JP2006177828A - 放射線計測装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体検出器をプリント基板にハンダ付けを行うことによって発生した半導体部材の結晶に生じた歪を除去する。
【解決手段】半導体部材の表面に導電性接着剤を塗布し（ステップ１）、半導体部材の表面に電極板を貼り合わせる（ステップ２）。接着剤硬化を目的に放射線計測装置の半製品に対して、第１の熱処理を施す（ステップ３）。その後、半導体検出器をプリント基板上に配置し（ステップ４）、これらを電気炉内で加熱する（ステップ５）。この第２の熱処理によって、プリント基板上の配線と半導体検出器がハンダで接合される。その後、放射線計測装置が電気炉内で１３０℃で加熱される(ステップ６)。この第３の加熱は、８０℃より高く１７０℃以下の温度で行うと良い。
【選択図】図１

Description

本発明は、放射線計測装置の製造方法に係り、特に、半導体放射線検出器を用いた放射線計測装置に関する。

放射線計測装置の応用技術として、単一光子放射型コンピュータ断層撮影(ＳＰＥＣＴ)装置、および陽電子放射断層撮影（ＰＥＴ）装置のような核医学診断装置がある。これらの装置に使用されている放射線検出器の例として、入射した放射線を光に変えて検出するシンチレータ、および入射した放射線の光電効果により発生する電子および正孔(ホール)を電荷として電極により取り出す半導体放射線検出器（以下、半導体検出器という）がある。

シンチレータとしては、ＮａＩを用いたものが知られている。多数のシンチレータを備えた核医学診断装置では、放射線の入射によって発生した光はシンチレータに設置された光電子増倍管で電気信号に変換される。光増倍管は各シンチレータに設置される。あるシンチレータで発生した光は隣のシンチレータにも到達し、この隣のシンチレータに設置された光電子増倍管でも電気信号に変えられる。このため、位置分解能は低くなる。また、シンチレータを用いた場合は、入射された放射線はシンチレータによって光に変換され、この光を光電子増倍管によって電気信号に変換されるため、エネルギー分解能が悪いという問題点をもつ。

一方、半導体検出器は、ＣｄＴｅ（テルル化カドミウム），ＣｄＺｎＴｅ（カドミウム・亜鉛・テルル）などの半導体部材を有する。放射線が半導体部材に入射すると、放射線（γ線）と半導体部材との相互作用によってホールおよび電子といったキャリヤが生成される。半導体検出器は、入射された放射線を放射線検出素子にて電気信号に変換する。そのため、半導体検出器は、シンチレータよりも、電気信号への変換効率がよいという特徴を有する。

しかし、これまで、核医学診断装置は、放射線検出器として主にシンチレータが使用されてきた。その理由は、放射性薬剤を投与された被検診者から放出されたγ線の阻止能力が半導体検出器よりもシンチレータで高いからである。つまり、半導体検出器を用いてシンチレータと同程度のγ線の検出感度を得るためには、半導体検出器はより大きな体積の半導体部材を必要とする。

半導体部材の体積を大きくした場合、γ線と半導体部材との相互作用によって生成されたホールおよび電子の移動に時間がかかることに注意する必要がある。半導体検出器は、半導体部材と、この半導体部材の対向する両面に形成された一対の電極とを備える。これらの電極間に直流電圧を印加することによって、半導体部材で生成されたホールおよび電子を電極から信号として取り出すことができる。半導体部材の体積が大きく、電極間距離が長くなると、ホールおよび電子が電極に到達するまでに時間がかかり、１つのγ線の入射で発生したホールおよび電子が電極に到達する前に、別のγ線が半導体部材に入射する可能性がある。この場合には、半導体検出器から出力される電気信号が、入射された二つγ線のうちどのγ線による電気信号であるかの識別が困難となり、また、半導体部材内でのキャリヤの流れが重なりγ線のエネルギー測定が困難となる。これは、放射線計測装置の性能を悪化させる原因となる。そのため、ホールおよび電子といったキャリヤの移動時間を極力短くすることが必要である。

