JP2006216672A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 接地インダクタンスを容易に低減することができ、半導体チップの収率を向上可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体チップ21の第1主面に配置された半導体能動素子及び半導体能動素子のグランドパッド11と、第1主面に対して垂直な半導体チップの側壁面上に配置された第1メタル層24aと、第1メタル層24aに接続され、グランドパッド11上まで延在する第2メタル層25aとを備える。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体装置に関し、特に高周波回路の接地インダクタンスを低減可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
ガリウム砒素(GaAs)等の化合物半導体は、シリコン(Si)と比べて高速動作が可能で、電力の変換効率がよいなどの優れた特徴を有している。このような化合物半導体の特徴を生かして、高周波回路を集積回路構造にしたモノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)が開発され、実用化されている。GaAs系ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)等を用いたパワーアンプモジュールも、そのようなMMICの一つであり、携帯電話等の機器で広く用いられている。これらの機器の小型化要求に伴い、半導体装置の小型化も進んでいる。
半導体装置の小型化が更に進むと、グランド配線等の寄生インピーダンス成分が問題となる。高周波回路においては、半導体装置を接続する配線、特にグランド配線の寄生インピーダンスが高周波特性に影響を与える。現在一般的に利用可能な半導体装置においては、半導体チップの信号線パッド及びグランドパッドと実装基板の信号線及びグランドとの接続がボンディングワイヤを用いて行われている。このため、接地インダクタンスが大きくなり、パワーアンプモジュールのパワーゲインが劣化する。
こうした接地インダクタンスの問題を解決するために、半導体基板表面側のダイシングライン上にV字形状の刃を用いてV溝を形成し、このV溝に導電性材料を形成することで、半導体チップの端面に金属層を形成する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照。)しかし、V溝を形成する方法では、V溝が深くなるにつれてダイシングライン幅も増加するため、1ウエハからの半導体チップの収率が低下し、生産性が低下する。
特開2004−153015号公報
本発明は、接地インダクタンスを容易に低減することができ、半導体チップの収率を向上可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
本発明の第1の特徴は、(イ)半導体チップの第1主面に配置された半導体能動素子及び半導体能動素子のグランドパッドと、(ロ)第1主面に対して垂直な半導体チップの側壁面上に配置された第1メタル層と、(ハ)第1メタル層に接続され、グランドパッド上まで延在する第2メタル層とを備える半導体装置であることを要旨とする。
第2の特徴は、(イ)半導体基板の第1主面上に選択されたチップ領域に、半導体能動素子と半導体能動素子のグランドパッドを形成する工程と、(ロ)チップ領域を囲む分離領域に、第1主面に対して垂直に物理的に分離溝を形成する工程と、(ハ)分離溝表面に第1メタル層を形成する工程と、(ニ)第1メタル層に接続されて、グランドパッド上まで延在する第2メタル層を形成する工程と、(ホ)第1主面に対向する半導体基板の第2主面を分離溝の底部が露出するまで研磨し、分離溝においてチップ領域を半導体チップとして分離する工程と、(ヘ)実装基板のグランド上に導電性材料を形成する工程と、(ト)導電性材料を介してグランドと第1メタル層とを電気的に接続する工程とを含む半導体装置の製造方法であることを要旨とする。
本発明によれば、接地インダクタンスを容易に低減することができ、半導体チップの収率を向上可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供できる。
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。また、図面は模式的なものであり、厚みと平均寸法の関係、各層の厚みの比率等は、現実のものとは異なることに留意すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものではない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において種々の変更を加えることができる。
本発明の実施の形態に係る半導体装置は、図1に示すように、半導体チップ21と、半導体チップ21の側壁面上に配置された第1メタル層24aと、第1メタル層24aに接続され、半導体能動素子のグランドパッド11上まで延在する第2メタル層25aとを備える。
半導体チップ21の半導体基板1aの第1主面(表面)には、半導体能動素子(図示省略)、受動素子(図示省略)、金(Au)あるいはアルミニウム(Al)製等のグランドパッド11及び信号線パッド12がそれぞれ配置され、MMICを構成している。半導体能動素子には、HBT、高電子移動度トランジスタ(HEMT)、ショットキーゲート型電解効果トランジスタ(MESFET)、静電誘導トランジスタ(SIT)等の種々の能動素子などが含まれる。受動素子には、コンデンサ、抵抗、インダクタ、スタブ等の種々のインピーダンスマッチング用素子が含まれる。
半導体チップ21の半導体基板1aの第1主面(表面)には、半導体能動素子(図示省略)、受動素子(図示省略)、金(Au)あるいはアルミニウム(Al)製等のグランドパッド11及び信号線パッド12がそれぞれ配置され、MMICを構成している。半導体能動素子には、HBT、高電子移動度トランジスタ(HEMT)、ショットキーゲート型電解効果トランジスタ(MESFET)、静電誘導トランジスタ(SIT)等の種々の能動素子などが含まれる。受動素子には、コンデンサ、抵抗、インダクタ、スタブ等の種々のインピーダンスマッチング用素子が含まれる。
半導体基板1a、グランドパッド11及び信号線パッド12上には、ポリイミド等の有機膜又はシリコン酸化膜(SiO2)あるいはシリコン窒化膜(Si3N4)等の無機膜を含む絶縁膜13が配置されている。グランドパッド11及び信号線パッド12は、絶縁膜13に設けられた開口部により電気的接続がなされる。
半導体チップ21の側壁面は、ダイシングブレード等の切削装置等により半導体チップ21の第1主面に対して垂直に物理的に切削された面であり、表面に微細な凹凸を有する。第1メタル層24aは、半導体チップ21の側壁面上及び第1主面上の周辺部の一部を覆うように形成されている。第1メタル層24aとしては、金/ニッケル(Au/Ni)製等の金属薄膜が好適である。
第2メタル層25aは、グランドパッド11及び絶縁膜13上に配置されている。半導体基板1a第1主面の周辺部において第1メタル層24aに接続されている。第2メタル層25aとしては、金/チタン(Au/Ti)等の金属薄膜が好適である。第1メタル層24a及び第2メタル層25a上には、第1及び第2メタル層24a,25aより厚く形成されたグランドメタル層26が配置されている。グランドメタル層26としては、Au製等の金属薄膜が好適である。
図2は、図1に示す半導体チップ21を第1主面側の上面からみた場合の一例を示す。グランドメタル層26は、信号線パッド12のある半導体素子領域40の周囲から半導体チップ21の側壁まで延在するように形成されている。半導体素子領域40上には絶縁膜13が配置されている。絶縁膜13の一部からは、信号線パッド12が露出している。
図2に例示する半導体チップ21は、図1に示すように、アルミナ基板等の実装基板3上のグランド5上に、導電性材料17を介して搭載される。導電性材料17としては、例えば銀(Ag)ペースト等が利用可能である。半導体チップ21の信号線パッド12は、Au線等のボンディングワイヤ18により実装基板3の信号線7に接続されている。
本発明の実施の形態に係る半導体装置によれば、半導体チップ21のグランドパッド11が、導電性材料17を介して実装基板3のグランド5に接続される。このため、半導体チップ21と実装基板3とを繋ぐグランド接続用のボンディングワイヤが不要となり、接地インダクタンスを容易に低減でき、半導体チップ21及び実装基板3も微細化できる。また、後述する半導体装置の製造方法により明らかとなるが、図1に示す半導体チップ21の側壁は、ストレート形状の刃を有する切削装置等により、半導体基板1aの第1主面に対して垂直方向に形成される。このため、側面をV字形状の刃を用いて側壁が斜めに形成された半導体チップに比べて半導体チップ21の第2主面(裏面)の面積効率が向上する。すなわち、同一の第2主面の面積で比較すれば、半導体チップ21の第1主面の利用効率が増大する。この結果、1ウエハから得られる半導体チップ21の収率も向上する。
さらに、図1に示す半導体チップ21の側壁面は、半導体チップ21の第1主面に垂直であるため、一般的に利用可能な蒸着等により十分な厚さの膜が得られにくい。図1に示す半導体装置においては、半導体チップ21の側壁面に第2メタル層25aと同程度の厚さの第1メタル層24aを配置することにより、半導体チップ21の側壁面へのステップカバレジを改善し、第1及び第2メタル層24a,25a上に配置されるグランドメタル層26との密着性を向上できる。この結果、配線の信頼性や製造歩留まりが向上する。また、第1メタル層24a及びグランドメタル層26との2層構造により、半導体チップ21の側壁面にも十分な厚さを確保できるので、接地インダクタンスが低減する。
次に、本発明の実施の形態に係る半導体チップ21の製造工程を図3〜図9に示す工程断面図を用いて説明する。
(イ)半導体基板1の第1主面に、図3に示すように、Auメタル膜製等のグランドパッド11及び信号線パッド12をそれぞれ形成する。なお、図3においては省略しているが、この際、半導体基板1の第1主面には、HBT等の半導体能動素子とコンデンサ、抵抗などの受動素子も同時に形成され、MMICが構成される。その後、半導体基板1の第1主面上に、グランドパッド11及び信号線パッド12の表面の一部及びダイシングライン領域31に開口部を有する絶縁膜13を形成する。ダイシングライン領域31とは、MMICを半導体チップ21毎に分離する分離領域を指す。
(ロ)図4に示すように、ダイシング装置のブレード100により、半導体基板1の第1主面側からダイシングライン領域31に、例えば深さ100μm程度の分離溝32を形成する。この時、ストレート形状のブレード100を用いることにより、溝幅が100μm以下、好ましくは80μm以下、更に好ましくは20μm以下の分離溝32を、半導体基板1の第1主面に対して側壁面がほぼ垂直になるように切削する。なお、ストレート形状のブレード100とは、一般的なダイシング装置等に利用可能なブレードを指す。
