JP2006179694A - 記憶素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】 抵抗を低くしても安定して確実に情報の読み出しを行うことができる記憶素子を提供する。
【解決手段】 記憶層3と、この記憶層3に対して非磁性層を介して設けられた磁化固定層1とを少なくとも有し、非磁性層を通じて、記憶層3と磁化固定層1との間に電流を流すことにより情報の記録が行われ、磁性層から成り記憶層3の情報を読み出すための読み出し層2が、記憶層3と磁化固定層1との間に設けられ、この読み出し層2が記憶層3からの静磁気的な磁場或いは磁気的相互作用を受け、かつ少なくとも磁化固定層1と読み出し層3の間でスピン偏極電子によるスピントルク力が働く記憶素子を構成する。
【選択図】 図1
【解決手段】 記憶層3と、この記憶層3に対して非磁性層を介して設けられた磁化固定層1とを少なくとも有し、非磁性層を通じて、記憶層3と磁化固定層1との間に電流を流すことにより情報の記録が行われ、磁性層から成り記憶層3の情報を読み出すための読み出し層2が、記憶層3と磁化固定層1との間に設けられ、この読み出し層2が記憶層3からの静磁気的な磁場或いは磁気的相互作用を受け、かつ少なくとも磁化固定層1と読み出し層3の間でスピン偏極電子によるスピントルク力が働く記憶素子を構成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、記憶素子に係わり、不揮発性メモリ等に用いて好適なものである。
コンピュータ等の情報機器では、ランダム・アクセス・メモリとして、動作が高速で、高密度なDRAMが広く使われている。
しかし、DRAMは電源を切ると情報が消えてしまう揮発性メモリであるため、情報が消えない不揮発のメモリが望まれている。
しかし、DRAMは電源を切ると情報が消えてしまう揮発性メモリであるため、情報が消えない不揮発のメモリが望まれている。
そして、不揮発メモリの候補として、磁性体の磁化で情報を記録する磁気ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)が注目され、開発が進められている(例えば非特許文献1参照)。
MRAMは直交する2種類のアドレス配線(ワード線、ビット線)にそれぞれ電流を流して、各アドレス配線から発生する電流磁場によって、アドレス配線の交点にある磁気記憶素子の磁性層の磁化を反転して情報の記録を行うものである。
また、より少ない電流で磁化反転が可能な構成として、スピン注入による磁化反転を利用する構成の磁気メモリが注目されている(例えば、特許文献1、非特許文献1参照)。
スピン注入による磁化反転とは、磁性体の中を通過してスピン偏極した電子を、他の磁性体に注入することにより、他の磁性体において磁化反転を起こさせるものである。
そして、スピン注入による磁化反転は、素子が微細化されても、少ない電流で磁化反転を実現することができる利点を有している。
スピン注入による磁化反転とは、磁性体の中を通過してスピン偏極した電子を、他の磁性体に注入することにより、他の磁性体において磁化反転を起こさせるものである。
そして、スピン注入による磁化反転は、素子が微細化されても、少ない電流で磁化反転を実現することができる利点を有している。
一方、磁性層に記録された情報を読み出す方法としては、磁化で情報を記録する磁性層(記憶層)と磁化の向きが固定された磁化固定層との間に、例えばトンネル絶縁層を設けて、記憶層と磁化固定層との磁化の向きの相対関係による、強磁性トンネル電流の違いを検出する方法が主に用いられる。
特開2003−17782号公報
F.J.Albert et al.,Appl Phys. Lett.Vol.77,2002年,p.3809
しかしながら、強磁性トンネル電流による抵抗変化率は、高々50%程度であるため、強磁性トンネル電流により記憶層に記録された情報を読み出すことは容易ではない。
特に、記憶素子の微細化に伴い、記憶素子の抵抗のばらつき等のため、抵抗の変化を正確に検出することが難しくなり、情報の正確な読み出しが困難になる。
さらに、スピン注入により記憶層の磁化反転を行うためには、記憶素子に直接電流を流す必要があるため、記憶素子の抵抗を充分に低くする必要がある。
このように記憶素子の抵抗を低くすることに伴い、強磁性トンネル電流による抵抗変化も小さくなることから、読み出しの信号出力も小さくなり、情報の判別を安定して行うことが困難になる。
このため、信頼性の高い高密度のメモリを実現することが困難であった。
このように記憶素子の抵抗を低くすることに伴い、強磁性トンネル電流による抵抗変化も小さくなることから、読み出しの信号出力も小さくなり、情報の判別を安定して行うことが困難になる。
このため、信頼性の高い高密度のメモリを実現することが困難であった。
上述した問題の解決のために、本発明においては、抵抗を低くしても安定して確実に情報の読み出しを行うことができる記憶素子を提供するものである。
本発明の記憶素子は、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層と、この記憶層に対して非磁性層を介して設けられ、磁化の向きが固定された磁化固定層とを少なくとも有し、非磁性層を通じて、記憶層と磁化固定層との間に電流を流すことにより情報の記録が行われるものであって、磁性層から成り、記憶層の情報を読み出すための読み出し層が、記憶層と磁化固定層との間に設けられ、この読み出し層が記憶層からの静磁気的な磁場或いは磁気的相互作用を受け、かつ少なくとも磁化固定層と読み出し層の間でスピン偏極電子によるスピントルク力が働くものである。
本発明の記憶素子の構成によれば、磁性層から成り、記憶層の情報を読み出すための読み出し層が、記憶層と磁化固定層との間に設けられ、この読み出し層が記憶層からの静磁気的な磁場或いは磁気的相互作用を受け、かつ少なくとも磁化固定層と読み出し層の間でスピン偏極電子によるスピントルク力が働く構成となっている。
これにより、記憶素子に適当な電流を流すと、記憶層の磁化の向き、即ち記憶層に記録されている情報の内容によって、読み出し層の磁化が回転したり、回転しなかったりする。
そして、読み出し層の磁化が回転した場合には、高周波信号が発生する。
従って、記憶素子に電流を流して得られる出力における高周波信号の有無を検出することにより、容易に記憶層の磁化の向き、即ち記憶層に記録された情報の内容を判別することができる。
これにより、記憶素子に適当な電流を流すと、記憶層の磁化の向き、即ち記憶層に記録されている情報の内容によって、読み出し層の磁化が回転したり、回転しなかったりする。
そして、読み出し層の磁化が回転した場合には、高周波信号が発生する。
従って、記憶素子に電流を流して得られる出力における高周波信号の有無を検出することにより、容易に記憶層の磁化の向き、即ち記憶層に記録された情報の内容を判別することができる。
上述の本発明によれば、高周波信号の有無を検出することにより、容易に記憶層の磁化の向き、即ち記憶層に記録された情報の内容を判別することができる。
従って、記憶素子の抵抗が低くても、充分な精度で情報の内容の判別を行うことができることから、読み出しの誤りが少ないメモリを実現できる。
従って、記憶素子の抵抗が低くても、充分な精度で情報の内容の判別を行うことができることから、読み出しの誤りが少ないメモリを実現できる。
そして、記憶素子を微細化したときにも、誤りなく読み出しを行うことが可能になるため、本発明の記憶素子をメモリセルに用いてメモリを構成すれば、メモリを小型化したり、高密度化して記憶容量を大きくしたりすることが容易に可能になる。
まず、本発明の具体的な実施の形態の説明に先立ち、本発明の概要について説明する。
前述した目的、即ち記憶素子の抵抗が低くても充分な精度で情報の判別を行うことを達成するために、最適な構造及び記録方法を検討した結果、情報の記憶を担う記憶層と情報を読み出すための読み出し層及び磁化が一方向に固定された磁化固定層の少なくとも3つの磁性層とそれらを分断する非磁性層から構成された記憶素子とすると、記録された情報を確実に読み出せることを見い出した。
即ち、本発明では、磁化の向き(磁化状態)を情報として保持する記憶層と、磁化の向きが固定された磁化固定層(情報の基準となる参照層を有する)とを有し、記憶層と磁化固定層との間に非磁性層(絶縁層又は非磁性導電層)を設け、さらに記憶層と磁化固定層との間に、記憶層の情報を読み出すための読み出し層を設けて、記憶素子を構成する。
そして、読み出し層は、記憶層からの静磁気的な磁場或いは磁気的相互作用を受け、かつ少なくとも磁化固定層との間でスピン偏極電子によるスピントルク力が働くように構成する。
そして、読み出し層は、記憶層からの静磁気的な磁場或いは磁気的相互作用を受け、かつ少なくとも磁化固定層との間でスピン偏極電子によるスピントルク力が働くように構成する。
本発明の記憶素子において、記憶層に記録された情報を読み出すためには、記憶層と読み出し層との間に静磁気的な磁場或いは磁気的相互作用が働くように配置し、また記憶層の記憶状態によって読み出し層が異なる方向の力を受けるようにする。
さらに、磁化固定層と読み出し層の間でスピン偏極電子によるスピントルク力が働くようにすると、読み出し層には磁化固定層との間のスピン偏極電子による力と記憶層からの磁気的作用による力の双方が加わり、それらの力が逆向きで適当な大きさの場合、読み出し層の磁化は連続的な回転運動をする。
さらに、磁化固定層と読み出し層の間でスピン偏極電子によるスピントルク力が働くようにすると、読み出し層には磁化固定層との間のスピン偏極電子による力と記憶層からの磁気的作用による力の双方が加わり、それらの力が逆向きで適当な大きさの場合、読み出し層の磁化は連続的な回転運動をする。
そこで、読み出し層及び磁化固定層、或いは読み出し層及び記憶層のうち、少なくとも一方に、例えば強磁性トンネル接合のような磁化状態を電気信号に変換する機構を設けることにより、読み出し層の磁化回転運動を高周波信号電圧として観測することが可能になる。具体的には、例えば、読み出し層と、磁化固定層又は記憶層との間にトンネル絶縁膜を設けて記憶素子を構成し、記憶素子の積層方向に電流を流して、出力電圧の交流成分を増幅して検波することによって、高周波信号の有無を検出すればよい。
これにより、記憶素子に電流を流して、高周波信号が検出されるかどうかによって、記憶層の磁化状態即ち、記憶層に記録されている情報を判別することが可能である。
これにより、記憶素子に電流を流して、高周波信号が検出されるかどうかによって、記憶層の磁化状態即ち、記憶層に記録されている情報を判別することが可能である。
記憶層・読み出し層・磁化固定層の材料としては、Fe,Co,Ni等の3d遷移金属を主成分とする合金などを用いることが可能であり、それぞれの層に要求される特性によりその他の元素の添加や多層化等を行っても良い。
特に、記憶層の材料としては、適当な大きさの磁気異方性を有するものが望ましい。
また、読み出し層の材料としては、磁気異方性が小さいものが望ましい。
さらに、読み出しの際に記憶層に影響がないようにするために、記憶層が、読み出し層と比較して、厚い(膜厚が大きい)或いは飽和磁化が大きい等、記憶層を読み出し層よりも磁気的に安定にしておくのが望ましい。
また、読み出し層の材料としては、磁気異方性が小さいものが望ましい。
さらに、読み出しの際に記憶層に影響がないようにするために、記憶層が、読み出し層と比較して、厚い(膜厚が大きい)或いは飽和磁化が大きい等、記憶層を読み出し層よりも磁気的に安定にしておくのが望ましい。
磁化固定層の磁化の向きを固定する方法としては、磁化固定層に隣接してPtMn等の反強磁性層を設けて、磁場中で加熱する方法等が可能である。
記憶層と読み出し層との間で磁気的な力を作用させるには、記憶層と読み出し層とを適当な厚さの非磁性層で分断すればよく、このように構成することにより、記憶層と読み出し層との間に静磁気的な磁場が作用して、記憶層の磁化と読み出し層の磁化とが互いに反平行の向きになる。
さらに、記憶層と読み出し層とを分断する非磁性層の材料と厚さを適当に選べば、記憶層と読み出し層との磁化の向きが平行あるいは反平行になるような相互作用を働かせることが可能である。
なお、読み出し層と記憶層との間の非磁性層は、スピン偏極電流が流れるように、スピン散乱が少ない材料で構成するのが好ましい。
さらに、記憶層と読み出し層とを分断する非磁性層の材料と厚さを適当に選べば、記憶層と読み出し層との磁化の向きが平行あるいは反平行になるような相互作用を働かせることが可能である。
なお、読み出し層と記憶層との間の非磁性層は、スピン偏極電流が流れるように、スピン散乱が少ない材料で構成するのが好ましい。
上述した構成とすることにより、抵抗の低い記憶素子や抵抗のばらつきが大きい記憶素子であっても、記憶層に記録された情報を確実に読み出すことが可能となり、読み出し誤りのないメモリを実現することが可能になる。
ここで、図1Aに模式図を示すように、磁化固定層1の下に非磁性層(図示せず)を介して記憶層3が形成され、磁化固定層1と記憶層3との間に読み出し層2が形成された記憶素子を構成する。また、磁化固定層1の磁化M1の向きは右向きに固定されている。
なお、この模式図では、磁化固定層1・読み出し層2・記憶層3がいずれも単層の磁性膜から成り、磁性膜の磁化の向きと電子のスピン分極の向きとが同じ向きである場合を示している。
なお、この模式図では、磁化固定層1・読み出し層2・記憶層3がいずれも単層の磁性膜から成り、磁性膜の磁化の向きと電子のスピン分極の向きとが同じ向きである場合を示している。
そして、このような構成の記憶素子の記憶層3に記録された情報を読み出す際の動作を、図1A及び図1Bを用いて説明する。
まず、2つの記憶状態を、それぞれ図1A及び図1Bに示す。図1Aでは、記憶層3の磁化M3の向きが右向きになっている。図1Bでは、記憶層3の磁化M3の向きが左向きになっている。
まず、2つの記憶状態を、それぞれ図1A及び図1Bに示す。図1Aでは、記憶層3の磁化M3の向きが右向きになっている。図1Bでは、記憶層3の磁化M3の向きが左向きになっている。
図1Aに示すように、記憶層3の磁化M3が右向きの状態において、適当な電流量の上向きの電流を流した場合、スピン偏極電子5は、下向きに流れるため、磁化固定層1から読み出し層2に流れ、読み出し層2の磁化M2を磁化固定層1の磁化M1と同じ右向きに揃えようとする力6が働く。
ここで、記憶層3から読み出し層2へ働く力を、静磁気的な磁場によるものとすると、記憶層3からの漏洩磁場4によって読み出し層2は左向きの力7を受ける。
ここで、記憶層3から読み出し層2へ働く力を、静磁気的な磁場によるものとすると、記憶層3からの漏洩磁場4によって読み出し層2は左向きの力7を受ける。
従って、図1Aに示す記憶状態のときには、スピン注入による力6と静磁気的な力7とが反対向きになり、これら2つの力6,7の作用によって、読み出し層2の磁化M2は、連続的に回転する。
一方、図1Bに示すように、記憶層3の磁化M3が左向きの状態において、適当な電流量の上向きの電流を流した場合、スピン偏極電子5は、磁化固定層1から読み出し層2に流れ、読み出し層2の磁化M2を磁化固定層1の磁化M1と同じ右向きに揃えようとする力6が働く。
また、記憶層3からの漏洩磁場4によって、読み出し層2は右向きの力7を受ける。
また、記憶層3からの漏洩磁場4によって、読み出し層2は右向きの力7を受ける。
従って、図1Bに示す記憶状態のときには、スピン注入による力6と静磁気的な力7とが同じ向きになるため、読み出し層2の磁化M2は2つの力6,7と同じ右向きで安定する。
そして、読み出し層2の磁化M2の回転の有無を検出すれば、図1A及び図1Bの二つの記憶状態を判別することができる。
また、電流の向きを逆に下向きにすると、スピン偏極電子による力の向きも逆になるので、図1Bの記憶状態で読み出し層2の磁化の連続回転が起こるようになる。
また、電流の向きを逆に下向きにすると、スピン偏極電子による力の向きも逆になるので、図1Bの記憶状態で読み出し層2の磁化の連続回転が起こるようになる。
ここで、磁性層に対して、スピン偏極電流と磁場とを作用させたときの動作状態を模式的に図2に示す。
図2では、磁性層に対して、非磁性層を介して、磁化の向きが固定された磁化固定層(磁化の向きの基準となる参照層)を設けて、磁化固定層の磁化の向きと平行な向きの力を受ける電流及び磁場をそれぞれ+として、磁化固定層の磁化の向きと反平行な向きの力を受ける電流及び磁場をそれぞれ−としている。
図2では、磁性層に対して、非磁性層を介して、磁化の向きが固定された磁化固定層(磁化の向きの基準となる参照層)を設けて、磁化固定層の磁化の向きと平行な向きの力を受ける電流及び磁場をそれぞれ+として、磁化固定層の磁化の向きと反平行な向きの力を受ける電流及び磁場をそれぞれ−としている。
図2に示すように、原点付近の領域では、電流や磁場が、磁化の向きが変化する閾値以下であるため、磁化の向きが変化しない。
境界線よりも右上側の領域では、磁性層の磁化の向きが、磁化固定層の磁化の向きに対して、反平行から平行に変化する。平行の状態からは変化しない。
