JP2006227507A - ホログラム作成装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】小型化を実現することが可能なホログラム作成装置を提供する。
【解決手段】ホログラムを作成するためのホログラム作成装置であって、ホログラム作成用の記録媒体に照射するための光を出射する光源21B、21R、21Gを備え、各光源を半導体レーザを用いた光源とした。
【選択図】図1
【解決手段】ホログラムを作成するためのホログラム作成装置であって、ホログラム作成用の記録媒体に照射するための光を出射する光源21B、21R、21Gを備え、各光源を半導体レーザを用いた光源とした。
【選択図】図1
Description
本発明は、ホログラムを作成するためのホログラム作成装置に関する。
従来、ホログラムを作成する装置として、例えば特許文献1記載のものが提案されている。この装置は、赤,緑,青の3色のコヒーレントなレーザ光を出射する光源と、光源からのレーザ光を記録材料に照射するためのヘッドとを有する構成である。
上記のようなホログラム作成装置の小型化を実現するにあたり、光源の小型化が考えられるが、特許文献1には光源の小型化を実現するための手段は記載されていない。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、小型化を実現することが可能なホログラム作成装置を提供することを目的とする。
本発明のホログラム作成装置は、ホログラムを作成するためのホログラム作成装置であって、ホログラム作成用の記録媒体に照射するための、それぞれ異なる色の光を出射する複数の光源を備え、前記複数の光源の各々に半導体レーザを用いた。
この構成により、小型化を実現することができる。
本発明のホログラム作成装置は、前記複数の光源から出射された光を伝送する光ファイバと、前記光ファイバによって伝送されてきた光を前記記録媒体に照射するためのヘッドとを備える。
この構成により、光源とヘッドとの位置に制約がなくなり、設計自由度が向上する。
本発明のホログラム作成装置は、前記複数の光源と、前記光ファイバと、前記ヘッドとの組み合わせを複数備える。
この構成により、ホログラム作成を高速に行うことが可能になる。
本発明のホログラム作成装置は、前記複数の光源が、赤色の光を出射する赤色光源と、緑色の光を出射する緑色光源と、青色の光を出射する青色光源とを含み、前記赤色光源、前記緑色光源、および前記青色光源に用いた半導体レーザが同一支持基板上に実装される。
この構成により、より小型化が可能になる。
本発明のホログラム作成装置は、前記赤色光源、前記緑色光源、および前記青色光源が同一パッケージ内に密封される。
この構成により、より小型化が可能になる。
本発明のホログラム作成装置は、前記赤色光源が、外部共振器型のDFB半導体レーザまたはDBR半導体レーザであり、前記緑色光源が、前記半導体レーザと波長変換素子を組み合わせた固体レーザであり、前記青色光源が、外部共振器型の半導体レーザである。
本発明によれば、小型化を実現することが可能なホログラム作成装置を提供することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
(第一実施形態)
図1は、本発明の第一実施形態を説明するためのホログラム作成装置の概略構成を示す斜視図である。図2は、図1に示したホログラム作成装置の一部切欠正面図である。図3は、図1に示したホログラム作成装置の側面図である。
図1は、本発明の第一実施形態を説明するためのホログラム作成装置の概略構成を示す斜視図である。図2は、図1に示したホログラム作成装置の一部切欠正面図である。図3は、図1に示したホログラム作成装置の側面図である。
これらの図に示したように、本実施形態のホログラム作成装置は、ホログラフィを利用して情報が記録されるシート状の記録媒体1(ホログラム作成用の記録媒体)を、図示しない供給部から図示しない排出部まで搬送するための3対の円柱形状の搬送ローラ2a,2b;3a,3b;4a,4bと、搬送ローラ2a,2bと搬送ローラ3a,3bとの間において、記録媒体1の下側となる位置に、搬送ローラ2a,2b;3a,3bの軸方向に平行に配置された板状のガイド部5と、記録媒体1を介してガイド部5に対向するように配置され、記録媒体1の一部に対して、記録媒体1に記録する干渉パターンの一部を形成する2つの記録用光束を照射して、干渉パターンの一部を記録するためのヘッド10とを備えている。
ホログラム作成装置は、更に、搬送ローラ3a,3bと搬送ローラ4a,4bとの間において、記録媒体1の上側となる位置に配置された円柱形状の紫外線ランプ6と、この紫外線ランプ6の下側に配置され、この紫外線ランプ6とによって記録媒体1を保持するための円柱形状のピンチローラ7と、これら紫外線ランプ6およびピンチローラ7と搬送ローラ4a,4bとの間において、記録媒体1の上側となる位置に配置された円柱形状のヒートローラ8と、このヒートローラ8とによって記録媒体1を保持するための円柱形状のピンチローラ9とを備えている。紫外線ランプ6は、記録媒体1に対して紫外線を照射するものであり、ヒートローラ8は、記録媒体1に対して熱を加えるものであり、これらは、本発明における定着手段に対応する。
ホログラム作成装置は、更に、ヘッド10の上方において、搬送ローラ2a,2b;3a,3bの軸方向に平行に配置された2本のガイドシャフト11a,11bと、このガイドシャフト11a,11bによってガイドされて、ガイドシャフト11a,11bに沿って移動可能な可動部12とを備えている。ヘッド10は、可動部12の下端面に接合され、可動部12と共に移動するようになっている。
ホログラム作成装置は、更に、可動部12を、ガイドシャフト11a,11bに沿って移動させるためのボイスコイルモータ(以下、VCMと記す。)13を備えている。このVCM13は、ガイドシャフト11a,11bの上方において、ガイドシャフト11a,11bに対して平行に配置されたVCMヨーク14と、このVCMヨーク14の上方においてVCMヨーク14に対して平行に所定の間隔を開けて配置され、且つ端部においてVCMヨーク14と連結されたVCMヨーク15と、このVCMヨーク15の下面に固定された板状のVCM用マグネット16と、VCMヨーク14の周囲においてVCMヨーク14の外周面に対して所定の間隔を開けて配置されたボイスコイル17とを有している。ボイスコイル17は、可動部12の上端面に接合されている。なお、図1では、VCMヨーク15およびVCM用マグネット16を省略している。このような構成のVCM13によって、ヘッド10が、ガイドシャフト11a,11bと平行に移動されるようになっている。
ホログラム作成装置は、更に、赤色(以下、Rと記す。)のコヒーレントなレーザ光を出射するR光源21Rと、緑色(以下、Gと記す。)のコヒーレントなレーザ光を出射するG光源21Gと、青色(以下、Bと記す。)のコヒーレントなレーザ光を出射するB光源21Bと、各光源21R,21G,21Bから出射されたレーザ光を、それぞれ平行光束にするコリメータレンズ22R,22G,22Bと、コリメータレンズ22Rを通過した光が入射するダイクロイックプリズム23Rと、コリメータレンズ22Gを通過した光が入射するダイクロイックプリズム23Gと、コリメータレンズ22Bを通過した光が入射するダイクロイックプリズム23Bとを備えている。
ダイクロイックプリズム23Gは、コリメータレンズ22Gを通過したGの光を反射するようになっている。ダイクロイックプリズム23Gで反射されたGの光は、ダイクロイックプリズム23Rに対して側方から入射するようになっている。ダイクロイックプリズム23Rは、コリメータレンズ22Rを通過したRの光を反射すると共に、ダイクロイックプリズム23G側からのGの光を透過させるようになっている。ダイクロイックプリズム23Rで反射されたRの光とダイクロイックプリズム23Rを透過したGの光は、いずれも、ダイクロイックプリズム23Bに対して側方から入射するようになっている。ダイクロイックプリズム23Bは、コリメータレンズ22Bを通過したBの光を反射すると共に、ダイクロイックプリズム23R側からのGの光およびRの光を透過させるようになっている。ダイクロイックプリズム23Bで反射されたBの光とダイクロイックプリズム23Bを透過したGの光およびRの光は、いずれも、ダイクロイックプリズム23Bから同一方向に出射するようになっている。ホログラム作成装置は、更に、ダイクロイックプリズム23BからのR,G,Bの各光を空間的に変調するための空間光変調器24と、この空間光変調器24を通過した光を反射して、ヘッド10に入射させる反射プリズム25とを備えている。
空間光変調器24は、格子状に配列された多数の画素を有し、各画素毎に出射光の偏光方向を選択することによって、偏光方向の違いによって光を空間的に変調することができるようになっている。空間光変調器24は、具体的には、例えば、液晶の旋光性を利用した液晶表示素子において偏光板を除いたものと同等の構成である。ここでは、空間光変調器24は、各画素毎に、オフにすると偏光方向を+90°回転させ、オンにすると偏光方向を回転させないようになっている。空間光変調器24における液晶としては、例えば、応答速度の速い(μ秒のオーダ)強誘電液晶を用いることができる。これにより、高速な記録が可能となる。
以下の説明では、光源21R,21G,21Bと、コリメータレンズ22R,22G,22Bと、ダイクロイックプリズム23R,23G,23Bと、空間光変調器24と、反射プリズム25とを含めたものを光源ユニット100とする。尚、光源ユニット100にはそれぞれ異なる色の光を出射する3つの光源が含まれているが、光源ユニット100には、それぞれ異なる色の光を出射する複数の光源が含まれていれば良い。
次に、図4を参照して、ヘッド10の構成について説明する。ヘッド10は、記録媒体1に対向するように配置された対物レンズ32と、この対物レンズ32を記録媒体1の厚み方向および搬送方向に移動可能なアクチュエータ33と、対物レンズ32における記録媒体1とは反対側に、対物レンズ32側から順に配設された2分割旋光板34、S偏光ホログラム35、ビームスプリッタ37、凸レンズ38、シリンドリカルレンズ39および4分割フォトディテクタ40を備えている。
ビームスプリッタ37は、対物レンズ32の光軸方向に対して45°傾けられて配置され、入射する光の光量の一部を反射し、光量の一部を透過させる半反射面37aを有している。図1における反射プリズム25側からの光は、ビームスプリッタ37に対して側方より入射し、光量の一部が半反射面37aで反射されて、S偏光ホログラム35に入射するようになっている。
S偏光ホログラム35は、S偏光に対してのみ、光を収束させるレンズ機能を有している。そして、ビームスプリッタ37側より平行光束のP偏光の光がS偏光ホログラム35に入射した場合には、この光は平行光束のままS偏光ホログラム35を通過し、対物レンズ32によって集光されて記録媒体1に照射され、収束しながら記録媒体1を通過して、記録媒体1の奥側で最も小径となるように収束するようになっている。一方、ビームスプリッタ37側より平行光束のS偏光の光がS偏光ホログラム35に入射した場合には、この光はS偏光ホログラム35によって若干収束された後、対物レンズ32によって集光されて記録媒体1に照射され、記録媒体1の手前側で一旦最も小径となるように収束した後、発散しながら記録媒体1を通過するようになっている。
