JP2006197673A - スイッチング電源装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 簡単な構成でありながら、主スイッチング素子の動作停止後に同期整流素子を直ちに停止させることができるスイッチング電源装置を提供する。
【解決手段】 主スイッチング素子2のスイッチング動作が停止し、転流FET6がオフしたときに、第1の駆動巻線35Bに発生する電圧は通常の動作時よりも低く、ツェナーダイオード38が設定した所定レベルを越えない。そのため、整流FET5は直ちにオフ状態に移行し、主トランス1の一次側にエネルギーを回生させることなく、整流FET5と転流FET6を共に停止させることができる。しかもこのような動作は、第1の駆動巻線35Bから整流FET5に至るラインに制御素子であるツェナーダイオード38を介在させるだけで実現できる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、入力電圧を所望の出力電圧に変換するスイッチング電源装置に関し、特に主トランスの一次側にある主スイッチング素子に同期して、主トランスの二次側にある整流素子や転流素子がオン,オフ動作する同期整流回路を備えたスイッチング電源装置に関する。
一般に、この種のスイッチング電源装置に組み込まれる同期整流回路は、低出力電圧の高効率化、及び装置の小型化のための内部損失低減に非常に効果的である。こうした同期整流回路を備えたものとして、例えば特許文献1には、パルス幅制御回路からの駆動信号によって主トランスの一次側にある主スイッチング素子をスイッチング動作させると共に、この駆動信号を絶縁トランスに二次側に伝送して、主トランスの二次側にある整流スイッチ素子としての整流FETと、転流スイッチ素子としての転流FETを、主スイッチング素子と同期してオン,オフ動作させるものが知られている。しかし、このような他励式の同期整流回路では、主トランスの一次側にあるパルス幅制御回路と、主トランスの二次側にある整流FETや転流FETとの間に、絶縁トランスのような絶縁手段を介在させなければならず、駆動方式が複雑になる欠点がある。
そこで、例えば図5に示すような、絶縁手段を介在させず駆動方式が簡単な自励式の同期整流回路を備えたフォワード型のスイッチング電源装置が提案されている。同図において、1は一次側と二次側とを絶縁する主トランス1は主トランスの一次巻線1Aと直列回路をなすMOS型FETなどの主スイッチング素子で、この主スイッチング素子2をスイッチング動作させることにより、入力端子3,4間の直流入力電圧Viが一次巻線1Aに断続的に印加される。一方、主トランス1の二次側では、フォワード側整流素子としてMOS型FETを用いた整流FET5と、フライホイール側転流素子としてMOS型FETを用いた転流FET6と、チョークコイル7と、コンデンサ8とからなる整流平滑回路が、主トランス1の二次巻線1Bに接続される。すなわち、二次巻線1Bの一側すなわちドット側端子に、一方の出力端子9が直接接続され、二次巻線1Bの他側すなわち非ドット側端子に、整流FET5のドレインが接続され、この整流FET5のソースと他方の出力端子10との間にチョークコイル7が接続され、二次巻線1Bのドット側端子にドレインを接続した転流FET6のソースが、整流FET5とチョークコイル7との接続点に接続され、さらに出力端子9,10の両端にコンデンサ8が接続される。ここでは、整流FET5と転流FET6は後述する同期整流回路11によって、主スイッチング素子2のスイッチング動作に同期して、交互にオン,オフするようになっており、これにより得られた整流出力がチョークコイル7及びコンデンサ8により平滑されることで、出力端子9,10に接続する負荷(図示せず)に直流出力電圧Voを供給するようになっている。
