JP2006186014A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006186014A JP2006186014A JP2004376131A JP2004376131A JP2006186014A JP 2006186014 A JP2006186014 A JP 2006186014A JP 2004376131 A JP2004376131 A JP 2004376131A JP 2004376131 A JP2004376131 A JP 2004376131A JP 2006186014 A JP2006186014 A JP 2006186014A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- heater
- feed line
- tip
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
半導体製造装置に於けるヒータ電力フィード線と端子部との接続部分でスパークの発生を抑制し、ヒータ電力フィード線の損傷を防止する。
【解決手段】
基板処理室12と、該基板処理室に収納された基板13を加熱するヒータと、該ヒータに電力を供給するヒータ電力フィード線48と、該ヒータ電力フィード線に接続されると共に電力供給源に接続された端子部とを具備し、該端子部の少なくとも前記ヒータ電力フィード線に接触する角部から尖端を除去した。
【選択図】 図1
Description
12 基板処理室
13 基板
20 サセプタ
32 筒状電極
36 磁界形成手段
34 整合器
35 高周波電源
38 ヒータ
39 高周波電極
41 インピーダンス可変機構
47 コントローラ
48 ヒータ電力フィード線
48a フィード線先端部
49 高周波フィード線
51 端子部
51a 端子先端部
Claims (1)
- 基板処理室と、該基板処理室に収納された基板を加熱するヒータと、該ヒータに電力を供給するヒータ電力フィード線と、該ヒータ電力フィード線に接続されると共に電力供給源に接続された端子部とを具備し、該端子部の少なくとも前記ヒータ電力フィード線に接触する角部から尖端を除去したことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004376131A JP4578232B2 (ja) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004376131A JP4578232B2 (ja) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010155910A Division JP2010226148A (ja) | 2010-07-08 | 2010-07-08 | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006186014A true JP2006186014A (ja) | 2006-07-13 |
JP4578232B2 JP4578232B2 (ja) | 2010-11-10 |
Family
ID=36738921
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004376131A Active JP4578232B2 (ja) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4578232B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04160786A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-06-04 | Shinagawa Refract Co Ltd | ジルコニア質発熱構造体 |
JPH07282960A (ja) * | 1994-04-04 | 1995-10-27 | Nippondenso Co Ltd | セラミックヒータ |
JP2003178937A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-06-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置およびそれに使用される給電用電極部材 |
JP2004087392A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Toshiba Ceramics Co Ltd | AlNヒータ及びその製造方法 |
WO2004095560A1 (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP2004335151A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Ibiden Co Ltd | セラミックヒータ |
-
2004
- 2004-12-27 JP JP2004376131A patent/JP4578232B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04160786A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-06-04 | Shinagawa Refract Co Ltd | ジルコニア質発熱構造体 |
JPH07282960A (ja) * | 1994-04-04 | 1995-10-27 | Nippondenso Co Ltd | セラミックヒータ |
JP2003178937A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-06-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置およびそれに使用される給電用電極部材 |
JP2004087392A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Toshiba Ceramics Co Ltd | AlNヒータ及びその製造方法 |
WO2004095560A1 (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP2004335151A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Ibiden Co Ltd | セラミックヒータ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4578232B2 (ja) | 2010-11-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4347295B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
JP4745247B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5171584B2 (ja) | 基板処理装置の基板載置台、基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP4578232B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造方法 | |
JP5793028B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP6012933B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板処理方法 | |
US8133820B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP2009010144A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2010226148A (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
JP2006005287A (ja) | 基板処理方法 | |
JP2007103697A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2009224755A (ja) | 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置 | |
JP2010097993A (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP2006278631A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP6066571B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2013197449A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP2005093886A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP2009152233A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP2007208169A (ja) | 基板処理方法 | |
JP5430295B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
JP2009059845A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2011071353A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2007063640A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2010118489A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2009152624A (ja) | 基板処理方法及び半導体製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071211 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100511 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100708 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100803 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100824 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4578232 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140903 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |