JP2006210394A - シリコン基体表面の凹凸形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 太陽電池用シリコン基体の形成に応用できる簡便で量産性のあるシリコン基体表面の凹凸形成方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基体表面上にインクジェットによりレジスト材をパターン描画してエッチングを行い、シリコン基体表面に凹凸を形成する方法であって、電極部となる部位103と該電極部以外の部位104とにおけるレジストパターンが異なることを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】 シリコン基体表面上にインクジェットによりレジスト材をパターン描画してエッチングを行い、シリコン基体表面に凹凸を形成する方法であって、電極部となる部位103と該電極部以外の部位104とにおけるレジストパターンが異なることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明はシリコン基体表面に凹凸形状を形成する方法に関し、特に量産性のある太陽電池用シリコン基体表面の凹凸形成方法に関する。
シリコン結晶太陽電池は光−電気変換効率を上げる観点から一般に表面に凹凸形状(テクスチャ)が形成される。この凹凸形状を形成するには通常アルカリ液により異方性エッチングを行ってピラミッド形状とするが、多結晶シリコンの場合単結晶シリコンとは異なり、結晶方位がランダムであるので一様な凹凸形状はこの手法では得られない。多結晶シリコン表面に凹凸形状を得るその他の方法としてはフォトリソグラフィーで微細パターニングしたシリコン窒化膜をエッチングマスクとして凹凸を形成する方法(例えば、非特許文献1参照)、エッチング液に混酸を用いるもの(例えば、特許文献1参照)や機械的にグルーブを形成する方法(例えば、特許文献2参照)、RIE(Reactive Ion Etching)によるガスエッチングの方法(例えば、特許文献3参照)等が挙げられる。また、安価な凹凸形成法として微粒子を表面に付着させてエッチングマスクとして凹凸を形成する方法(例えば、特許文献4参照)や微粒子を添加した耐エッチング膜を基板表面に塗布して微粒子部位での耐エッチング力低下を利用してエッチングマスクを作製する方法(例えば、特許文献5参照)などもある。
しかしながら、フォトリソグラフィーで凹凸形成するのはコスト的に高く、混酸によるエッチングでは組成制御の維持に注意を必要とし、機械的にグルーブを形成する方法は精密ではあるが生産性に難がある。またRIEによるガスエッチングでは真空装置を用いるためコストが高くまた基板の配置等に工夫が要る。さらに、微粒子を表面に付着させる方法では付着力に問題があり安定した凹凸形成ができず、微粒子を添加した耐エッチング膜を基板表面に塗布する場合も微粒子を凝集させず均一に膜中に分散させるために微粒子の粒径を精密に制御する必要があるなど、いずれの方法も問題点があった。
本発明は、上述の従来技術における問題を解決し、簡便で量産性のあるシリコン基体表面の凹凸形成方法を提供することを目的とする。
本発明のシリコン基体表面の凹凸形成方法は、シリコン基体表面上にインクジェットによりレジスト材をパターン描画してエッチングを行い、前記シリコン基体表面に凹凸を形成する方法であって、電極部となる部位と該電極部以外の部位とにおけるパターンが異なることを特徴とする。
また、前記電極部となる部位のパターンがグリッド形状であることを特徴とする。
また、前記電極部以外の部位のパターンがドット形状・格子形状・ハニカム形状の中から選ばれる1つであることを特徴とする。
また、前記シリコン基体が多結晶シリコンであることを特徴とする。
また、前記レジスト材が顔料またはシリカを含む材料からなることを特徴とする。
また、前記凹凸の高さおよびピッチが5μm乃至100μmの範囲であることを特徴とする。
また、前記電極部となる部位のパターンがグリッド形状であることを特徴とする。
また、前記電極部以外の部位のパターンがドット形状・格子形状・ハニカム形状の中から選ばれる1つであることを特徴とする。
また、前記シリコン基体が多結晶シリコンであることを特徴とする。
また、前記レジスト材が顔料またはシリカを含む材料からなることを特徴とする。
また、前記凹凸の高さおよびピッチが5μm乃至100μmの範囲であることを特徴とする。