11は、主スイッチング素子2に同期して整流FET5と転流FET6をオン,オフ動作させる同期整流回路であって、これは同期整流素子としての整流FET5及び転流FET6の他に、主スイッチング素子2がオンすると整流FET5をオンするのに必要なゲート駆動電圧を供給する整流ドライブ回路12と、主スイッチング素子2がオフすると転流FET6をオンするのに必要なゲート駆動電圧を供給する転流ドライブ回路13とを備えている。整流ドライブ回路12は、二次巻線1Bのドット側端子と整流FET5のゲートとの間にツェナーダイオード15と抵抗16との直列回路を介挿して構成される。すなわちこの回路例では、出力端子9,10を介して負荷にエネルギーを伝送する巻線(二次巻線1B)を利用して、この二次巻線1Bに誘起した電圧を整流FET5のゲートに供給する構成となっている。
一方、転流ドライブ回路13は、主トランス1のコア1Cに巻回した駆動巻線1Dの一端すなわち非ドット側端子に、スイッチ素子たるMOS型FET18のソースを接続し、このFET18のドレインを抵抗25を介して転流FET6のゲートに接続すると共に、FET18のゲートを駆動巻線1Dの他端であるドット側端子に接続し、この駆動巻線1Dのドット側端子を転流FET6のソースに接続し、さらに、FET18のドレイン・ソース間に抵抗19を接続して構成される。なお20〜23は、それぞれのゲート電圧に関係なく、主スイッチング素子2,整流FET5,転流FET6,FET18のソースからドレインに向けての電流の流れを許容する内蔵のボディダイオードである。
特開2002−281750号公報
上記構成のスイッチング電源では、主スイッチング素子2がスイッチング動作を停止した後も、転流FET6の導通と整流FET5の導通が繰り返され、いわば出力端子9,10が電源ソースとなって主トランス1の一次側にエネルギーが回生される現象が発生する。すなわち、無負荷又は軽負荷時などで主スイッチング素子2が停止すると、二次巻線1Bや駆動巻線1Dの非ドット側端子に正極性の電圧(リセット電圧)が発生し、特に転流ドライブ回路13では、FET18のボディダイオード23を介して転流FET6のゲート・ソース間に、この転流FET6をオンするに十分な電圧が印加される。すると、チョークコイル7に蓄えられたエネルギーによって、始めは転流FET6のソースからドレインに向けて電流が流れるが、やがてこのチョークコイル7のエネルギーがなくなると、今度は転流FET6のドレインからソースに電流の向きが変わって、チョークコイル7に再びエネルギーが蓄えられる。この状態で、転流FET6のゲート電圧が低下して転流FET6がオフすると、チョークコイル7にそれまで蓄えられていたエネルギーによって、転流FET6のソースを基準としたドレイン電圧が上昇し、この転流FET6のドレイン・ソース間電圧を駆動信号として、ツェナーダイオード15と抵抗16を介して整流FET5のゲートに、当該整流FET5をオンするに十分な電圧が印加される。こうなると、出力端子9から二次巻線1B,整流FET5,チョークコイル7,出力端子10に至る閉回路に電流が流れて、主トランス1の一次側にエネルギーが回生される。整流FET5はチョークコイル7に蓄えられたエネルギーがゼロになるとオフするが、ここで駆動巻線1Dに再び上述のようなリセット電圧が発生するので、結局は出力端子9,10間からのエネルギー供給が途絶えるまで、こうした現象が繰り返し継続することとなる。
上述したエネルギーの回生現象は、特に同期整流方式の電源装置を共通する負荷に複数台接続して並列運転を行なった場合、より深刻な影響を及ぼす。その理由は、複数台の並列運転時に自身の電源装置が動作停止しても、他の電源装置から出力端子9,10を介して電源ソースが供給されるため、停止した電源装置では主トランス1の一次側コンデンサ(図示せず)にエネルギーが供給され続けて、当該一次側コンデンサに過剰な電圧ストレスを加えるからである。
図6及び図7は、上記図5の回路構成において、主スイッチング素子2の動作停止前後における各部の波形を示したもので、各図中の符号T1は、主トランス1の一次側の動作を停止すなわち主スイッチング素子2のゲート駆動信号をL(ロー)レベルにした時点を示している。また図6は、上段から出力電圧Vo,整流FET5のゲート・ソース間電圧,主スイッチング素子2のドレイン・ソース間電圧をそれぞれ示している。さらに図7は、上段から出力電圧Vo,転流FET6のゲート・ソース間電圧,主スイッチング素子2のドレイン・ソース間電圧をそれぞれ示している。これらの各図からも明らかなように、主スイッチング素子2のゲート信号によるオン、オフ動作が停止した後も、整流FET5及び転流FET6がオン、オフ動作を繰り返し、主トランス1の一次側にエネルギーが回生されていることがわかる。
本発明は上記の課題に着目してなされたもので、簡単な構成でありながら、主スイッチング素子の動作停止後に同期整流素子を直ちに停止させることができるスイッチング電源装置を提供することをその目的とする。
請求項1の発明は、一次側と二次側とを絶縁する主トランスと、この主トランスの一次巻線に直流入力電圧を断続的に印加する主スイッチング素子と、前記主トランスの二次巻線に発生する電圧を同期整流する整流スイッチ素子及び転流スイッチ素子と、前記主トランスの二次側に設けた第1の駆動巻線に生じる電圧により、前記整流スイッチ素子をオン,オフ動作させる整流ドライブ回路と、前記主トランスの二次側に設けた第2の駆動巻線に生じる電圧により、前記転流スイッチ素子をオン,オフ動作させる転流ドライブ回路と、前記第1の駆動巻線に生じる電圧が所定レベル以下のときには、前記整流スイッチ素子の駆動信号を当該整流スイッチ素子がオンしないレベルにする制御素子とを備えたスイッチング電源装置により構成される。
この場合、通常の動作時には、主スイッチング素子のスイッチングにより主トランスの二次巻線や、主トランスの二次側にある第1の駆動巻線及び第2の駆動巻線にも電圧が発生するが、このとき第1の駆動巻線に生じる電圧は所定レベルを越えていて、整流スイッチ素子をオンするに十分な駆動信号が当該整流スイッチ素子に与えられる。したがって、主スイッチング素子のスイッチングに同期して、同期整流素子である整流スイッチ素子と転流スイッチ素子がオン,オフし、主トランスの二次巻線に発生する電圧を整流して、所望の出力電圧を取り出すことができる。
一方、主スイッチング素子のゲート信号によるスイッチング動作が停止した場合、転流素子がオフした後、電源装置の出力側からエネルギーが供給され続ける状態に陥っても、駆動信号源は整流スイッチ素子のドレインを一端とした主トランスとしているため、第1の駆動巻線に発生する電圧は通常の動作時よりも低く、制御素子が設定した所定レベルを越えないので、整流スイッチ素子はオフ状態を維持し、主トランスの一次側にエネルギーを回生させることなく、整流スイッチ素子及び転流スイッチ素子を停止させることができる。しかもこのような動作は、第1の駆動巻線から整流スイッチ素子に至るラインに制御素子を介在させるだけで実現できる。
請求項2の発明は、前記請求項1の構成に加えて、前記主トランスとは別個の駆動トランスを設け、この駆動トランスの一次巻線を前記主トランスの二次巻線に接続すると共に、前記駆動トランスの二次側に前記第1の駆動巻線と前記第2の駆動巻線とを設けている。
このようにすると、第1の駆動巻線や第2の駆動巻線が、主トランスとは別個の駆動トランスの二次側に設けられているので、負荷に電力伝送を行なう主トランスに一切手を加えずに済む上に、主トランスの一次巻線の巻数に依存することなく、駆動トランスの一次巻線と第1の駆動巻線や第2の駆動巻線との間で自由に巻数比を設定できるので、これらの第1の駆動巻線や第2の駆動巻線から所望の電圧を発生させて、整流スイッチ素子及び転流スイッチ素子をオン,オフ動作させることが可能になる。