ホールおよび電子の移動速度は、移動度と電界との積から求められる。この移動度は、半導体部材の物性で決まるものである。したがって、ホールおよび電子の移動時間を短くするには、半導体部材に印加するバイアス電圧を上げるか、または、半導体部材を薄くして電極間距離を短くし、ホールおよび電子の移動距離を短縮するしかない。ただし、半導体部材を薄くするとその体積が小さくなるため、γ線の光電交換効率が低下してしまう。特許文献１には、第１の面に陰極を設けて第２の面に電荷収集電極を設けた薄い半導体部材を複数個積層し、同極の電極同士を向かい合わせて電気的に接続して構成した半導体検出器が記載されている。１つの半導体検出器内に複数の半導体部材を設けることによって、実質的に半導体部材の体積が大きくなるため、半導体検出器の検出感度を高めることができる。また、各半導体部材で電荷を収集するため、エネルギー分解能も増大する。

しかしながら、半導体部材と電極とを交互に配置した、特許文献１に記載された半導体検出器にも問題がある。それは、半導体検出器をプリント基板上に設置する際、半導体部材の特性が劣化することである。具体的には、半導体検出器をプリント基板上に設置した後において半導体検出器による放射線の計数率が、プリント基板に設置する前のそれよりも低下することである。また、プリント基板に設置した後の半導体検出器で測定したエネルギースペクトルの光電ピークの半値幅（ＦＷＨＭ）が、プリント基板に設置する前より増大する現象が起きている。この光電ピークの半値幅は、エネルギー分解能を示し、半値幅が増大することはエネルギー分解能が低下したことを意味する。このような放射線の計数率の低下、およびエネルギー分解能の低下が起こる原因として、半導体部材の結晶の歪みが考えられる。半導体部材の結晶は、わずかな応力でも歪みが生じ、その歪みによってキャリヤの移動が妨げられ、また、キャリヤが再結合して消滅しやすくなる。その結果、半導体検出器の特性が劣化し、半導体部材の歩留まり悪化が生じると考えられる。

特許文献２は、放射線計測装置の製造方法を記載する。すなわち、電極を取り付けた
ＣｄＴｅを用いた半導体検出器を、絶縁性基板上に導電性エポキシ樹脂（銀とエポキシ樹脂）で接着させた後、５５℃以上８０℃以下の温度で熱処理を施して半導体計測装置を製造している。この熱処理によって、絶縁性基板と検出器との接着に用いた導電性エポキシ樹脂を硬化させる際に発生したＣｄＴｅの結晶の歪みを回復させ、半導体検出器の暗電流を低減することができる。

特開２０００−２４１５５５号公報 特開平８−１７９０４４号公報

半導体部材の両面に設けた各電極を有する半導体検出器をプリント基板上に配置し、この半導体検出器の電極部材とプリント基板に形成された配線とをハンダで接続することがある。このハンダによる接続の際における加熱後のハンダの収縮によって電極部材を介して半導体部材に応力が発生し、半導体部材の結晶に歪が生じる。この歪によって、半導体検出器において暗電流が発生する。

本発明の目的は、半導体放射線検出器を配線基板にハンダ付けを行った際に発生する半導体部材の結晶に生じた歪を除去できる放射線計測装置の製造方法を提供することにある。

上記した本発明の目的を達成する第１発明の特徴は、半導体部材の対峙する両面にそれぞれ電極部材を導電性接着剤で接合して半導体放射線検出器を製作し、半導体放射線検出器の電極部材と、配線基板に配線とをハンダによって接続し、その後、半導体放射線検出器が取り付けられた配線基板を、半導体部材と電極部材との接合に要した加熱温度以下の温度で、熱処理することにある。

上記した本発明の目的を達成する第２発明の特徴は、半導体部材の対峙する両面に形成された電極に導電部材を導電性接着剤で接合して半導体放射線検出器を製作し、導電部材と、配線基板に配線とをハンダによって接続し、その後、半導体放射線検出器が取り付けられた配線基板を、電極と導電部材の接合に要した加熱温度以下の温度で、熱処理することにある。

