JP2006184031A - Package for pressure detection system, and the pressure detection system - Google Patents

Package for pressure detection system, and the pressure detection system Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reliable package for a pressure detection system and a pressure detection system that allows improve pressure detection accuracy to increase, while realizing size reduction. <P>SOLUTION: The package for a pressure detection system comprise a first metal layer 8, which is formed on the surface of an insulating substrate 1 and is electrically connected to an electrode of a semiconductor device 3, a second metal layer 10 which is formed on the surface of a diaphragm 2, is electrically connected to a second electrode 7, and is electrically connected to the first metal layer 8 via a joint member 11, and a frame-shaped protrusion part 12 which is formed around a first electrode 7 on the surface of the insulating substrate 1 and defines a region on which the diaphragm 2 is arranged. An empty space 14 is partially formed between the diaphragm 2 and the frame-shaped protrusion part 12. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、圧力を検出するための圧力検出装置に用いられる圧力検出装置用パッケージおよび圧力検出装置に関する。   The present invention relates to a pressure detection device package and a pressure detection device used in a pressure detection device for detecting pressure.

従来、圧力を検出するための圧力検出装置として静電容量型の圧力検出装置が知られている。この静電容量型の圧力検出装置に用いられるパッケージは、下記特許文献1に記載されているように、半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基体と、絶縁基体の表面に形成された静電容量形成用の第1の電極と、絶縁基体の表面に可撓な状態で接合されたダイアフラムと、このダイアフラムの表面に第1の電極に対向するように被着された静電容量形成用の第2の電極とを備えている。そして、第1の電極および第2の電極により静電容量を形成するために、これら電極間に所定の間隔を設ける必要があり、ダイアフラムと絶縁基体との間にスペーサを備えている。   Conventionally, a capacitance type pressure detection device is known as a pressure detection device for detecting pressure. As described in Patent Document 1 below, a package used in this capacitance type pressure detection device includes an insulating base having a mounting portion on which a semiconductor element is mounted, and a static electricity formed on the surface of the insulating base. A first electrode for forming a capacitance, a diaphragm joined in a flexible state to the surface of an insulating substrate, and a capacitor for forming a capacitance deposited on the surface of the diaphragm so as to face the first electrode The second electrode. In order to form a capacitance by the first electrode and the second electrode, it is necessary to provide a predetermined interval between these electrodes, and a spacer is provided between the diaphragm and the insulating base.

このような圧力検出装置用パッケージは、絶縁基体とダイアフラムとは、第1の電極を取り囲むようにして形成されたスペーサの上面に設けられた第1の金属層と、ダイアフラム表面の外周部に設けられた第2の金属層とが銀(Ag)−銅(Cu)合金や金(Au)−錫(Sn)合金等の導電性の接合材によって接合されている。
特開2001−356064号公報
In such a pressure detection device package, the insulating base and the diaphragm are provided on the outer periphery of the first metal layer provided on the upper surface of the spacer formed so as to surround the first electrode, and on the diaphragm surface. The second metal layer thus formed is bonded by a conductive bonding material such as a silver (Ag) -copper (Cu) alloy or a gold (Au) -tin (Sn) alloy.
JP 2001-356064 A

しかしながら、このような従来のパッケージにおいて、圧力検出の感度を向上させることを目的に、例えば、静電容量形成用の第1の電極および第2の電極のうち一方の電極が他方の電極より小さく形成された構造を採用するとともに、小型化を図る場合には、第1の電極と第2の電極との位置合わせの精度をより向上させる必要があった。すなわち、圧力検出装置の感度を向上させつつ小型化を図る場合には、第1の電極と第2の電極との位置ずれによる検出精度の低下が顕著に現れるため、第1の電極が形成された絶縁基体と第2の電極が形成されたダイアフラムとの位置合わせの精度をさらに向上させる必要があった。   However, in such a conventional package, for example, one of the first electrode and the second electrode for forming capacitance is smaller than the other electrode in order to improve the sensitivity of pressure detection. When adopting the formed structure and reducing the size, it is necessary to further improve the accuracy of alignment between the first electrode and the second electrode. That is, when downsizing is attempted while improving the sensitivity of the pressure detection device, the first electrode is formed because the detection accuracy is significantly reduced due to the displacement between the first electrode and the second electrode. In addition, it is necessary to further improve the accuracy of alignment between the insulating base and the diaphragm on which the second electrode is formed.

また、従来のパッケージにおいて小型化を図る場合に、第1の金属層と第2の金属層との間に介在する余分な接合材が絶縁基体等に流れ出て、絶縁基体に余分な接合材の塊が形成される可能性があった。そして、この余分な接合材が固まる際に、余分な接合材が第1の金属層および第2の金属層を引き剥がす可能性があった。第1の金属層および第2の金属層が引き剥がされてしまうと、絶縁基体にダイアフラムを接合することが困難となる。   Further, when miniaturization is attempted in the conventional package, an excess bonding material interposed between the first metal layer and the second metal layer flows out to the insulating base or the like, and the excess bonding material is added to the insulating base. Lumps could be formed. And when this excess joining material hardened, there was a possibility that the excess joining material might peel off the 1st metal layer and the 2nd metal layer. If the first metal layer and the second metal layer are peeled off, it becomes difficult to join the diaphragm to the insulating substrate.

本発明はかかる従来の問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、圧力の検出精度を向上させつつ小型化を図り、信頼性の高い圧力検出装置用のパッケージおよび圧力検出装置を提供することにある。   The present invention has been devised in view of such conventional problems, and an object of the present invention is to provide a highly reliable package for a pressure detection device and a pressure detection device that achieves downsizing while improving pressure detection accuracy. It is to provide.

本発明の圧力検出装置用パッケージは、半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基体と、この絶縁基体の表面に形成された静電容量形成用の第1の電極と、絶縁基体の表面に形成され、半導体素子の電極に電気的に接続される第1の金属層と、絶縁基体の表面と対向して配置されたダイアフラムと、このダイアフラムの表面に、第1の電極に対向するように形成された静電容量形成用の第2の電極と、ダイアフラムの表面に形成され、第2の電極に電気的に接続されるとともに接合材を介して第1の金属層に電気的に接続された第2の金属層と、絶縁基体の表面の第1の電極の周囲に形成され、ダイアフラムが配置される領域を規定する枠状の突起部とを備え、ダイアフラムと枠状の突起部との間に空白領域が部分的に形成されていることを特徴とするものである。   The package for a pressure detection device of the present invention includes an insulating base having a mounting portion on which a semiconductor element is mounted, a first electrode for forming a capacitance formed on the surface of the insulating base, and a surface of the insulating base. A first metal layer that is formed and electrically connected to the electrode of the semiconductor element, a diaphragm disposed to face the surface of the insulating base, and a surface of the diaphragm so as to face the first electrode The formed second electrode for forming capacitance and the surface of the diaphragm are electrically connected to the second electrode and electrically connected to the first metal layer through a bonding material. A second metal layer, and a frame-shaped projection that is formed around the first electrode on the surface of the insulating base and defines a region in which the diaphragm is disposed, and the diaphragm and the frame-shaped projection A blank area is partially formed between them. The one in which the features.

本発明の圧力検出装置用パッケージは、空白領域が、ダイアフラムの周辺に複数形成されていることを特徴とするものである。   The package for a pressure detection device of the present invention is characterized in that a plurality of blank regions are formed around the diaphragm.

本発明の圧力検出装置用パッケージは、複数の空白領域が、ダイアフラムの周辺に均等に配置されていることを特徴とするものである。   The package for a pressure detection device of the present invention is characterized in that a plurality of blank regions are evenly arranged around the diaphragm.

本発明の圧力検出装置用パッケージは、絶縁基体の表面とダイアフラムの前記表面との間に設けられ、前記第1の電極と前記第2の電極との間隔を規定するスペーサを備えていることを特徴とするものである。   The package for a pressure detection device according to the present invention includes a spacer that is provided between a surface of an insulating base and the surface of the diaphragm, and that defines a distance between the first electrode and the second electrode. It is a feature.

本発明の圧力検出装置用パッケージは、絶縁基体、ダイアフラム、枠状の突起部、スペーサが同じ材料からなることを特徴とするものである。   The package for a pressure detection device according to the present invention is characterized in that the insulating base, the diaphragm, the frame-shaped protrusion, and the spacer are made of the same material.

本発明の圧力検出装置用パッケージは、第1の金属層の一部が絶縁基体と枠状の突起部とに挟まれて形成されていることを特徴とするものである。   The package for a pressure detection device of the present invention is characterized in that a part of the first metal layer is sandwiched between an insulating base and a frame-like projection.

本発明の圧力検出装置は、本発明の圧力検出装置用パッケージと、この圧力検出装置用パッケージの搭載部に搭載され、ダイアフラムに加わる圧力を検出する半導体素子とを備えていることを特徴とするものである。   The pressure detection device of the present invention includes the pressure detection device package of the present invention, and a semiconductor element that is mounted on the mounting portion of the pressure detection device package and detects the pressure applied to the diaphragm. Is.

