JP2006178133A - フォトマスク、露光装置及び露光方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光源11からの光をフォトマスク13を介して半導体基板2に照射する際において、量子ドット31が含められてなるフォトマスク基板21を有し、転写すべき所望のパターンに応じて遮光膜22がフォトマスク基板21上に成膜されたフォトマスク13を介して光を照射する。
【選択図】 図2
Description
ここで、λは露光装置における光源の波長であり、NAはレンズの開口数であり、mはレジストプロセスに依存する定数である。
Claims (6)
- 量子ドットが含められてなるフォトマスク基板と、
転写すべき所望のパターンに応じて上記フォトマスク基板上に成膜された遮光膜とを備えること
を特徴とするフォトマスク。 - 転写すべき所望のパターンに応じて量子ドットが局所的に含められてなるフォトマスク基板を備えること
を特徴とするフォトマスク。 - 光源からの光をフォトマスクを介して被露光体に照射する露光装置において、
上記フォトマスクは、量子ドットが含められてなるフォトマスク基板と、転写すべき所望のパターンに応じて上記フォトマスク基板上に成膜された遮光膜とを備えること
を特徴とする露光装置。 - 光源からの光をフォトマスクを介して被露光体に照射する露光装置において、
上記フォトマスクは、転写すべき所望のパターンに応じて量子ドットが局所的に含められてなるフォトマスク基板を備えること
を特徴とする露光装置。 - 光源からの光をフォトマスクを介して被露光体に照射する露光方法において、
量子ドットが含められてなるフォトマスク基板を有し、転写すべき所望のパターンに応じて遮光膜が上記フォトマスク基板上に成膜されたフォトマスクを介して上記光を照射すること
を特徴とする露光方法。 - 光源からの光をフォトマスクを介して被露光体に照射する露光方法において、
転写すべき所望のパターンに応じて量子ドットが局所的に含められてなるフォトマスク基板を有するフォトマスクを介して上記光を照射すること
を特徴とする露光方法。
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