なお、S偏光とは偏光方向が入射面(図4の紙面)に垂直な直線偏光であり、P偏光とは偏光方向が入射面に平行な直線偏光である。
2分割旋光板34は、図4において光軸の左側部分に配置された旋光板34Lと、図4において光軸の右側部分に配置された旋光板34Rとを有している。旋光板34Lは偏光方向を−45°回転させ、旋光板34Rは偏光方向を+45°回転させるようになっている。
ガイド部5の下端部には、ヘッド10の移動方向に沿って配列されたエンボスピット5aによって、トラッキングサーボを行うための情報とアドレス情報とが記録されている。対物レンズ32より、記録媒体1の奥側で最も小径となるように収束するように照射された光は、ガイド部5の下端部で反射され、エンボスピット5aによって変調された戻り光となって、対物レンズ32に入射するようになっている。
図5は、本実施形態のホログラム作成装置の回路構成を示すブロック図である。この図に示したように、ホログラム作成装置は、ヘッド10の出力信号よりフォーカスエラー信号FE、トラッキングエラー信号TEおよび再生信号RFを検出するための検出回路61と、この検出回路61によって検出されるフォーカスエラー信号FEに基づいて、ヘッド11内のアクチュエータ33を駆動して対物レンズ32を記録媒体1の厚み方向に移動させてフォーカスサーボを行うフォーカスサーボ回路62と、検出回路61によって検出されるトラッキングエラー信号TEに基づいてヘッド11内のアクチュエータ33を駆動して対物レンズ32を記録媒体1の搬送方向に移動させてトラッキングサーボを行うトラッキングサーボ回路63とを備えている。
ホログラム作成装置は、検出回路61からの再生信号RFより基本クロックを再生したりアドレスを判別したりする信号処理回路64と、ホログラム作成装置の全体を制御するコントローラ65とを備えている。コントローラ65は、信号処理回路64より出力される基本クロックやアドレス情報を入力すると共に、VCM13、R光源21R、G光源21G、B光源21B、空間光変調器24、搬送装置20、紫外線ランプ6およびヒートローラ8を制御するようになっている。なお、搬送装置20は、記録媒体1を、図示しない供給部から図示しない排出部まで搬送するため装置であり、搬送ローラ2a,2b;3a,3b;4a,4bを含む。
また、コントローラ65は、外部より3次元画像情報67を入力し、この3次元画像情報67に基づいて、記録時の情報光の変調パターンを計算する機能を有している。
ホログラム作成装置は、更に、コントローラ65に対して種々の指示を与える操作部66を備えている。コントローラ65は、CPU(中央処理装置)、ROM(リード・オンリ・メモリ)およびRAM(ランダム・アクセス・メモリ)を有し、CPUが、RAMを作業領域として、ROMに格納されたプログラムを実行することによって、コントローラ65の機能を実現するようになっている。
次に、本実施形態のホログラム作成装置の動作について説明する。
ホログラム作成装置では、まず、コントローラ65が、記録媒体1に対して再生用参照光が照射されたときに所望の3次元画像に対応した再生光を発生させるための3次元干渉パターンを計算する。次に、コントローラ65は、3次元干渉パターンを部分干渉パターンに分割する。本実施形態において、部分干渉パターンとは、3次元干渉パターンの一部であって、記録媒体1内においてヘッド10より照射される2つの記録用光束が重なり合う領域における3次元の干渉パターンを言う。なお、以下、2つの記録用光束の一方を記録時参照光と言い、他方を記録時情報光と言う。
ホログラム作成装置では、まず、コントローラ65が、記録媒体1に対して再生用参照光が照射されたときに所望の3次元画像に対応した再生光を発生させるための3次元干渉パターンを計算する。次に、コントローラ65は、3次元干渉パターンを部分干渉パターンに分割する。本実施形態において、部分干渉パターンとは、3次元干渉パターンの一部であって、記録媒体1内においてヘッド10より照射される2つの記録用光束が重なり合う領域における3次元の干渉パターンを言う。なお、以下、2つの記録用光束の一方を記録時参照光と言い、他方を記録時情報光と言う。
次に、コントローラ65は、各部分干渉パターンについて、記録時参照光および記録時情報光を計算する。
次に、コントローラ65は、記録時参照光および記録時情報光の計算結果に従って、所望の記録時参照光および記録時情報光が得られるような変調パターンを算出し、この変調パターンで、空間光変調器24を制御し、記録媒体1に対して、記録時参照光および記録時情報光を照射して、各部分干渉パターンを実際に記録媒体1に記録して、各部分干渉パターンに対応する部分的なホログラムを順次形成して、全体的なホログラムを作成する。
本実施形態では、R光源21R,G光源21G,B光源21Bの各々に半導体レーザを用いている。半導体レーザを用いることで光源の小型化を図ることができる。各光源は、DFB半導体レーザ、DBR半導体レーザ、分布反射型の半導体レーザ、分布帰還型の半導体レーザ、および外部共振器型の半導体レーザや、これらの半導体レーザと波長変換素子を組み合わせた固体レーザ等を採用することができる。
図6は、外部共振器型の半導体レーザの概略構成の一例を示す図である。
図6の51は半導体レーザ、52A・52Bは半導体レーザ51の端面、52Cは無反射コート、53A・53Bはコリメートレンズ、54はアイソレータ、56Aは集光レンズ、57は光ファイバ、58は受光器、59は回折格子、60はAPC回路、Sは回転ステージである。
