JP2006226946A - 半導体装置および半導体試験装置の検証方法 - Google Patents
半導体装置および半導体試験装置の検証方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006226946A JP2006226946A JP2005043771A JP2005043771A JP2006226946A JP 2006226946 A JP2006226946 A JP 2006226946A JP 2005043771 A JP2005043771 A JP 2005043771A JP 2005043771 A JP2005043771 A JP 2005043771A JP 2006226946 A JP2006226946 A JP 2006226946A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- elements
- state
- spare
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
【課題】 半導体装置を試験する半導体試験装置を検証するための半導体装置において、素子を物理的に破壊せずに電気的に不良素子を設け半導体試験装置の検証後スペア領域の素子をスペア素子として使用することができるようにする。
【解決手段】 素子領域2には複数の素子が形成され、スペア領域3には素子領域2の素子と切替えられる素子が形成されている。切替え回路4は素子領域2の一部の素子をスペア領域3の素子に切替える。状態設定回路5はスペア領域3の素子の状態を元の状態に戻すことができるように電気的に所定の状態に設定し、不良素子を発生させる。半導体試験装置の検証を行うときは素子領域2の素子をスペア領域3の素子に切替え、スペア領域3の素子を電気的に所定の状態にし、故意に不良素子を発生させる。そして意図する位置で不良素子が検出されたかによって半導体試験装置の検証を行う。検証が終了するとスペア領域3の素子を元の状態に戻す。
【選択図】 図1
【解決手段】 素子領域2には複数の素子が形成され、スペア領域3には素子領域2の素子と切替えられる素子が形成されている。切替え回路4は素子領域2の一部の素子をスペア領域3の素子に切替える。状態設定回路5はスペア領域3の素子の状態を元の状態に戻すことができるように電気的に所定の状態に設定し、不良素子を発生させる。半導体試験装置の検証を行うときは素子領域2の素子をスペア領域3の素子に切替え、スペア領域3の素子を電気的に所定の状態にし、故意に不良素子を発生させる。そして意図する位置で不良素子が検出されたかによって半導体試験装置の検証を行う。検証が終了するとスペア領域3の素子を元の状態に戻す。
【選択図】 図1
Description
本発明は半導体装置および半導体試験装置の検証方法に関し、特に半導体装置を試験する半導体試験装置を検証するための半導体装置および半導体装置を試験する半導体試験装置を検証する半導体試験装置の検証方法に関する。
メモリなどの半導体装置の素子は、常に設計通りに製造されるとは限らず、製造上のプロセスの種々の要因に影響されて、一部に不良が生じることがある。そこで、半導体装置の動作や不良を解析するテストプログラム(例えば、フェイルビットマッププログラム)がある。
従来、このテストプログラムの検証は、物理位置と論理位置がわかっており、かつ、正常動作が確認されている素子を、レーザやFIB(Focused Ion Beam)等で物理的に破壊する。そして、テストプログラムによる破壊後の半導体装置の解析結果が、実際に破壊した素子と一致するか否かを確認することにより動作検証していた。
図10は、テストプログラムの検証を説明する図である。図には、複数のメモリセルが形成された実チップ101、メモリセルの不良データを取得するデータ取得装置102、取得された不良データを処理するデータ処理装置103、およびデータ処理装置103の表示画面103aが示してある。
テストプログラムを検証するのに、まず、実チップ101の特定位置のメモリセルをレーザによって故意に破壊する(故意に不良を発生させる)。なお、実チップ101のセルの物理位置と論理位置は既知であるとする。
データ取得装置102は、実チップ101の不良メモリセルのデータを取得する。データ処理装置103は、データ取得装置102で取得されたデータを処理し、不良メモリセルの箇所を表示画面103aに示すように表示する。
実チップ101は、特定位置のメモリセルをレーザによって故意に破壊しているので、不良メモリセルの位置はわかっている。その不良メモリセルが、表示画面103aで正しい位置に表示されれば、テストプログラムは適正であると検証することができる。
ところで、現在、半導体装置の配線の多層化、素子の微細化が進み、ウェハプロセス終了後に特定の素子のみを破壊することは困難となってきている。
図11は、チップ上の配線レイアウトを示した図である。図にはチップ(メモリセル)111および配線レイアウト112が示してある。図に示すように配線レイアウト112は高密度化し、特定のメモリセルを配線や他のメモリセルに影響を与えずにレーザで破壊することは困難である。
図11は、チップ上の配線レイアウトを示した図である。図にはチップ(メモリセル)111および配線レイアウト112が示してある。図に示すように配線レイアウト112は高密度化し、特定のメモリセルを配線や他のメモリセルに影響を与えずにレーザで破壊することは困難である。
なお、スペア領域の所定の素子に不良を故意に設け、外部からの指示に応じて、複数の素子とスペア領域の素子とを切替える半導体試験装置の検証方法がある(例えば、特許文献1参照。)。この半導体試験装置の検証方法では、スペア領域の素子をレーザで破壊し、複数の素子と切替えることによって、他の素子に影響を与えずに特定の素子を破壊することができる。
特開2003−132695号公報