請求項1の発明によれば、駆動巻線と制御素子を設けただけの簡単な構成でありながら、主スイッチング素子の動作停止後に同期整流素子を直ちに停止させることができる
請求項2の発明によれば、主トランスに一切手を加えることなく、第1の駆動巻線や第2の駆動巻線から所望の電圧を発生させて、整流スイッチ素子及び転流スイッチ素子をオン,オフ動作させることが可能になる。
以下、本発明におけるスイッチング電源装置の好ましい実施形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお、前記従来例における図5と同一箇所には同一符号を付し、その共通する部分の説明は重複するため省略する。
回路構成を示す図1において、ここでも主スイッチング素子2のスイッチング動作に同期して、整流FET5と転流FET6を交互にオン,オフさせる整流平滑回路31が設けられているが、本実施例ではこの整流平滑回路31を構成する整流ドライブ回路32と転流ドライブ回路33が従来のものと異なっている。それ以外の構成は、従来例のものと一致している。
本実施例において、主トランス1には一次巻線1Aと二次巻線1Bだけがコア1Cに巻回され、入力端子3,4間の入力電圧Viを出力端子9,10間に発生する出力電圧Voに変換する以外の巻線は、一切設けないようにしている。一方、主トランス1の二次巻線1Bの両端には、この主トランス1と別個に独立して設けた駆動トランス35の一次巻線35Aの両端が接続される。また、この駆動トランス35の二次側には、整流ドライブ回路32の一部をなす第1の駆動巻線35Bと、転流ドライブ回路33の一部をなす第2の駆動巻線35Cがぞれぞれ設けられる。
整流ドライブ回路32は、前記第1の駆動巻線35Bと、抵抗16と、制御素子であるツェナーダイオード38とを備えて構成される。より具体的には、主スイッチング素子2がオンしたときに正極性の電圧が誘起される第1の駆動巻線35Bの一端(この場合はドット側端子)から、整流FET5のゲートに至るライン間に、ツェナーダイオード38及び抵抗16からなる直列回路が介挿され、第1の駆動巻線35Bの他端が、整流FET5のソースに直接接続される。このとき、主スイッチング素子2がスイッチング動作する際に、第1の駆動巻線35B間に発生する電圧により、整流FET5をオンするに十分なゲート電圧が整流FET5に与えられる一方で、主スイッチング素子2の動作が停止した場合に、第1の駆動巻線35B間に電圧が発生しても、整流FETがオンしないようなゲート電圧のレベルとなるように、ツェナーダイオード38の特性(この場合はツェナー電圧)が設定される。つまり、ここで利用できる制御素子は、主スイッチング素子2の動作が停止した場合に、第1の駆動巻線35B間に電圧が発生しても、整流FETをオンさせない機能を持っていればどのようなものでもよく、例えばツェナーダイオード38に代わって、第1の駆動巻線35間に発生する電圧をシフトさせる電圧シフト素子や、必要に応じて整流FETのゲート電圧を遮断するFETなどのスイッチ素子を用いてもよい。
転流スイッチ素子33は、図5に示す駆動巻線1Dに代わって、駆動トランス35に設けた第2の駆動巻線35Cを用いる以外は、従来例のものと共通している。すなわち、第2の駆動巻線35Cの一端すなわち非ドット側端子に、スイッチ素子たるMOS型FET18のソースを接続し、このFET18のドレインを抵抗25を介して転流FET6のゲートに接続すると共に、FET18のゲートを第2の駆動巻線35Cの他端であるドット側端子に接続し、この第2の駆動巻線35Cのドット側端子を転流FET6のソースに接続し、さらに、FET18のドレイン・ソース間に抵抗19を接続して構成される。