図6の51は半導体レーザ、52A・52Bは半導体レーザ51の端面、52Cは無反射コート、53A・53Bはコリメートレンズ、54はアイソレータ、56Aは集光レンズ、57は光ファイバ、58は受光器、59は回折格子、60はAPC回路、Sは回転ステージである。
図6で、半導体レーザ51の無反射コート52Cが施されている端面52Aから出射された光は、コリメートレンズ53Aにより平行光となり回折格子59に入射する。半導体レーザ51は、たとえば650nmファブリペロー型半導体レーザを使用することができ、端面52Aに施される無反射コート52Cには、SiNxを使用することができる。
回折格子59に入射した平行光は、回折格子59の回折現象により所望の波長光のみをコリメートレンズ53Aを通し半導体レーザ51に再入射し、光ファイバ57に入射して外部共振器型の半導体レーザの出力光となる。回折格子59の回折効率は通常数十%であり、回折現象によりコリメートレンズ53A側に出射される以外の光は回折格子による散乱、吸収と回折格子表面での反射がある。
回折格子59の表面で反射した光は、回折格子59を反射鏡としたときと同様の特性を示す。そのため、回折格子59で反射した光を受光器58に入射し、受光器58の出力をAPC回路60に入力し、半導体レーザ51の駆動電流をAPC回路60で調整することにより、外部共振器型の半導体レーザの光出力を一定に保つことができる。
図7は、分布帰還型の半導体レーザの概略構成の一例を示す図である。
図7中、70はn−GaAs基板、71はn−In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5Pクラッド層、72はノンドープInGaP活性層、73はp−In0.5(Ga0.7Al0.3)0.5P光導波路層、74は回折格子、75はp−In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5クラッド層、76はn−GaAs電流阻止層、77はp−GaAsコンタクト層、78はn電極、79はp電極をそれぞれ示している。このレーザでは、ストライプ外でn−GaAs電流阻止層76が活性層72に近接して置かれており、このn−GaAs層は光吸収層として働くため、リッジ部とリッジ部外で複素屈折率の差が生じ、これにより水平方向の光閉じ込めが実現される。また、n−GaAs層は電流も阻止するので、低しきい値の特性が得られる。
図7中、70はn−GaAs基板、71はn−In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5Pクラッド層、72はノンドープInGaP活性層、73はp−In0.5(Ga0.7Al0.3)0.5P光導波路層、74は回折格子、75はp−In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5クラッド層、76はn−GaAs電流阻止層、77はp−GaAsコンタクト層、78はn電極、79はp電極をそれぞれ示している。このレーザでは、ストライプ外でn−GaAs電流阻止層76が活性層72に近接して置かれており、このn−GaAs層は光吸収層として働くため、リッジ部とリッジ部外で複素屈折率の差が生じ、これにより水平方向の光閉じ込めが実現される。また、n−GaAs層は電流も阻止するので、低しきい値の特性が得られる。
図8(a)〜(h)は、図7に示す分布帰還型の半導体レーザの製造工程を示す断面図である。
まず、原料としてメタル系III族有機金属(トリメチルインジウム、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム)と、V族水素化物(アルシン、ホスフィン)とを使用した大気圧未満の圧力下でのMOVD法により、(a)に示す如く面方位(100)のn−GaAs基板70(Siドープ、3×1018cm-3)上に厚さ0.8μmのn−In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P層クラッド層71(Siドープ、4×1017cm-3)、厚さ0.06μmのIn0.5Ga0.5P型活性層72、厚さ0.15μmのp−In0.5(Ga0.7Al0.3)0.5P光導波路層73(Znドープ、4×1017cm-3)を連続成長させた。続いて、二光束干渉露光装置を用いて(b)に示す如くホトレジスト上に1920Åの周期を有する回折格子74を形成した。次いで、(c)に示す如くホトレジストをマスクとして、化学エッチングにより光導波路層上に回折格子74を転写する。次いで、上記MOCVD法により、(d)に示す如く厚さ0.8μmのp−In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5Pクラッド層75(Znドープ、4×1017cm-3)を成長した。次いで、(e)に示す如く、幅5μmのストライプ状にSiO2膜81を形成した。次いで、(f)に示す如くSiO2膜81をマスクとして用い、化学エッチングによりp−クラッド層75を回折格子が露出するまでエッチングし、幅3μmのストライプ状のリッジを形成した。次いで、トリメチルガリウムとアルシンを原料とした減圧MOCVD法により、(g)に示す如くn−GaAs電流阻止層76(Siドープ、5×1018cm-3)を厚さ0.5μm成長した。次いで、SiO2膜81を除去した後、(h)に示す如くMOCVD法により全面にp−GaAsコンタクト層77(Znドープ、5×1018cm-3)を厚さ3μm成長した。その後、通常の電極工程により、コンタクト層77上にp型電極を基板70の下面にn電極を被着することによって、図7に示す構造のレーザ用ウェハが作成される。
