DE19800555A1 - Feldemissionskomponente, Verfahren zu ihrer Herstellung und Verwendung derselben - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft das technische Gebiet von Komponenten, welche von dem Effekt Gebrauch machen, aus einem Festkörper in ein Vakuum Elektronen zu emittieren, was auf hohe elektrische Feldstärke zurückzuführen ist. Diese Komponenten werden im allgemeinen Feldemissionskomponenten genannt. Die vorliegende Erfindung betrifft Komponenten dieser Art, ein Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung.

Feldemissionskomponenten können zum Ersatz konventioneller thermischer Emissionskomponenten als Elektronenquellen, beispielsweise für Elektronenmikroskope, Hochleistungs- und Hochfrequenz-Vakuumröhren und allgemein für mikroelektronische Vakuumvorrichtungen Verwendung finden.

Von hohem Interesse ist der Einsatz miniaturisierter Feldemissionskomponenten auf dem Gebiet von emissiven Flachbildschirmen. Eine miniaturisierte Anordnung von Komponenten, in der viele Spitzen oder Mikrospitzen zur gleichzeitigen Emission von Elektronen Anwendung finden und mit der hohe elektrische Feldstärken erreicht werden, indem verhältnismäßig niedrige Spannungen aufgrund von Spitzen­ zu Elektrodenabständen im Mikrometerbereich angewendet werden, wurde zuerst von C. A. Spindt in Journal of Applied Physics, Vol. 39 (1968), No. 7, Seiten 3504-3505 beschrieben. Von den gleichen Autoren erfolgten einige Publikationen in den letzten zwanzig Jahren. Ein verständlicher Überblick ist beispielsweise gegeben in IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 38 (1991), No. 10, Seiten 2289-2400. Außerdem gibt es zahlreiche Patente auf diesem Gebiet.

Eine typische Feldemissionskomponente besteht aus einer leitenden Spitze, welche auf einer leitenden Elektrode, die üblicherweise die Kathoden-Elektrode bildet, angeordnet ist. Das Spitzenende ist von der Gate-Elektrode umgeben. Bei Anlegen einer geeigneten Spannung zwischen der Kathode und der Gate-Elektrode werden Elektronen in das Vakuum emittiert. Zur Verwendung dieser Feldemissionskomponenten auf dem Gebiet der Flachbildschirme wird die Spitzen- und die Gate-Anordnung durch eine obere und eine untere Glasplatte eingekapselt. Die obere Glasplatte enthält die Anoden-Elektrode und eine phosphoreszierende Schicht. Eine zwischen der Kathoden- und der Anoden-Elektrode angelegte Spannung beschleunigt die Elektronen, die von den Spitzen emittiert werden, auf die phosphoreszierende Schicht zu, welche sichtbares Licht emittiert, wie es in einer Anzeigevorrichtung üblich ist. Gate- und Kathoden- Elektroden sind typischerweise in orthogonalen Streifen angeordnet, welche eine Matrixadressierung der Elektronen emittierenden Spitzen gestattet. Im allgemeinen bildet eine Anordnung von typischerweise etwa 30 bis 1000 Spitzen ein Pixel.

Ein Problem bei der Anwendung von Feldemissionskomponenten als Licht emittierende Quellen in Flachbildschirmen ist die sog. Strom-Spannungs-Emissionscharakteristik einer Vielzahl von Spitzen. Besondere Herausforderungen werden deshalb bei der Herstellung solcher Komponenten an die Prozeß- Uniformität gestellt, weil diese über die Dimensionen der Spitzen direkt in die Funktionalität mit eingeht. Die Emissionscharakteristik hängt unter anderem von Dimensionen wie Spitzenradius, Lochdurchmesser der Gate-Elektrode, Abstand Spitzenhöhe zu Gate-Elektrodenebene, Reinheit der Spitzen, Vakuumqualität und dergl. ab. Damit alle Spitzen bei der gleichen angelegten Spannung emittieren, müssen einige dieser Dimensionen eine Toleranz von Spitze zu Spitze von wenigen Nanometern besitzen. Dies ist selbst mit großem prozeßtechnischem Aufwand nicht zu erreichen.