次に、上記構成についてその作用を説明すると、通常の動作時において、図示しないPWM制御手段からのパルス駆動信号により主スイッチング素子2をスイッチング動作させると、入力端子3,4間の直流入力電圧Viが主トランス1の一次巻線1Aに断続的に印加される。ここで、主スイッチング素子2がオンした場合には、二次巻線1Bのドット側端子に正極性の電圧が発生するため、駆動トランス35を構成する第1の駆動巻線35B及び第2の駆動巻線35Cのドット側端子にも、一次巻線35Aとの巻数比に見合う正極性の電圧が誘起される。整流ドライブ回路32では、第1の駆動巻線35B間に発生する電圧によってツェナーダイオード38が導通し、ツェナーダイオード38及び抵抗16を介して、整流FET5をオンするに十分な駆動電圧が整流FET5のゲート・ソース間に供給される。また転流ドライブ回路33では、第2の駆動巻線35C間に発生する電圧によってFET18がオンするものの、転流FET6のゲート電位はソース電位よりも低くなるため、転流FET6はオフ状態になる。従ってこの期間中は、オン状態にある整流FET5を介して、チョークコイル7や出力端子9,10間に接続されたコンデンサ8や負荷にエネルギーが伝送される。
一方、主スイッチング素子2のオフ期間中は、二次巻線1Bの非ドット側端子に正極性の電圧が発生し、駆動トランス35を構成する第1の駆動巻線35B及び第2の駆動巻線35Cの非ドット側端子にも正極性の電圧が誘起される。このとき整流ドライブ回路32では、整流FET5のゲート電位がソース電位よりも低くなるため、整流FET5はオフ状態になる。また転流ドライブ回路33では、FET18のボディダイオードが導通して、転流FET6のゲート・ソース間にこの転流FET6をオンするに十分な駆動電圧が供給される。従ってこの期間中は、オン状態にある転流FET6を介して、チョークコイル7に蓄えられたエネルギーが出力側にエネルギー伝送される。こうした主スイッチング素子2のオン,オフ動作を繰り返すことで、出力端子9,10間に接続した負荷に所望の直流出力電圧Voが供給される。
次に、主スイッチング素子2へのパルス駆動信号が途絶えて、当該スイッチング素子2のスイッチング動作が停止したときの動作について説明する。この場合も、主トランス1には二次巻線1Bの非ドット側端子に正極性の電圧(リセット電圧)が発生し、転流ドライブ回路33において、FET18のボディダイオード23を介して転流FET6のゲートに、この転流FET6をオンするに十分な電圧が印加される。すると、チョークコイル7に蓄えられたエネルギーによって、始めは転流FET6のソースからドレインに向けて電流が流れるが、やがてこのチョークコイル7のエネルギーがなくなると、今度は転流FET6のドレインからソースに電流の向きが変わって、チョークコイル7に再びエネルギーが蓄えられる。この状態で、転流FET6のゲート電圧が低下して転流FET6がオフすると、チョークコイル7にそれまで蓄えられていたエネルギーによって、転流FET6のソースを基準としたドレイン電圧が上昇するものの、今度は主トランス1の二次巻線1Bには、(整流FET5がダイオードであった場合のオフ時に発生する)共振波形のみが発生する。しかも、このとき整流ドライブ回路32において、第1の駆動巻線35Bに発生する電圧は、二次巻線1Bを駆動信号源としているため、通常の主スイッチング素子2がスイッチング動作する場合よりも低くなっており、整流FET5のゲート・ソース間の電圧レベルは、ツェナーダイオード38によってこの整流FET5をオンする程に上昇していないので、整流FET5はオフ状態を維持する。そのため、出力端子9,10間から主トランス1の二次巻線1Bへのエネルギー伝送が遮断され、この二次巻線1Bにリセット電圧が発生することもないので、整流FET5のみならず転流FET6もオフ状態を維持できる。