半導体部材と電極部材との接合に要した加熱温度、もしくは、半導体部材に形成された電極と導電部材との接合に要した加熱温度以下の温度で、半導体放射線検出器を取り付けた状態の配線基板を熱処理することによって、半導体部材の結晶に生じる応力を低減することができ、その結晶に発生する歪を低減できる。半導体部材の歪みは、半導体部材の電極部材または半導体検出器の導電部材と配線基板に形成された配線とを接合したハンダの溶融後の収縮によって生じ、再加熱によって除去することができる。

半導体放射線検出器を配線基板にハンダ付けを行った際に発生する半導体部材の結晶に生じた歪を除去できる。

以下に、本発明である放射線計測装置の製造方法について、図面を用いて説明する。

本発明の好適な一実施例である放射線計測装置の製造方法を、図１〜図３を用いて説明する。本実施例の放射線計測装置に用いられる半導体検出器は、半導体部材としてテルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）の結晶を用いている。半導体部材としては、ＣｄＴｅ以外の半導体結晶を用いることも可能である。

本実施例の放射線計測装置１０は、図３に示すように、プリント基板５２に、格子状に配置した多数の半導体検出器５１を設置している。放射線計測装置１０は、核医学診断装置の一種であるＰＥＴ装置に用いられる。ＰＥＴ装置（図示せず）は、被検体である被検診者を支持するベッド（図示せず）が挿入される計測領域の周囲に、計測領域を取り囲むように、複数の放射線計測装置１０を配置して構成される。放射線計測装置１０は、計測領域の半径方向に複数の半導体検出器５１が並ぶように配置される。このような半導体検出器５１の配置は、１つの半導体検出器５１を通過したγ線をその半径方向において外側に配置された半導体検出器５１で検出するためである。すなわち、放射線計測装置１０のγ線の検出感度が向上する。

半導体検出器５１は、複数の半導体部材１１，１２，１３と電極板２１，２２，２３，２４とを交互に配置した構成を有する。電極板２１と半導体部材１１は、導電性接着剤
３１で接合されている。電極板２２は、導電性接着剤３２，３３により半導体部材１１と半導体部材１２に接合されている。電極板２３は、導電性接着剤３３，３５により半導体部材１２と半導体部材１３に接合されている。電極板２４は、導電性接着剤３６により半導体部材１３に接合されている。導電性接着剤としては、銀とエポキシ樹脂とを混合させた導電性接着剤を使用している。電極板２１，２３は、カソード電極であり、電源４１に接続される。電極板２２，２４は、アノード電極であり、コンデンサ４３に接続され、また、抵抗４２を介して接地されている。

電源４１は、半導体部材１１，１２，１３において、γ線等の放射線の入射によって生成される電荷（電子および正孔）を効率よく取り出すために設けられている。電源４１から半導体検出器５１のアノード電極とカソード電極間にバイアス電圧が印加される。γ線が半導体部材１２内に入射した場合、光電効果により半導体部材１２内に電子及び正孔が生成される。バイアス電圧の作用により、電子はアノード電極に、正孔はカソード電極に向かって半導体部材内を移動する。このめ、γ線のエネルギーに比例した電気信号がアノード電極である電極板２２，２４より取り出され、コンデンサ４３を介して増幅器（図示せず）に入力される。

電極板２２，２４に接続される抵抗４２は、半導体部材へのバイアス電圧の印加によって発生する漏れ電流に起因して、半導体部材に印加されるバイアス電圧が低下することを防いでくれる。

放射線計測装置１０の製造工程を、図１を用いて説明する。

まず、ＣａＴｅで構成された半導体部材１１の表面に導電性接着剤３１を塗布する（ステップ１）。導電性接着剤は、銀とエポキシ樹脂を混合したものである。半導体部材の表面に電極板を貼り合わせる（ステップ２）。すなわち、半導体部材１１の導電性接着剤
３１を塗布した面に、電極板２１を貼り合わせる。半導体部材１１の、電極板２１と対向する表面に導電性接着剤３２を塗布し、半導体部材１１と電極板２２とを張り合わせる。この作業を繰り返して、図２に示すように半導体部材１２，１３と電極板２３，２４を交互に張り合わせる。

次に、導電性接着剤を硬化させる（ステップ３）。このために、ステップ２で得られた、半導体部材および電極板を交互に貼り付けた状態にある、放射線検出器５１の半製品に対して、熱処理を施す。これが第１の熱処理である。本実施例では、半製品の半導体検出器５１を加熱炉である電気炉内に入れて、１７０℃の温度で、３０分間保持する熱処理を行った。これにより、導電性接着剤が硬化して半導体検出器５１が完成した。