しかし、上記の特許文献1では、不良素子を設けるためにスペア領域の素子を物理的に破壊するため、半導体試験装置の検証後、半導体装置のスペア領域の素子を使用することができないという問題点があった。
また、レーザ等で半導体装置に不良素子を形成することなく、容易に半導体試験装置の検証を行えることが望まれていた。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、半導体試験装置の検証後、スペア領域の素子を使用することができる半導体装置および半導体試験装置の検証方法を提供することを目的とする。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、半導体試験装置の検証後、スペア領域の素子を使用することができる半導体装置および半導体試験装置の検証方法を提供することを目的とする。
また本発明では、設計時に不良素子を故意に設計し、レーザ等で半導体装置に不良素子を形成することなく、容易に半導体試験装置の検証をすることができる半導体装置および半導体試験装置の検証方法を提供することを目的とする。
本発明では上記問題を解決するために、図1に示すような半導体装置を試験する半導体試験装置を検証するための半導体装置1において、複数の素子が形成された素子領域2と、素子領域2の素子と切替えられる素子が形成されたスペア領域3と、素子領域2の一部の素子をスペア領域3の素子に切替える切替え回路4と、スペア領域3の素子を、電気的に所定の状態に設定する状態設定回路5と、を有することを特徴とする半導体装置1が提供される。
このような半導体装置1によれば、状態設定回路5によって、スペア領域3の素子の状態を、電気的に所定の状態に設定し、不良素子を発生させる。状態設定回路による所定の状態設定を解除させることにより、素子領域2の素子とスペア領域3の素子を切替えて半導体試験装置の検証を行った後、スペア領域3の素子の状態を元の状態に戻すことができる。
また、本発明では上記問題を解決するために、半導体装置を試験する半導体試験装置を検証する半導体試験装置の検証方法において、複数の素子が形成された素子領域と、素子領域の素子と切替えられる素子が形成されたスペア領域と、素子領域の一部の素子をスペア領域の素子に切替える切替え回路と、スペア領域の素子を、電気的に所定の状態に設定する状態設定回路と、を有する半導体装置の素子領域の一部の素子をスペア領域の素子に切替え、状態設定回路によって、スペア領域の素子を所定の状態にして不良素子を発生させ、半導体装置の不良素子の情報を取得する、ことを特徴とする半導体試験装置の検証方法が提供される。
このような半導体試験装置の検証方法によれば、半導体装置を、状態設定回路によって、スペア領域の素子の状態を電気的に所定の状態に設定して半導体試験装置の検証を行う。これにより、半導体試験装置の検証を行った後、スペア領域の素子の状態を元の状態に戻すことができる。
また本発明では上記課題を解決するために、半導体装置を試験する半導体試験装置を検証するための半導体装置において、複数の素子が形成された素子領域と、設計時において一部が不良となるように設計された素子を含む、素子領域の素子と切替えられる素子が形成されたスペア領域と、素子領域の一部の素子をスペア領域の素子に切替える切替え回路と、を有することを特徴とする半導体装置が提供される。
このような半導体装置によれば、スペア領域の素子の一部が、設計時において不良となるように設計される。これにより、レーザ等で不良素子を形成することなく、素子領域の素子とスペア領域の素子を切替えることによって、半導体試験装置の検証を行うことができる。
さらに本発明では上記課題を解決するために、半導体装置を試験する半導体試験装置を検証する半導体試験装置の検証方法において、複数の素子が形成された素子領域と、設計時において一部が不良となるように設計された素子を含む、素子領域の素子と切替えられる素子が形成されたスペア領域と、素子領域の一部の素子をスペア領域の素子に切替える切替え回路と、を有する半導体装置の素子領域の一部の素子をスペア領域の素子に切替え、半導体装置の不良素子の情報を取得する、ことを特徴とする半導体試験装置の検証方法が提供される。
このような半導体試験装置の検証方法によれば、スペア領域の素子の一部が、設計時において不良となるように設計された半導体装置の、素子領域の素子とスペア領域の素子を切替えて半導体装置の検証を行う。これにより、レーザ等で不良素子を形成することなく、素子領域の素子とスペア領域の素子を切替えることによって、半導体試験装置の検証を行うことができる。
本発明の半導体装置では、スペア領域の素子の状態を、電気的に所定の状態に設定し、不良素子を発生させるようにした。これによって、素子領域の素子とスペア領域の素子を切替えて半導体試験装置の検証を行った後、スペア領域の素子の状態を元の状態に戻すことができ、スペア領域の素子を使用することができる。
また、本発明の半導体試験装置の検証方法によれば、半導体装置を、スペア領域の素子の状態を、電気的に所定の状態に設定し、半導体試験装置の検証を行うようにした。これにより、半導体試験装置の検証を行った後、スペア領域の素子の状態を元の状態に戻すことができ、スペア領域の素子を使用することができる。
また、本発明の半導体装置によれば、スペア領域の素子の一部が、設計時において不良となるように設計される。これにより、レーザ等で不良素子を形成することなく、素子領域の素子とスペア領域の素子を切替えることによって、半導体試験装置の検証を容易に行うことができる。
さらに、本発明の半導体試験装置の検証方法によれば、スペア領域の素子の一部が、設計時において不良となるように設計された半導体装置の、素子領域の素子とスペア領域の素子を切替えて半導体試験装置の検証を行うようにした。これにより、レーザ等で不良素子を形成することなく、素子領域の素子とスペア領域の素子を切替えることによって、半導体試験装置の検証を容易に行うことができる。