本発明のシリコン基体表面の凹凸形成方法によれば、インクジェットを用いて電極部と凹凸形成部の異なるパターンをシリコン基板表面に直接レジスト材で一度に描画することで、パターニング工程なしでエッチングマスクが形成されるので簡便に微細な太陽電池用テクスチャが均一に作製できる。また、本発明の方法ではスクリーン印刷の場合のような版が要らず、インクジェットに繋がれたパーソナルコンピュータ上でデータを入れ替えるだけで多種多様な電極形成部および凹凸形成部のパターンに対応することができる上に基板の大きさ等に制限がなく、しかも安価な市販のインクジェットプリンタを転用することが可能でスループットも容易に上げられるメリットがある。
本発明のシリコン基体表面の凹凸形成方法の一例を図1に示す。概略平坦な表面を有するシリコン基板101上にインクジェットを用いてノズル102から直接レジスト材(例えば顔料系インク)を塗布して乾燥を行う(図1(a),(b))。このとき電極部に対応するレジストパターン103はレジスト材を均一に塗り、電極部以外の凹凸形成部に対応するレジストパターン104は例えばドット状の微小なレジストの液滴を規則的にシリコン基板101上に塗る。次にシリコン基板101をシリコンのエッチング液(例えばフッ酸と硝酸の混合液等)に浸漬してレジスト材で覆われていないシリコン表面からエッチングをしてレジスト材周辺部のシリコンを除去して凹部105を形成する(図1(c))。最後にレジスト材を除去して平坦な電極部106と凹凸部107とを得る(図1(d))。
本発明に使用されるインクジェットとしてはバブルジェット(登録商標)方式のものでも圧電(ピエゾ)方式のものでも良く、シングルノズルまたはマルチノズルを搭載したものが用いられる。マルチノズル型の方が描画速度が速いので、大面積基板上に描画する場合はこれを用いるとスループットが上げられる。これらのインクジェットはパーソナルコンピュータレベルで制御可能な業務用あるいは市販の個人向けプリンタ等を流用することができる。また本発明に使用されるレジスト材としては耐エッチング特性があり微粒子状態で適当な溶剤中に含有させたものであれば何でもよいが、顔料やシリカの微粉末を含むものが好適に用いられる。
以下、実施例を用いて本発明の方法により所望の凹凸形状を得るところをより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
(実施例1)
本例では図1に示す構成の方法および図2に示すパターンにより凹凸表面の形成を行った。まず、シリコン多結晶基板(p型、比抵抗0.6Ω・cm)101の表面に対してパーソナルコンピュータで制御されたインクジェットを用いてシリコン基板101上にインクジェットノズル102から直接レジスト材(顔料系インク)を塗布して図2(a)に示すようなパターンを形成した(図1(a),(b))。図2(a)のパターンはグリッド形状の表面電極部103とテクスチャ構造を形成する凹凸部104とからなり、凹凸部のパターンは格子点状に直径20μmのドットを50μmピッチで配置した。乾燥後にシリコン基板101をシリコンのエッチング液(フッ酸と硝酸の混合液)に浸漬してレジスト材で覆われていないシリコン表面をエッチングして凹部105を形成する(図1(c))。その後レジスト材を3%KOH溶液で除去することにより、図2(b)の斜視図に示すように平坦な電極部106と凹凸部107とを得た(図1(d))。得られた凹凸部の凸形状はコニーデ型で高さ40μm、ピッチが50μmで格子点状に規則的に配列されていた。なお、本例では格子点状に配列された凹凸部の形成方法について述べたが、ハニカム状に凹凸部を配列することも容易にできることは言うまでもない。
本例では図1に示す構成の方法および図2に示すパターンにより凹凸表面の形成を行った。まず、シリコン多結晶基板(p型、比抵抗0.6Ω・cm)101の表面に対してパーソナルコンピュータで制御されたインクジェットを用いてシリコン基板101上にインクジェットノズル102から直接レジスト材(顔料系インク)を塗布して図2(a)に示すようなパターンを形成した(図1(a),(b))。図2(a)のパターンはグリッド形状の表面電極部103とテクスチャ構造を形成する凹凸部104とからなり、凹凸部のパターンは格子点状に直径20μmのドットを50μmピッチで配置した。乾燥後にシリコン基板101をシリコンのエッチング液(フッ酸と硝酸の混合液)に浸漬してレジスト材で覆われていないシリコン表面をエッチングして凹部105を形成する(図1(c))。その後レジスト材を3%KOH溶液で除去することにより、図2(b)の斜視図に示すように平坦な電極部106と凹凸部107とを得た(図1(d))。得られた凹凸部の凸形状はコニーデ型で高さ40μm、ピッチが50μmで格子点状に規則的に配列されていた。なお、本例では格子点状に配列された凹凸部の形成方法について述べたが、ハニカム状に凹凸部を配列することも容易にできることは言うまでもない。
(実施例2)
本例では図3に示す構成の方法および図4に示すパターンにより凹凸表面の形成を行った。まず、シリコン多結晶基板(p型、比抵抗0.6Ω・cm)301の表面に対してパーソナルコンピュータで制御されたインクジェットを用いてシリコン基板301上にインクジェットノズル302から直接レジスト材(顔料系インク)を塗布して図4(a)に示すようなパターンを形成した(図3(a),(b))。図4(a)のパターンはグリッド形状の表面電極部303とテクスチャ構造を形成する凹凸部304とからなり、凹凸部のパターンは格子状に線幅30μmのラインを60μmピッチで配置した。乾燥後にシリコン基板301をシリコンのエッチング液(フッ酸と硝酸の混合液)に浸漬してレジスト材で覆われていないシリコン表面をエッチングして凹部305を形成する(図3(c))。その後レジスト材を3%KOH溶液で除去することにより、図4(b)の斜視図に示すように平坦な電極部306と凹凸部307とを得た(図3(d))。得られた凹凸部は幅30μm、高さ40μmの凸部が60μmピッチで格子状に規則的に配列されていた。なお、本例では格子状に配列された凹凸部の形成方法について述べたが、ライン・アンド・スペース的にグルーブ形状の凹凸部を配列することも容易にできることは言うまでもない。
本例では図3に示す構成の方法および図4に示すパターンにより凹凸表面の形成を行った。まず、シリコン多結晶基板(p型、比抵抗0.6Ω・cm)301の表面に対してパーソナルコンピュータで制御されたインクジェットを用いてシリコン基板301上にインクジェットノズル302から直接レジスト材(顔料系インク)を塗布して図4(a)に示すようなパターンを形成した(図3(a),(b))。図4(a)のパターンはグリッド形状の表面電極部303とテクスチャ構造を形成する凹凸部304とからなり、凹凸部のパターンは格子状に線幅30μmのラインを60μmピッチで配置した。乾燥後にシリコン基板301をシリコンのエッチング液(フッ酸と硝酸の混合液)に浸漬してレジスト材で覆われていないシリコン表面をエッチングして凹部305を形成する(図3(c))。その後レジスト材を3%KOH溶液で除去することにより、図4(b)の斜視図に示すように平坦な電極部306と凹凸部307とを得た(図3(d))。得られた凹凸部は幅30μm、高さ40μmの凸部が60μmピッチで格子状に規則的に配列されていた。なお、本例では格子状に配列された凹凸部の形成方法について述べたが、ライン・アンド・スペース的にグルーブ形状の凹凸部を配列することも容易にできることは言うまでもない。
(実施例3)
本例では図5に示す構成の方法および図6に示すドットパターンにより凹凸表面の形成を行った。まず、シリコン多結晶基板(p型、比抵抗0.6Ω・cm)501の表面に対してパーソナルコンピュータで制御されたインクジェットを用いてシリコン基板501上にインクジェットノズル502から直接レジスト材(シリカ(SiO2)微粒子を含む溶剤系インク)を塗布して図6(a)に示すようなパターンを形成した(図5(a),(b))。図6(a)のパターンでは表面電極部503は省略しているが図2(a)と同様なグリッド形状の表面電極部503とテクスチャ構造を形成する凹凸部504とからなる。凹凸部504のパターンは図6(a)に示すようにドットパターンが互いに重なるようにインクを噴出し、重なりが大きい部分504’で盛り上がるようにして結果的にこの部分が格子点状にドットパターンのピッチaの半分のピッチとなるように形成した(図6(a)の斜線部分)。このときのドットは直径aは20μmで10μm(即ち、a/2)ピッチで配置した。乾燥させて850℃で熱処理を行った後にシリコン基板501をシリコンのエッチング液(フッ酸と硝酸の混合液)に浸漬してレジスト材を徐々に浸食して最終的にレジスト材が盛り上がった部分をマスクとし、相対的にレジスト材の厚みの薄い部分でシリコン表面をエッチングして凹部505を形成した(図5(c))。その後残ったレジスト材をフッ酸溶液で除去して平坦な電極部506と凹凸部507とを得た(図5(d))。得られた凹凸部の凸形状は図6(b)に示すようなコニーデ型で凸部の高さおよびピッチが10μmであり、格子点状に規則的に配列されていた。このようにドットパターンの配置を工夫することで微細な凹凸形状の作製が可能である。なお、本例では格子点状に配列された凹凸部の形成方法について述べたが、ハニカム状に凹凸部を配列することも容易にできることは言うまでもない。