ここで、図1の回路構成において、主スイッチング素子2の動作停止前後における各部の波形を、図2に示す。この図も前述の図6や図7と同様に、符号T1は主トランス1の一次側の動作を停止すなわち主スイッチング素子2のゲート駆動信号をL(ロー)レベルにした時点を示している。またこの図では、上段から転流FET6のドレイン電流(ソースからドレインに流れる向きが正),二次巻線1Bの両端間電圧,整流FET5のゲート・ソース間電圧をそれぞれ示している。この図でも示すように、駆動巻線35Bとツェナーダイオード38を介在させたことにより、主トランス1の二次巻線1Bにオフセットを加えた電圧が、整流FET5のゲート・ソース間に駆動信号として供給されるようになっている。また、主スイッチング素子2のスイッチング動作が停止した後に、整流FET5のゲート・ソース間電圧は略ゼロになってオフ状態を維持しており、二次巻線1Bの両端間にもリセット電圧が繰り返し発生するようなことはない。したがって、複数台の電源装置を共通の負荷に接続した並列運転時においても、停止した電源装置の一次側にエネルギーが回生されることはなく、従来のような並列運転時における問題を一掃することができる。
以上のように本実施例では、一次側と二次側とを絶縁する主トランス1と、この主トランス1の一次巻線1Aに直流入力電圧Viを断続的に印加する主スイッチング素子2と、主トランス1の二次巻線1Bに発生する電圧を同期整流する整流スイッチ素子としての整流FET5及び転流スイッチ素子としての転流FET6と、主トランス1の二次側に設けた第1の駆動巻線35Bに生じる電圧により、整流FET5をオン,オフ動作させる整流ドライブ回路32と、主トランス1の二次側に設けた第2の駆動巻線35Cに生じる電圧により、転流FET6をオン,オフ動作させる転流ドライブ回路33と、第1の駆動巻線35Bに生じる電圧が通常の主スイッチング素子2がスイッチング動作するときよりも低い所定レベル以下のときには、整流FET5のゲートへの駆動信号を当該整流FET5がオンしないレベルにする制御素子としてのツェナーダイオード38を備えている。
この場合、通常の動作時には、主スイッチング素子2のスイッチングにより主トランス1の二次巻線1Bや、主トランス1の二次側にある第1の駆動巻線35B及び第2の駆動巻線35Cにも電圧が発生するが、このとき第1の駆動巻線35Bに生じる電圧は所定レベルを越えていて、整流FET5をオンするに十分な駆動信号が当該整流FET5のゲートに与えられる。したがって、主スイッチング素子2のスイッチングに同期して、同期整流素子である整流FET5と転流FET6がオン,オフし、主トランス1の二次巻線1Bに発生する電圧を整流して、所望の出力電圧Voを取り出すことができる。
一方、主スイッチング素子2のスイッチング動作が停止したときに、電源装置の出力側からエネルギーが供給され続ける状態に陥っても、転流FET6のオフ後に、第1の駆動巻線35Bに発生する電圧は通常の動作時よりも低く、ツェナーダイオード38が設定した所定レベルを越えないので、整流FET5はオフ状態を維持し、主トランス1の一次側にエネルギーを回生させることなく、整流FET5と転流FET6を共に停止させることができる。しかもこのような動作は、第1の駆動巻線35Bと第1の駆動巻線35Bから整流FET5に至るラインに制御素子であるツェナーダイオード38を介在させるだけで実現できる。
また本実施例では特に、主トランスとは別個の駆動トランス35を設け、この駆動トランス35の一次巻線35Aを主トランス1の二次巻線1Bに接続すると共に、駆動トランス35の二次側に第1の駆動巻線35Bと第2の駆動巻線35Cとを設けている。
このようにすると、第1の駆動巻線35Bや第2の駆動巻線35Cが、主トランス1とは別個の駆動トランス35の二次側に設けられているので、負荷に電力伝送を行なう主トランス1に一切手を加えずに済む上に、主トランス1の一次巻線1Aの巻数に依存することなく、駆動トランス35の一次巻線35Aと第1の駆動巻線35Bや第2の駆動巻線35Cとの間で自由に巻数比を設定できるので、これらの第1の駆動巻線35Bや第2の駆動巻線35Cから所望の電圧を発生させて、整流FET5及び転流FET6をオン,オフ動作させることが可能になる。