Einen Ausweg aus diesem Dilemma stellt ein in die Spitze integrierter Vorwiderstand zur individuellen Strombegrenzung dar. In der Europäischen Patentanmeldung EP-A-0 700 063 wird eine Struktur einer Feldemissionskomponente beschrieben, welche einen individuellen Serienwiderstand für jede Elektronen emittierende Spitze umfaßt, wobei der Serienwiderstand durch die Spitze selbst gebildet wird. Die Spitze besteht aus einem Körper eines ersten Materials mit hohem Widerstand und aus einem wenigstens teilweisen Überzug eines zweiten Materials mit niedriger Austrittsarbeit, wobei der Körper aus dem ersten Material den Serienwiderstand bildet und der Überzug aus dem zweiten Material die Elektronen emittiert. Der Aufwand und damit die Kosten für diese Lösung sind allerdings beträchtlich. Dieser Prozeß ist daher auf großflächigen Substraten, was eine wichtige Voraussetzung für Flachbildschirme ist, nicht praktikabel.

Einen weiteren Nachteil der neuesten, nach dem Stand der Technik hergestellten Komponenten stellen Leckströme zwischen Gate-Elektrode und Kathode dar. Diese sind meist prozeßtechnisch bedingt. Insbesondere beim Aufdampfen des Isolators und des Gate-Metalls ist eine Bildung von Kurzschlüssen zwischen Gate-Elektrode und Spitze (= Kathode) sehr wahrscheinlich. Es wurden eine Reihe verschiedener Komponenten im Hinblick auf das Problem hoher Leckströme getestet, beispielsweise eine Komponente, die in der Europäischen Patentanmeldung EP-A-0 789 382 beschrieben ist und eine Spitze für die Emission von Elektronen umfaßt, wobei die Spitze aus einem ersten Material (amorphem oder polykristallinem Silicium), welches einen Serienwiderstand bildet und einem Überzug aus einem zweiten Material (W oder Mo) besteht und besagte Spitze im Zentrum einer kreisrunden Gate-Öffnung, welche eine Elektrode bildet, angeordnet ist und über die Oberfläche derselben hinausragt. Auch diese Komponente zeigte einen hohen Leckstrom auf.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung einer Komponente in verschiedenen Ausführungsformen, die mehrere der zuvor geschilderten Nachteile des Standes der Technik, insbesondere das Problem hoher Leckströme überkommt.

Die Aufgabe der Erfindung wird gelöst durch eine Feldemissionskomponente, welche gemäß Anspruch 1 Spitzen zur Emission von Elektronen umfaßt, die in kreisförmigen, durch Elektroden gebildeten Gate-Löchern angeordnet sind und die dadurch gekennzeichnet ist, daß in jedem Gate- Elektrodenloch (5) eine Vielzahl von Spitzen (2) angeordnet ist.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.

Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung von Feldemissionskomponenten und deren Verwendung in Flachbildschirmen.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Fig. 1 bis 4 näher erläutert.

Es zeigen:

Fig. 1 eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung, hergestellt nach dem Verfahren zur Herstellung von Feldemissionskomponenten;

Fig. 2 eine andere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung, hergestellt nach einem etwas modifizierten Verfahren zur Herstellung von Feldemissionskomponenten;

Fig. 3 eine Anordnung einer Vielzahl von Feldemissionskomponenten in schematischer Darstellung.

Fig. 4 ein SEM Bild einer Feldemissionskomponente.

Verfahren zur Herstellung von Feldemissionskomponenten verwenden bestimmte Lithographie-, Abscheidungs- und Ätzprozesse, die im allgemeinen auf dem technischen Gebiet der Halbleiterprozeß-Technologie verwendet werden. In S. M. Sze: "VLSI Technology", Mc Graw Hill, New York, 1988 sind theoretische und praktische Aspekte der VLSI (Very Large Scale Integration) Technologie als der gegenwärtige Standard der Halbleiterprozeß-Technologie beschrieben.