境界線よりも左上側の領域では、磁性層の磁化の向きが、磁化固定層の磁化の向きに対して、平行から反平行に変化する。反平行の状態からは変化しない。
そして、図2中の斜線を付した領域で、磁化の連続回転が観測される。この領域は、電流により受ける力と磁場により受ける力とが、それぞれある程度以上の大きさであり、かつ作用する向きが逆である領域である。
境界線よりも右上側の領域では、磁性層の磁化の向きが、磁化固定層の磁化の向きに対して、反平行から平行に変化する。平行の状態からは変化しない。
境界線よりも左上側の領域では、磁性層の磁化の向きが、磁化固定層の磁化の向きに対して、平行から反平行に変化する。反平行の状態からは変化しない。
そして、図2中の斜線を付した領域で、磁化の連続回転が観測される。この領域は、電流により受ける力と磁場により受ける力とが、それぞれある程度以上の大きさであり、かつ作用する向きが逆である領域である。
即ち、記憶層から読み出し層に作用する磁場と、記憶素子に流すスピン偏極電流とを、図2の斜線を付した領域内になるように設定すれば、読み出し層の磁化を回転させることができる。
なお、記憶層からの読み出し層への磁場が不足する場合には、外部磁場や磁場印加機構を設けて不足分を補えばよい。
なお、記憶層からの読み出し層への磁場が不足する場合には、外部磁場や磁場印加機構を設けて不足分を補えばよい。
スピン偏極電子の注入は、磁化固定層からだけではなく記憶層からも行うと、より効率的で読み出し電流の低減が可能である。
例えば、図1に示した記憶素子で、記憶層3からのスピン注入を行う場合には、例えば、次の(1)〜(3)のいずれかの構成とすればよい。
(1)磁化固定層1の電子のスピン分極と記憶層3の電子のスピン分極が逆になるように、例えば磁化固定層1にCoFe合金、記憶層3にFeV合金のように分極極性が逆の材料を用いる。
(2)磁化固定層1と記憶層3にCoFe、読み出し層2にFeV合金を用いる。
(3)記憶層3又は読み出し層2を、Ru等の非磁性膜で反平行に磁気的結合させた2層の磁性層の積層により構成する。
例えば、図1に示した記憶素子で、記憶層3からのスピン注入を行う場合には、例えば、次の(1)〜(3)のいずれかの構成とすればよい。
(1)磁化固定層1の電子のスピン分極と記憶層3の電子のスピン分極が逆になるように、例えば磁化固定層1にCoFe合金、記憶層3にFeV合金のように分極極性が逆の材料を用いる。
(2)磁化固定層1と記憶層3にCoFe、読み出し層2にFeV合金を用いる。
(3)記憶層3又は読み出し層2を、Ru等の非磁性膜で反平行に磁気的結合させた2層の磁性層の積層により構成する。
続いて、上述した本発明の構成を満足する具体的な本発明の実施の形態について説明する。
図3は、本発明の一実施の形態として、記憶素子の概略構成図(断面図)を示す。
この記憶素子10は、下層から、下地層11、反強磁性層12、磁性層13、非磁性層14、磁性層15、トンネル絶縁層16、読み出し層17、非磁性層18、磁性層19、非磁性層20、磁性層21、保護層22が積層されて成る。
この記憶素子10は、下層から、下地層11、反強磁性層12、磁性層13、非磁性層14、磁性層15、トンネル絶縁層16、読み出し層17、非磁性層18、磁性層19、非磁性層20、磁性層21、保護層22が積層されて成る。
磁性層13・非磁性層14・磁性層15の3層により、積層フェリ構造の磁化固定層31が構成される。磁性層13は、反強磁性層12により磁化の向きが固定されるものであり、磁性層15は、記憶層17に対する磁化の向きの基準となるものであり、参照層とも称される。磁性層13と磁性層(参照層)15とは、非磁性層14によって、磁化の向きが反平行に結合する。
磁性層19・非磁性層20・磁性層21の3層により、記憶層32が構成される。
この記憶層32は、情報を磁化状態(磁化の向き)で保持することができるように構成される。
この記憶層32は、情報を磁化状態(磁化の向き)で保持することができるように構成される。
本実施の形態の記憶素子10は、スピン注入によって情報の記録が行われる記憶素子の通常の構成に対して、さらに、磁化固定層31と記憶層32との間に、磁性層から成る読み出し層17及び非磁性層18が追加された構成となっている。
記憶層32と読み出し層17との間は非磁性層18であり、GMR素子になっている。 磁化固定層31と読み出し層17との間は、トンネル絶縁層16であり、TMR素子になっている。
記憶層32と読み出し層17との間は非磁性層18であり、GMR素子になっている。 磁化固定層31と読み出し層17との間は、トンネル絶縁層16であり、TMR素子になっている。
また、記憶層32を構成する2層の磁性層19,21は、下層の磁性層19が薄く、上層の磁性層21が厚くなっており、上層の磁性層21の磁化の方が下層の磁性層19の磁化よりも大きくなる。これにより、記憶層32からは、上層の磁性層21の磁化の向きに対応する静磁場が発生する。
なお、本実施の形態の記憶素子10は、磁化固定層31、読み出し層17、記憶層32の積層順序が図1の模式図の記憶素子とは逆になっている。
この記憶素子10では、下地層11及び保護層22の間に電流を流すことにより、詳細を後述するように、スピン注入による記憶層32の磁化の向きを反転させて、記憶層32に情報を記録することができる。
そして、本実施の形態の記憶素子10によってメモリセルを構成し、このメモリセルを多数、列状やマトリクス状に配置することにより、メモリを構成することができる。
このようなメモリにおいては、各メモリセルの記憶素子10に対して、電流を流すために、下地層11及び保護層22に、それぞれ配線等を接続する。そして、情報の記録や読み出しを行う際には、駆動回路から配線等を通して対象となるメモリセルの記憶素子10に電流を供給する。