以下、本発明の原理を、図面を参照して詳細に説明する。
図1は、半導体装置の概要を示した図である。図に示す半導体装置1は、半導体試験装置を検証するための半導体装置である。半導体装置1は、素子領域2、スペア領域3、切替え回路4、および状態設定回路5を有している。
図1は、半導体装置の概要を示した図である。図に示す半導体装置1は、半導体試験装置を検証するための半導体装置である。半導体装置1は、素子領域2、スペア領域3、切替え回路4、および状態設定回路5を有している。
素子領域2には、複数の素子が形成されている。スペア領域3には、素子領域2の素子と切替えられるスペアの素子が形成されている。素子領域2およびスペア領域3に形成されている素子は、例えば、メモリセルである。切替え回路4は、素子切替え信号S1に応じて、素子領域2の一部の素子を、スペア領域3の素子に切替える。状態設定回路5は、スペア領域3の特定の素子を、元の状態に戻すことができるように電気的に所定の状態に設定し、不良素子を発生させる。例えば、スペア領域3の特定の素子を電源またはグランドに接続してH状態またはL状態にし、不良素子を発生させる。状態設定回路5は、外部からの設定制御信号S2に応じて、スペア領域3の、特定の素子の状態を所定の状態にする。
半導体試験装置の検証を行うには、まず、切替え回路4に素子切替え信号S1を入力し、素子領域2とスペア領域3のメモリセルを切替える。そして、状態設定回路5に外部から設定制御信号S2を入力して、スペア領域3のメモリセルを所定の状態にし、故意にH状態またはL状態に固定された不良素子を発生させる。この状態で、半導体装置1を半導体試験装置にかける。
半導体試験装置は、半導体装置1の素子領域2の不良素子を検出する。検出された不良素子の位置が、意図する位置で検出された場合、半導体試験装置は、適正に動作していると検証できる。また、意図する位置で検出されない場合、半導体試験装置は、適正に動作していないと検証できる。そして、半導体試験装置の検証が終了すると、設定制御信号S2の半導体装置1への入力を止め、電気的に所定の状態にしていたスペア領域3のメモリセルを元の状態に戻す。
このように、スペア領域3の素子の状態を、元の状態に戻すことができるように電気的に所定の状態に設定し、不良素子を発生させるようにした。これによって、素子領域2の素子とスペア領域3の素子を切替えて半導体試験装置の検証を行った後、スペア領域3の素子の状態を元の状態に戻すことができ、スペア領域3の素子を使用することができる。
次に、本発明の第1の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
図2は、第1の実施の形態に係る半導体装置のブロック構成図である。図に示す半導体装置10は、例えば、RAM(Random Access Memory)などの記憶装置であり、メモリセルアレイ11、スペア領域12、制御回路13、および状態設定回路14を有している。
図2は、第1の実施の形態に係る半導体装置のブロック構成図である。図に示す半導体装置10は、例えば、RAM(Random Access Memory)などの記憶装置であり、メモリセルアレイ11、スペア領域12、制御回路13、および状態設定回路14を有している。
メモリセルアレイ11には、複数のメモリセルが形成されている。スペア領域12には、メモリセルアレイ11の不良メモリセルを救済するための冗長メモリセルが形成されている。
制御回路13は、メモリセルアレイ11の一部のメモリセルを、スペア領域12のメモリセルと切替える。メモリセルアレイ11に不良メモリセルが発生した場合、スペア領域12のメモリセルと切替えることによって、メモリセルアレイ11を救済することができる。
制御回路13には、切替え信号S11が入力され、この切替え信号S11に応じて、メモリセルアレイ11の特定のメモリセルを、スペア領域12のメモリセルに切替える。制御回路13は、例えば、図示していないが、ヒューズ群を有した回路と接続され、この回路のヒューズを溶断することで、所望の切替え信号S11を生成し、メモリセルアレイ11の特定のメモリセルを、スペア領域12のメモリセルに切替える。
図3は、メモリセルアレイとスペア領域の例を示したブロック構成図である。図に示すようにメモリセルアレイ11には、メモリセル11aが複数形成されている。スペア領域12には、メモリセルアレイ11を救済するためのメモリセル12aが形成されている。
例えば、図3に示すメモリセルアレイ11のあるメモリセルに不良が生じた場合、そのメモリセルを含むメモリセルの列と、スペア領域12のメモリセルの列を切替える。これによって、メモリセルアレイ11は救済される。なお、スペア領域12の列は1つしか示してないが、複数あってもよい。
図2の説明に戻る。状態設定回路14には、半導体装置10の外部から状態設定制御信号S12が入力される。状態設定回路14は、この状態設定制御信号S12に応じて、スペア領域12の特定のメモリセルを、元の状態に戻すことができるように、電気的に所定の状態に設定し、不良メモリセルを発生させる。例えば、スペア領域12の特定のメモリセルを、電源またはグランドに接続してH状態またはL状態にし、所定の状態の不良メモリセルを発生させる。
図4は、状態設定回路の回路例を示した図である。図に示すように状態設定回路14は、トランジスタM1および抵抗R1を有している。トランジスタM1のソースには、スペア領域12のメモリセル12aaが接続されている。トランジスタM1のドレインには、抵抗R1を介して電圧Vddの電源が接続されている。トランジスタM1のゲートには、状態設定制御信号S12が入力される。なお、スペア領域12のメモリセル12aaは、2つのインバータ回路からなるラッチ回路を構成し、H状態およびL状態のデータを保持する。