その半導体検出器５１をプリント基板５２上に配置する（ステップ４）。プリント基板５２は、表面に、ハンダペースト印刷により配線が形成されている。このプリント基板
５２上に、所定の配線と重なるように、複数の半導体検出器５１を格子状に配置する（図３参照）。複数の半導体検出器５１を表面に配置したプリント基板５２を電気炉内に入れて加熱する（ステップ５）。これが第２の熱処理である。第２の熱処理では、プリント基板５２上の配線を溶融させて半導体検出器５１の電極板と接続させるため、電気炉内で最大２１５℃までの加熱を行った。第２の熱処理終了後、半導体検出器５１は、電極板がプリント基板５２表面に形成された配線に接続された状態で、プリント基板５２にハンダで固定される。以上により、半導体検出器５１のプリント基板５２への取り付けが完了する。

半導体検出器５１の熱処理を実施する（ステップ６）。プリント基板５２に設置された半導体検出器５１の熱処理（第３の熱処理）を、電気炉を用いて行う。本実施例では、電気炉の設定温度を１３０℃とし、電気炉内にそのプリント基板５２を入れて、１３０℃で１時間保持した。この第３の熱処理により、上記の製造過程で生じた、半導体検出器５１の半導体部材の結晶の歪が除去された。ステップ６の工程が終了すると、放射線計測装置１０が完成する。

第３の熱処理における加熱温度を変えた実験を行った。この結果、８０℃以下および
１７０℃よりも高いそれぞれの加熱温度範囲では、放射線計測装置１０の製造過程で生じた半導体部材の結晶の歪に起因して劣化した半導体検出器５１の特性が、ほとんど回復されなかった。しかしながら、第３の熱処理における加熱温度を８０℃より高く１７０℃以下の温度範囲に設定した場合には、その特性は顕著に回復していた。このため、第３の熱処理における加熱温度は、８０℃より高く１７０℃以下の温度範囲に設定する必要がある。第３の熱処理の加熱温度を８０℃以下または１７０℃よりも大きくした場合に、半導体検出器５１の特性がほとんど回復されない理由は、以下の通りである。すなわち、８０℃以下の加熱温度では、電極板と半導体部材を接着している導電性接着剤の軟化温度よりも低いために導電性接着剤が軟化せず、半導体部材の結晶の歪みを除去することができない。また、１７０℃よりも高い加熱温度では、導電性接着剤の硬化温度を超えるため、導電性接着剤から半導体部材に大きな応力が働き、その結晶を更に歪ませてしまう。つまり、１７０℃よりも高い加熱温度で第３の熱処理を行った場合には、第２の熱処理で硬化した導電性接着剤が、第３の熱処理によって再度硬化し、導電性接着剤に大きな熱歪が発生する。この大きな熱歪が半導体部材の結晶内の応力を増大させるため、半導体部材の結晶がさらに歪んでしまう。以上のことから、第３の熱処理は、加熱温度を８０℃よりも高く
１７０℃以下の温度範囲に設定すると良い。

第３の熱処理を施すことによって半導体検出器５１の特性回復を評価するため、上記したステップ１〜６により製造し第３の熱処理を施した放射線計測装置（以下、第１放射線計測装置という）と、ステップ１〜５により製造し第３の熱処理を施さない放射線計測装置（以下、第２放射線計測装置という）を用いて、各放射線計測装置の半導体検出器５１のエネルギースペクトルを測定し、それらの半導体検出器５１の特性を比較した。具体的には、第１および第２放射線計測装置のそれぞれの半導体検出器５１によって放射線を検出し、各半導体検出器５１から出力される放射線検出信号を用いてエネルギースペクトルをそれぞれ求め、それらのエネルギースペクトルの光電ピークの半値幅を求めて比較した。この光電ピークの半値幅は、小さい値をもつものほどエネルギー識別能力が高く、放射線計測装置としては高性能となる。説明の便宜上、第１放射線計測装置の半導体検出器
５１を第１半導体検出器、および第２放射線計測装置の半導体検出器５１を第２半導体検出器と称する。