本発明の圧力検出装置用パッケージは、半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基体の表面の第1の電極の周囲に形成され、ダイアフラムが配置される領域を規定する枠状の突起部を備え、ダイアフラムと枠状の突起部との間に空白領域が部分的に形成されていることにより、圧力の検出精度を向上させつつ小型化を図り、信頼性を向上させることができる。   The package for a pressure detection device according to the present invention includes a frame-shaped protrusion that is formed around the first electrode on the surface of an insulating base having a mounting portion on which a semiconductor element is mounted, and defines a region where a diaphragm is disposed. In addition, since the blank region is partially formed between the diaphragm and the frame-shaped protrusion, it is possible to reduce the size and improve the reliability while improving the pressure detection accuracy.

すなわち、本発明の圧力検出装置用パッケージは、絶縁基体の表面の第1の電極の周囲に形成され、ダイアフラムが配置される領域を規定する枠状の突起部を備えることにより、ダイアフラムを絶縁基体の表面に対向する位置に配置する際に、枠状の突起部をダイアフラムと絶縁基体との位置合わせに用いてダイアフラムの全周にわたって位置ずれを抑制し、ダイアフラムを絶縁基体の表面の所定の位置に精度良く配置することができ、第1の電極と第2の電極との位置精度を高いものとすることができる。従って、検出精度のばらつきを低減させ、また、外部圧力の検出精度を向上させつつ小型化を図ることが可能となる。   That is, the package for a pressure detection device of the present invention includes a frame-shaped protrusion that is formed around the first electrode on the surface of the insulating base and defines a region in which the diaphragm is disposed, so that the diaphragm is insulated. When the frame is disposed at a position facing the surface, the frame-shaped protrusion is used for alignment between the diaphragm and the insulating base to suppress misalignment over the entire circumference of the diaphragm, and the diaphragm is placed at a predetermined position on the surface of the insulating base. And the positional accuracy between the first electrode and the second electrode can be increased. Therefore, it is possible to reduce the variation in detection accuracy and to reduce the size while improving the detection accuracy of the external pressure.

また、ダイアフラムと枠状の突起部との間に、部分的に空白領域が形成されていることにより、絶縁基体にダイアフラムを接合させる際に発生する余分な接合材は、部分的に形成された空白領域に分散されて逃げるため、接合材の塊が形成されることがなく、接合材の塊の形成によって第1の金属層が絶縁基体から引き剥がされるのを有効に抑制することができるようになる。従って、ダイアフラムを絶縁基体の所定の位置に精度よく接合させることが可能となる。   In addition, since a blank region is partially formed between the diaphragm and the frame-shaped protrusion, an extra bonding material generated when the diaphragm is bonded to the insulating base is partially formed. Since it is dispersed in the blank area and escapes, no lump of bonding material is formed, and the formation of the lump of bonding material can effectively prevent the first metal layer from being peeled from the insulating substrate. become. Accordingly, the diaphragm can be accurately joined to a predetermined position of the insulating base.

また、本発明の圧力検出装置用パッケージは、空白領域が、ダイアフラムの周辺に複数形成されていることにより、絶縁基体にダイアフラムを接合させる際に発生する余分な接合材は、複数形成された空白領域に分散されて逃げることから、各空白領域における余分な接合材の量が少なくなり接合材の塊の形成を抑制できるため、第1の金属層が絶縁基体から引き剥がされるのを有効に抑制することができるようになる。従って、ダイアフラムを絶縁基体の所定の位置に精度よく接合させることが可能となる。   In the pressure detection device package according to the present invention, since a plurality of blank regions are formed around the diaphragm, a plurality of unnecessary bonding materials generated when the diaphragm is bonded to the insulating base are formed in the blank. Since it is dispersed in the region and escapes, the amount of excess bonding material in each blank region is reduced and the formation of a lump of bonding material can be suppressed, so that the first metal layer is effectively prevented from being peeled off from the insulating substrate. Will be able to. Accordingly, the diaphragm can be accurately joined to a predetermined position of the insulating base.

また、本発明の圧力検出装置用パッケージは、複数の空白領域が、ダイアフラムの周辺に均等に配置されていることにより、絶縁基体にダイアフラムを接合させる際に発生する余分な接合材は、複数の空白領域に各々均等に分散されて逃げることとなり、各空白領域における余分な接合材の量が少なくなり接合材の塊の形成を抑制できるため、第1の金属層が絶縁基体から引き剥がされるのを有効に抑制することができる。従って、ダイアフラムを絶縁基体の所定の位置に精度よく接合させることが可能となる。また、第1の金属層と第2の金属層との間に介在する接合材の厚みを均一に保つことができるため、第1の電極と第2の電極との間隔も均一にすることができる。従って、外部の圧力の検出精度のばらつきを低減して検出精度を向上させることが可能となる。   In the pressure sensing device package according to the present invention, the plurality of blank regions are evenly arranged around the diaphragm, so that the excess bonding material generated when the diaphragm is bonded to the insulating base is a plurality of bonding materials. The first metal layer is peeled off from the insulating substrate because each of the blank regions is evenly dispersed and escapes, and the amount of excess bonding material in each blank region is reduced and the formation of a lump of bonding material can be suppressed. Can be effectively suppressed. Accordingly, the diaphragm can be accurately joined to a predetermined position of the insulating base. In addition, since the thickness of the bonding material interposed between the first metal layer and the second metal layer can be kept uniform, the distance between the first electrode and the second electrode can be made uniform. it can. Therefore, it is possible to improve the detection accuracy by reducing the variation in the detection accuracy of the external pressure.

また、本発明の圧力検出装置用パッケージは、絶縁基体の表面とダイアフラムの表面との間に設けられ、第1の電極と第2の電極との間隔を規定するスペーサを備えていることにより、スペーサを薄く形成して、静電容量を形成する第1の電極と第2の電極との間隔を小さなものとすることができる。すなわち、第1の電極と第2の電極との間隔を小さくすることにより、所望の静電容量を形成する第1の電極と第2の電極との対向面積を小さくしてダイアフラムを小さく形成することができる。従って、本発明の圧力検出装置用パッケージをより小型化することが可能となる。   In addition, the pressure detection device package of the present invention includes a spacer that is provided between the surface of the insulating base and the surface of the diaphragm and that defines a distance between the first electrode and the second electrode. By forming the spacer thin, the distance between the first electrode and the second electrode forming the capacitance can be made small. That is, by reducing the distance between the first electrode and the second electrode, the opposing area between the first electrode and the second electrode that forms a desired capacitance is reduced, and the diaphragm is formed smaller. be able to. Therefore, the pressure detection device package of the present invention can be further downsized.

また、スペーサにより第1の電極と第2の電極との間隔が規定されることにより、精度の高い静電容量を検出することができる。すなわち、スペーサは、ダイアフラムに外圧が繰り返し印加された際に、ダイアフラムの撓みが外圧に対して常に比例して撓むようにダイアフラムを支持固定させることが可能となり、ダイアフラムの一定の圧力に対する撓みのばらつきを抑制させることができる。従って、外部の圧力を精度精度を向上させ、また、検出精度のばらつきを低減させることが可能となる。   In addition, since the distance between the first electrode and the second electrode is defined by the spacer, it is possible to detect the electrostatic capacitance with high accuracy. That is, the spacer can support and fix the diaphragm so that when the external pressure is repeatedly applied to the diaphragm, the deflection of the diaphragm is always proportional to the external pressure. Can be suppressed. Therefore, it is possible to improve the accuracy and accuracy of the external pressure and reduce the variation in detection accuracy.

また、本発明の圧力検出装置用パッケージは、絶縁基体、ダイアフラム、枠状の突起部、スペーサが同じ材料からなることにより、外部の圧力を精度良く検出することができる。すなわち、ダイアフラムを絶縁基体の表面に対向する位置に配置する際に、ダイアフラムと突起部とが擦れてしまってダイアフラムや突起部が欠けたり、擦れた際に屑が発生したりして、屑が絶縁基体とダイアフラムとの間に介在してしまう可能性を低減させることができる。従って、外部の圧力を精度良く検出することが可能となる。   In the pressure detection device package of the present invention, the insulating base, the diaphragm, the frame-shaped protrusion, and the spacer are made of the same material, so that the external pressure can be detected with high accuracy. That is, when the diaphragm is disposed at a position facing the surface of the insulating base, the diaphragm and the projection are rubbed and the diaphragm or the projection is chipped, or the scrap is generated when rubbed. The possibility of interposing between the insulating base and the diaphragm can be reduced. Therefore, the external pressure can be detected with high accuracy.