次に、上記実施例における変形例を図3及び図4に基づき説明する。これらの各図において、上記実施例における図1と同一箇所には同一符号を付し、その共通する部分の説明は重複するため省略する。
図3に示す変形例では、駆動トランスを別に設けず、主トランス1のコア1Cに第1の駆動巻線45と、第2の駆動巻線46をそれぞれ設けている。この場合も、主スイッチング素子2のスイッチング動作が停止したときに、整流FET5は直ちにオフ状態に移行し、主トランス1の一次側にエネルギーを回生させることなく、整流FET5と転流FET6を共に停止させることができる。さらに上記実施例と同様に、自励式の同期整流回路31を備えているので、絶縁手段が不要で駆動方式を簡単にすることができる。
さらに、図1の実施例におけるツェナーダイオード38と抵抗16との直列回路に代えて、ツェナーダイオード38とコンデンサ15と抵抗16とによる直列回路を介挿してもよい。この場合、整流FET5がオフする際に第1の駆動巻線35Bに発生する電圧を、コンデンサ15と整流FET5の入力容量で分割でき、整流FET5のゲート・ソース間の逆電圧を低減させることができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲において種々の変形実施が可能である。例えば主トランスの二次側に設けられる整流スイッチ素子や転流スイッチ素子は、MOS型FET以外のものでもよい。また、主トランスの一次側も、例えば2個の主スイッチング素子と一次巻線とをカスケードに接続する構成などに変更してもよい。
本発明の一実施例におけるスイッチング電源装置の回路図である。 同上、図1の回路における各部の波形図である。 同上、図1の変形例を示すスイッチング電源装置の回路図である。 同上、要部の変形例を示す回路図である。 従来例を示すスイッチング電源装置の回路図である。 同上、図5の回路における各部の波形図である。 同上、図5の回路における各部の波形図である。
符号の説明
1 主トランス
2 主スイッチング素子
5 整流FET(整流スイッチ素子)
6 転流FET(転流スイッチ素子)
32 整流ドライブ回路
33 転流ドライブ回路
35 駆動トランス
35B 第1の駆動巻線
35C 第2の駆動巻線
38 ツェナーダイオード(制御素子)


Claims (2)

  1. 一次側と二次側とを絶縁する主トランスと、この主トランスの一次巻線に直流入力電圧を断続的に印加する主スイッチング素子と、前記主トランスの二次巻線に発生する電圧を同期整流する整流スイッチ素子及び転流スイッチ素子と、前記主トランスの二次側に設けた第1の駆動巻線に生じる電圧により、前記整流スイッチ素子をオン,オフ動作させる整流ドライブ回路と、前記主トランスの二次側に設けた第2の駆動巻線に生じる電圧により、前記転流スイッチ素子をオン,オフ動作させる転流ドライブ回路と、前記第1の駆動巻線に生じる電圧が所定レベル以下のときには、前記整流スイッチ素子の駆動信号を当該整流スイッチ素子がオンしないレベルにする制御素子とを備えたことを特徴とするスイッチング電源装置。
  2. 前記主トランスとは別個の駆動トランスを設け、この駆動トランスの一次巻線を前記主トランスの二次巻線に接続すると共に、前記駆動トランスの二次側に前記第1の駆動巻線と前記第2の駆動巻線とを設けたことを特徴とする請求項1記載のスイッチング電源装置。

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2011244632A (ja) * 2010-05-20 2011-12-01 Cosel Co Ltd スイッチング電源装置
JP2018195668A (ja) * 2017-05-16 2018-12-06 Tdk株式会社 トランス及び当該トランスを用いたスイッチング電源装置

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