トランジスタM1は、H状態の状態設定制御信号S12がゲートに入力されると、メモリセル12aaに電圧Vddの電圧(H状態)を供給する。これにより、メモリセル12aaは、強制的にH状態が保持されることになる。一方、ゲートに状態設定制御信号S12が入力されない場合は、メモリセル12aaに電圧Vddが供給されない。これにより、メモリセル12aaは、外部から入力されるデータに応じた状態を保持することが可能になる。このように、状態設定回路14は、状態設定制御信号S12に応じて、スペア領域12の特定のメモリセルを、元の状態に戻すことができるように電気的に所定の状態に設定する。なお、状態設定回路14は、図4に示す回路を複数有し、複数の特定のメモリセルをH状態にするようにしてもよい。
図5は、状態設定回路の他の回路例を示した図である。図に示すように状態設定回路14は、トランジスタM11および抵抗R11を有している。トランジスタM11のソースには、抵抗R11を介してグランドが接続されている。トランジスタM11のドレインには、スペア領域12のメモリセル12abが接続されている。トランジスタM11のゲートには、状態設定制御信号S12が入力される。なお、スペア領域12のメモリセル12abは、2つのインバータ回路からなるラッチ回路を構成し、H状態およびL状態のデータを保持する。
トランジスタM11は、H状態の状態設定制御信号S12がゲートに入力されると、メモリセル12abにグランドの電圧(L状態)を供給する。これにより、メモリセル12abは、強制的にL状態が保持されることになる。一方、ゲートに状態設定制御信号S12が入力されない場合は、メモリセル12abにグランドの電圧が供給されない。これにより、メモリセル12abは、外部から入力されるデータに応じた状態を保持することが可能になる。このように、状態設定回路14は、この状態設定制御信号S12に応じて、スペア領域12の特定のメモリセルを、元の状態に戻すことができるように電気的に所定の状態に設定する。なお、状態設定回路14は、図5で示した回路を複数有し、複数の特定のメモリセルをL状態にするようにしてもよい。また、状態設定回路14は、図4,5で示した回路を同時に有していてもよい。状態設定回路14は、状態設定制御信号S12に応じて、あるメモリセルをH状態にし、同時にあるメモリセルをL状態にすることができる。
以下、図2の半導体装置10を用いた、図10で示したデータ取得装置102とデータ処理装置103(半導体試験装置)の動作検証について説明する。まず、スペア領域12のメモリセルが、メモリセルアレイ11の特定のメモリセルと切替わるように、特定の切替え信号S11を制御回路13に出力するようにする。制御回路13は、切替え信号S11に応じて、メモリセルアレイ11の特定のメモリセルを、スペア領域12のメモリセルと切替える。
次に、メモリセルアレイ11の特定のメモリセルが特定の故障モードになるように、状態設定制御信号S12を半導体装置10に入力する。半導体装置10に入力された状態設定制御信号S12は、状態設定回路14に入力される。なお、故障モードには、メモリセルアレイ11の特定のメモリセルがH状態に固定されるモードと、L状態に固定されるモードがある。
状態設定回路14は、入力される状態設定制御信号S12に応じて、スペア領域12のあるメモリセルをH状態にし、あるメモリセルをL状態にする。これにより、メモリセルアレイ11のメモリセルには、H状態に固定された故障状態とL状態に固定された故障状態が再現される。
この半導体装置10の状態を、図10で示したデータ取得装置102によって取得する。取得したデータは、データ処理装置103によって処理され、メモリセルアレイ11のどのメモリセルにどの故障モードによる不良が生じているか表示される。もし、データ取得装置102とデータ処理装置103が適正であれば(または、データ取得装置102とデータ処理装置103で実行されるテストプログラムが適正であれば)、意図した箇所に意図した故障モードが表示されることになる。これによって、データ取得装置102とデータ処理装置103が適正に動作しているか検証することができる。
図6は、メモリセルアレイとデータ処理装置の表示画面を示した図である。図の(a)にはメモリセルアレイ11およびスペア領域12が示してある。図の(a)のスペア領域12には、状態設定回路14によってH状態にされたメモリセル12baと、L状態にされたメモリセル12bbが示してある。図の(b)には、図の(a)のメモリセルアレイ11を、テストプログラムにかけたときのデータ処理装置103の表示画面21が示してある。表示画面21には、不良のメモリセル21aa,21abと、その故障モードが示されている。図の(b)では、メモリセル21aa,21abの、斜線の向きの違いによって故障モードの違いを表している。
メモリセルアレイ11とスペア領域12の切替え処理により、予め状態設定回路14によって故意に故障させておいたスペア領域のメモリセル12ba,12bbは、冗長規則に従い、特定箇所に表示される。表示箇所、故障モードが意図した通りに表示されたかを確認することにより、テストプログラムの検証を行うことができる。
なお、検証時以外は、状態設定制御信号S12を入力しないようにすることによって、スペア領域12のメモリセルを通常のメモリセルとして使用することができ、メモリマクロ動作に支障をきたすことはない。
このように、スペア領域12のメモリセルの状態を、元の状態に戻すことができるように電気的に所定の状態に設定するようにした。これによって、スペア領域12のメモリセルとメモリセルアレイ11のメモリセルを切替えてテストプログラムの検証を行った後、スペア領域12のメモリセルの状態を元の状態に戻すことができ、スペア領域12のメモリセルを使用することができる。
また、レーザ等で半導体装置に不良素子を形成することなく、容易に半導体試験装置の検証をすることができる。