また、静電容量を検出するための絶縁基体とダイアフラム、ダイアフラムが配置される領域を規定する枠状の突起部、および絶縁基体とダイアフラムの間隔を規定するスペーサは同じ材質から成ることから、各々の機械的強度が同じものであるため、外部の圧力に対して各々の当接部に塑性変形が発生しにくく、かつ、各々の熱膨張に差がないため、外気の温度変化によって各々の間に歪みが発生しにくくなり、各々を所定の位置に精度よく配置させることができる。従って、外部の圧力を精度良く検出することができるとともに、広範囲の温度環境の元に使用することができ、汎用性の高い圧力検出装置用パッケージとすることが可能となる。   In addition, the insulating base and diaphragm for detecting the capacitance, the frame-shaped protrusions that define the area where the diaphragm is disposed, and the spacers that define the distance between the insulating base and the diaphragm are made of the same material, respectively. Since the mechanical strength of each is the same, plastic deformation is unlikely to occur at each abutment against external pressure, and there is no difference in thermal expansion. Distortion is less likely to occur, and each can be accurately placed at a predetermined position. Therefore, the external pressure can be detected with high accuracy and can be used under a wide range of temperature environments, so that a highly versatile pressure detecting device package can be obtained.

また、本発明の圧力検出装置用パッケージは、第1の金属層の一部が絶縁基体と枠状の突起部とに挟まれて形成されていることにより、ダイアフラムを絶縁基体の所定の位置に精度よく接合させることができる。すなわち、絶縁基体にダイアフラムを接合させる際に、発生する余分な接合材の塊が形成されて第1の金属層が絶縁基体から引き剥がされようとしても第1の金属層の一部が絶縁基体と枠状の突起部とに挟まれて形成されていることから、第1の金属層が絶縁基体から引き剥がされるのを有効に抑制することができる。従って、ダイアフラムを絶縁基体の所定の位置に精度よく接合させることが可能となる。   In the pressure detection device package of the present invention, the diaphragm is placed at a predetermined position on the insulating substrate by forming a part of the first metal layer between the insulating substrate and the frame-shaped protrusion. It can be joined with high accuracy. That is, when the diaphragm is bonded to the insulating substrate, a part of the first metal layer is formed even if an excessive lump of bonding material generated is formed and the first metal layer is peeled off from the insulating substrate. Since the first metal layer is peeled off from the insulating base, the first metal layer can be effectively suppressed. Accordingly, the diaphragm can be accurately joined to a predetermined position of the insulating base.

本発明の圧力検出装置は、本発明の圧力検出装置用パッケージと、この圧力検出装置用パッケージの搭載部に搭載され、ダイアフラムに加わる圧力を検出する半導体素子とを備えていることにより、外部の圧力の検出精度を向上させつつ小型化を図ることが可能となる。   The pressure detection device of the present invention includes the package for the pressure detection device of the present invention, and a semiconductor element mounted on the mounting portion of the pressure detection device package for detecting the pressure applied to the diaphragm. It is possible to reduce the size while improving the pressure detection accuracy.

本発明の圧力検出装置用パッケージを添付の図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の圧力検出装置用パッケージの実施の形態の構造を示す平面図であり、図2は、図1に示した圧力検出装置用パッケージのX−X’線における断面図である。本発明の圧力検出装置用パッケージは、表面に第1の電極7が形成された絶縁基体1と、第2の電極9を有するダイアフラム2と、絶縁基体1とダイアフラム2との間に形成されたスペーサ13と、絶縁基体1の表面の第1の電極7の周囲に形成された突起部12とを備えている。   A package for a pressure detection device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a plan view showing a structure of an embodiment of a pressure detection device package according to the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line XX ′ of the pressure detection device package shown in FIG. . The package for a pressure detection device according to the present invention is formed between an insulating base 1 having a first electrode 7 formed on the surface, a diaphragm 2 having a second electrode 9, and the insulating base 1 and the diaphragm 2. A spacer 13 and a protrusion 12 formed around the first electrode 7 on the surface of the insulating base 1 are provided.

絶縁基体1は、酸化アルミニウム質焼結体,窒化アルミニウム質焼結体,ムライト質焼結体,炭化珪素質焼結体,窒化珪素質焼結体,ガラス−セラミックス等の電気絶縁材料から成る積層体である。絶縁基体1は、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、次のようにして製造される。まず、酸化アルミニウム,酸化珪素,酸化マグネシウム,酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に、適当な有機バインダ,溶剤,可塑剤,分散剤を添加混合して泥漿状となすとともに、これをドクターブレード法を用いてシート状に成形することにより複数枚のセラミックグリーンシートを得る。しかる後、これらのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工,積層加工,切断加工を施すことにより絶縁基体1用の生セラミック成形体を得る。そして、この生セラミック成形体を約1600℃の温度で焼成することにより、絶縁基体1が製造される。   The insulating substrate 1 is a laminated layer made of an electrically insulating material such as an aluminum oxide sintered body, an aluminum nitride sintered body, a mullite sintered body, a silicon carbide sintered body, a silicon nitride sintered body, or a glass-ceramic. Is the body. If the insulating substrate 1 is made of, for example, an aluminum oxide sintered body, it is manufactured as follows. First, a ceramic raw material powder such as aluminum oxide, silicon oxide, magnesium oxide, and calcium oxide is mixed with an appropriate organic binder, solvent, plasticizer, and dispersant to form a slurry, which is then used by the doctor blade method. Are formed into a sheet shape to obtain a plurality of ceramic green sheets. Thereafter, a green ceramic molded body for the insulating substrate 1 is obtained by subjecting these ceramic green sheets to appropriate punching, laminating, and cutting. Then, the green substrate is fired at a temperature of about 1600 ° C., whereby the insulating substrate 1 is manufactured.

絶縁基体1は、一方の面(図2では下面)に、半導体素子3が収容される凹部1aが形成されており、半導体素子3を収容する容器として機能する。そして、この凹部1aの底面の中央部に、半導体素子3が搭載される搭載部1bが形成されている。この搭載部1bに半導体素子3が搭載されるとともに、半導体素子3が凹部1a内において例えばエポキシ樹脂等の樹脂製封止材4により覆われることにより、半導体素子3が封止される。   The insulating base 1 has a concave portion 1a for accommodating the semiconductor element 3 formed on one surface (the lower surface in FIG. 2), and functions as a container for accommodating the semiconductor element 3. And the mounting part 1b in which the semiconductor element 3 is mounted is formed in the center part of the bottom face of this recessed part 1a. The semiconductor element 3 is mounted on the mounting portion 1b, and the semiconductor element 3 is covered with a resin sealing material 4 such as an epoxy resin in the recess 1a, whereby the semiconductor element 3 is sealed.

なお、この例では、半導体素子3は、樹脂製封止材4によって覆われることにより封止されるが、絶縁基体1の一方の面に金属やセラミックスから成る蓋体を凹部1aを塞ぐように接合させることにより封止されてもよい。   In this example, the semiconductor element 3 is sealed by being covered with the resin sealing material 4, but a lid made of metal or ceramic is closed on one surface of the insulating base 1 so as to close the recess 1 a. It may be sealed by bonding.

また、搭載部1bには半導体素子3の各電極と電気的に接続される複数の配線導体5が導出されており、この配線導体5と半導体素子3の各電極を半田バンプ等の導電性材料から成る導電性接合材6を介して接合させることにより、半導体素子3の各電極と各配線導体5とが電気的に接続されるとともに半導体素子3が搭載部1bに固定される。なお、図2に示した例では、半導体素子3の電極と配線導体5とが半田バンプを介して接続される構造としたが、半導体素子3の電極と配線導体5とはボンディングワイヤ等の他の電気的接続手段により接続されてもよい。   A plurality of wiring conductors 5 electrically connected to the respective electrodes of the semiconductor element 3 are led out to the mounting portion 1b. The wiring conductor 5 and the respective electrodes of the semiconductor element 3 are connected to a conductive material such as a solder bump. By bonding through the conductive bonding material 6 made of, each electrode of the semiconductor element 3 and each wiring conductor 5 are electrically connected, and the semiconductor element 3 is fixed to the mounting portion 1b. In the example shown in FIG. 2, the electrode of the semiconductor element 3 and the wiring conductor 5 are connected via solder bumps. However, the electrode of the semiconductor element 3 and the wiring conductor 5 are other than bonding wires or the like. The electrical connection means may be used.

配線導体5は、半導体素子3の各電極を外部電気回路および第1の電極7,第2の電極9に電気的に接続するための導電路として機能し、その一部は絶縁基体1の一方の面(図2では下面)の外周部に導出され、別の一部は第1の電極7,第2の電極9に電気的に接続されている。そして、半導体素子3の各電極がこれら配線導体5に半田バンプ等の導電性接合材6を介して電気的に接続されるとともに半導体素子3が樹脂製封止材4で封止された後、配線導体5の絶縁基体1の一方の面(図2では下面)の外周部に導出された部位が外部電気回路基板の配線導体(図示せず)に半田等の導電性接合材を介して接合されることにより、内部に収容される半導体素子3が外部電気回路に電気的に接続されることとなる。   The wiring conductor 5 functions as a conductive path for electrically connecting each electrode of the semiconductor element 3 to the external electric circuit and the first electrode 7 and the second electrode 9, and a part of the wiring conductor 5 is one side of the insulating substrate 1. The other part is electrically connected to the first electrode 7 and the second electrode 9. The other part is electrically connected to the first electrode 7 and the second electrode 9. Then, after each electrode of the semiconductor element 3 is electrically connected to the wiring conductor 5 via a conductive bonding material 6 such as a solder bump and the semiconductor element 3 is sealed with the resin sealing material 4, A portion led out to the outer peripheral portion of one surface (the lower surface in FIG. 2) of the insulating base 1 of the wiring conductor 5 is bonded to the wiring conductor (not shown) of the external electric circuit board through a conductive bonding material such as solder. As a result, the semiconductor element 3 housed therein is electrically connected to the external electric circuit.