Ein wesentliches Merkmal der Komponenten und Anordnung gemäß der Erfindung ist aus den schematischen Zeichnungen und auf dem SEM Bild leicht zu erkennen: In jedem Gate- Elektrodenloch, welches typischerweise einen Durchmesser von von 1 µm bis einige µm aufweist, befindet sich eine Vielzahl von Spitzen anstatt wie bisher nur eine Spitze. Ein weiteres wesentliches Merkmal der Erfindung ist, daß diese Spitzen nicht durch einen lithographischen Einzelspitzenprozeß hergestellt werden, sondern durch spezielle Prozeßschritte, die eine statistische Menge von Spitzen liefern. Dieses Merkmal ist aus den schematischen Zeichnungen nicht zu erkennen. Die erfindungsgemäß hergestellten Spitzen können durchaus verschiedene Krümmungsradien und Konuswinkel besitzen, es muß lediglich gewährleistet werden, daß in jedem Gate-Elektrodenloch eine solche Verteilung von Spitzen enthalten ist, daß bei einer bestimmten Gate-Kathoden-Spannung mindestens eine, oder durchaus auch mehrere Spitzen Elektronen emittieren. Wie bereits eingangs dargestellt, ist die Elektronenemission von den Dimensionen der Spitze stark abhängig, so daß es gemäß der Erfindung mit einer Vielzahl statistisch verteilter Spitzen sehr viel leichter ist, in jedem Loch eine identische Spitze zu haben, als wenn man durch gezielte Prozeßschritte versuchen würde, in jedem Elektrodenloch genau eine Spitze zu erzeugen.

In den Einzelspitzenkomponenten gemäß dem Stand der Technik konnten etwa 1×10⁶ Spitzen/cm², was einer Spitze pro Loch entspricht, hergestellt werden. In den erfindungsgemäßen Komponenten dagegen können etwa 5 bis 50 Spitzen pro Loch, aber auch deutlich mehr hergestellt werden. Der gesamte Emissionsstrom pro cm² ist ein wichtiges Maß für die Leistungsfähigkeit einer Komponente. Da die erfindungsgemäßen Komponenten aber um Größenordnungen mehr Spitzen/cm² besitzen können, ist ein wesentlicher Vorteil der Erfindung darin zu sehen, daß ein wesentlich größerer Gesamtemissionsstrom pro Fläche bei geringer Strombelastung der Einzelspitze geliefert werden kann. Weitere Vorteile sind in den geringen Herstellungskosten und den wesentlich geringeren Leckströmen zu sehen.

In der einfachsten Ausführungsform der Erfindung ist die Gatemetall-Elektrode durch eine Isolatorschicht von den Kathodenspitzen getrennt. Ein weiterer, wesentlicher Unterschied gegenüber dem Stand der Technik ist, neben der Vielzahl von Spitzen pro Elektrodenloch, die geometrische Lage der Spitzenenden relativ zu der Isolatorschicht. Während im Stand der Technik sich die Spitzenenden auf Höhe der Grenzfläche Isolator/Gatemetall befinden, befinden sie sich gemäß der Erfindung auf Höhe der unteren Grenzfläche Isolator/Kathode.

Die gemäß der Erfindung vorgeschlagene Prozeßsequenz ist wesentlich zur Vermeidung der oben genannten Leckströme. Auf die Oberfläche aus einkristallinem oder polykristallinem Silicium werden nacheinander eine Isolatorschicht, eine Gatemetall-Schicht und eine Photoresistschicht aufgebracht. Das gewünschte Lochmuster wird mittels Standardlithographie in den Resist eingebracht. Dann wird die Gatemetall-Schicht strukturiert und anschließend die Isolatorschicht geöffnet.

Zur Herstellung der Siliciumspitzen wird ein Plasmaätzschritt angewendet. In der Literatur über Plasmaätzen wurde bereits über das Phänomen "grasartiger" Rückstände beim Plasmaätzen berichtet. Diese wurden auch als "Black Silicon" bezeichnet, weil die grasartigen Rückstände das einfallende Licht zum großen Teil absorbierten, so daß die Oberfläche schwarz erschien. Allerdings fand diese Grasbildung bevorzugt auf großen, nichtmaskierten Siliciumflächen statt, während gemäß der Erfindung für die Bildung einer Vielzahl von Spitzen nur jeweils wenige µm² freie Siliciumflächen zur Verfügung stehen. Es gibt zwar Hinweise, wie man diese grasartigen Rückstände vermeidet, aber es gibt bisher keine Anweisung, wie man gezielt und mit großer Dichte Siliciumspitzen ohne einen speziellen Lithographieschritt für jede einzelne Spitze erzeugt. Des weiteren wird bei der erfindungsgemäßen Anwendung gefordert, daß jede Mikrospitze möglichst dieselbe Höhe hat, außerdem soll sie an der ursprünglichen Siliciumoberfläche beginnen, während das grasartige Silicium üblicherweise unterhalb der ursprünglichen Siliciumoberfläche beginnt. Das Plasmaätzverfahren wird weiter unten bei der Herstellung der einzelnen Komponenten näher beschrieben. Es wurde auch experimentell festgestellt, daß das ganzflächige Aufbringen einer polykristallinen Siliciumschicht zu einer reproduzierbaren Spitzenbildung mit Submikrometer-Abständen führt (Fig. 2 und SEM Bild Fig. 4).