このようなメモリにおいては、各メモリセルの記憶素子10に対して、電流を流すために、下地層11及び保護層22に、それぞれ配線等を接続する。そして、情報の記録や読み出しを行う際には、駆動回路から配線等を通して対象となるメモリセルの記憶素子10に電流を供給する。
ここで、本実施の形態の記憶素子10において、記憶層32の磁化状態と記憶素子10に流す電流Iの向きとの組み合わせを変えたときに、それぞれの場合でスピン偏極電子流によって読み出し層にかかる力を模式的に図4A〜図4Dに示す。
なお、前述したように、記憶層32を構成する2層の磁性層19,21のうち、下層の磁性層19が薄く、上層の磁性層21が厚くなっているため、上層の磁性層21の磁化M21の方が下層の磁性層19の磁化M19よりも大きくなっている。
なお、前述したように、記憶層32を構成する2層の磁性層19,21のうち、下層の磁性層19が薄く、上層の磁性層21が厚くなっているため、上層の磁性層21の磁化M21の方が下層の磁性層19の磁化M19よりも大きくなっている。
図4A〜図4Dにおいて、読み出し層17の磁化M17の右側に、読み出し層17の上下に対向する磁性層(磁化固定層31の磁性層15及び記憶層32の磁性層19)からの偏極電子による力F1,F2をそれぞれ示している。力F1は、読み出し層17が下層の磁化固定層31の磁性層15から受ける力を示している。力F2は、読み出し層17が上層の記憶層32の磁性層19から受ける力を示す。
図4A〜図4Dに示すいずれも場合も、電流が流れていない状態では、読み出し層17の磁化M17は、記憶層32からの静磁場によって、記憶層32の上層の磁性層21の磁化M21の向きとは反対に向いている。
図4A〜図4Dに示すいずれも場合も、電流が流れていない状態では、読み出し層17の磁化M17は、記憶層32からの静磁場によって、記憶層32の上層の磁性層21の磁化M21の向きとは反対に向いている。
そして、電流Iを流したときに、読み出し層17の磁化M17の向きとは反対向きに偏極電子による力F1,F2が加わる場合に、読み出し層17の磁化M17が連続回転する。
図4Aに示す場合は、記憶層32の上層の磁性層21の磁化M21が左向き、下層の磁性層M19が右向きであるため、記憶層32からの静磁場は反時計回りとなる。これにより、電流が流れていない状態では、読み出し層17の磁化M17は右向きになっている。
ここで、記憶素子に上向きの電流Iを流すため、スピン偏極流は下向きになる。これにより、読み出し層17が下層の磁化固定層31の磁性層15から受ける力F1は、磁性層15の磁化M15とは逆の右向きになる。また、読み出し層17が上層の記憶層32の磁性層19から受ける力F2は、磁性層19の磁化M19と同じ右向きになる。
力F1及び力F2がいずれも右向きで、読み出し層17の磁化M17の向きと同じ向きであるため、読み出し層17の磁化M17の向きは変化しない。
ここで、記憶素子に上向きの電流Iを流すため、スピン偏極流は下向きになる。これにより、読み出し層17が下層の磁化固定層31の磁性層15から受ける力F1は、磁性層15の磁化M15とは逆の右向きになる。また、読み出し層17が上層の記憶層32の磁性層19から受ける力F2は、磁性層19の磁化M19と同じ右向きになる。
力F1及び力F2がいずれも右向きで、読み出し層17の磁化M17の向きと同じ向きであるため、読み出し層17の磁化M17の向きは変化しない。
図4Bに示す場合は、電流が流れていない状態では、図4Aと同じであり、読み出し層17の磁化M17は右向きになっている。
ここで、記憶素子に下向きの電流Iを流すため、スピン偏極流は上向きになる。これにより、読み出し層17が下層の磁化固定層31の磁性層15から受ける力F1は、磁性層15の磁化M15と同じ左向きになる。また、読み出し層17が上層の記憶層32の磁性層19から受ける力F2は、磁性層19の磁化M19とは反対の左向きになる。
力F1及び力F2がいずれも左向きで、読み出し層17の磁化M17の向きとは反対の向きであるため、読み出し層17の磁化M17の向きが回転運動する。
ここで、記憶素子に下向きの電流Iを流すため、スピン偏極流は上向きになる。これにより、読み出し層17が下層の磁化固定層31の磁性層15から受ける力F1は、磁性層15の磁化M15と同じ左向きになる。また、読み出し層17が上層の記憶層32の磁性層19から受ける力F2は、磁性層19の磁化M19とは反対の左向きになる。
力F1及び力F2がいずれも左向きで、読み出し層17の磁化M17の向きとは反対の向きであるため、読み出し層17の磁化M17の向きが回転運動する。
図4Cに示す場合は、記憶層32の上層の磁性層21の磁化M21が右向き、下層の磁性層M19が左向きであるため、記憶層32からの静磁場は時計回りとなる。これにより、電流が流れていない状態では、読み出し層17の磁化M17は左向きになっている。
ここで、記憶素子に上向きの電流Iを流すため、スピン偏極流は下向きになる。これにより、読み出し層17が下層の磁化固定層31の磁性層15から受ける力F1は、磁性層15の磁化M15とは逆の右向きになる。また、読み出し層17が上層の記憶層32の磁性層19から受ける力F2は、磁性層19の磁化M19と同じ左向きになる。
力F1と力F2が逆向きであるため、これらが打ち消し合うため、読み出し層17の磁化M17の向きを変化させるような力が働かないため、読み出し層17の磁化M17の向きは変化しない。