このような配線導体5は、W,Mo,Cu,Ag等の金属粉末メタライズから成り、W等の金属粉末に適当な有機バインダ,溶剤,可塑剤,分散剤等を添加混合して得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用して絶縁基体1用のセラミックグリーンシートに所定のパターンに印刷塗布し、これを絶縁基体1用の生セラミック成形体とともに焼成することによって絶縁基体1の内部および表面に所定のパターンに形成される。なお、配線導体5の露出表面には、配線導体5が酸化腐食することを防止するとともに、配線導体5と半田等の導電性接合材6との接合を良好なものとするために、厚みが1〜10μm程度のニッケル(Ni)メッキ層と厚みが0.1〜3μm程度の金(Au)メッキ層とが順次被着されていることが好ましい。   Such a wiring conductor 5 is made of metal powder metallization such as W, Mo, Cu, and Ag, and is obtained by adding and mixing an appropriate organic binder, solvent, plasticizer, dispersant, etc. to metal powder such as W. The paste is applied in a predetermined pattern to a ceramic green sheet for the insulating substrate 1 by using a conventionally known screen printing method, and this is fired together with a green ceramic molded body for the insulating substrate 1 to synthesize the inside of the insulating substrate 1. In addition, a predetermined pattern is formed on the surface. The exposed surface of the wiring conductor 5 has a thickness so as to prevent the wiring conductor 5 from being oxidatively corroded and to improve the bonding between the wiring conductor 5 and the conductive bonding material 6 such as solder. It is preferable that a nickel (Ni) plating layer having a thickness of about 1 to 10 μm and a gold (Au) plating layer having a thickness of about 0.1 to 3 μm are sequentially deposited.

ダイアフラム2は、絶縁基体1の表面(図2では、絶縁基体1の上面)に対向する位置に配置されている。このダイアフラム2は、絶縁基体1との間に密閉空間を形成するように取着されている。ダイアフラム2は、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体,ムライト質焼結体,窒化珪素質焼結体,炭化珪素質焼結体,ガラスセラミックス等の電気絶縁材料から成る厚みが0.01〜5mmの八角平板状のものであり、外部の圧力に応じて絶縁基体1側に撓む。   The diaphragm 2 is disposed at a position facing the surface of the insulating substrate 1 (in FIG. 2, the upper surface of the insulating substrate 1). The diaphragm 2 is attached so as to form a sealed space with the insulating substrate 1. The diaphragm 2 has a thickness of 0 made of an electrically insulating material such as an aluminum oxide sintered body, an aluminum nitride sintered body, a mullite sintered body, a silicon nitride sintered body, a silicon carbide sintered body, or a glass ceramic. .01 to 5 mm octagonal flat plate, and bends toward the insulating substrate 1 in response to external pressure.

このとき、ダイアフラム2は八角平板状であることから、ダイアフラム2の各辺の中央部と角部とで接合材11の幅の差が小さく、そのため第1の金属層8の上面に第2の金属層10を接合する際に、接合材11が一部分に大きく集中することなく、接合材11の厚みが均一となる。したがって、本発明の圧力センサ素子収納用パッケージによれば、第1の電極7と第2の電極9との間に形成される静電容量が大きくばらつくことがない。   At this time, since the diaphragm 2 has an octagonal flat plate shape, the difference in the width of the bonding material 11 is small between the central portion and the corner portion of each side of the diaphragm 2, and therefore, the second metal is formed on the upper surface of the first metal layer 8. When the metal layer 10 is bonded, the bonding material 11 is not concentrated on a part, and the thickness of the bonding material 11 becomes uniform. Therefore, according to the pressure sensor element storage package of the present invention, the capacitance formed between the first electrode 7 and the second electrode 9 does not vary greatly.

なお、接合材11は、Ag−Cu合金やAu−Sn合金等の導電性のろう材が使用され、通常であれば、その厚みが10〜150μmであることが好ましい。10μ未満の場合、十分な接合強度を得ることができないとともに、メニスカスの形成も難しくなる。150μを超えると、接合材11が第1の金属層8および第2の金属層10の表面から取れてしまう可能性があり不適である。   In addition, as the bonding material 11, a conductive brazing material such as an Ag—Cu alloy or an Au—Sn alloy is used, and it is preferable that the thickness is usually 10 to 150 μm. If the thickness is less than 10 μm, sufficient bonding strength cannot be obtained, and meniscus formation becomes difficult. If it exceeds 150 μm, the bonding material 11 may be removed from the surfaces of the first metal layer 8 and the second metal layer 10, which is inappropriate.

また、静電容量型の圧力検出装置は、80kPa(低圧用圧力検出装置)〜2000kPa(高圧用圧力検出装置)の圧力の元で使用されることが一般的であり、ダイアフラム2は、その厚みが0.01mm未満では、その機械的強度が小さくなり、これに例えば80kPa程度の大きな外部圧力が加わった場合に破損しやすくなり、他方、5mmを超えると、例えば2000kPa程度の圧力では撓みにくくなり、圧力検出用のダイアフラム2としては不適なものとなりやすい。したがって、ダイアフラム2の厚みは0.01〜5mmの範囲が好ましい。   In addition, the capacitance type pressure detection device is generally used under a pressure of 80 kPa (low pressure detection device) to 2000 kPa (high pressure detection device), and the diaphragm 2 has a thickness thereof. If it is less than 0.01 mm, its mechanical strength becomes small, and when it is applied with a large external pressure of, for example, about 80 kPa, it tends to break. On the other hand, if it exceeds 5 mm, it is difficult to bend at a pressure of, for example, about 2000 kPa. The diaphragm 2 for detecting pressure tends to be unsuitable. Therefore, the thickness of the diaphragm 2 is preferably in the range of 0.01 to 5 mm.

このようなダイアフラム2は、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、次のようにして製造される。まず、酸化アルミニウム,酸化珪素,酸化マグネシウム,酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バインダ,溶剤,可塑剤,分散剤を添加混合して泥漿状となすとともに、これをドクターブレード法を用いてシート状に成形することによりセラミックグリーンシートを得る。しかる後、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工や切断加工を施すことによりダイアフラム2用の生セラミック成形体を得る。そして、この生セラミック成形体を約1600℃の温度で焼成することにより、ダイアフラム2が製作される。   If such a diaphragm 2 is made of, for example, an aluminum oxide sintered body, it is manufactured as follows. First, a ceramic raw material powder such as aluminum oxide, silicon oxide, magnesium oxide, and calcium oxide is mixed with a suitable organic binder, solvent, plasticizer, and dispersant to form a slurry, and this is made using a doctor blade method. A ceramic green sheet is obtained by forming into a sheet. Thereafter, the ceramic green sheet is appropriately punched or cut to obtain a green ceramic molded body for the diaphragm 2. And the diaphragm 2 is manufactured by baking this raw ceramic molded object at the temperature of about 1600 degreeC.

また、ダイアフラム2の密閉空間の内側となる面(図2では下面)の中央部には、静電容量形成用の第2の電極9が被着されている。この第2の電極9は、第1の電極7と対向するように配置されていることによって、感圧素子用の静電容量を形成するための電極として機能する。   In addition, a second electrode 9 for forming a capacitance is attached to the central portion of the surface (the lower surface in FIG. 2) which is the inside of the sealed space of the diaphragm 2. The second electrode 9 functions as an electrode for forming a capacitance for the pressure-sensitive element by being disposed so as to face the first electrode 7.

第1の電極7は、絶縁基体1の他方の面(図2では上面)の中央部に形成されている。この第1の電極7は、第2の電極9とともに感圧素子用の静電容量を形成するためのものであり、例えば円形状のパターンに形成されている。そして、この第1の電極7には、配線導体5aが電気的に接続され、この配線導体5aに半導体素子3の電極が半田バンプ等の導電性接合材6を介して接続されることにより、半導体素子3の電極と第1の電極7とが電気的に接続される。   The first electrode 7 is formed at the center of the other surface (the upper surface in FIG. 2) of the insulating substrate 1. The first electrode 7 is for forming a capacitance for a pressure sensitive element together with the second electrode 9, and is formed in, for example, a circular pattern. Then, the wiring conductor 5a is electrically connected to the first electrode 7, and the electrode of the semiconductor element 3 is connected to the wiring conductor 5a via a conductive bonding material 6 such as a solder bump. The electrode of the semiconductor element 3 and the first electrode 7 are electrically connected.