次に、本発明の第2の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。第1の実施の形態では、状態設定制御信号S12を半導体装置10の外部から入力するため、その分端子が増える。そこで、第2の実施の形態では、切替え信号S11に応じて制御回路13が状態設定制御信号S12を生成し、状態設定回路14に出力するようにする。
次に、本発明の第2の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。第1の実施の形態では、状態設定制御信号S12を半導体装置10の外部から入力するため、その分端子が増える。そこで、第2の実施の形態では、切替え信号S11に応じて制御回路13が状態設定制御信号S12を生成し、状態設定回路14に出力するようにする。
図7は、第2の実施の形態に係る半導体装置のブロック構成図である。図7において、図2と同じものには同じ符号を付し、その説明を省略する。図に示す制御回路31は、特定の切替え信号S11によって、メモリセルアレイ11の特定のメモリセルとスペア領域12のメモリセルとを切替えるとともに、状態設定回路14がスペア領域12のメモリセルを所定の故障モードにするための状態設定制御信号S13を出力する。
例えば、制御回路31には、6ビットの切替え信号S11が入力されるとする。また、図2で示したスペア領域12が、メモリセルアレイ11の横方向36ビットごとに設けられているとする。すると、6ビットの切替え信号S11により、スペア領域12のメモリセルと、メモリセルアレイ11の切替えは、64通り行えるが、スペア領域12は、横方向36ビットのメモリセルアレイ11に設けられるので、切替え信号S11の64−36=28通りの状態は、不要である。そこで、制御回路31は、不要となっている切替え信号S11の状態を利用し、特定の状態の切替え信号S11が入力されると、メモリセルアレイ11の特定のメモリセルと、スペア領域12とを切替え、状態設定制御信号S13を状態設定回路14に出力する。なお、切替え信号S11は、第1の実施の形態と同様に、ヒューズ群を有した回路のヒューズを溶断することで、所望の信号が生成される。
以下、図7の半導体装置10を用いた、図10で示したデータ取得装置102とデータ処理装置103(半導体試験装置)の動作検証について説明する。まず、制御回路31から状態設定回路14に、状態設定制御信号S13が出力されるための切替え信号S11を制御回路31に入力する。制御回路31は、切替え信号S11に応じて、メモリセルアレイ11の特定のメモリセルと、スペア領域12のメモリセルとを切替え、状態設定制御信号S13を状態設定回路14に出力する。
状態設定回路14は、入力される状態設定制御信号S13に応じて、スペア領域12のあるメモリセルをH状態にし、あるメモリセルをL状態にする。これにより、メモリセルアレイ11のメモリセルには、H状態に固定された故障状態とL状態に固定された故障状態が再現される。
この半導体装置10の状態を、図10で示したデータ取得装置102によって取得する。取得したデータは、データ処理装置103によって処理され、メモリセルアレイ11のどのメモリセルに不良が生じているか表示される。もし、データ取得装置102とデータ処理装置103が適正であれば(または、データ取得装置102とデータ処理装置103で実行されるテストプログラムが適正であれば)、意図した箇所に意図した故障モードが表示されることになる。これによって、データ取得装置102とデータ処理装置103が適正に動作しているか検証することができる。
このように、制御回路31に入力する切替え信号S11に応じて、状態設定回路14に入力される状態設定制御信号S13を出力するようにした。これにより、外部から状態設定制御信号S13を入力するための端子が不要となる。
次に、本発明の第3の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。第3の実施の形態では、設計時に、予めスペア領域の一部のメモリセルが不良となるように設計する。これにより、メモリセルアレイとスペア領域のメモリセルを切替えることにより、半導体装置をレーザ等で破壊することなく、容易に半導体試験装置の検証を行うことができるようになる。
図8は、第3の実施の形態に係る半導体装置のブロック構成図である。図8において、図2と同じものには同じ符号を付し、その説明を省略する。図に示すスペア領域41には、メモリセルアレイ11のメモリセルと切替えられるスペアのメモリセルが形成されている。ただし、スペア領域41には、設計時に予め故意に不良となるように設計されたメモリセルが含まれている。
スペア領域41の不良のメモリセルは、例えば、常時H状態またはL状態となるように設計される。例えば、メモリセルと電源を接続し、常時H状態となるようにする。または、メモリセルとグランドを接続し、常時L状態となるようにする。もちろん、設計により故意に不良素子を発生させているので、どのメモリセルにどのような不良が発生しているかわかっている。
以下、図8の半導体装置10を用いた、図10で示したデータ取得装置102とデータ処理装置103(半導体試験装置)の動作検証について説明する。まず、スペア領域41のメモリセルが、メモリセルアレイ11の特定のメモリセルと切替わるように、特定の切替え信号S11を制御回路13に出力するようにする。制御回路13は、切替え信号S11に応じて、メモリセルアレイ11の特定のメモリセルを、スペア領域41のメモリセルと切替える。
この半導体装置10の状態を、図10で示したデータ取得装置102によって取得する。取得したデータは、データ処理装置103によって処理され、メモリセルアレイ11のどのメモリセルにどのような故障モード(H状態であるかL状態であるか)による不良が生じているか表示される。もし、データ取得装置102とデータ処理装置103が適正であれば(または、データ取得装置102とデータ処理装置103で実行されるテストプログラムが適正であれば)、故意に設計した不良メモリセルが、意図した箇所に意図した故障モードで表示されることになる。これによって、データ取得装置102とデータ処理装置103が適正に動作しているか検証することができる。