まず、原料としてメタル系III族有機金属(トリメチルインジウム、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム)と、V族水素化物(アルシン、ホスフィン)とを使用した大気圧未満の圧力下でのMOVD法により、(a)に示す如く面方位(100)のn−GaAs基板70(Siドープ、3×1018cm-3)上に厚さ0.8μmのn−In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P層クラッド層71(Siドープ、4×1017cm-3)、厚さ0.06μmのIn0.5Ga0.5P型活性層72、厚さ0.15μmのp−In0.5(Ga0.7Al0.3)0.5P光導波路層73(Znドープ、4×1017cm-3)を連続成長させた。続いて、二光束干渉露光装置を用いて(b)に示す如くホトレジスト上に1920Åの周期を有する回折格子74を形成した。次いで、(c)に示す如くホトレジストをマスクとして、化学エッチングにより光導波路層上に回折格子74を転写する。次いで、上記MOCVD法により、(d)に示す如く厚さ0.8μmのp−In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5Pクラッド層75(Znドープ、4×1017cm-3)を成長した。次いで、(e)に示す如く、幅5μmのストライプ状にSiO2膜81を形成した。次いで、(f)に示す如くSiO2膜81をマスクとして用い、化学エッチングによりp−クラッド層75を回折格子が露出するまでエッチングし、幅3μmのストライプ状のリッジを形成した。次いで、トリメチルガリウムとアルシンを原料とした減圧MOCVD法により、(g)に示す如くn−GaAs電流阻止層76(Siドープ、5×1018cm-3)を厚さ0.5μm成長した。次いで、SiO2膜81を除去した後、(h)に示す如くMOCVD法により全面にp−GaAsコンタクト層77(Znドープ、5×1018cm-3)を厚さ3μm成長した。その後、通常の電極工程により、コンタクト層77上にp型電極を基板70の下面にn電極を被着することによって、図7に示す構造のレーザ用ウェハが作成される。
図9は、固体レーザの概略構成の一例を示す図である。
図9に示す固体レーザは、Siサブマウント91上に搭載された二電極半導体レーザ92と、光導波路型のSHG(Second harmonic generation)デバイス(波長変換素子)93から構成された、短波長光源である。二電極半導体レーザ92は、活性領域94と位相調整領域95を有する。SHGデバイス93は、光導波路96を有するとともに、二電極半導体レーザ92に面した側にDBR領域97が設けられている。
図9に示す固体レーザは、Siサブマウント91上に搭載された二電極半導体レーザ92と、光導波路型のSHG(Second harmonic generation)デバイス(波長変換素子)93から構成された、短波長光源である。二電極半導体レーザ92は、活性領域94と位相調整領域95を有する。SHGデバイス93は、光導波路96を有するとともに、二電極半導体レーザ92に面した側にDBR領域97が設けられている。
二電極半導体レーザ92は、Siサブマウント91上にFace−downで固定されている。SHGデバイス93は、光導波路96面をSiサブマウント91に対向させて紫外線硬化剤で固定されている。二電極半導体レーザ92の活性層98とSHGデバイス93の光導波路96の光軸が一致するように、二電極半導体レーザ92の出射端面とSHGデバイス93の入射端面は対向し、両端面の距離は、実質的に互いに当接する、例えば1μm程度に設定されている。また、DBR領域97の入射端は、SHGデバイス93の入射端面と一致している。従って、DBR領域97の入射端が半導体レーザ92の出射端面と実質的に隣接している。
次に、二電極半導体レーザ92について、図10(a)を参照して具体的に説明する。この二電極半導体レーザ92は、n−GaAs基板99上に形成された、活性層98を含むAlGaAs系のダブルへテロ構造が、共振器方向に活性領域94と位相調整領域95に分割された構造を有する。基板91の下面にn側電極90aが形成され、ダブルへテロ構造の上部には、活性領域94と位相調整領域95とに分割されたp側電極90bが形成されている。位相調整領域95の活性層98は無秩序化されている。したがって、電極90a、90bから電流Ip、Iphを注入することにより、活性領域94の活性層98は発光するが、位相調整領域95の活性層98は発光せず、屈折率のみが変化する。図10(a)は、活性領域94側の端面からレーザ光を取り出す構造であるが、図10(b)に示すように、位相調整領域95側の端面からレーザ光を取り出す構造としてもよい。
次に、光導波路型SHGデバイス93について、図11を参照して説明する。111は基板であり、例えば、Mgが5mol%ドープされた1.5度オフカットMgO:LiNbO3を用いることができる。基板111の上面に、周期的分極反転領域112と、それに直行する光導波路96が形成されている。周期的分極反転領域112は、光導波路96の形成された全域に形成されている。光導波路96の一端部のDBR領域97には、レジストパターンにより形成されたDBRグレーティング113が設けられている。DBRグレーティング113を覆って、屈折率の大きなTa2O5膜114が光導波路96上に形成され、さらにその上に、薄膜ヒーター115が形成されている。