Zur Herstellung der einfachsten Ausführungsform der Erfindung, einer Komponente, welche in Fig. 1 gezeigt ist, wird zunächst auf einem Halbleitersubstrat (1), vorzugsweise einem einkristallinen Siliciumwafer eine Isolatorschicht (3) aufgewachsen oder abgeschieden, welche die gesamte Oberfläche des Substrats (1) bedeckt. Die Isolatorschicht (3) kann z. B. aus durch thermische Oxidation hergestelltem SiO₂ oder aus durch chemische Dampfphasenabscheidung, CVD hergestelltem Si₃N₄ bestehen. Typische Isolatorschichtdicken liegen zwischen 0,5 bis 1 µm. Danach werden eine einheitliche Schicht (4) aus Au oder Au/Cr mittels Elektronenstrahlverdampfung in einer Schichtdicke von 0,1 bis 0,5 µm aufgebracht und dann eine Photoresistschicht (nicht gezeigt) aufgebracht. In der Photoresistschicht wird mittels Standardlithographie das Lochmuster (5) für die Gate-Elektroden definiert. Dann wird die Gate-Metallschicht (4) mittels eines Naß oder Trockenätzverfahrens strukturiert, anschließend wird die Isolatorschicht (3) durch selektives Naßätzen oder Trockenätzen geöffnet.

Die Spitzen (2) im Elektrodenloch (5) werden mittels eines geeigneten Plasmaätzschrittes hergestellt. Zum Plasmaätzen von Silicium kann als Ätzmedium beispielsweise eine Argon/C₁₂- oder eine SF₆/O₂-Mischung verwendet werden. Bei der zuletzt genannten Mischung kann beispielsweise die Spitzenbildung (2) dadurch gesteuert werden, daß die SF₆/O₂-Mischung eine bestimmte Menge Sauerstoff enthält. Das Verhältnis SF₆/O₂ ist von der jeweils verwendeten Plasmaätzvorrichtung abhängig, bewegt sich aber typischerweise in einem Flußverhältnis SF₆ : O₂ von etwa 95 : 5, wobei der SF₆- bzw. O₂-Fluß in sccm angegeben wird.

Durch das beschriebene Plasmaätzen werden in jedem Elektrodenloch (5) gezielt und mit großer Dichte Siliciumspitzen (2) erzeugt, ohne daß ein spezieller Lithographieschritt für jede einzelne Spitze erforderlich ist. Die Mikrospitzen haben alle, wie gefordert, etwa die gleiche Höhe, und alle Spitzenenden befinden sich auf Höhe der Grenzfläche Isolator/Siliciumsubstrat (= Kathode). Nach Aufbringen der Siliciumwafer-Rückseitenmetallisierung (nicht gezeigt) ist die Komponente fertiggestellt.

Es wurde festgestellt, daß in einer ganzflächigen durch nichtmaskiertes Aufbringen, vorzugsweise durch Sputtern, hergestellten polykristallinen Siliciumschicht ebenfalls reproduzierbar Spitzen in Submikrometer-Abständen hergestellt werden können. In Fig. 2 wird die Herstellung einer Komponente beschrieben, bei der die Mikrospitzen (2) nicht in einkristallinem Silicium nicht in einkristallinem Silicium (1), sondern in einer polykristallinen Siliciumschicht (6) ausgebildet werden. Diese Version hat gegenüber der von Fig. 1 den Vorteil, daß die Spitzen sehr viel hochohmiger gemacht werden können. Jede Spitze hat dadurch ihren integrierten Vorwiderstand zur Strombegrenzung.