ここで、記憶素子に上向きの電流Iを流すため、スピン偏極流は下向きになる。これにより、読み出し層17が下層の磁化固定層31の磁性層15から受ける力F1は、磁性層15の磁化M15とは逆の右向きになる。また、読み出し層17が上層の記憶層32の磁性層19から受ける力F2は、磁性層19の磁化M19と同じ左向きになる。
力F1と力F2が逆向きであるため、これらが打ち消し合うため、読み出し層17の磁化M17の向きを変化させるような力が働かないため、読み出し層17の磁化M17の向きは変化しない。
図4Dに示す場合は、電流が流れていない状態では、図4Cと同じであり、読み出し層17の磁化M17は左向きになっている。
ここで、記憶素子に下向きの電流Iを流すため、スピン偏極流は上向きになる。これにより、読み出し層17が下層の磁化固定層31の磁性層15から受ける力F1は、磁性層15の磁化M15と同じ左向きになる。また、読み出し層17が上層の記憶層32の磁性層19から受ける力F2は、磁性層19の磁化M19とは反対の右向きになる。
力F1と力F2が逆向きであるため、これらが打ち消し合うため、読み出し層17の磁化M17の向きを変化させるような力が働かないため、読み出し層17の磁化M17の向きは変化しない。
ここで、記憶素子に下向きの電流Iを流すため、スピン偏極流は上向きになる。これにより、読み出し層17が下層の磁化固定層31の磁性層15から受ける力F1は、磁性層15の磁化M15と同じ左向きになる。また、読み出し層17が上層の記憶層32の磁性層19から受ける力F2は、磁性層19の磁化M19とは反対の右向きになる。
力F1と力F2が逆向きであるため、これらが打ち消し合うため、読み出し層17の磁化M17の向きを変化させるような力が働かないため、読み出し層17の磁化M17の向きは変化しない。
即ち、図4Bの状態のときのみ、読み出し層17の磁化M17が連続回転して、高周波信号が検出される。
図4A〜図4Dにより示したことを一般化して表現すると、読み出し層が磁気的に単層であるとすれば、読み出し層に対向する上下2つの磁性層の磁化の向きが反平行の状態であり、かつこれら反平行の2つの磁性層のうち読み出し層と磁化の向きが同じ方の磁性層から読み出し層へ向けて電流を流す(読み出し層から読み出し層と磁化の向きが同じ方の磁性層へ向けてスピン偏極流を流す)ことにより、読み出し層の磁化が回転運動する。
次に、本実施の形態の記憶素子10において、記憶層32の磁性層19,21の磁化M19,M21の向きを反転させて、情報を記録する方法を、図3及び図4A〜図4Dを用いて詳細に説明する。
なお、情報の記録を容易に円滑に行うという観点によっても、前述したように、記憶層32(19,21)が、読み出し層17と比較して、厚い(膜厚が大きい)或いは飽和磁化が大きい等、記憶層32(19,21)を読み出し層17よりも磁気的に安定にしておくのが望ましい。
さらに、磁化固定層31と読み出し層17とのスピン注入効率を、記憶層32と読み出し層17とのスピン注入効率よりも大きくなるような構成とする等、読み出し層17にかかる力に不均衡をつけておくことが望ましい。
なお、情報の記録を容易に円滑に行うという観点によっても、前述したように、記憶層32(19,21)が、読み出し層17と比較して、厚い(膜厚が大きい)或いは飽和磁化が大きい等、記憶層32(19,21)を読み出し層17よりも磁気的に安定にしておくのが望ましい。
さらに、磁化固定層31と読み出し層17とのスピン注入効率を、記憶層32と読み出し層17とのスピン注入効率よりも大きくなるような構成とする等、読み出し層17にかかる力に不均衡をつけておくことが望ましい。
まず、記憶層32の下層(参照層15側)の磁性層19の磁化M19の向きが左向きで、磁化固定層31の参照層15の磁化M15の向き(左向き)に対して、平行である場合、記憶層32の磁性層19,21の磁化M19,M21の向きを反転させるためには、下地層11から保護層22に向けて、即ち参照層15から磁性層19に向けて電流Iを流す。即ち、図4Cに示す関係とする。そして、電流量を読み出し時よりも大きくすることにより、記憶層32の読み出し層17側の磁性層19に、その磁化M19の向きを反転させる力が働き、記録層32の磁化状態が不安定になる。さらに、読み出し層17の磁化M17の向きを反転させるような力も働き、読み出し層17の磁化M17が先に揺らぎ出すと、読み出し層17から記憶層32への静磁気的な力をきっかけに、不安定になっていた記憶層32の磁性層19,21の磁化M19,M21の向きが反転する。これにより、最終的に、図4Aの状態、即ち記憶層32の下層の磁性層19の磁化M19の向きが右向きで、磁化固定層31の参照層15の磁化M15の向き(左向き)とは反平行である状態に落ち着くことになる。
一方、記憶層32の下層(参照層15側)の磁性層19の磁化M19の向きが右向きで、磁化固定層31の参照層15の磁化M15の向き(左向き)に対して、反平行である場合、記憶層32の磁性層19,21の磁化M19,M21の向きを反転させるためには、保護層22から下地層11に向けて、即ち磁性層19から参照層15に向けて電流Iを流す。即ち、図4Bに示す関係とする。そして、ある程度の電流によって読み出し層17の磁化M17が回転運動をして、記憶層32(19,21)にその静磁気的な影響が及ぶが、電流が小さい場合には記録層32(19,21)の磁化M19,M21の向きが反転しないが、電流を増やすと読み出し層17と記憶層32(19,21)との間のスピン注入効果の力で記憶層32(19,21)の磁化M19,M21が揺さぶられて、その向きが反転する。これにより、最終的に、図4Dの状態、即ち記憶層32の下層の磁性層19の磁化M19の向きが左向きで、磁化固定層31の参照層15の磁化M15の向き(左向き)と平行である状態に落ち着くことになる。
このようにして、電流を流す向きによって、記録する情報を選択することができる。