周期的分極反転領域112は、周知のどのような方法を用いて形成してもよい。例えば基板111の+x面に櫛形電極と平行電極を形成し、櫛形電極(周期:2.8μm)をGNDとし、平行電極にマイナス電界(5kV、25msec)を印加する方法により形成することができる。光導波路96の形成方法としては、プロトン交換、イオン拡散、およびリッジ加工による方法がある。プロトン交換を用いる場合は、ピロリン酸中でのプロトン交換により、LiとHを交換し、屈折率を上昇させることで光導波路96を形成する。周期的分極反転領域112に基づく擬似位相整合条件が満足され、基本波の波長が位相整合波長に一致すると、高効率の波長変換が実現される。
SHGデバイス93の端面は、二電極半導体レーザ92の光の波長に対して無反射コートが施されている方が望ましい。何故なら、LiNbO3基板は屈折率が2.16であるため、その反射率は14%程度となるからである。したがって、反射を低減させないと、DBRグレーティング113からの反射と重なってしまい、その波長選択性を劣化させるからである。以上の構成により、分布反転の周期を変えることで、基本波の2倍波である450nmから600nm程度の発振が可能となる。
図12は、固体レーザの概略構成の別の例を示す図である。
図12に示す固体レーザ光源は、ペルチェ素子128上に、半導体レーザ121と、集光レンズ122と、フラットミラー123と、レーザ結晶124と、波長変換素子125と、エタロン126と、凹面ミラー127とをこの順に並べて設けた構成である。この固体レーザは、例えば、半導体レーザ121からのレーザ光でレーザ結晶124であるNd:YAGを励起して波長946nmの基本波をレーザ発振させ、波長変換素子125であるPPMGLM(Preodically Poled MgO-LiNbO3)によってこの波長を変換することで、波長473nmの青色レーザ光を出射させることができる。また、半導体レーザ121からのレーザ光でレーザ結晶124であるNd:YVO4を励起して波長1064nmの基本波をレーザ発振させ、波長変換素子125であるPPMGLM(Preodically Poled MgO-LiNbO3)によってこの波長を変換することで、波長532nmの緑色レーザ光を出射させることができる。
図12に示す固体レーザ光源は、ペルチェ素子128上に、半導体レーザ121と、集光レンズ122と、フラットミラー123と、レーザ結晶124と、波長変換素子125と、エタロン126と、凹面ミラー127とをこの順に並べて設けた構成である。この固体レーザは、例えば、半導体レーザ121からのレーザ光でレーザ結晶124であるNd:YAGを励起して波長946nmの基本波をレーザ発振させ、波長変換素子125であるPPMGLM(Preodically Poled MgO-LiNbO3)によってこの波長を変換することで、波長473nmの青色レーザ光を出射させることができる。また、半導体レーザ121からのレーザ光でレーザ結晶124であるNd:YVO4を励起して波長1064nmの基本波をレーザ発振させ、波長変換素子125であるPPMGLM(Preodically Poled MgO-LiNbO3)によってこの波長を変換することで、波長532nmの緑色レーザ光を出射させることができる。
この固体レーザでは、レーザ結晶124の前面のフラットミラー123と凹面ミラー127とにより、基本波に対するファブリペロレーザ共振器が形成されるため、共振器長を10mmとし、共振器内にエタロン126を挿入することで、完全な縦単一モード動作を容易にし、安定かつ低ノイズ特性を実現することができる。また、波長変換素子125としてPPMGLMを用いたことで、半導体レーザ121と波長変換素子125の同時温調が可能となる。また、同一ペルチェ素子上に半導体レーザ121と波長変換素子125を含む固体レーザ共振器を配置した構造にすることで、光源装置のより一層の小型化を実現することができる。
各光源には、例えば以下のようなものを用いることができる。
R光源21R:DFB半導体レーザ、DBR半導体レーザ、GaAs基板上に形成されたInGaPまたはInGaAIP量子井戸を活性層とする外部共振器型、分布帰還型、または分布反射型の半導体レーザ(出射される光の波長=600〜680nm)。
G光源21G:ZnSe基上に形成したZnCdSeを活性層とする外部共振器型、分布帰還型、または分布反射型半導体レーザ、InGaAsを活性層とする分布反射型の半導体レーザ、半導体レーザと波長変換素子(図9で説明した導波路型SHGまたは図12で説明したPPMGLM)を組み合わせた固体レーザ。
B光源21B:GaN基板上に形成したInGaNを活性層とする外部共振器型、分布帰還型、または分布反射型の半導体レーザ、半導体レーザと波長変換素子(図9で説明した導波路型SHGまたは図12で説明したPPMGLM)を組み合わせた固体レーザ。
R光源21R:DFB半導体レーザ、DBR半導体レーザ、GaAs基板上に形成されたInGaPまたはInGaAIP量子井戸を活性層とする外部共振器型、分布帰還型、または分布反射型の半導体レーザ(出射される光の波長=600〜680nm)。
G光源21G:ZnSe基上に形成したZnCdSeを活性層とする外部共振器型、分布帰還型、または分布反射型半導体レーザ、InGaAsを活性層とする分布反射型の半導体レーザ、半導体レーザと波長変換素子(図9で説明した導波路型SHGまたは図12で説明したPPMGLM)を組み合わせた固体レーザ。
B光源21B:GaN基板上に形成したInGaNを活性層とする外部共振器型、分布帰還型、または分布反射型の半導体レーザ、半導体レーザと波長変換素子(図9で説明した導波路型SHGまたは図12で説明したPPMGLM)を組み合わせた固体レーザ。
R光源21R、G光源21G、及びB光源21Bのそれぞれに用いる半導体レーザは、温調制御されていることが好ましい。
特に好適な組み合わせは以下のとおりである。
R光源21R:外部共振器型のDFB半導体レーザまたはDBR半導体レーザ。
G光源21G:外部共振型の半導体レーザと導波路型波長変換素子を組み合わせた固体レーザ。
B光源21B:外部共振器型の半導体レーザ。
R光源21R:外部共振器型のDFB半導体レーザまたはDBR半導体レーザ。
G光源21G:外部共振型の半導体レーザと導波路型波長変換素子を組み合わせた固体レーザ。
B光源21B:外部共振器型の半導体レーザ。
また、各光源に含まれる半導体レーザや固体レーザを、全て同一支持基板上に実装した上で、R光源21R、G光源21G、及びB光源21Bを光取り出し部に透明なガラス窓を有する同一パッケージ内に密封することで、光源ユニットの小型化を実現することができる。
光源ユニット100の具体的構成例を図13を参照して説明する。
図13は、光源ユニットの具体的構成例を示す図である。図13において図1と同様の構成には同一符号を付してある。
図13に示すように、R光源21Rは、DFBまたはDBR半導体レーザ202と、その後方に設けられた光検出器203とを備え、光検出器203で検出したレーザ光に基づいてDFBまたはDBR半導体レーザ202の光出力制御が行われる。B光源21Bは、外部共振器型の半導体レーザ201と、その後方に設けられた集光レンズ209、回折格子210、および光検出器211とを備え、光検出器211で検出したレーザ光に基づいて半導体レーザ201の光出力制御が行われる。G光源21Gは、導波路型SHG素子204と外部共振器型の半導体レーザ205を組み合わせた固体レーザと、その後方に設けられた集光レンズ206、回折格子207、および光検出器208とを備え、光検出器208で検出したレーザ光に基づいて半導体レーザ205の光出力制御が行われる。
図13は、光源ユニットの具体的構成例を示す図である。図13において図1と同様の構成には同一符号を付してある。
図13に示すように、R光源21Rは、DFBまたはDBR半導体レーザ202と、その後方に設けられた光検出器203とを備え、光検出器203で検出したレーザ光に基づいてDFBまたはDBR半導体レーザ202の光出力制御が行われる。B光源21Bは、外部共振器型の半導体レーザ201と、その後方に設けられた集光レンズ209、回折格子210、および光検出器211とを備え、光検出器211で検出したレーザ光に基づいて半導体レーザ201の光出力制御が行われる。G光源21Gは、導波路型SHG素子204と外部共振器型の半導体レーザ205を組み合わせた固体レーザと、その後方に設けられた集光レンズ206、回折格子207、および光検出器208とを備え、光検出器208で検出したレーザ光に基づいて半導体レーザ205の光出力制御が行われる。
R光源21Rから出射されコリメータレンズ22Rで平行光化された光はアイソレータ141を通過した後、ダイクロイックプリズム23Rに入射する。B光源21Bから出射されコリメータレンズ22Bで平行光化された光はアイソレータ140を通過した後、ダイクロイックプリズム23Bに入射する。G光源21Gから出射されコリメータレンズ22Gで平行光化された光はアイソレータ142を通過した後、ダイクロイックプリズム23Gに入射する。
(第二実施形態)
図14は、本発明の第二実施形態を説明するためのホログラム作成装置の概略構成を示す斜視図である。図15は、図14に示すホログラム作成装置のヘッドとその周辺の概略構成を示す図である。図14,図15において、図1,図4と同様の構成には同一符号を付してある。
図14に示すホログラム作成装置は、第一実施形態のホログラム作成装置に、反射プリズム25からの光を集光する集光レンズ130と、集光レンズ130によって集光された光が入射する光ファイバ131と、光ファイバ131から出射された光の偏波面を一定に保つための偏向板132と、偏波面が一定となった光を平行光化するコリメータレンズ133とを追加した構成である。偏向板132およびコリメータレンズ133は、例えばヘッド10内に配置される。集光レンズ130は、例えば光源ユニット100内に配置される。尚、光ファイバ131として偏波保持光ファイバを用いた場合、偏向板132は不要である。
図14は、本発明の第二実施形態を説明するためのホログラム作成装置の概略構成を示す斜視図である。図15は、図14に示すホログラム作成装置のヘッドとその周辺の概略構成を示す図である。図14,図15において、図1,図4と同様の構成には同一符号を付してある。
図14に示すホログラム作成装置は、第一実施形態のホログラム作成装置に、反射プリズム25からの光を集光する集光レンズ130と、集光レンズ130によって集光された光が入射する光ファイバ131と、光ファイバ131から出射された光の偏波面を一定に保つための偏向板132と、偏波面が一定となった光を平行光化するコリメータレンズ133とを追加した構成である。偏向板132およびコリメータレンズ133は、例えばヘッド10内に配置される。集光レンズ130は、例えば光源ユニット100内に配置される。尚、光ファイバ131として偏波保持光ファイバを用いた場合、偏向板132は不要である。