Zur Herstellung gemäß Fig. 2 wird auf einem Siliciumsubstrat (1) eine polykristalline Siliciumschicht (6) durch Sputtern hergestellt. Anschließend wird, wie oben beschrieben, eine Isolatorschicht (3) aus SiO2 oder Si3N4 aufgebracht, dann wird eine einheitliche Gate-Metallschicht (4) aus Au oder Au/Cr aufgebracht. Die Gate-Metallschicht (4) wird mittels Standardlithographie und Naß- oder Trockenätzen strukturiert und die Isolatorschicht (3) durch Naß- oder Trockenätzen geöffnet. Die Spitzen werden, wie oben beschrieben, durch Plasmaätzen des freigelegten polykristallinen Siliciums (6) in dem Gate-Elektrodenloch (5) hergestellt. Alle Spitzenenden befinden sich auf Höhe der Grenzfläche Isolator/polykristallines Silicium (= Kathode).

Bei den bisher beschriebenen Ausführungsformen haben alle Spitzen in allen Gate-Elektrodenlöchern dasselbe Kathodenpotential. Dadurch ist keine Einzelansteuerung der Gate-Elektrodenlöcher (Pixel) möglich.

In Fig. 3 ist schematisch eine Anordnung mit einer Vielzahl von Feldemissionskomponenten gezeigt, bei der die Möglichkeit einer Pixel-Adressierung vorhanden ist und die deshalb von hohem Interesse für emissive Flachbildschirme ist. Zu ihrer Herstellung wird auf ein Substrat (7), vorzugsweise aus Glas, eine Schicht (8) aus dem Kathodenmaterial aufgebracht. Als Kathodenmaterial kommen Metalle, wie beispielsweise Aluminium, Indium-Zinnoxid oder Niob und dergl. in Frage. Die Schicht (8) wird mittels Standardlithographie und Naß- oder Trockenätzen strukturiert unter Ausbildung von leitenden Streifen, welche in der fertiggestellten Vorrichtung die Kathoden-Elektroden sind. Dann wird eine Halbleiterschicht (6), vorzugsweise eine polykristalline Siliciumschicht, auf die leitenden Streifen aufgesputtert und ebenfalls strukturiert. Danach wird eine Isolatorschicht (3) aus SiO2 sowie die Gate-Metallschicht (4), beispielsweise aus Au oder Au/Cr, aufgebracht. Wie bei den Komponenten anhand der Fig. 1 und 2 beschrieben, wird in der Gate-Metallschicht (4) mittels Standardlithographie und Naß- oder Trockenätzen das Gate-Elektroden-Lochmuster (5) erzeugt. Gleichzeitig kann das Gate-Metall auch in Streifen strukturiert werden, die gegenüber den Kathodenstreifen um 90° gedreht sind. Anschließend wird die Isolatorschicht (3) durch selektives Naß- oder Trockenätzen geöffnet. Wie in den Fig. 1 und 2 beschrieben, wird durch Plasmaätzen des freigelegten polykristallinen Siliciums (6) in den Gate-Elektroden-Löchern (5) eine Vielzahl von Spitzen (2) hergestellt. Alle Spitzenenden befinden sich, wie bereits oben beschrieben, auf Höhe der Grenzfläche Isolator/polykristallines Silicium.

Gegenüber dem Stand der Technik, bei dem Spitzen durch Aufdampfen in einer Art Abhebe-Technologie (lift-off) erzeugt werden, hat das beschriebene Verfahren das Potential, auf beliebig große Substrate und damit auf für LCD-Flachbildschirme verwendbare Substrate ohne Probleme anwendbar zu sein.

Weitere Vorteile der Erfindung sind, daß das Verfahren unkritisch durchführbar ist und bei niedrigen Herstellungskosten zu hohen Ausbeuten führt. Die große Anzahl von Spitzen ermöglicht einen großen Gesamtemissionsstrom pro Fläche bei geringer Strombelastung der Einzelspitze, wodurch die Lebensdauer der einzelnen Komponenten erhöht wird.

Durch die Prozeßabfolge werden Kurzschlüsse zwischen Gate-Elektrode und Spitze (= Kathode) und die damit verbundenen hohen Leckströme vermieden.

Claims (21)

1. Feldemissionskomponente, welche Spitzen zur Emission von Elektronen umfaßt, die in kreisförmigen, durch Elektroden gebildeten Gate-Löchern angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß in jedem Gate-Elektrodenloch (5) eine Vielzahl von Spitzen (2) angeordnet ist.