放射線源としては、セシウム１３７を使用した。第１半導体検出器を用いて測定した、セシウム１３７から放出される放射線のエネルギースペクトルは、図４で示すように鋭い光電ピーク６１を有した。この光電ピーク６１の半値幅は、２２ｋｅＶ以下となり、合格基準である２５ｋｅＶ以下を満たした。一方、第２半導体検出器を用いて測定した、セシウム１３７から放出される放射線のエネルギースペクトルは、１００個の第２半導体検出器のうち７１個は光電ピーク６１（図４）のような鋭いピークを有し、光電ピーク６１の半値幅が２５ｋｅＶ以下となった。しかし、残り２９個の第２半導体検出器の測定結果は、図４において破線で示した光電ピーク６２を有するエネルギースペクトルを示した。この光電ピークの半値幅は、２５ｋｅＶを超え、３５ｋｅＶよりも低い値となった。したがって、第３の熱処理を施していない第２半導体検出器では、合格基準を満たす検出器（以下、合格品という）が７１個、合格基準を満たさない検出器（以下、不合格品という）が２９個となる。

以上のことから、放射線計測装置１０に第３の熱処理を施すことによって、半導体検出器５１の特性が回復し、高い歩留まりを達成できることがわかる。

また、従来は、高い歩留まりを実現させる為、不合格の第２半導体検出器をプリント基板５２から取り外し、新規の第２半導体検出器と交換していた。しかし、新規の第２半導体検出器をプリント基板５２に設置するためには、局所加熱が必要となり、この加熱によってさらに不合格品が出ることとなる。設置した第２半導体検出器を、全て合格規準を満たす第２半導体検出器にするには、上記のような第２半導体検出器の交換が平均で４回必要となった。以上のことから、放射線計測装置１０に対して第３の熱処理を施すことによって、上記のような半導体検出器の交換が不要となり、特性が良好な半導体検出器５１をプリント基板５２上に容易に揃えることできる。

本実施例は、半導体検出器５１をプリント基板５２にハンダ付けを行った後に、半導体計測装置１に第３の熱処理を施しているため、ハンダ付けによって半導体検出器５１の半導体部材１１の結晶に生じた歪を除去することができる。すなわち、第２の熱処理を行った後には、ハンダの熱収縮が電極板２３，２４を介して半導体部材１１に応力を付与することになり、半導体部材１１の結晶に歪が生じる。この歪が、第３の熱処理により除去することができるのである。当然のことながら、電極板２３，２４を半導体部材１１に導電性接着剤によって張り合わせたことによって半導体部材１１の結晶に生じた歪も除去することができる。したがって、半導体計測装置１の性能が回復される。すなわち、暗電流の発生を抑制できる。

本実施例では、半導体検出器５１をプリント基板５２に設置するための熱処理（第２の熱処理）を施した後、すぐに第３の熱処理を行っている。第２の熱処理によるプリント基板５２上への半導体検出器５１の取り付けが完了した後、半導体検出器５１を保護膜で覆い、その後に、第３の熱処理を行っても同様の効果を得ることができる。

本発明の他の実施例である放射線計測装置の製造方法を、図５を用いて説明する。

本実施例で製造する放射線計測装置に用いられる半導体検出器５１Ａは、半導体部材
７２にＣｄＴｅを用いている。半導体検出器５１Ａは、半導体部材１１の１つの側面に電極板７４を、これと対向する他の側面に電極板７３を設けている。半導体検出器５１Ａは、前述の半導体検出器５１に比べて半導体部材７２の個数が増大されており、その分、カソード電極となる電極板７３、及びアノード電極となる電極板７４の枚数も増大されている。

本実施例で製造された放射線計測装置は、半導体検出器５１Ａを、図３と同様に、プリント基板５２上に正方格子状に配置してハンダにより設置している。この放射線計測装置の製造工程は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

本実施例における電気炉による第３の熱処理では、加熱温度を１３０℃にしている。第３の熱処理の加熱温度は、実施例１と同様に、８０℃よりも高く１７０℃以下の範囲にするのが望ましい。