このようにして、電流を流す向きによって、記録する情報を選択することができる。
上述の本実施の形態の記憶素子10によれば、磁化固定層31と記憶層32との間に読み出し層17が設けられ、記憶層32と読み出し層17との間に非磁性層18があることにより、記憶層32から読み出し層17へ静磁気的な磁場を作用させることができる。
また、磁化固定層31及び記憶層32から、それぞれ読み出し層17に対してスピン注入によるトルクを発生させることができる。
また、磁化固定層31及び記憶層32から、それぞれ読み出し層17に対してスピン注入によるトルクを発生させることができる。
そして、記憶素子10の積層方向の所定の向きに電流Iを流して、磁化固定層31と記憶層32とから、それぞれ読み出し層17に対してスピン注入によるトルクF1,F2を発生させると、これらのスピン注入によるトルクF1,F2が互いに強め合い、かつこれらのトルクF1,F2が読み出し層17の磁化M17の向きと反対向きであるとき、読み出し層17の磁化M17が回転運動する。一方、2つのトルクF1,F2が打ち消し合うときや、読み出し層17の磁化M17の向きと同じ向きであるときには、読み出し層17の磁化M17は回転しない。
読み出し層17が受けるトルクF1,F2が互いに強め合い、読み出し層17の磁化M17の向きと逆向きの場合、即ち図4Bに示した関係のときには、読み出し層17の磁化M17が回転運動する。これに対して、記憶層32の磁化M19,M21の向きが図4Bとは反対向きである図4Dに示した関係のときには、読み出し層17の磁化M17は回転しない。
従って、読み出し層17の磁化M17の回転運動の有無により、記憶層32の磁化M19,M21の向き、即ち記憶層32に記録された情報の内容を判別することが可能になる。
そして、読み出し層17の磁化M17が回転運動すると、記憶素子10の上下の電圧出力として、高周波信号が得られる。
読み出し層17が受けるトルクF1,F2が互いに強め合い、読み出し層17の磁化M17の向きと逆向きの場合、即ち図4Bに示した関係のときには、読み出し層17の磁化M17が回転運動する。これに対して、記憶層32の磁化M19,M21の向きが図4Bとは反対向きである図4Dに示した関係のときには、読み出し層17の磁化M17は回転しない。
従って、読み出し層17の磁化M17の回転運動の有無により、記憶層32の磁化M19,M21の向き、即ち記憶層32に記録された情報の内容を判別することが可能になる。
そして、読み出し層17の磁化M17が回転運動すると、記憶素子10の上下の電圧出力として、高周波信号が得られる。
これにより、記憶素子10に電流を流して得られる出力における高周波信号の有無を検出すれば、容易に記憶層32の磁化M19,M21の向き、即ち記憶層32に記録された情報の内容を判別することができる。
従って、記憶素子10の抵抗値が低かったり、記憶素子10の抵抗値にばらつきがあったりしても、容易に記憶層32に記録された情報の内容を判別することができ、記憶素子10の記憶層32に記録された情報の内容を、誤りなく確実に読み出すことが可能になる。
従って、記憶素子10の抵抗値が低かったり、記憶素子10の抵抗値にばらつきがあったりしても、容易に記憶層32に記録された情報の内容を判別することができ、記憶素子10の記憶層32に記録された情報の内容を、誤りなく確実に読み出すことが可能になる。
また、本実施の形態の記憶素子10では、特に、磁化固定層31と読み出し層17との間にトンネル絶縁層16があることにより、トンネル電流に対する抵抗の変化が大きくなるため、充分な電圧出力が得られる。これにより、読み出し層17の磁化M17の回転運動を、高周波信号の出力として容易に検出することが可能になる。
即ち、本実施の形態の記憶素子10によれば、記憶素子10の抵抗が低くても、記憶素子10の抵抗値にばらつきがあったりしても、充分な精度で情報の内容の判別を行うことができることから、読み出し誤りが少ないメモリを実現することができる。
(実施例)
ここで、本発明の記憶素子の構成において、具体的に記憶層の寸法や組成等を設定して、特性がどのようになるか検討を行った。
ここで、本発明の記憶素子の構成において、具体的に記憶層の寸法や組成等を設定して、特性がどのようになるか検討を行った。
そして、各層の材料及び膜厚を、次のように設定して、図3に示した構成の記憶素子10を作製した。
即ち、膜厚10nmのTa膜から成る下地層11の上に、膜厚30nmのPtMn膜から成る反強磁性層12、膜厚2nmのCoFe膜から成る磁性層13、膜厚0.7nmのRu膜から成る非磁性層14、膜厚2nmのCoFe膜から成る磁性層(参照層)15、膜厚0.5nmの酸化アルミニウム膜から成るトンネル絶縁層16、膜厚2nmのNiFe膜から成る読み出し層17、膜厚6nmのCu膜から成る非磁性層18、膜厚3nmのNiFe膜から成る磁性層19、膜厚0.7nmのRu膜から成る非磁性層20、膜厚5nmのNiFe膜から成る磁性層21、膜厚5nmのTa膜から成る保護層22を、順次積層形成した。
また、記憶素子10の各層を、長軸約200nm・短軸約150nmの楕円形状のパターンとなるようにパターニングした。
このようにして、記憶素子10の試料を作製した。
即ち、膜厚10nmのTa膜から成る下地層11の上に、膜厚30nmのPtMn膜から成る反強磁性層12、膜厚2nmのCoFe膜から成る磁性層13、膜厚0.7nmのRu膜から成る非磁性層14、膜厚2nmのCoFe膜から成る磁性層(参照層)15、膜厚0.5nmの酸化アルミニウム膜から成るトンネル絶縁層16、膜厚2nmのNiFe膜から成る読み出し層17、膜厚6nmのCu膜から成る非磁性層18、膜厚3nmのNiFe膜から成る磁性層19、膜厚0.7nmのRu膜から成る非磁性層20、膜厚5nmのNiFe膜から成る磁性層21、膜厚5nmのTa膜から成る保護層22を、順次積層形成した。