2. Feldemissionskomponente nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß in jedem Gate-Elektrodenloch (5) mindestens 5 Spitzen angeordnet sind.

3. Feldemissionskomponente nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß in jedem Gate- Elektrodenloch (5) mindestens 50 Spitzen angeordnet sind.

4. Feldemissionskomponente nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Spitzen (2) aus einkristallinem Silicium (1) oder aus polykristallinem Silicium (6) gebildet sind.

5. Feldemissionskomponente nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Spitzen (2) aus einkristallinem Silicium (1) etwa die gleiche Höhe aufweisen und auf Höhe der Grenzfläche einkristallines Siliciumsubstrat (1)/Isolator (3) enden (Fig. 1).

6. Feldemissionskomponente nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Spitzen (2) aus polykristallinem Silicium (6) etwa die gleiche Höhe aufweisen und auf Höhe der Grenzfläche polykristallines Silicium (6)/Isolator (3) enden (Fig. 2 und 3).

7. Verfahren zur Herstellung einer Feldemissionskomponente, welches folgende Schritte umfaßt:

1. Bereitstellen eines Substrats (1) aus einkristallinem Silicium,

2. Beschichten des Substrats (1) aus einkristallinem Silicium mit einer Isolatorschicht (3),

3. Aufbringen einer einheitlichen Gate-Metallschicht (4) und einer Photoresistschicht (nicht gezeigt) auf die Isolatorschicht (3),

4. Einbringen eines Lochmusters in die Resistschicht mittels Photolithographie und Übertragen desselben in die Gate-Metallschicht (4) mittels Naß oder Trockenätzen,

5. Öffnen der Isolatorschicht (3) mittels Naß- oder Trockenätzen,

6. Herstellen von Spitzen (2) in dem Substrat (1) aus einkristallinem Silicium im Bereich des Gate- Metall-Lochs (5) mittels Plasmaätzen,

7. Aufbringen einer Rückseitenmetallisierung auf das Substrat (1) aus einkristallinem Silicium (nicht gezeigt).

8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß auf das Substrat (1) aus einkristallinem Silicium in einem Schritt Ia eine Schicht (6) aus polykristallinem Silicium aufgebracht und diese in einem Schritt 2a mit einer Isolatorschicht (3) beschichtet wird, das Verfahren gemäß den Schritten 3 bis 5 (Anspruch 7) fortgesetzt wird und daß anstelle von Schritt 6 in einem Schritt 6a Spitzen (2) in der Schicht (6) aus polykristallinem Silicium im Bereich des Gate-Metall-Lochs (5) mittels Plasmaätzen erzeugt werden.

9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung einer Anordnung von Feldemissionskomponenten auf ein Glassubstrat (7) eine Kathodenmetall-Schicht (8) aufgebracht und auf diese eine Schicht (6) aus polykristallinem Silicium aufgebracht wird, daß beide Schichten strukturiert werden, das Verfahren gemäß den Schritten 3 bis 5 (Anspruch 7) fortgesetzt wird und daß Spitzen (2) in der Schicht (6) aus polykristallinem Silicium im Bereich der Gate-Metall-Löcher (5) mittels Plasmaätzen erzeugt werden.

10. Verfahren nach den Ansprüchen 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß als Isolatorschicht (3) eine SiO₂-Schicht oder eine Si₃N₄-Schicht aufgebracht wird.

11. Verfahren nach den Ansprüchen 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasmaätzen der einkristallinen Siliciumschicht (1) bzw. der polykristallinen Siliciumschicht (6) mit einer Argon/C₁₂- oder einer SF₆/O₂-Mischung vorgenommen wird.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasmaätzen von einkristallinem bzw. polykristallinem Silicium mit einer SF₆/O₂-Mischung bei einem Flußverhältnis SF₆ : O₂ von etwa 95 : 5 vorgenommen wird.

13. Verwendung der Feldemissionskomponenten nach den Ansprüchen 1 bis 6 in einer Anordnung mit einer Vielzahl von Feldemissionskomponenten.

14. Verwendung der Anordnung mit einer Vielzahl von Feldemissionskomponenten nach Anspruch 13 in emissiven Flachbildschirmen.