することができる。
凸部18は、インクジェット式樹脂吐出装置を用いて、液状樹脂を吐出させて第2の絶縁樹脂層13上に堆積させ、これを熱処理などにより硬化させる方法によって形成することもできる。この方法によれば、フォトリソグラフィ技術を利用した場合よりも製造時間の短縮、コスト削減が可能となる。
図8に示すように、第2の絶縁樹脂層13上および凸部18上に、スパイラルコイル15を有する第2の配線層14を形成する。
第2の配線層14は、第1の配線層12と同様にして形成することができる。
第2の配線層14は、第1の配線層12と同様にして形成することができる。
封止層は、ポリイミド樹脂等の感光性樹脂をフォトリゾグラフィ技術によりパターニングすることによって形成することができる。
上記方法によって半導体基板上に上記各構造を形成した積層体を所定の寸法にダイシングすることにより、前記誘導素子などがパッケージ化された半導体チップを得ることができる。
上記方法によって半導体基板上に上記各構造を形成した積層体を所定の寸法にダイシングすることにより、前記誘導素子などがパッケージ化された半導体チップを得ることができる。
半導体装置10では、第2の配線層14の隣り合う位置関係にある2つの配線部分(例えば第2周始端部分15aと第3周始端部分15b)のうち、一方が凸部18上に形成され、他方が第2の絶縁樹脂層13上に形成されているため、これら2つの配線部分は、互いに異なる高さに位置することになる。
このため、これら隣り合う2つの配線部分の相互距離を十分に確保し、それにより共振周波数などの特性を向上させることができる。共振周波数を高めることは、誘導素子の使用可能周波数が向上することにつながるため、有用であるといえる。
また、上記構造によれば、スパイラルコイル15における配線間隔を狭くし、装置のサイズを小さくすることができる。
このため、これら隣り合う2つの配線部分の相互距離を十分に確保し、それにより共振周波数などの特性を向上させることができる。共振周波数を高めることは、誘導素子の使用可能周波数が向上することにつながるため、有用であるといえる。
また、上記構造によれば、スパイラルコイル15における配線間隔を狭くし、装置のサイズを小さくすることができる。
半導体装置10では、凸部18が、配線層12、14が第2の絶縁樹脂層13を介して重なる位置(重複部分)に形成されているので、この重複部分において、第1の配線層12と第2の配線層14とを十分に離間させることができる。
このため、第1の配線層12と第2の配線層14との間に生じる容量結合を小さくし、スパイラルコイル15の品質係数Q値が低下するのを防ぐことができる。
このため、第1の配線層12と第2の配線層14との間に生じる容量結合を小さくし、スパイラルコイル15の品質係数Q値が低下するのを防ぐことができる。
凸部18を、上方に向かって徐々に幅が狭くなる形状とすることによって、凸部18の側面を半導体基板1に対し垂直とする場合に比べ、凸部18の側面に第2の配線層14を確実に形成することができる。従って、第2の配線層14の形成不良を防ぐことができる。
図9は、本発明の半導体装置の第2の例を示すものである。
ここに示す半導体装置20は、凸部18が、配線層12、14が重なる位置だけでなく、それ以外の位置にも形成されている。
これら凸部18は、スパイラルコイル15の下に相当する位置に、その長さ方向に間隔をおいて形成されている。図示例では、16個の凸部18が形成されている。
凸部18は、その上に形成された部分の配線層14と、これに隣接する部分の配線層14とが、互いに異なる高さになるように、配線層長さ方向の位置が定められている。
ここに示す半導体装置20は、凸部18が、配線層12、14が重なる位置だけでなく、それ以外の位置にも形成されている。
これら凸部18は、スパイラルコイル15の下に相当する位置に、その長さ方向に間隔をおいて形成されている。図示例では、16個の凸部18が形成されている。
凸部18は、その上に形成された部分の配線層14と、これに隣接する部分の配線層14とが、互いに異なる高さになるように、配線層長さ方向の位置が定められている。
半導体装置20では、凸部18が、配線層12、14が重なる位置以外にも形成されているので、より多くの部分の配線層14が、隣接する部分との高さが異なるようになる。
従って、スパイラルコイル15における配線間隔をいっそう狭くすることができ、さらなる小型化を図ることができる。
従って、スパイラルコイル15における配線間隔をいっそう狭くすることができ、さらなる小型化を図ることができる。
図10は、本発明の第3の例を示すものである。
ここに示す半導体装置30は、凸部28が、第2の配線層14の長さ方向に沿って延在して形成されている点で、上記半導体装置10と異なる。
凸部28は、その上に形成された部分の配線層14と、これに隣接する部分の配線層14とが、互いに異なる高さになるように、配線層長さ方向の位置が定められている。
ここに示す半導体装置30は、凸部28が、第2の配線層14の長さ方向に沿って延在して形成されている点で、上記半導体装置10と異なる。
凸部28は、その上に形成された部分の配線層14と、これに隣接する部分の配線層14とが、互いに異なる高さになるように、配線層長さ方向の位置が定められている。
半導体装置30では、凸部28が、配線層長さ方向に沿って延在して形成されているので、より多くの部分の配線層14を、隣り合う部分との高さが異なるようにすることができる。
従って、スパイラルコイル15における配線間隔をいっそう狭くし、さらなる小型化を図ることができる。
従って、スパイラルコイル15における配線間隔をいっそう狭くし、さらなる小型化を図ることができる。
(実施例1)
図1に示すように、シリコン基板である半導体基板1と、ポリイミド樹脂からなる第1の絶縁樹脂層11と、Cuからなる第1の配線層12と、ポリイミド樹脂からなる第2の絶縁樹脂層13と、ポリイミド樹脂からなる2つの凸部18、18と、スパイラルコイル15を有するCuからなる第2の配線層14とを有する半導体装置10を作製した。
