JP2006222295A - 超微細配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 「フォトレジスト形成工程」では、基板11上にフォトレジスト41を形成する。「干渉露光工程」では、フォトレジスト41に対して窒素レーザによる干渉露光を行って干渉縞を露光する。「現像工程」では、露光したフォトレジスト41を現像して、そのフォトレジスト41に干渉縞に基づく凹凸(ライン部42及びスペース部43)を形成する。「撥水加工工程」では、フォトレジスト41をCFxプラズマ中に曝して、その表面を撥水性に改質する。「配線形成工程」では、フォトレジスト41のスペース部43に導電性ペースト44を流し込んで焼結する。これらの工程により、基板11に超微細配線13を形成する。
【選択図】 図6
Description
配線基板1の製造方法の実施例1について説明する。本実施例では、干渉露光法を用いて基板11上に隔壁12と配線13とを形成するとともに、その製造過程で隔壁12が導電性材料を含む溶液を弾くように撥水加工を施すことで、より良質な配線基板1を製造する。図6は、実施例1における配線基板1の作製工程を示す図である。なお、図6では、配線基板1の平面中心を通る横方向(左右方向)の平行線における、配線基板1の側面断面の変遷を示している。
配線基板1の製造方法の実施例2について説明する。本実施例では、基板11上に配線13のみを形成するとともに、その製造過程で隔壁12が導電性材料を含む溶液をはじくようにする撥水加工を施すことで、より良質な配線基板1を製造する。図7は、実施例2における配線基板1の作製工程を示す図である。図8は、実施例2における配線基板1の平面図である。なお、図7では、配線基板1の平面中心を通る横方向(左右方向)の平行線における、配線基板1の側面断面の変遷を示している。
配線基板1の製造方法の実施例3について説明する。本実施例は、基本的には実施例2と同じであるが、基板11上の一部の領域に隔壁12及び配線13を形成することで、部分的に超微細配線パターンが形成された配線基板1を製造する点で異なる。図9は、実施例3における配線基板1の作製工程を示す図である。図10は、フォトマスク50の平面図である。図11は、実施例3における配線基板1の平面図である。なお、図9では、配線基板1の平面中心を通る横方向(左右方向)の平行線における、配線基板1の側面断面の変遷を示している。
配線基板1の製造方法の実施例4について説明する。本実施例は、基板11上で隔壁12や配線13を層状に重ねることで、任意の超微細配線パターンが形成された配線基板1を製造する。図12は、配線パターンが積層される前の配線基板1の平面図である。図13は、実施例4における配線基板1の作製工程を示す図である。図14は、フォトマスク51の平面図である。図15は、実施例4における配線基板1の平面図である。なお、図12に示すB−B´線は、配線基板1の横方向(左右方向)の平行線であって、配線13の断面中心を通る線である。また、図13では、B−B´線における配線基板1の側面断面の変遷を示している。
11 基板
12 隔壁
13 配線
14 隔壁
15 配線
30 マッハツェンダー干渉装置
31 レーザ光源
32 スペシャルフィルター
33 第1コリメータレンズ
34 第1ビームスプリッタ
35 干渉セクション
36 第1全反射鏡
37 第2全反射鏡
38 第2ビームスプリッタ
39 第2コリメータレンズ
41 フォトレジスト
42 ライン部
43 スペース部
44 導電性ペースト
46 疎水性薄膜
47 微細溝
50 フォトマスク
51 フォトマスク
61 層間絶縁膜
62 フォトレジスト
63 ビアホール
64 金属配線
65 疎水性薄膜
66 フォトレジスト
67 微細溝
68 導電性ペースト
100 電流電圧測定装置
101 スイッチング部
102 電流電圧測定回路
Claims (8)
- 基板上に超微細配線が形成された超微細配線基板の製造方法であって、
基板上にフォトレジストを形成するフォトレジスト形成工程と、
前記フォトレジストに対してレーザ光を照射して該フォトレジストに干渉縞を露光する干渉露光工程と、
前記露光したフォトレジストを現像して、該フォトレジストに前記干渉縞に基づく凹凸を形成する現像工程と、
前記フォトレジストの凹部に導電性材料を含む溶液を流し込んで焼結することで、前記基板に超微細配線を形成する配線形成工程と
を備えたことを特徴とする超微細配線基板の製造方法。 - 前記フォトレジストの凸部をフロロカーボンプラズマ中に曝す撥水加工工程を備えたことを特徴とする請求項1に記載の超微細配線基板の製造方法。
- 基板上に超微細配線が形成された超微細配線基板の製造方法であって、
前記基板上に疎水性薄膜を形成する疎水性薄膜形成工程と、
前記疎水性薄膜が生成された基板上にフォトレジストを形成するフォトレジスト形成工程と、
前記フォトレジストに対してレーザ光を照射して該フォトレジストに干渉縞を露光する干渉露光工程と、
前記露光したフォトレジストを現像して、該フォトレジストに前記干渉縞に基づく凹凸を形成する現像工程と、
前記凹凸が形成されたフォトレジストをマスクとして前記疎水性薄膜をパターニングした後に該フォトレジストを除去することで、該疎水性薄膜に該フォトレジストに基づく凹凸を形成するエッチング工程と、
前記疎水性薄膜の凹部に導電性材料を含む溶液を流し込んで焼結することで、前記基板に超微細配線を形成する配線形成工程と
を備えたことを特徴とする超微細配線基板の製造方法。 - 基板上に超微細配線が形成された超微細配線基板の製造方法であって、
前記基板上に疎水性薄膜を形成する疎水性薄膜形成工程と、
前記疎水性薄膜上に、後に加工可能な親水性薄膜を形成する親水性薄膜形成工程と、
前記疎水性薄膜及び前記親水性薄膜が生成された基板上にフォトレジストを形成するフォトレジスト形成工程と、
前記フォトレジストに対してレーザ光を照射して該フォトレジストに干渉縞を露光する干渉露光工程と、
前記露光したフォトレジストを現像して、該フォトレジストに前記干渉縞に基づく凹凸を形成する現像工程と、
前記凹凸が形成されたフォトレジストをマスクとして前記親水性薄膜をパターニングした後に該フォトレジストを除去することで、該親水性薄膜に該フォトレジストに基づく凹凸を形成するエッチング工程と、
前記親水性薄膜の凸部上に導電性材料を含む溶液を流し込んで焼結することで、前記基板に超微細配線を形成する配線形成工程と
を備えたことを特徴とする超微細配線基板の製造方法。 - 前記疎水性薄膜は、四フッ化エチレン樹脂又は疎水性ポリイミドであることを特徴とする請求項3又は4に記載の超微細配線基板の製造方法。
- 前記導電性材料を含む溶液は、金属ナノ粒子分散液又は導電性高分子溶液であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の超微細配線基板の製造方法。
- 前記干渉露光工程において、干渉露光に用いられる前記レーザ光は、単色光のレーザであることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の超微細配線基板の製造方法。
- 前記干渉露光工程において、干渉露光に用いられる前記レーザ光は、一つの光源から射出されたレーザ光を二つの光束に分離させた後、該二つの光束を前記基板上で再び合成して、前記干渉縞を前記フォトレジストに露光する二光束干渉露光であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の超微細配線基板の製造方法。
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