JP2006186337A - 発光素子及びそれを用いた電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】イオン化ポテンシャルが小さい共役分子と、その共役分子に対して電子受容性のある物質を混合し、複合体を形成する。複合体を素子材料として用い素子を構成する複合層を形成する。複合層は第1の電極と発光層との間、もしくは第2の電極と発光層との間に配置される。複合層は導電性が高いため膜厚を厚くしても駆動電圧が上昇しない。これにより電極の短絡を防止できる電界発光素子を提供することができる。
【選択図】図1
Description
本発明の発光素子の一態様について図1を用いて説明する。
本実施の形態を図2を用いて説明する。
本実施の形態は、実施の形態1で示した第2の層112と第1の電極101との間の積層構造と、実施の形態2で示した第2の層212と第2の電極202との間の積層構造を組み合わせたものである。
本発明の発光素子は、表示装置の画素にも使用できるし、光源としても使用できる。発光素子を画素に用いた場合は、動作不良がなく、表示色が良好な画像を表示できる。また、高信頼性な表示装置または発光装置を提供できる。また、発光素子を光源に用いた場合は、発光素子の動作不良に起因した不具合が少なく、明るい発光装置を得ることができる。
本発明の発光素子を含む発光装置の一態様について、図7及び図8を用いて説明する。
本発明の発光素子を画素として用いた発光装置は、発光素子の動作不良に起因した表示欠陥が少ないため、表示動作が良好である。また、表示欠陥に起因した表示画像の誤認等の少ない電子機器を得ることができる。また、本発明の発光素子を光源として用いた発光装置は、発光素子の動作不良に起因した不具合が少なく良好に照明することができる。このような発光装置をバックライト等の照明部として用いることによって、発光素子の不具合に起因して局所的に暗部が形成されるような動作不良が低減される。
本形態では、本発明の発光素子の材料として使われる複合体について述べる。複合体は、下記の一般式[化1]〜[化5]で示す共役分子のいずれかと、その共役分子に対して電子受容性を持つ物質とを混合したものである。
102 第2の電極
111 第1の層
112 第2の層
113 第3の層
114 複合層
115 正孔輸送層
116 複合層
117 正孔注入層
118 複合層
201 第1の電極
202 第2の電極
211 第1の層
212 第2の層
213 第3の層
214 複合層
215 電子発生層
301 第1の電極
302 第2の電極
311 第1の層
312 第2の層
313 第3の層
324 第1の複合層
325 電子発生層
326 正孔輸送層
327 第2の複合層
328 第2の複合層
329 正孔注入層
330 第2の複合層
6500 基板
6503 FPC
6504 プリント配線基盤(PWB)
6511 画素部
6512 ソース信号線駆動回路
6513 書込用ゲート信号線駆動回路
6514 消去用ゲート信号線駆動回路
901 第1のトランジスタ
902 第2のトランジスタ
903 発光素子
911 ゲート信号線
912 ソース信号線
913 書込用ゲート信号線駆動回路
914 消去用ゲート信号線駆動回路
915 ソース信号線駆動回路
916 電源
917 電流供給線
918 スイッチ
919 スイッチ
920 スイッチ
1001 第1のトランジスタ
1002 第2のトランジスタ
1003 ゲート信号線
1004 ソース信号線
1005 電流供給線
1006 電極
10 基板
11 トランジスタ
12 発光素子
13 第1の電極
14 第2の電極
15 層
16a 第1層間絶縁膜
16b 第1層間絶縁膜
16c 第1層間絶縁膜
17 配線
18 隔壁層
19a 第2層間絶縁膜
19b 第2層間絶縁膜
21 ゲート電極
22 ゲート絶縁膜
23 半導体層
951 基板
952 電極
953 絶縁層
954 隔壁層
955 層
956 電極
5521 本体
5522 筐体
5523 表示部
5524 キーボード
5551 表示部
5552 本体
5553 アンテナ
5554 音声出力部
5555 音声入力部
5556 操作スイッチ
5557 操作スイッチ
5531 表示部
5532 筐体
5533 スピーカー
5511 筐体
5512 液晶装置
5513 発光装置
5514 筐体
5515 外部入力端子
5516 外部入力端子
5517 導光板
5518 アレイ
1501 第1の電極
1502 第2の電極
1503 層
1511 正孔輸送層
1512 発光層
1513 電子輸送層
Claims (9)
- 第1の電極と第2の電極とでなる一対の電極と、
前記一対の電極間にある発光層と、
前記発光層と前記一対の電極の少なくとも一方との間に配置された複合層とを有し、
前記複合層は一般式[化1]乃至[化5]のいずれかの共役分子と、前記共役分子に対し電子受容性を持つ物質との複合体からなる層であることを特徴とする発光素子。
- 請求項1において、前記第1の電極の電位が前記第2の電極の電位よりも高くなるように電圧が印加されたとき、前記発光素子は前記発光層から発光し、前記第1の電極と前記発光層との間に前記複合層は配置されることを特徴とする発光素子。
- 請求項1において、前記第1の電極の電位が前記第2の電極の電位よりも高くなるように電圧が印加されたとき、前記発光素子は前記発光層から発光し、前記第2の電極と前記発光層との間に前記複合層は配置され、前記複合層と前記発光層側で接する電子発生層を有することを特徴とする発光素子。
- 請求項1において、前記第1の電極の電位が前記第2の電極の電位よりも高くなるように電圧が印加されたとき、前記発光素子は前記発光層から発光し、
前記第1の電極と前記発光層との間、及び前記第2の電極と前記発光層との間のそれぞれに、前記複合層は配置され、
前記第2の電極と前記発光層との間に配置された前記複合層と前記発光層側で接する電子発生層を有することを特徴とする発光素子。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記共役分子に対し電子受容性を持つ前記物質は、金属酸化物、金属窒化物、有機化合物またはルイス酸であることを特徴とする発光素子。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記共役分子の式中Yは、炭素数6から20の二価の芳香族炭化水素基、又は酸素、窒素、硫黄もしくは珪素を含む炭素数4から30の二価の複素芳香環基であることを特徴とする発光素子。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、前記共役分子のR1とR2とで環構造を形成し、且つR3とR4とで環構造を形成することを特徴とする発光素子。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の発光素子を画素として用いることを特徴とする電子機器。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の発光素子を光源として用いることを特徴とする電子機器。
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