第1および第2の絶縁樹脂層11、13の厚さは10μmとした。第1の配線層12の幅は20μmとした。第2の配線層14は、その幅が20μmであり、スパイラルコイル15は、巻き数が3.5で、配線間隔は40μmとした。
凸部18は、螺旋状の第2の配線層14の2周目と4周目において、第1の配線層12と第2の配線層14とが交差する部分に形成した。凸部18は、底部直径60μm、上部直径30μm、高さ30μmの円錐台状に形成した。
この半導体装置10における周波数とQ値の関係を測定した。
また、比較例として、凸部18が設けられていないこと以外は実施例1と同様に半導体装置を製造し、その周波数とQ値の関係を測定した。結果を図11に示す。
図11より、凸部18を設けた実施例1は、優れたQ値を示したことがわかる。
図1に示すように、シリコン基板である半導体基板1と、ポリイミド樹脂からなる第1の絶縁樹脂層11と、Cuからなる第1の配線層12と、ポリイミド樹脂からなる第2の絶縁樹脂層13と、ポリイミド樹脂からなる2つの凸部18、18と、スパイラルコイル15を有するCuからなる第2の配線層14とを有する半導体装置10を作製した。
第1および第2の絶縁樹脂層11、13の厚さは10μmとした。第1の配線層12の幅は20μmとした。第2の配線層14は、その幅が20μmであり、スパイラルコイル15は、巻き数が3.5で、配線間隔は40μmとした。
凸部18は、螺旋状の第2の配線層14の2周目と4周目において、第1の配線層12と第2の配線層14とが交差する部分に形成した。凸部18は、底部直径60μm、上部直径30μm、高さ30μmの円錐台状に形成した。
この半導体装置10における周波数とQ値の関係を測定した。
また、比較例として、凸部18が設けられていないこと以外は実施例1と同様に半導体装置を製造し、その周波数とQ値の関係を測定した。結果を図11に示す。
図11より、凸部18を設けた実施例1は、優れたQ値を示したことがわかる。
(実施例2)
図9に示すように、スパイラルコイル15の長さ方向に間隔をおいて16個の凸部18が形成された半導体装置20を作製した。その他の条件は実施例1に準じた。
半導体装置20における周波数とQ値の関係を測定した。結果を図12に示す。
図12より、凸部18を設けた実施例2は、優れたQ値を示したことがわかる。
図9に示すように、スパイラルコイル15の長さ方向に間隔をおいて16個の凸部18が形成された半導体装置20を作製した。その他の条件は実施例1に準じた。
半導体装置20における周波数とQ値の関係を測定した。結果を図12に示す。
図12より、凸部18を設けた実施例2は、優れたQ値を示したことがわかる。
(実施例3)
図10に示すように、凸部28が、第2の配線層14の長さ方向に沿って延在して形成された半導体装置30を作製した。その他の条件は実施例1に準じた。
半導体装置30における周波数とQ値の関係を測定した。結果を図13に示す。
図13より、凸部28を設けた実施例3は、優れたQ値を示したことがわかる。
図10に示すように、凸部28が、第2の配線層14の長さ方向に沿って延在して形成された半導体装置30を作製した。その他の条件は実施例1に準じた。
半導体装置30における周波数とQ値の関係を測定した。結果を図13に示す。
図13より、凸部28を設けた実施例3は、優れたQ値を示したことがわかる。
本発明は、例えば誘導素子がアンテナコイルとして機能する非接触ICタグ用半導体装置など、誘導素子を有する各種半導体装置に適用できる。
1…半導体基板、3…電極、10、20、30…半導体装置、11…第1の絶縁樹脂層、12…第1の配線層、13…第2の絶縁樹脂層、14…第2の配線層、15…スパイラルコイル(誘導素子)、18、28…凸部
Claims (4)
- 表面に電極が設けられた半導体基板と、
該半導体基板の上に設けられた第1の絶縁樹脂層と、
該第1の絶縁樹脂層の上に設けられ、前記電極に接続された第1の配線層と、
前記第1の絶縁樹脂層および前記第1の配線層の上に設けられた第2の絶縁樹脂層と、
該第2の絶縁樹脂層上に設けられ、前記第1の配線層に接続された第2の配線層とを備え、
該第2の配線層が、螺旋状の誘導素子を有し、該誘導素子の少なくとも一部が第2の絶縁樹脂層を介して前記第1の配線層と重なるように配置され、
前記第2の絶縁樹脂層上には、凸部が形成され、
前記第2の配線層は、隣り合う配線の一方が前記第2の絶縁樹脂層上に形成され、他方が前記凸部の上に形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記凸部は、少なくとも、前記第1の配線層と第2の配線層とが第2の絶縁樹脂層を介して重なる位置に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記凸部は、上方に向かって徐々に幅が狭くなる形状とされていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記凸部は、第2の配線層の長さ方向に沿って延在して形成されていることを特徴とする請求項1〜3のうちいずれか1項に記載の半導体装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005040255A JP2006228927A (ja) | 2005-02-17 | 2005-02-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013543661A (ja) * | 2010-10-05 | 2013-12-05 | サントル ナスィオナル ド ラ ルシェルシュ スィアンティフィク(セ.エン.エル.エス.) | 回路の製造方法 |
-
2005
- 2005-02-17 JP JP2005040255A patent/JP2006228927A/ja not_active Withdrawn
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