このような第1の電極7は、W,Mo、Cu、Ag等の金属粉末メタライズから成り、W等の金属粉末に適当な有機バインダ、溶剤、可塑剤、分散剤を添加混合して得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用して絶縁基体1用のセラミックグリーンシートに印刷塗布し、これを焼成することによって絶縁基体1の上面中央部に所定のパターンに形成される。なお、第1の電極7の露出する表面には、第一電極7が酸化腐食するのを防止するために、厚みが1〜10μm程度のNiめっき層が被着されていることが好ましい。   The first electrode 7 is made of metal powder metallization such as W, Mo, Cu, and Ag, and is obtained by adding and mixing an appropriate organic binder, solvent, plasticizer, and dispersant to the metal powder such as W. A metallized paste is printed and applied to a ceramic green sheet for the insulating substrate 1 using a conventionally known screen printing method, and is baked to form a predetermined pattern at the center of the upper surface of the insulating substrate 1. In order to prevent the first electrode 7 from being oxidized and corroded on the exposed surface of the first electrode 7, a Ni plating layer having a thickness of about 1 to 10 μm is preferably applied.

また、第2の電極9は、ダイアフラム2の絶縁基体1と対向する面(図2では下面)の表面に形成されている。W,Mo、Cu、Ag等の金属粉末メタライズからなり、W等の金属粉末に適当な有機バインダ、溶剤、可塑剤、分散剤を添加混合して得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用してダイアフラム2用のセラミックグリーンシートに印刷塗布し、これを焼成することによってダイアフラム2の下面中央部に所定のパターンに形成される。なお、第2の電極9の露出する表面には、第2の電極9が酸化腐食することを防止するために、厚みが1〜10μm程度のNiめっき層が被着されているのが好ましい。   The second electrode 9 is formed on the surface of the surface (the lower surface in FIG. 2) of the diaphragm 2 facing the insulating substrate 1. It consists of a metal powder metallization such as W, Mo, Cu, Ag, etc., and a metallized paste obtained by adding and mixing an appropriate organic binder, solvent, plasticizer, and dispersing agent to a metal powder such as W is subjected to a conventionally known screen printing method The ceramic green sheet for the diaphragm 2 is printed and applied and baked to form a predetermined pattern at the center of the lower surface of the diaphragm 2. In order to prevent the second electrode 9 from being oxidized and corroded on the exposed surface of the second electrode 9, a Ni plating layer having a thickness of about 1 to 10 μm is preferably applied.

突起部12は、絶縁基体1の表面(図2では上面)の第1の電極7の周囲に枠状に形成されている。突起部12は、ダイアフラム2が配置される領域を規定するものである。すなわち、突起部12は、ダイアフラム2を絶縁基体1の表面の対向する位置に配置する際に、位置合わせに用いて、ダイアフラム2を絶縁基体1の表面の所定の位置に精度良く配置させることができ、第1の電極7と第2の電極9との位置精度を高いものとすることができる。   The protrusion 12 is formed in a frame shape around the first electrode 7 on the surface of the insulating substrate 1 (upper surface in FIG. 2). The protrusion 12 defines a region where the diaphragm 2 is disposed. That is, the protrusion 12 is used for alignment when the diaphragm 2 is disposed at a position opposed to the surface of the insulating base 1, so that the diaphragm 2 can be accurately disposed at a predetermined position on the surface of the insulating base 1. In addition, the positional accuracy between the first electrode 7 and the second electrode 9 can be increased.

なお、突出部12は、四角の枠状に形成されているとともに、ダイアフラム2より突出して形成されている。この構成により、圧力検出装置用パッケージを取り扱う際に、ダイアフラム2の外辺や角部に装置等が接触する可能性を低減させ、ダイアフラム2が割れることを防止することができる。   The protrusion 12 is formed in a square frame shape and protrudes from the diaphragm 2. With this configuration, when the package for the pressure detection device is handled, the possibility that the device or the like contacts the outer side or corner of the diaphragm 2 can be reduced, and the diaphragm 2 can be prevented from cracking.

このような突起部12は、酸化アルミニウム質焼結体,窒化アルミニウム質焼結体,ムライト質焼結体,炭化珪素質焼結体,窒化珪素質焼結体,ガラス−セラミックス等の電気絶縁材料から成る。例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、次のようにして形成される。まず、酸化アルミニウム,酸化珪素,酸化マグネシウム,酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バインダ,溶剤,可塑剤,分散剤を添加混合して泥漿状となすとともに、これをドクターブレード法を用いてシート状に成形することによりセラミックグリーンシートを得る。しかる後、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工や切断加工を施すことによりダイアフラム2用の生セラミック成形体を得る。そして、この生セラミック成形体を絶縁基体1となる生セラミック成形体とともに、約1600℃の温度で焼成することにより絶縁基体1の表面の第1の電極7の周囲に枠状に形成される。   Such protrusions 12 are made of an electrically insulating material such as an aluminum oxide sintered body, an aluminum nitride sintered body, a mullite sintered body, a silicon carbide sintered body, a silicon nitride sintered body, and a glass-ceramic. Consists of. For example, in the case of an aluminum oxide sintered body, it is formed as follows. First, a ceramic raw material powder such as aluminum oxide, silicon oxide, magnesium oxide, and calcium oxide is mixed with a suitable organic binder, solvent, plasticizer, and dispersant to form a slurry, and this is made using a doctor blade method. A ceramic green sheet is obtained by forming into a sheet. Thereafter, the ceramic green sheet is appropriately punched or cut to obtain a green ceramic molded body for the diaphragm 2. Then, the raw ceramic molded body is fired at a temperature of about 1600 ° C. together with the raw ceramic molded body serving as the insulating base 1 to form a frame around the first electrode 7 on the surface of the insulating base 1.

第1の金属層8は、絶縁基体1の他方の面(図2は上面)の第1の電極7の周囲に被着されている。第1の金属層8は、第2の金属層10にAg−Cu合金やAu−Sn合金等の導電性の接合材11にて接合されることでダイアフラム2の第2の電極9に電気的に接合される。この第1の金属層8には、配線導体5の一つである配線導体5bが電気的に接続されており、この配線導体5bに半導体素子3の電極が半田バンプ等の導電性接合材6を介して電気的に接続されることにより、第1の金属層8に電気的に接続された第2の電極9と半導体素子3の電極とが電気的に接続される。   The first metal layer 8 is deposited around the first electrode 7 on the other surface (the upper surface in FIG. 2) of the insulating substrate 1. The first metal layer 8 is electrically connected to the second electrode 9 of the diaphragm 2 by being bonded to the second metal layer 10 with a conductive bonding material 11 such as an Ag—Cu alloy or an Au—Sn alloy. To be joined. A wiring conductor 5b, which is one of the wiring conductors 5, is electrically connected to the first metal layer 8, and an electrode of the semiconductor element 3 is connected to the wiring conductor 5b with a conductive bonding material 6 such as a solder bump. As a result, the second electrode 9 electrically connected to the first metal layer 8 and the electrode of the semiconductor element 3 are electrically connected.

このような第1の金属層8は、W,Mo、Cu、Ag等の金属粉末メタライズから成り、W等の金属粉末に適当な有機バインダ、溶剤、可塑剤、分散剤、を添加混合して得たメタライズペーストを、スクリーン印刷法により絶縁基体1用のセラミックグリーンシートに印刷塗布し焼成することによって、絶縁基体1の他方の面の第1の電極7の周囲に枠状の所定のパターンで形成される。   The first metal layer 8 is made of metal powder metallization such as W, Mo, Cu, and Ag, and an appropriate organic binder, solvent, plasticizer, and dispersant are added to and mixed with the metal powder such as W. The obtained metallized paste is printed on a ceramic green sheet for the insulating substrate 1 by screen printing and baked to form a predetermined frame-shaped pattern around the first electrode 7 on the other surface of the insulating substrate 1. It is formed.

なお、第1の金属層8の露出する表面には、第1の金属層8が酸化腐食することを防止するとともに、後述する第2の金属層10との接合を強固にするために、厚みが1〜10μm程度のNiメッキ層が被着されているのが好ましい。   It should be noted that the exposed surface of the first metal layer 8 has a thickness to prevent the first metal layer 8 from being oxidatively corroded and to strengthen the bonding with the second metal layer 10 described later. Is preferably deposited with a Ni plating layer of about 1 to 10 μm.

第2の金属層10は、ダイアフラム2の第2の電極9の周囲(図2ではダイアフラム2の下面)に形成されている。第2の金属層10は、第2の電極9および第1の金属層8に接続されているとともに、配線導体5bに半導体素子3の電極が半田バンプ等の導電性接合材6を介して接続されることにより、半導体素子3の電極と第2の電極9とが電気的に接続される。   The second metal layer 10 is formed around the second electrode 9 of the diaphragm 2 (the lower surface of the diaphragm 2 in FIG. 2). The second metal layer 10 is connected to the second electrode 9 and the first metal layer 8, and the electrode of the semiconductor element 3 is connected to the wiring conductor 5b via a conductive bonding material 6 such as a solder bump. As a result, the electrode of the semiconductor element 3 and the second electrode 9 are electrically connected.

