JP2006228730A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. シリコン基板の中に電界放出素子を加工するための方法であって、
   プラズマ・エッチング・チャンバを供給する工程と、
   前記チャンバに酸素を供給する工程と、
   前記チャンバにシリコン・エッチング剤を供給する工程と、
   前記酸素対前記シリコン・エッチング剤の比を制御する工程と、
   前記基板内に前記放出素子を形成するために前記シリコン基板からシリコンをエッチングする工程とを含み、前記放出素子の上側表面が概して収束型の形状を示す方法。
2. 前記シリコン・エッチング剤が周期律表のＶＩＩＡ族から由来する元素を含む材料を含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記酸素が前記シリコンと反応することで前記シリコン基板の上側表面上に二酸化ケイ素領域を形成し、前記エッチングの工程の中で前記二酸化ケイ素領域が下にあるシリコンに相対してマスクの役割りを果たす、請求項１に記載の方法。
4. 前記比が約１．５から１．０である、請求項１に記載の方法。
5. 各々の放出素子が先端領域および基台領域を含み、前記先端領域が前記基台領域よりも小さい、請求項１に記載の方法。
6. 前記露出した放出素子の上に重ねて電子放出材料層を形成する工程をさらに含み、前記電子放出層が、前記放出素子と前記放出素子から間隔を置かれたグリッドとの間に印加される電圧に応答した電子の放出を可能にすることを満たす仕事関数を示す、請求項１に記載の方法。
7. 放出素子であって、
   ドープされたシリコン基板を含み、
   前記基板の上側表面に前記放出素子が配置され、各々の放出素子の上側表面が概して収束型の形状を示し、
   前記放出素子が各々の放出素子の上側表面上に配置されたマスクされた領域を含み、前記収束型の形状が、前記マスクされた領域の材料よりもシリコンに対して大きな選択性を有するエッチング剤で前記ドープされたシリコン基板をエッチングすることによって形成され、および
   前記上側表面の上に配置された放出材料をさらに含む、放出素子。
8. 電界放出ディスプレイであって、
   アノードと、
   ドープされたシリコン基板と、
   前記シリコン基板の表面に無作為に配置され、前記アノードの方向に収束する先端を有する放出素子と、
   前記基板の上に重なる絶縁層であって各々の放出素子の先端が前記絶縁層の上側表面よりも下になるような絶縁層と、
   前記絶縁層の上に重なるゲートとを有し、前記絶縁層と前記ゲートを貫く開口部が前記放出素子のうちの特定のものの先端を露出させ、前記基板のうちの開口部の無い領域では前記放出素子のうちのその他のものの先端が前記絶縁層によって覆われた状態で残る電界放出ディスプレイ。
9. 前記露出した放出素子が複数の露出放出素子アレイに構成され、複数のアレイのうちの或るアレイの中の複数の前記放出素子が共通して活性化されて電子を放出する、請求項８に記載の電界放出ディスプレイ。
10. 前記アノードの近傍に蛍光材料をさらに含み、前記放出電子が前記蛍光材料に衝突し、前記蛍光材料が、各々が第１、第２、および第３の部分画素を含む複数の三つ組みカラー画素を含み、前記複数のアレイのうちの第１、第２、および第３のアレイが各三つ組みカラー画素の前記第１、前記第２、および前記第３の部分画素にそれぞれ衝突する電子を放出する、請求項９に記載の電界放出ディスプレイ。