本例では図5に示す構成の方法および図6に示すドットパターンにより凹凸表面の形成を行った。まず、シリコン多結晶基板(p型、比抵抗0.6Ω・cm)501の表面に対してパーソナルコンピュータで制御されたインクジェットを用いてシリコン基板501上にインクジェットノズル502から直接レジスト材(シリカ(SiO2)微粒子を含む溶剤系インク)を塗布して図6(a)に示すようなパターンを形成した(図5(a),(b))。図6(a)のパターンでは表面電極部503は省略しているが図2(a)と同様なグリッド形状の表面電極部503とテクスチャ構造を形成する凹凸部504とからなる。凹凸部504のパターンは図6(a)に示すようにドットパターンが互いに重なるようにインクを噴出し、重なりが大きい部分504’で盛り上がるようにして結果的にこの部分が格子点状にドットパターンのピッチaの半分のピッチとなるように形成した(図6(a)の斜線部分)。このときのドットは直径aは20μmで10μm(即ち、a/2)ピッチで配置した。乾燥させて850℃で熱処理を行った後にシリコン基板501をシリコンのエッチング液(フッ酸と硝酸の混合液)に浸漬してレジスト材を徐々に浸食して最終的にレジスト材が盛り上がった部分をマスクとし、相対的にレジスト材の厚みの薄い部分でシリコン表面をエッチングして凹部505を形成した(図5(c))。その後残ったレジスト材をフッ酸溶液で除去して平坦な電極部506と凹凸部507とを得た(図5(d))。得られた凹凸部の凸形状は図6(b)に示すようなコニーデ型で凸部の高さおよびピッチが10μmであり、格子点状に規則的に配列されていた。このようにドットパターンの配置を工夫することで微細な凹凸形状の作製が可能である。なお、本例では格子点状に配列された凹凸部の形成方法について述べたが、ハニカム状に凹凸部を配列することも容易にできることは言うまでもない。
101、301、501… 基板(ウエハ)
102、302、502… インクジェットノズル
103、303、503… 表面電極部に対応するレジストパターン
104、304、504… 凹凸形成部に対応するレジストパターン
504’… レジスト材重なり部分
105、305、505… 凹部
106、306、506… 表面電極部
107、307、507… 凹凸部
102、302、502… インクジェットノズル
103、303、503… 表面電極部に対応するレジストパターン
104、304、504… 凹凸形成部に対応するレジストパターン
504’… レジスト材重なり部分
105、305、505… 凹部
106、306、506… 表面電極部
107、307、507… 凹凸部
Claims (6)
- シリコン基体表面上にインクジェットによりレジスト材をパターン描画してエッチングを行い、前記シリコン基体表面に凹凸を形成する方法であって、電極部となる部位と該電極部以外の部位とにおけるパターンが異なることを特徴とするシリコン基体表面の凹凸形成方法。
- 前記電極部となる部位のパターンがグリッド形状であることを特徴とする請求項1に記載のシリコン基体表面の凹凸形成方法。
- 前記電極部以外の部位のパターンがドット形状・格子形状・ハニカム形状の中から選ばれる1つであることを特徴とする請求項1又は2に記載のシリコン基体表面の凹凸形成方法。
- 前記シリコン基体が多結晶シリコンであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のシリコン基体表面の凹凸形成方法。
- 前記レジスト材が顔料またはシリカを含む材料からなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のシリコン基体表面の凹凸形成方法。
- 前記凹凸の高さおよびピッチが5μm乃至100μmの範囲であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載のシリコン基体表面の凹凸形成方法。
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JP2005016631A JP2006210394A (ja) | 2005-01-25 | 2005-01-25 | シリコン基体表面の凹凸形成方法 |
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2005
- 2005-01-25 JP JP2005016631A patent/JP2006210394A/ja not_active Withdrawn
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