第2の金属層10は、W,Mo、Cu、Ag等の金属粉末メタライズから成り、W等の金属粉末に適当な有機バインダ、溶剤、可塑剤、分散剤、を添加混合して得たメタライズペーストをスクリーン印刷法によりダイアフラム2用のセラミックグリーンシートに印刷塗布し焼成することによって、ダイアフラム2の第2の電極9の周囲に枠状のパターンで形成される。なお、第2の金属層10の露出する表面には、第2の金属層10が酸化腐食することを防止するとともに、第1の金属層8との接合を強固にするために、厚みが1〜10μm程度のニッケルめっき層が被着されている。   The second metal layer 10 is made of metal powder metallization such as W, Mo, Cu, and Ag, and is obtained by adding and mixing an appropriate organic binder, solvent, plasticizer, and dispersant to the metal powder such as W. The paste is printed on a ceramic green sheet for the diaphragm 2 by screen printing and baked to form a frame-shaped pattern around the second electrode 9 of the diaphragm 2. The exposed surface of the second metal layer 10 has a thickness of 1 in order to prevent the second metal layer 10 from being oxidatively corroded and to strengthen the bonding with the first metal layer 8. A nickel plating layer of about 10 μm is applied.

なお、第2の電極9は、図2の本発明の実施の形態の例において、第2の電極9をダイアフラム2の絶縁基体1と対向する面(図2では下面)の中央部に被着させるとともに、第2の電極9の周囲のダイアフラム2の主面に第2の電極9と電気的に接続される第2の金属層10を別に形成しているが、ダイアフラム2の絶縁基体1と対向する面(図2では下面)に、スペーサ13の接する部位を除くほぼ全面に被着させ、第2の電極9の外周部を第2の金属層10としてもよい。   In the example of the embodiment of the present invention shown in FIG. 2, the second electrode 9 is attached to the central portion of the surface (the lower surface in FIG. 2) facing the insulating base 1 of the diaphragm 2. In addition, a second metal layer 10 electrically connected to the second electrode 9 is separately formed on the main surface of the diaphragm 2 around the second electrode 9, but the insulating base 1 of the diaphragm 2 and The outer surface of the second electrode 9 may be used as the second metal layer 10 on the opposite surface (the lower surface in FIG. 2) except for the entire surface excluding the portion in contact with the spacer 13.

このような、第1の金属層8と第2の金属層10とが、第1の電極7と第2の電極9との間に空間が形成されるようにして接合されることで、第1の電極7および第2の電極9の対向面積および第1の電極7および第2の電極9の間隔に応じた所定の静電容量が形成される。そして、ダイアフラム2の上面に外部の圧力が加わると、その圧力に応じてダイアフラム2が絶縁基体1側に撓んで第1の電極7と第2の電極9との間隔が変わり、それにより第1の電極7と第2の電極9との間の静電容量が変化するので、外部の圧力の変化を静電容量の変化として感知する感圧素子として機能する。そして、この静電容量の変化が、配線導体5a,5bを介して凹部1a内に収容される半導体素子3に伝達され、これを半導体素子3で演算処理されることによって外部の圧力の大きさを検出することができる。すなわち、半導体素子3は、第1の電極7と第2の電極9との間の静電容量の変化に基づいてダイアフラム2に加わる圧力を検出する。   The first metal layer 8 and the second metal layer 10 are joined in such a manner that a space is formed between the first electrode 7 and the second electrode 9. A predetermined capacitance is formed according to the opposing area of the first electrode 7 and the second electrode 9 and the distance between the first electrode 7 and the second electrode 9. When an external pressure is applied to the upper surface of the diaphragm 2, the diaphragm 2 is bent toward the insulating base 1 in accordance with the pressure, and the distance between the first electrode 7 and the second electrode 9 is changed. Since the capacitance between the first electrode 7 and the second electrode 9 changes, it functions as a pressure-sensitive element that senses a change in external pressure as a change in capacitance. Then, this change in capacitance is transmitted to the semiconductor element 3 accommodated in the recess 1a via the wiring conductors 5a and 5b, and this is subjected to arithmetic processing by the semiconductor element 3, whereby the magnitude of the external pressure. Can be detected. That is, the semiconductor element 3 detects the pressure applied to the diaphragm 2 based on the change in capacitance between the first electrode 7 and the second electrode 9.

本発明の圧力検出装置用パッケージは、半導体素子3が搭載される搭載部1bを有する絶縁基体1の表面の第1の電極7の周囲に形成され、ダイアフラム2が配置される領域を規定する枠状の突起部12を備えていることにより、圧力の検出精度を向上させつつ小型化を図ることができる。すなわち、本発明の圧力検出装置用パッケージは、絶縁基体1の表面の第1の電極7の周囲に形成され、ダイアフラム2が配置される領域を規定する枠状の突起部12を備えることにより、ダイアフラム2を絶縁基体1の表面に対向する位置に配置する際に、枠状の突起部12をダイアフラム2と絶縁基体1との位置合わせに用いてダイアフラム2の全周にわたって位置ずれを抑制し、ダイアフラム2を絶縁基体1の表面の所定の位置に精度良く配置することができ、第1の電極7と第2の電極9との位置精度を高いものとすることができる。従って、検出精度のばらつきを低減させ、また、外部圧力の検出精度を向上させつつ小型化を図ることが可能となる。   The package for a pressure detection device according to the present invention is a frame that is formed around the first electrode 7 on the surface of the insulating base 1 having the mounting portion 1b on which the semiconductor element 3 is mounted, and that defines a region where the diaphragm 2 is disposed. By providing the protrusion 12 in the shape of a shape, it is possible to reduce the size while improving the pressure detection accuracy. That is, the package for a pressure detection device of the present invention includes a frame-shaped protrusion 12 that is formed around the first electrode 7 on the surface of the insulating base 1 and defines a region where the diaphragm 2 is disposed. When the diaphragm 2 is disposed at a position facing the surface of the insulating base 1, the frame-like protrusion 12 is used for positioning the diaphragm 2 and the insulating base 1 to suppress positional deviation over the entire circumference of the diaphragm 2, The diaphragm 2 can be accurately arranged at a predetermined position on the surface of the insulating base 1, and the positional accuracy between the first electrode 7 and the second electrode 9 can be made high. Therefore, it is possible to reduce the variation in detection accuracy and to reduce the size while improving the detection accuracy of the external pressure.

なお、ダイアフラム2と絶縁基体1との位置合わせは、ダイアフラム2の外辺を枠状の突起部12の内壁にて位置合わせさせるため、ダイアフラム2の外辺と枠状の突起部12の内壁とは少なくとも2箇所で接するようにすることで、位置合わせの精度を高くすることができる。   The diaphragm 2 and the insulating base 1 are aligned with each other so that the outer side of the diaphragm 2 is aligned with the inner wall of the frame-shaped protrusion 12, so that the outer side of the diaphragm 2 and the inner wall of the frame-shaped protrusion 12 are aligned. By making the contact at least at two places, the accuracy of alignment can be increased.

また、ダイアフラム2と枠状の突起部12との間に、部分的に空白領域14が形成されていることにより、絶縁基体1にダイアフラム2を接合させる際に発生する余分な接合材11は、部分的に形成された空白領域14に分散されて逃げるため、接合材11の塊が形成されることがなく、接合材11の塊の形成によって第1の金属層8が絶縁基体1から引き剥がされるのを有効に抑制することができるようになる。従って、ダイアフラム2を絶縁基体1の所定の位置に精度よく接合させることが可能となる。   In addition, since the blank region 14 is partially formed between the diaphragm 2 and the frame-shaped protrusion 12, the extra bonding material 11 generated when the diaphragm 2 is bonded to the insulating base 1 is Since it is dispersed and escapes to the partially formed blank region 14, the lump of the bonding material 11 is not formed, and the first metal layer 8 is peeled off from the insulating substrate 1 by the formation of the lump of the bonding material 11. Can be effectively suppressed. Therefore, the diaphragm 2 can be accurately joined to a predetermined position of the insulating base 1.

また、本発明の圧力検出装置用パッケージは、空白領域14は、ダイアフラム2の周辺に複数形成されているのが好ましい。この構成により、絶縁基体1にダイアフラム2を接合させる際に発生する余分な接合材11は、複数形成された空白領域14に分散されて逃げることから、各空白領域14における余分な接合材11の量が少なくなり接合材11塊の形成を抑制できるため、第1の金属層8が絶縁基体1から引き剥がされるのを有効に抑制することができるようになる。従って、ダイアフラム2を絶縁基体1の所定の位置に精度よく接合させることが可能となる。   In the pressure detection device package of the present invention, a plurality of blank regions 14 are preferably formed around the diaphragm 2. With this configuration, the excess bonding material 11 generated when the diaphragm 2 is bonded to the insulating substrate 1 is dispersed in the plurality of blank regions 14 and escapes. Therefore, the excess bonding material 11 in each blank region 14 is removed. Since the amount is reduced and the formation of the bonding material 11 lump can be suppressed, it is possible to effectively suppress the first metal layer 8 from being peeled off from the insulating substrate 1. Therefore, the diaphragm 2 can be accurately joined to a predetermined position of the insulating base 1.