(ハ)図5に示すように、分離溝32の表面とダイシングライン領域31上の一部の半導体層上に、Au/Ni製等の第1メタル層24aを、例えば無電解めっき法により20〜30nm程度の厚さで選択的に形成する。この際、グランドパッド11、信号線パッド12及び絶縁膜13上をフォトレジスト等でカバーすることにより、グランドパッド11,信号線パッド12及び絶縁膜13上には第1メタル層24aは形成されないようにする。図6に示すように、スパッタリング装置、蒸着装置等により、半導体基板1の第1主面全面に電解めっき法によりAu/Ti等を20〜30nm程度の厚さで蒸着させ、第2メタル層25を形成する。
(ニ)図7に示すように、半導体基板1の第1主面上のグランドパッド11と分離溝32を含む領域に露出開口部を有するフォトレジスト15を形成する。その後、電解めっき液中で第2メタル層25より電流を供給してAu選択電解めっきを行い、略2μm程度の厚さのグランドメタル層26を形成する。
(ホ)フォトレジスト15を除去した後、イオンミリング法等によりグランドメタル層26の開口部に露出している第2メタル層25のAu/Tiを選択的に除去する。図8に示すように、分離溝32に埋め込まれた第1メタル層24a、第1メタル層24aに接続され、グランドパッド11に延在する第2メタル層25a、及び第1メタル層24a及び第2メタル層25a上のグランドメタル層26がそれぞれ形成される。
(ヘ)次に、図9に示す半導体基板1の第2主面の研磨を行う。第2主面の研磨を行うことにより、分離溝32の底部の第1メタル層24あるいはグランドメタル層26が露出してくる。更に半導体基板1を研磨すると、図9に示すように、半導体チップ21が個片に分離される。その際、分離溝32内にレジストやワックス等の後工程で除去可能な材料を充填した後に第2主面を研磨することで、分離溝32の側壁上の第1メタル層24a及びグランドメタル層26の表面加工を容易にすることも可能である。加工された半導体チップ21を、信号線7及びグランド5が形成された実装基板3のグランド5上に導電性材料17を介して搭載すれば、図1に示す半導体装置が製造可能となる。
本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法においては、半導体素子領域40間に設けられたダイシングライン領域31に、ブレード100により物理的に分離溝32が形成される。このため、エッチング等により分離溝32を形成する場合に比べて、製造工程を簡略化できる。また、分離溝32を形成する場合には、刃先がストレート形状のブレード100が用いられるため、V字型のブレードを用いた場合に比べて分離溝32の溝幅を大幅に低減できる。これにより、V字型のブレードを用いた場合に比べてダイシングライン領域31を狭くできるため、半導体チップ21の面積利用効率が増大する。この結果、1ウエハからの半導体チップ21の収率が向上し、半導体装置の生産性が向上する。
分離溝32の溝幅を、例えば20μm程度に微細化した場合は、電解めっき法等を用いて半導体基板1aの側壁に均一な金属薄膜を形成することが困難となる。実施の形態に係る半導体装置の製造方法においては、例えば無電解めっき法等を用いて分離溝32の表面に予めAu/Ni等の第1メタル層24aを選択的に形成しておく。これにより、分離溝32の溝幅を微細化しても分離溝32の側壁上に均一な厚さのメタル層を形成できる。
第1メタル層24aとして用いられるNiは、後工程で除去されるレジストやワックスあるいは第2メタル層25、グランドメタル層26として採用されるAu、Ti等に比べて除去されにくい。実施の形態に係る半導体装置の製造方法においては、グランドパッド11、信号線パッド12及び絶縁膜13上には、第1メタル層24aを形成しないようにすることにより、図1に示す半導体装置の加工をより容易化できる。この結果、接地インダクタンスを容易に低減でき、半導体チップ21及び実装基板3も微細化可能な半導体装置を製造できる。
(変形例)
実施の形態の変形例に係る半導体装置は、図10に示すように、半導体チップ21の第2主面全体に、第1メタル層24aに接続された第3メタル層27を更に有する点が、図1に示す半導体装置と異なる。第3メタル層27は、例えば厚さ1μm程度のAu/Niの金属薄膜が好適である。他は、実施の形態に示す半導体装置の構成と実質的に同様であるので、説明を省略する。
実施の形態の変形例に係る半導体装置は、図10に示すように、半導体チップ21の第2主面全体に、第1メタル層24aに接続された第3メタル層27を更に有する点が、図1に示す半導体装置と異なる。第3メタル層27は、例えば厚さ1μm程度のAu/Niの金属薄膜が好適である。他は、実施の形態に示す半導体装置の構成と実質的に同様であるので、説明を省略する。
図1に示す半導体装置においては、実装基板3のグランド5と半導体チップ21のグランドパッド11の電気的接続が、導電性材料17に接触する第1メタル層24a及びグランドメタル層26によりなされる。このため、図1に示す半導体装置は、導電性材料17中に半導体チップ21を一部埋め込むように搭載するのが好ましい。これに対し、図10に示す半導体装置においては、半導体チップ21の裏面全体に第3メタル層27が配置されるため、導電性材料17と金属層との接触面積を大きくできる。したがって、半導体チップ21と導電性材料17との電気的接続をより確実に行うことができる。
図10に示す半導体装置を製造する場合は、図9に示すように、半導体チップ21をそれぞれ個片化した後、半導体基板1aの第2主面に、無電解めっき法、あるいは蒸着装置やスパッタ装置等により第3メタル層27を形成することにより、容易に製造可能である。
(その他の実施の形態)
本発明は、上述の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