また、記憶素子10の各層を、長軸約200nm・短軸約150nmの楕円形状のパターンとなるようにパターニングした。
このようにして、記憶素子10の試料を作製した。
(出力信号のスペクトル解析)
記憶素子10に外部磁場を印加して、磁化固定層31、読み出し層17、記憶層32の各磁性層13,15,17,19,21の磁化M13,M15,M17,M19,M21の向きの関係が、図4A及び図4Bと同じ関係(M17とM15とが逆向きで、M17とM19とが同じ向き)となるようにした。
この状態で、図4Bに示したと同様に、記憶素子10に下向きの0.2mAの電流Iを流して、読み出し層17の磁化M17が回転運動するようにした。
このとき、記憶素子10の両端に現れる信号を、スペクトルアナライザによって周波数解析した。得られた解析結果を図5に示す。
記憶素子10に外部磁場を印加して、磁化固定層31、読み出し層17、記憶層32の各磁性層13,15,17,19,21の磁化M13,M15,M17,M19,M21の向きの関係が、図4A及び図4Bと同じ関係(M17とM15とが逆向きで、M17とM19とが同じ向き)となるようにした。
この状態で、図4Bに示したと同様に、記憶素子10に下向きの0.2mAの電流Iを流して、読み出し層17の磁化M17が回転運動するようにした。
このとき、記憶素子10の両端に現れる信号を、スペクトルアナライザによって周波数解析した。得られた解析結果を図5に示す。
図5より、13GHz付近に、高周波信号が観測された。
即ち、各磁性層の磁化の向き及び記憶素子10に流す電流Iの向きを、図4Bと同様の関係とすることにより、高周波信号の出力が得られることがわかる。
即ち、各磁性層の磁化の向き及び記憶素子10に流す電流Iの向きを、図4Bと同様の関係とすることにより、高周波信号の出力が得られることがわかる。
次に、記憶素子10にかかる電流Iを増やしながら、記憶素子10の素子抵抗と高周波信号強度を測定した。
この測定結果を図6に示す。
この測定結果を図6に示す。
図6より、記憶素子10に流す電流Iを上げていくと、約0.13mAのところで素子抵抗が減少すると共に、高周波信号が観測されるようになる。即ち、この電流以上で、読み出し層17の磁化M17が連続回転している。
さらに電流Iを上げると、約0.4mAのところで素子抵抗がさらに減少する。さらに、それ以上の電流Iとすると、高周波信号が観測されなくなる。これは、スピン偏極電子の注入により記憶層32の磁化M19,M21が反転し、読み出し層17の磁化M17が連続回転する条件を満たさなくなったため、高周波信号が消失したためである。
さらに電流Iを上げると、約0.4mAのところで素子抵抗がさらに減少する。さらに、それ以上の電流Iとすると、高周波信号が観測されなくなる。これは、スピン偏極電子の注入により記憶層32の磁化M19,M21が反転し、読み出し層17の磁化M17が連続回転する条件を満たさなくなったため、高周波信号が消失したためである。
次に、記憶素子10に外部磁場を印加して、磁化固定層31、読み出し層17、記憶層32の各磁性層13,15,17,19,21の磁化M13,M15,M17,M19,M21の向きの関係が、図4C及び図4Dと同じ関係(M17とM15とが同じ向きで、M17とM19とが逆向き)となるようにした。
この状態で、図4Dに示したと同様に、記憶素子10に下向きの電流Iを流し、同様に、電流量を変化させたときの記憶素子10の素子抵抗と高周波信号強度の測定を行った。
この測定結果を図7に示す。
この状態で、図4Dに示したと同様に、記憶素子10に下向きの電流Iを流し、同様に、電流量を変化させたときの記憶素子10の素子抵抗と高周波信号強度の測定を行った。
この測定結果を図7に示す。
図7に示すように、素子抵抗の変化に大きな段差はなく、高周波信号も観測されなかった。
つまり、記憶素子10に適当な電流Iを流して、高周波信号を検出することにより、記憶層32の磁化M19,M21の向きを判別して、記憶層32に記録された情報を読み出すことができる。
本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
1,31 磁化固定層、2,17 読み出し層、3,32 記憶層、10 記憶素子、12 反強磁性層、13,19,21 磁性層、14,18,20 非磁性層、15 磁性層(参照層)、16 トンネル絶縁層
Claims (1)
- 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層と、
前記記憶層に対して非磁性層を介して設けられ、磁化の向きが固定された磁化固定層とを少なくとも有し、
前記非磁性層を通じて、前記記憶層と前記磁化固定層との間に電流を流すことにより情報の記録が行われる記憶素子であって、
磁性層から成り、前記記憶層の情報を読み出すための読み出し層が、前記記憶層と前記磁化固定層との間に設けられ、
前記読み出し層が前記記憶層からの静磁気的な磁場或いは磁気的相互作用を受け、かつ少なくとも前記磁化固定層と前記読み出し層の間でスピン偏極電子によるスピントルク力が働く
ことを特徴とする記憶素子。
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- 2004-12-22 JP JP2004371601A patent/JP2006179694A/ja active Pending
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