本実施例では、実施例１と同様、半導体検出器５１Ａをプリント基板５２にハンダで設置するための第２の熱処理を施した後、すぐに第３の熱処理を行っている。このような本実施例は、実施例１で生じる効果を得ることができる。第２の熱処理によるプリント基板５２上への半導体検出器５１Ａの取り付けが完了した後、半導体検出器５１Ａを保護膜で覆い、その後に、第３の熱処理を行っても同様の効果を得ることができる。

本実施例では、半導体部材７２の枚数を増やした半導体検出器５１Ａを用いた放射線計測装置の製造方法について説明したが、このように、半導体部材７２の枚数を増やす理由は、半導体部材７２を極力密に配置し、放射線検出感度を高めるためである。実施例１と同様、電源４１に接続された電極板７３が、カソード電極となり、抵抗４２Ａ，４２Ｂを介して接地されている。また、コンデンサ４３Ａ，４３Ｂを介して信号を取り出すための電極板７４がアノード電極となる。図５で示すように、カソード電極は並列に接続されている。この接続数が多くなると静電容量が増加し、外部への出力信号強度が低下してしまうため、１つのコンデンサに接続する電極板７３の枚数は５枚までとする。すなわち、１つの放射線検出器５１Ａにおいては、全てのカソード電極は共通の電源４１に接続されるが、５個の半導体部材７２に取り付けられた５個のアノード電極を一組とし、この５個のアノード電極から１つのコンデンサを介して信号を取り出すようにしている。

上述のように半導体部材７２を並列に配置した半導体検出器５１Ａにおいて、第３の熱処理を施すことによる特性回復を評価する為、第３の熱処理を施した放射線計測装置の半導体検出器５１Ａ（以下、半導体検出器５１ａという）と、第３の熱処理を施さない放射線計測装置の半導体検出器５１Ａ（以下、半導体検出器５１ｂという）を用いてエネルギースペクトルを測定し、その特性を評価した。具体的には、別々のプリント基板５２に半導体検出器５１ａ，５１ｂをそれぞれ別々に固定した状態で、個々の半導体検出器５１ａ，５１ｂを用いた場合のエネルギースペクトルを測定し、そのスペクトルの光電ピークの半値幅を求めた。実施例１と同様、セシウム１３７を放射線源としてエネルギースペクトルを測定した。エネルギースペクトルの光電ピークの半値幅が、２５ｋｅＶ以下となる半導体検出器を合格品とし、その合格率を求めた。

２０枚の半導体部材７１を並列に配置している半導体検出器５１ａのエネルギースペクトルを測定すると、光電ピークの半値幅は全て２５ｋｅＶ以下となり、合格率が１００％であった。一方、２０枚の半導体部材７１を並列に配置している半導体検出器５１ｂでは、合格率が２７％となった。また、４枚の半導体部材７１を並列に配置している半導体検出器５１ｂでは、合格率は６６％である。

以上のことから、半導体検出器５１Ａを有する半導体計測装置に第３の熱処理を施すことで半導体検出器５１Ａの特性が回復し、高い製品歩留まりを得ることができた。また、本実施例の製造方法によって半導体部材７２を２０枚まで並列に配置することが可能となり、半導体検出器５１Ａの放射線の検出感度を上げることができる。

本発明の他の実施例である放射線計測装置の製造方法について、図６を用いて説明する。本実施例において製造される放射線計測装置に用いられる半導体検出器の半導体部材は、ＣｄＴｅである。放射線検出器は半導体検出器であり、半導体結晶材料はテルル化カドミウムである。

本実施例において製造される放射線計測装置に用いられる半導体検出器５６を、図６を用いて説明する。

半導体検出器５６は、２つの半導体部材１５、及び３枚の導電性部材３８を有する。各半導体部材１５の対峙する両面に、全面にわたって、蒸着法などにより薄い膜状の電極を形成している。半導体部材１５の１つの面に形成される電極２５がカソード電極であり、その面に対峙する他の面に形成される電極２６がアノード電極である。半導体検出器５６は、アノード電極同士（またはカソード電極同士）が互いに向き合っており、向き合った電極２６（アノード電極）に１枚の導電部材３８を導電性接着剤３７によりそれぞれ貼り付けている。このため、２つの半導体部材１５に設けられた電極２６が導電部材３８により電気的に接続している。導電性接着剤としては、銀とエポキシ樹脂とを混合させた導電性接着剤を使用している。導電部材３８は、配線によりコンデンサ４３に接続される。