本発明は、上述の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
本発明の実施の形態においては、MMICとして説明したが、半導体集積回路に限定されるものではなく、単一の半導体能動素子が搭載されたマイクロ波パワー素子などの個別素子(ディスクリートデバイス)などにも適用可能で、種々の半導体装置を対象とすることが可能である。また、ブレード100として、ダイシング装置のブレードを用いて説明したが、半導体基板スクライバ等のブレードを用いてもよいことは、勿論である。
本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められる。
1,1a…半導体基板
3…実装基板
5…グランド
11…グランドパッド
13…絶縁膜
17…導電性材料
21…半導体チップ
24,24a…第1メタル層
25,25a…第2メタル層
26…グランドメタル層
27…第3メタル層
31…ダイシングライン領域
32…分離溝
3…実装基板
5…グランド
11…グランドパッド
13…絶縁膜
17…導電性材料
21…半導体チップ
24,24a…第1メタル層
25,25a…第2メタル層
26…グランドメタル層
27…第3メタル層
31…ダイシングライン領域
32…分離溝
Claims (5)
- 半導体チップの第1主面に配置された半導体能動素子及び該半導体能動素子のグランドパッドと、
前記第1主面に対して垂直な前記半導体チップの側壁面上に配置された第1メタル層と、
前記第1メタル層に接続され、前記グランドパッド上まで延在する第2メタル層
とを備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1主面に対向する前記半導体チップの第2主面に、前記第1メタル層に接続された第3メタル層を更に有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 実装基板と、
前記実装基板上に配置されたグランドとを更に含み、
前記第1メタル層が、前記グランド上に配置された導電性材料を介して前記グランドに電気的に接続されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 半導体基板の第1主面上に選択されたチップ領域に、半導体能動素子と該半導体能動素子のグランドパッドを形成する工程と、
前記チップ領域を囲む分離領域に、前記第1主面に対して垂直に物理的に分離溝を形成する工程と、
前記分離溝表面に第1メタル層を形成する工程と、
前記第1メタル層に接続されて、前記グランドパッド上まで延在する第2メタル層を形成する工程と、
前記第1主面に対向する前記半導体基板の第2主面を前記分離溝の底部が露出するまで研磨し、前記分離溝において前記チップ領域を半導体チップとして分離する工程と、
実装基板のグランド上に導電性材料を形成する工程と、
前記導電性材料を介して前記グランドと前記第1メタル層とを電気的に接続する工程
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1主面に対向する前記半導体基板の第2主面に、前記第1メタル層に接続された第3メタル層を形成する工程を更に含み、
前記グランドは、前記導電性材料と前記第3メタル層とを介して前記第1メタル層と電気的に接続されることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005026334A JP2006216672A (ja) | 2005-02-02 | 2005-02-02 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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JP2005026334A JP2006216672A (ja) | 2005-02-02 | 2005-02-02 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2006216672A true JP2006216672A (ja) | 2006-08-17 |
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ID=36979644
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JP2005026334A Pending JP2006216672A (ja) | 2005-02-02 | 2005-02-02 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2006216672A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US8592957B2 (en) | 2009-08-18 | 2013-11-26 | Nec Corporation | Semiconductor device having shield layer and chip-side power supply terminal capacitively coupled therein |
-
2005
- 2005-02-02 JP JP2005026334A patent/JP2006216672A/ja active Pending
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