図9は、メモリセルアレイとデータ処理装置の表示画面を示した図である。図の(a)にはメモリセルアレイ11およびスペア領域41が示してある。図の(a)のスペア領域41には、設計時に故意にH状態となるように設計されたメモリセル41aと、故意にL状態になるように設計されたメモリセル41bが示してある。図の(b)には、図の(a)のメモリセルアレイ11を、テストプログラムにかけたときのデータ処理装置103の表示画面51が示してある。表示画面51には、不良のメモリセル52,53と、その故障モードが示されている。図の(b)では、メモリセル52,53の、斜線の向きの違いによって故障モードの違いを表している。
メモリセルアレイ11とスペア領域41の切替え処理により、設計時に故意に故障させておいたスペア領域41のメモリセル41a,41bは、冗長規則に従い、特定箇所に表示される。表示箇所、故障モードが、意図した通りに表示されたかを確認することにより、テストプログラムの検証を行うことができる。
このように、スペア領域41のメモリセルの一部を、設計時において不良となるように設計する。これにより、レーザ等で不良を形成することなく、メモリセルアレイのメモリセルとスペア領域41のメモリセルを切替えることによって、半導体試験装置の検証を容易に行うことができる。
また、スペア領域41のメモリセルをメモリセルアレイ11のあるビットと切替え、検証することにより、スペアのメモリセルの切替えが正しく行われたかのメモリマクロの動作確認も同時に行うことができる。
さらに、メモリセルアレイ11のメモリセルと、スペア領域41の故意に不良となるように設計されたメモリセルを除いたメモリセルとが全て良品でなくても、メモリセルの切替え前における半導体試験装置の結果と、メモリセルの切替え後における半導体試験装置の結果とを比較することにより、半導体試験装置の動作検証を行うことができる。
(付記1) 半導体装置を試験する半導体試験装置を検証するための半導体装置において、
複数の素子が形成された素子領域と、
前記素子領域の素子と切替えられる素子が形成されたスペア領域と、
前記素子領域の一部の素子を前記スペア領域の素子に切替える切替え回路と、
前記スペア領域の素子を、電気的に所定の状態に設定する状態設定回路と、
を有することを特徴とする半導体装置。
複数の素子が形成された素子領域と、
前記素子領域の素子と切替えられる素子が形成されたスペア領域と、
前記素子領域の一部の素子を前記スペア領域の素子に切替える切替え回路と、
前記スペア領域の素子を、電気的に所定の状態に設定する状態設定回路と、
を有することを特徴とする半導体装置。
(付記2) 前記状態設定回路は、前記スペア領域の素子をH状態またはL状態に設定することを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記3) 前記状態設定回路は、前記スペア領域の素子を電源電圧またはグランド電圧に設定することを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記3) 前記状態設定回路は、前記スペア領域の素子を電源電圧またはグランド電圧に設定することを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記4) 前記状態設定回路は、外部からの設定制御信号に応じて、前記スペア領域の素子を所定の状態に設定することを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記5) 前記切替え回路は、特定の素子切替え信号によって前記素子領域の素子と前記スペア領域の素子とを切替えるとともに、前記状態設定回路が前記スペア領域の素子を所定の状態に設定するための設定制御信号を出力することを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記5) 前記切替え回路は、特定の素子切替え信号によって前記素子領域の素子と前記スペア領域の素子とを切替えるとともに、前記状態設定回路が前記スペア領域の素子を所定の状態に設定するための設定制御信号を出力することを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記6) 前記素子領域の素子および前記スペア領域の素子は、メモリセルであることを特徴とする付記1記載の半導体装置。
(付記7) 半導体装置を試験する半導体試験装置を検証する半導体試験装置の検証方法において、
複数の素子が形成された素子領域と、前記素子領域の素子と切替えられる素子が形成されたスペア領域と、前記素子領域の一部の素子を前記スペア領域の素子に切替える切替え回路と、前記スペア領域の素子を、電気的に所定の状態に設定する状態設定回路と、を有する半導体装置の前記素子領域の一部の素子を前記スペア領域の素子に切替え、
前記状態設定回路によって、前記スペア領域の素子を所定の状態にして不良素子を発生させ、
前記半導体装置の不良素子の情報を取得する、
ことを特徴とする半導体試験装置の検証方法。
(付記7) 半導体装置を試験する半導体試験装置を検証する半導体試験装置の検証方法において、
複数の素子が形成された素子領域と、前記素子領域の素子と切替えられる素子が形成されたスペア領域と、前記素子領域の一部の素子を前記スペア領域の素子に切替える切替え回路と、前記スペア領域の素子を、電気的に所定の状態に設定する状態設定回路と、を有する半導体装置の前記素子領域の一部の素子を前記スペア領域の素子に切替え、
前記状態設定回路によって、前記スペア領域の素子を所定の状態にして不良素子を発生させ、
前記半導体装置の不良素子の情報を取得する、
ことを特徴とする半導体試験装置の検証方法。
(付記8) 半導体装置を試験する半導体試験装置を検証するための半導体装置において、