２つの半導体部材１５にそれぞれ設けられた電極２５（カソード電極）にも、導電部材（図示せず）がそれぞれ導電性接着剤を用いて設置されている。これらの導電部材は配線によって電源４１に接続されている。

次に、本実施例の放射線計測装置の製造方法について説明する。

まず、半導体部材１５の対峙する両面に、蒸着法などによって薄い膜状の電極２５，
２６を形成する。図６に示すように２つの半導体部材１１と導電部材３８を接合させるため、半導体部材１５の電極２６の表面に導電性接着剤３７を塗布する。導電性接着剤３７を塗布した面に導電部材３８を貼り付ける。この導電部材３８の他の面にもう１つの半導体部材１５の電極２６の導電性接着剤３７を塗布した面を貼り付ける。このようにして、両面に電極が形成された半導体部材１５と導電部材３８を交互に並列に配置させて半導体検出器５６を作成する。

次に、導電性接着剤を硬化させるため、半導体検出器５６を電気炉内に入れて加熱する（第１の熱処理）。この第１の熱処理は、実施例１における第１の熱処理と同様にして行われる。第１の熱処理が終わった半導体検出器５６を、図２に示すように、プリント基板５２上に正方格子状に配置する。その後、実施例１で説明した第２の熱処理を実施する。第２の熱処理終了後に、実施例１で述べた第３の熱処理が行われる。以上の工程が終了して、放射線計測装置が製造される。

本実施例においても、実施例１で生じる効果を得ることができる。

本発明の好適な一実施例である実施例１の放射線計測装置の製造方法を示すフローチャート図である。 図１の製造工程で作られた放射線計測装置に用いられた半導体検出器の構成図である。 図１の製造工程で作られた放射線計測装置の構成図である。 図１の製造工程で製作された放射線計測装置で測定したエネルギースペクトルと、従来の放射線計測装置で測定したエネルギースペクトルを示す特性図である。 本発明の他の実施例である放射線計測装置の製造方法によって製造された放射線計測装置に用いられる半導体検出器の構成図である。 本発明の他の実施例である放射線計測装置の製造方法によって製造された放射線計測装置に用いられる半導体検出器の構成図である。

符号の説明

１０…放射線計測装置、１１，１２，１３，１５，７２…半導体部材、２１，２２，
２３，２４，７３…電極板、２５，２６…電極、３１，３２，３３，３４，３５，３６，３７，７５…導電性接着剤、３８…導電部材、４１…電源、５２…プリント基板。

Claims (5)

1. 半導体部材の対峙する両面にそれぞれ電極部材を導電性接着剤で接合して半導体放射線検出器を製作し、前記半導体放射線検出器の前記電極部材と、配線基板に配線とをハンダによって接続し、その後、前記半導体放射線検出器が取り付けられた配線基板を、前記半導体部材と前記電極部材との接合に要した加熱温度以下の温度で、熱処理したことを特徴とする放射線計測装置の製造方法。
2. 前記配線基板に取り付けられた前記半導体放射線検出器を保護膜で覆い、その後、前記熱処理を施す請求項１記載の放射線計測装置の製造方法。
3. 半導体部材の対峙する両面に形成された電極に導電部材を導電性接着剤で接合して半導体放射線検出器を製作し、前記半導体放射線検出器の前記導電部材と、配線基板に配線とをハンダによって接続し、その後、前記半導体放射線検出器が取り付けられた配線基板を、前記電極と前記導電部材の接合に要した加熱温度以下の温度で、熱処理したことを特徴とする放射線計測装置の製造方法。
4. 前記配線基板に取り付けられた前記半導体放射線検出器を保護膜で覆い、その後、前記熱処理を施す請求項１記載の放射線計測装置の製造方法。
5. 前記熱処理の加熱温度は、８０℃より高く１７０℃以下の範囲における温度にする請求項１ないし請求項４のいずれか１項の放射線計測装置の製造方法。
   
   

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