また、本発明の圧力検出装置用パッケージは、複数の空白領域14がダイアフラム2の周辺に均等に配置されているのが好ましい。この構成により、絶縁基体1にダイアフラム2を接合させる際に発生する余分な接合材11は、複数の空白領域14に各々均等に分散されて逃げることとなり、各空白領域14における余分な接合材11の量が少なくなり接合材11の塊の形成を抑制することができるため、第1の金属層8が絶縁基体1から引き剥がされるのを有効に抑制することができるようになる。従って、ダイアフラム2を絶縁基体1の所定の位置に精度よく接合させることが可能となる。また、第1の金属層8と第2の金属層10との間に介在する接合材11の厚みを均一に保つことができるため、第1の電極7と第2の電極9との間隔も均一にすることができる。従って、外部の圧力の検出精度のばらつきを低減して検出精度を向上させることが可能となる。   Further, in the pressure detection device package of the present invention, it is preferable that the plurality of blank regions 14 are evenly arranged around the diaphragm 2. With this configuration, the excessive bonding material 11 generated when the diaphragm 2 is bonded to the insulating base 1 is dispersed evenly in the plurality of blank regions 14 and escapes, and the excessive bonding material 11 in each blank region 14 is escaped. Therefore, the formation of the lump of the bonding material 11 can be suppressed, so that the first metal layer 8 can be effectively suppressed from being peeled off from the insulating substrate 1. Therefore, the diaphragm 2 can be accurately joined to a predetermined position of the insulating base 1. Further, since the thickness of the bonding material 11 interposed between the first metal layer 8 and the second metal layer 10 can be kept uniform, the distance between the first electrode 7 and the second electrode 9 is also set. It can be made uniform. Therefore, it is possible to improve the detection accuracy by reducing the variation in the detection accuracy of the external pressure.

また、本発明の圧力検出装置用パッケージは、絶縁基体1の表面とダイアフラム2の表面との間に設けられ、第1の電極7と第2の電極9との間隔を規定するスペーサ13を備えていることが好ましい。この構成により、スペーサ13を薄く形成して、静電容量を形成する第1の電極7と第2の電極9との間隔を小さなものとすることができる。すなわち、第1の電極7と第2の電極9との間隔を小さくすることにより、所望の静電容量を形成する第1の電極7と第2の電極9との対向面積を小さくしてダイアフラム2を小さく形成することができる。従って、本発明の圧力検出装置用パッケージをより小型化することが可能となる。   Further, the package for a pressure detection device of the present invention includes a spacer 13 provided between the surface of the insulating base 1 and the surface of the diaphragm 2 and defining a distance between the first electrode 7 and the second electrode 9. It is preferable. With this configuration, the spacer 13 can be formed thin, and the distance between the first electrode 7 and the second electrode 9 forming the capacitance can be reduced. That is, by reducing the distance between the first electrode 7 and the second electrode 9, the opposing area between the first electrode 7 and the second electrode 9 forming a desired capacitance is reduced, thereby reducing the diaphragm. 2 can be formed small. Therefore, the pressure detection device package of the present invention can be further downsized.

また、スペーサ13により第1の電極7と第2の電極9との間隔が規定されることにより、精度の高い静電容量を検出することができる。すなわち、スペーサ13は、ダイアフラム2に外圧が繰り返し印加された際に、ダイアフラム2の撓みが外圧に対して常に比例して撓むようにダイアフラム2を支持固定させることが可能となり、ダイアフラム2の一定の圧力に対する撓みのばらつきを抑制させることができる。従って、外部の圧力の検出精度のばらつきを低減して検出精度を向上させることが可能となる。   In addition, since the distance between the first electrode 7 and the second electrode 9 is defined by the spacer 13, it is possible to detect a highly accurate capacitance. That is, the spacer 13 can support and fix the diaphragm 2 so that when the external pressure is repeatedly applied to the diaphragm 2, the deflection of the diaphragm 2 is always proportional to the external pressure. The variation of the bending with respect to can be suppressed. Therefore, it is possible to improve the detection accuracy by reducing the variation in the detection accuracy of the external pressure.

スペーサ13は、絶縁基体1の表面とダイアフラム2の間に形成され、第1の電極7と第2の電極9との間隔を規定している。そして、ダイアフラム2に外圧が繰り返し印加された際に、ダイアフラム2の撓みが外圧に対して常に比例して撓むようにダイアフラム2を支持固定させることが可能となり、ダイアフラム2の一定の圧力に対する撓みのばらつきが抑制される。   The spacer 13 is formed between the surface of the insulating base 1 and the diaphragm 2, and defines the distance between the first electrode 7 and the second electrode 9. When the external pressure is repeatedly applied to the diaphragm 2, the diaphragm 2 can be supported and fixed so that the deflection of the diaphragm 2 is always proportional to the external pressure. Is suppressed.

なお、スペーサ13は、スペーサ13による絶縁基体1とダイアフラム2との間隔を精度よく保つために、第1の電極7および第2の電極9の外周を取り囲むように枠状に設けてもよいし、第1の電極7および第2の電極9の外周に、少なくとも3箇所に等間隔に形成された円柱状,四角柱等の形状のものでも構わない。また、絶縁基体1の表面(図2は上面)に形成されてダイアフラム2に接するようにしてもよいし、ダイアフラム2の表面に形成され、絶縁基体1に接するように形成されても構わない。   The spacer 13 may be provided in a frame shape so as to surround the outer periphery of the first electrode 7 and the second electrode 9 in order to keep the distance between the insulating base 1 and the diaphragm 2 by the spacer 13 with high accuracy. The outer periphery of the first electrode 7 and the second electrode 9 may have a cylindrical shape, a quadrangular prism, or the like formed at equal intervals in at least three locations. Further, it may be formed on the surface of the insulating substrate 1 (the upper surface in FIG. 2) so as to be in contact with the diaphragm 2, or may be formed on the surface of the diaphragm 2 so as to be in contact with the insulating substrate 1.

このようなスペーサ13は、外部の圧力が印加された際に応力による塑性変形が小さいもので形成されるのが好ましく、例えば、酸化アルミニウム質焼結体,窒化アルミニウム質焼結体,ムライト質焼結体,ガラスセラミックス質焼結体等の高硬度のセラミックス等がある。例えば、スペーサ13が絶縁基体1の表面に形成され、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、次のようにして形成される。まず、酸化アルミニウム,酸化珪素,酸化マグネシウム,酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して泥漿状の絶縁ペーストと成し、このようにして得たペーストを、絶縁基体1用のセラミックグリーンシートの所定の位置にスクリーン印刷法等を用いて形成し、これを絶縁基体1用の生セラミック成形体とともに約1600℃の温度で焼成することによって所定の位置に形成される。   Such a spacer 13 is preferably formed of a material that is small in plastic deformation due to stress when an external pressure is applied. For example, the aluminum oxide sintered body, the aluminum nitride sintered body, and the mullite sintered body are used. There are high-hardness ceramics such as sintered bodies and sintered glass-ceramics. For example, when the spacer 13 is formed on the surface of the insulating base 1 and is made of an aluminum oxide sintered body, the spacer 13 is formed as follows. First, a suitable organic binder, solvent, plasticizer, and dispersant are added to and mixed with ceramic raw material powder such as aluminum oxide, silicon oxide, magnesium oxide, and calcium oxide to form a mud-like insulating paste. The paste is formed at a predetermined position of the ceramic green sheet for the insulating substrate 1 by using a screen printing method or the like, and is fired at a temperature of about 1600 ° C. together with the green ceramic molded body for the insulating substrate 1. It is formed at the position.

また、本発明の圧力検出装置用パッケージは、絶縁基体1、ダイアフラム2、枠状の突起部12、スペーサ13は同じ材料から成ることにより、外部の圧力を精度良く検出することができる。すなわち、ダイアフラム2を絶縁基体1の表面に対向する位置に配置する際に、ダイアフラム2と突起部12とが擦れてしまってダイアフラム2や突起部12が欠けたり、擦れた際に屑が発生したりして、その屑が絶縁基体1とダイアフラム2との間に介在して第1の電極7と第2の電極9との電気的な短絡を招いて静電容量を検出できなくなってしまうという可能性を低減させることができる。従って、外部の圧力を精度良く検出することが可能となる。   In the pressure detecting device package according to the present invention, the insulating base 1, the diaphragm 2, the frame-like protrusion 12, and the spacer 13 are made of the same material, so that the external pressure can be detected with high accuracy. That is, when the diaphragm 2 is disposed at a position facing the surface of the insulating substrate 1, the diaphragm 2 and the protrusion 12 are rubbed, and the diaphragm 2 and the protrusion 12 are chipped or debris is generated when rubbed. In other words, the scrap is interposed between the insulating base 1 and the diaphragm 2 and causes an electrical short circuit between the first electrode 7 and the second electrode 9, and the capacitance cannot be detected. The possibility can be reduced. Therefore, the external pressure can be detected with high accuracy.