本実施形態のホログラム作成装置は、光源ユニット100から出射された光(各光源から出射された光と同義)を光ファイバ131により伝送してヘッド10に入射させる構成である。このため、光源ユニット100とヘッド10との位置関係を自由に設定することができ、設計自由度が向上する。また、図16に示すように、光源ユニット100と、光ファイバ131と、ヘッド10をそれぞれ複数備え、1つの光源ユニット100から出射された光は、その光源ユニット100に対応する光ファイバ131によって伝送され、その光源ユニット100に対応するヘッド10に入射させるような構成にすることが可能である。図16のような構成(光源ユニット100と、光ファイバ131と、ヘッド10との組み合わせを複数設けた構成)にし、複数のヘッド10をまとめて搬送方向と直交方向に走査することで、ホログラム作成を高速に行うことが可能となる。尚、図16では、コリメータレンズ130の図示を省略している。
尚、以上で説明した光源ユニット100に含まれる各光源は、第一および第二実施形態で説明したホログラム作成装置に限らず、公知の様々なホログラム作成装置の光源に適用することが可能である。また、第一実施形態で説明したホログラム作成装置の具体的構成や具体的動作については、特許文献1に詳述されているので、これを参照されたい。
また、図14において、光源ユニット100内に空間光変調器24と反射プリズム25を設けず、ダイクロイックプリズム23Bの前面に集光レンズ130を設け、この集光レンズ130で集光した光を光ファイバ131に入射させて伝送する構成とし、ヘッド10内のコリメータレンズ133とビームスプリッタ37の間に、空間光変調器24を設けた構成としても良い。
1 記録媒体
13 ヘッド
100 光源ユニット
21R,21G,21B 光源
22R,22G,22B コリメータレンズ
23R,23G,23B ダイクロイックミラー
24 空間光変調器
25 反射プリズム
13 ヘッド
100 光源ユニット
21R,21G,21B 光源
22R,22G,22B コリメータレンズ
23R,23G,23B ダイクロイックミラー
24 空間光変調器
25 反射プリズム
Claims (6)
- ホログラムを作成するためのホログラム作成装置であって、
ホログラム作成用の記録媒体に照射するための、それぞれ異なる色の光を出射する複数の光源を備え、
前記複数の光源の各々に半導体レーザを用いたホログラム作成装置。 - 請求項1記載のホログラム作成装置であって、
前記複数の光源から出射された光を伝送する光ファイバと、
前記光ファイバによって伝送されてきた光を前記記録媒体に照射するためのヘッドとを備えるホログラム作成装置。 - 請求項2記載のホログラム作成装置であって、
前記複数の光源と、前記光ファイバと、前記ヘッドとの組み合わせを複数備えるホログラム作成装置。 - 請求項1〜3のいずれか記載のホログラム作成装置であって、
前記複数の光源は、赤色の光を出射する赤色光源と、緑色の光を出射する緑色光源と、青色の光を出射する青色光源とを含み、
前記赤色光源、前記緑色光源、および前記青色光源に用いた半導体レーザが同一支持基板上に実装されるホログラム作成装置。 - 請求項4記載のホログラム作成装置であって、
前記赤色光源、前記緑色光源、および前記青色光源が同一パッケージ内に密封されているホログラム作成装置。 - 請求項4又は5記載のホログラム作成装置であって、
前記赤色光源が、外部共振器型のDFB半導体レーザまたはDBR半導体レーザであり、
前記緑色光源が、前記半導体レーザと波長変換素子を組み合わせた固体レーザであり、
前記青色光源が、外部共振器型の半導体レーザであるホログラム作成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005044148A JP2006227507A (ja) | 2005-02-21 | 2005-02-21 | ホログラム作成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2005044148A JP2006227507A (ja) | 2005-02-21 | 2005-02-21 | ホログラム作成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2006227507A true JP2006227507A (ja) | 2006-08-31 |
Family
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JP2005044148A Pending JP2006227507A (ja) | 2005-02-21 | 2005-02-21 | ホログラム作成装置 |
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JP (1) | JP2006227507A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013008440A (ja) * | 2011-06-23 | 2013-01-10 | Seagate Technology Llc | 垂直共振器面発光レーザ、導波路、および結合器を備える装置、垂直共振器面発光レーザ、導波路、結合器、および反射器を備える装置、ならびに記憶媒体、記録ヘッド、およびアームを備える装置 |
-
2005
- 2005-02-21 JP JP2005044148A patent/JP2006227507A/ja active Pending
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20061124 |