複数の素子が形成された素子領域と、
設計時において一部が不良となるように設計された素子を含む、前記素子領域の素子と切替えられる素子が形成されたスペア領域と、
前記素子領域の一部の素子を前記スペア領域の素子に切替える切替え回路と、
を有することを特徴とする半導体装置。
複数の素子が形成された素子領域と、
設計時において一部が不良となるように設計された素子を含む、前記素子領域の素子と切替えられる素子が形成されたスペア領域と、
前記素子領域の一部の素子を前記スペア領域の素子に切替える切替え回路と、
を有することを特徴とする半導体装置。
(付記9) 不良となるように設計された前記素子は、H状態またはL状態となるように設計されていることを特徴とする付記8記載の半導体装置。
(付記10) 半導体装置を試験する半導体試験装置を検証する半導体試験装置の検証方法において、
複数の素子が形成された素子領域と、設計時において一部が不良となるように設計された素子を含む、前記素子領域の素子と切替えられる素子が形成されたスペア領域と、前記素子領域の一部の素子を前記スペア領域の素子に切替える切替え回路と、を有する半導体装置の前記素子領域の一部の素子を前記スペア領域の素子に切替え、
前記半導体装置の不良素子の情報を取得する、
ことを特徴とする半導体試験装置の検証方法。
(付記10) 半導体装置を試験する半導体試験装置を検証する半導体試験装置の検証方法において、
複数の素子が形成された素子領域と、設計時において一部が不良となるように設計された素子を含む、前記素子領域の素子と切替えられる素子が形成されたスペア領域と、前記素子領域の一部の素子を前記スペア領域の素子に切替える切替え回路と、を有する半導体装置の前記素子領域の一部の素子を前記スペア領域の素子に切替え、
前記半導体装置の不良素子の情報を取得する、
ことを特徴とする半導体試験装置の検証方法。
1 半導体装置
2 素子領域
3 スペア領域
4 切替え回路
5 状態設定回路
S1 素子切替え信号
S2 設定制御信号
2 素子領域
3 スペア領域
4 切替え回路
5 状態設定回路
S1 素子切替え信号
S2 設定制御信号
Claims (5)
- 半導体装置を試験する半導体試験装置を検証するための半導体装置において、
複数の素子が形成された素子領域と、
前記素子領域の素子と切替えられる素子が形成されたスペア領域と、
前記素子領域の一部の素子を前記スペア領域の素子に切替える切替え回路と、
前記スペア領域の素子を、電気的に所定の状態に設定する状態設定回路と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記切替え回路は、特定の素子切替え信号によって前記素子領域の素子と前記スペア領域の素子とを切替えるとともに、前記状態設定回路が前記スペア領域の素子を所定の状態に設定するための設定制御信号を出力することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 半導体装置を試験する半導体試験装置を検証する半導体試験装置の検証方法において、
複数の素子が形成された素子領域と、前記素子領域の素子と切替えられる素子が形成されたスペア領域と、前記素子領域の一部の素子を前記スペア領域の素子に切替える切替え回路と、前記スペア領域の素子を、電気的に所定の状態に設定する状態設定回路と、を有する半導体装置の前記素子領域の一部の素子を前記スペア領域の素子に切替え、
前記状態設定回路によって、前記スペア領域の素子を所定の状態にして不良素子を発生させ、
前記半導体装置の不良素子の情報を取得する、
ことを特徴とする半導体試験装置の検証方法。 - 半導体装置を試験する半導体試験装置を検証するための半導体装置において、
複数の素子が形成された素子領域と、
設計時において一部が不良となるように設計された素子を含む、前記素子領域の素子と切替えられる素子が形成されたスペア領域と、
前記素子領域の一部の素子を前記スペア領域の素子に切替える切替え回路と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 半導体装置を試験する半導体試験装置を検証する半導体試験装置の検証方法において、
複数の素子が形成された素子領域と、設計時において一部が不良となるように設計された素子を含む、前記素子領域の素子と切替えられる素子が形成されたスペア領域と、前記素子領域の一部の素子を前記スペア領域の素子に切替える切替え回路と、を有する半導体装置の前記素子領域の一部の素子を前記スペア領域の素子に切替え、
前記半導体装置の不良素子の情報を取得する、
ことを特徴とする半導体試験装置の検証方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005043771A JP2006226946A (ja) | 2005-02-21 | 2005-02-21 | 半導体装置および半導体試験装置の検証方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005043771A JP2006226946A (ja) | 2005-02-21 | 2005-02-21 | 半導体装置および半導体試験装置の検証方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006226946A true JP2006226946A (ja) | 2006-08-31 |
Family
ID=36988436