また、静電容量を検出するための絶縁基体1とダイアフラム2、ダイアフラム2が配置される領域を規定する枠状の突起部12、および絶縁基体1とダイアフラム2の間隔を規定するスペーサ13は同じ材質から成ることから、各々の機械的強度が同じものであるため、外部の圧力に対して各々の当接部に塑性変形が発生しにくく、かつ、各々の熱膨張に差がないため、外気の温度変化によって各々の間に歪みが発生しにくくなり、各々を所定の位置に精度よく配置させることができる。従って、外部の圧力を精度良く検出することができるとともに、広範囲の温度環境の元に使用することができ、汎用性の高い圧力検出装置用パッケージとすることが可能となる。   Further, the insulating base 1 and the diaphragm 2 for detecting the capacitance, the frame-shaped protrusion 12 that defines the area where the diaphragm 2 is disposed, and the spacer 13 that defines the distance between the insulating base 1 and the diaphragm 2 are the same. Since each material has the same mechanical strength, it is difficult for plastic deformation to occur at each abutting portion with respect to external pressure, and there is no difference in thermal expansion. Due to this temperature change, distortion is less likely to occur between them, and each can be accurately placed at a predetermined position. Therefore, the external pressure can be detected with high accuracy and can be used under a wide range of temperature environments, so that a highly versatile pressure detecting device package can be obtained.

また、本発明の圧力検出装置用パッケージは、第1の金属層8は、その一部が絶縁基体1と枠状の突起部12とに挟まれて形成されているのが好ましい。この構成により、ダイアフラム2を絶縁基体1の所定の位置に精度よく接合させることができる。すなわち、絶縁基体1にダイアフラム2を接合させる際に発生する余分な接合材11の塊が形成されて、第1の金属層8が絶縁基体1から引き剥がされようとしても、第1の金属層8の一部が絶縁基体1と枠状の突起部12とに挟まれて形成されていることから、第1の金属層8が絶縁基体1から引き剥がされるのを有効に抑制することができる。従って、ダイアフラム2を絶縁基体1の所定の位置に精度よく接合させることが可能となる。   In the pressure detection device package of the present invention, the first metal layer 8 is preferably formed such that a part thereof is sandwiched between the insulating base 1 and the frame-shaped protrusion 12. With this configuration, the diaphragm 2 can be accurately joined to a predetermined position of the insulating base 1. That is, even if the excess lump of the bonding material 11 generated when the diaphragm 2 is bonded to the insulating base 1 is formed and the first metal layer 8 is about to be peeled off from the insulating base 1, the first metal layer Since a part of 8 is sandwiched between the insulating base 1 and the frame-like protrusion 12, the first metal layer 8 can be effectively prevented from being peeled off from the insulating base 1. . Therefore, the diaphragm 2 can be accurately joined to a predetermined position of the insulating base 1.

本発明の圧力検出装置は、本発明の圧力検出装置用パッケージと、この圧力検出装置用パッケージの搭載部に搭載され、ダイアフラム2に加わる圧力を検出する半導体素子3とを備えていることにより、外部の圧力の検出精度を向上させつつ小型化を図ることが可能となる。   The pressure detection device of the present invention includes the pressure detection device package of the present invention and a semiconductor element 3 that is mounted on the mounting portion of the pressure detection device package and detects the pressure applied to the diaphragm 2. It is possible to reduce the size while improving the accuracy of detecting the external pressure.

なお、本発明は、上述の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、図2において、ダイアフラム2は八角形状とし、突起部12は四角の枠状としているが、空白領域を効率よく形成できるように、ダイアフラム2の形状を四角形状や円形状等とし、また、突起部2を円形等の枠状としても構わない。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. For example, in FIG. 2, the diaphragm 2 has an octagonal shape and the protrusion 12 has a rectangular frame shape. However, the diaphragm 2 has a quadrangular or circular shape so that a blank area can be efficiently formed. The protrusion 2 may have a frame shape such as a circle.

本発明の圧力検出装置用パッケージの実施の形態の構造を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of embodiment of the package for pressure detection apparatuses of this invention. 図1に示した圧力検出装置用パッケージのX−X’線における断面図である。It is sectional drawing in the X-X 'line | wire of the package for pressure detection apparatuses shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・・絶縁基体
1a・・・凹部
1b・・・搭載部
2・・・ダイアフラム
3・・・半導体素子
4・・・樹脂製封止材
5、5a、5b・・・配線導体
6・・・導電性接合材
7・・・第1の電極
8・・・第1の金属層
9・・・第2の電極
10・・・第2の金属層
12・・・枠状の突起部
13・・・スペーサ
14・・・空白領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Insulation base | substrate 1a ... Recessed part 1b ... Mounting part 2 ... Diaphragm 3 ... Semiconductor element 4 ... Resin sealing material 5, 5a, 5b ... Wiring conductor 6. .... Conductive bonding material 7 ... 1st electrode 8 ... 1st metal layer 9 ... 2nd electrode 10 ... 2nd metal layer 12 ... Frame-shaped projection part 13 ... Spacer 14 ... Blank area

Claims (7)

半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基体と、該絶縁基体の表面に形成された静電容量形成用の第1の電極と、前記絶縁基体の表面に形成され、前記半導体素子の電極に電気的に接続される第1の金属層と、前記絶縁基体の前記表面と対向して配置されたダイアフラムと、該ダイアフラムの表面に、前記第1の電極に対向するように形成された静電容量形成用の第2の電極と、前記ダイアフラムの前記表面に形成され、前記第2の電極に電気的に接続されているとともに接合材を介して前記第1の金属層に電気的に接続された第2の金属層と、前記絶縁基体の前記表面の前記第1の電極の周囲に形成され、前記ダイアフラムが配置される領域を規定する枠状の突起部とを備え、前記ダイアフラムと前記枠状の突起部との間に空白領域が部分的に形成されていることを特徴とする圧力検出装置用パッケージ。 An insulating substrate having a mounting portion on which a semiconductor element is mounted; a first electrode for forming a capacitance formed on the surface of the insulating substrate; and a surface formed on the surface of the insulating substrate. A first metal layer that is electrically connected; a diaphragm disposed opposite to the surface of the insulating substrate; and an electrostatic surface formed on the surface of the diaphragm so as to face the first electrode. A second electrode for forming a capacitor, formed on the surface of the diaphragm, electrically connected to the second electrode and electrically connected to the first metal layer through a bonding material. A second metal layer, and a frame-shaped protrusion that is formed around the first electrode on the surface of the insulating base and defines a region in which the diaphragm is disposed, and the diaphragm and the frame There is a blank area between the protrusions Package for pressure detection apparatus characterized by being divided formed. 前記空白領域は、前記ダイアフラムの周辺に複数形成されていることを特徴とする請求項1記載の圧力検出装置用パッケージ。 The pressure detecting device package according to claim 1, wherein a plurality of the blank regions are formed around the diaphragm. 前記複数の空白領域は、前記ダイアフラムの周辺に均等に配置されていることを特徴とする請求項2記載の圧力検出装置用パッケージ。 The package for a pressure detection device according to claim 2, wherein the plurality of blank areas are evenly arranged around the diaphragm. 前記絶縁基体の前記表面と前記ダイアフラムの前記表面との間に設けられ、前記第1の電極と前記第2の電極との間隔を規定するスペーサを備えていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の圧力検出装置用パッケージ。 2. A spacer provided between the surface of the insulating base and the surface of the diaphragm, the spacer defining a distance between the first electrode and the second electrode. The package for pressure detection apparatuses in any one of Claim 3. 前記絶縁基体、前記ダイアフラム、前記枠状の突起部、スペーサは同じ材料からなることを特徴とする請求項4記載の圧力検出装置用パッケージ。 5. The package for a pressure detection device according to claim 4, wherein the insulating base, the diaphragm, the frame-shaped protrusion, and the spacer are made of the same material. 前記第1の金属層は、その一部が前記絶縁基体と前記枠状の突起部とに挟まれて形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の圧力検出装置用パッケージ。 The pressure according to any one of claims 1 to 5, wherein a part of the first metal layer is sandwiched between the insulating base and the frame-shaped protrusion. Package for detection device. 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載された圧力検出装置用パッケージと、該圧力検出装置用パッケージの前記搭載部に搭載され、前記ダイアフラムに加わる圧力を検出する半導体素子とを備えていることを特徴とする圧力検出装置。 A pressure detection device package according to any one of claims 1 to 6, and a semiconductor element mounted on the mounting portion of the pressure detection device package and detecting pressure applied to the diaphragm. A pressure detection device characterized by that.
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