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005043771A Withdrawn JP2006226946A (ja) | 2005-02-21 | 2005-02-21 | 半導体装置および半導体試験装置の検証方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006226946A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60189039A (ja) * | 1984-03-07 | 1985-09-26 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 自動不良部品解析装置 |
JPH02291980A (ja) * | 1989-05-01 | 1990-12-03 | Kawasaki Steel Corp | 論理回路の検証方法 |
JP2003132695A (ja) * | 2001-10-29 | 2003-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置、並びに、それを用いた半導体検査装置および/または方法の検証方法 |
-
2005
- 2005-02-21 JP JP2005043771A patent/JP2006226946A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60189039A (ja) * | 1984-03-07 | 1985-09-26 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 自動不良部品解析装置 |
JPH02291980A (ja) * | 1989-05-01 | 1990-12-03 | Kawasaki Steel Corp | 論理回路の検証方法 |
JP2003132695A (ja) * | 2001-10-29 | 2003-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置、並びに、それを用いた半導体検査装置および/または方法の検証方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0658936B2 (ja) | ラッチ支援ヒューズテスト回路及びラッチ支援ヒューズテスト方法 | |
JP2010123159A (ja) | 半導体集積回路 | |
JP2007172720A (ja) | 半導体装置、半導体記憶装置、制御信号生成方法、及び救済方法 | |
US7277346B1 (en) | Method and system for hard failure repairs in the field | |
JP5549094B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US8059477B2 (en) | Redundancy circuit of semiconductor memory | |
JP2006226946A (ja) | 半導体装置および半導体試験装置の検証方法 | |
JP2005353264A (ja) | ツイストビットライン構造を有するメモリ装置の冗長回路及び不良セルの救済方法 | |
US20080175079A1 (en) | Test scheme for fuse circuit | |
JP4761995B2 (ja) | 半導体集積回路及びそのテスト方法 | |
KR20130059196A (ko) | 퓨즈회로를 포함하는 반도체 집적회로 및 퓨즈회로의 구동방법 | |
JP4632732B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP4291286B2 (ja) | メモリ救済方法、メモリテスト装置、プログラム、及び、記録媒体 | |
US8446161B2 (en) | Method of self monitoring and self repair for a semiconductor IC | |
US20030080335A1 (en) | Semiconductor device, and verification method for semiconductor testing apparatus and method using the semiconductor device | |
KR101010111B1 (ko) | 반도체 메모리 제어 회로 | |
KR100631911B1 (ko) | 반도체 메모리 장치에서의 리던던시 메모리 셀 테스트 방법 | |
JP4237157B2 (ja) | 半導体記憶装置および情報読み出し方法 | |
JP4180021B2 (ja) | 半導体記憶装置テスト回路 | |
JP2005302156A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2004192712A (ja) | 半導体記憶装置、半導体記憶装置を含む半導体ウェーハ及びシステム | |
JPH06310581A (ja) | 半導体記憶装置の検査方法、及び検査装置 | |
JP2007053126A (ja) | 半導体記憶装置およびその製造方法 | |
KR20050121883A (ko) | 빌트-인 셀프 테스트 회로 및 그를 이용한 패키지 리페어방법 | |
KR101051173B1 (ko) | 반도체 소자의 퓨즈 레이아웃 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071211 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20080729 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101109 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20101203 |