JP2006169588A - 表面波励起プラズマcvd装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 表面波励起プラズマCVD装置100は、材料ガス導入システム10と放電ガス導入システム30を備え、表面波励起プラズマPにより材料ガスG1を乖離して基板Sに成膜する。材料ガスG1は、分岐点Q1で複数に分岐されたガス導入管12,22,23を通ってシャワーヘッド15a,24a,27aからチャンバー1内に導入される。ガス導入管12,22,23を通る材料ガスG1の流量を、それぞれニードルバルブ12a,22a,23aで調節することにより、シャワーヘッド15a,24a,27aからチャンバー1内へ導入する量を等しくし、チャンバ1内の材料ガスの濃度分布を均一化する。
【選択図】 図1
Description
(2)請求項2の表面波励起プラズマCVD装置は、請求項1の表面波励起プラズマCVD装置において、成膜チャンバーへ放電ガスを導入するための複数系統の放電ガス導入系と、放電ガス導入系に対応して設けられ、そのガス流量を制御する放電ガス用コンダクタンス制御手段とをさらに備えることを特徴とする。
(3)請求項3の表面波励起プラズマCVD装置は、請求項1または2の表面波励起プラズマCVD装置において、材料ガス用コンダクタンス制御手段は、成膜チャンバー内の各々の所定領域で材料ガス濃度が均一となるように、材料ガスの流量を独立に変化させることを特徴とする。
図1を参照すると、SWP−CVD装置100は、チャンバー1、マイクロ波導波管2、誘電体板3、排気管4、基板ステージ5、材料ガス導入システム10および放電ガス導入システム30を備える。チャンバー1は、その内部空間に生成するプラズマPを利用して、基板ステージ5に保持された基板Sの表面に成膜するための密閉容器である。
材料ガス導入システム10では、図2中、不図示のガス供給源に配管された本管10aは、分岐点Q1でチャンバー1の左右(x方向)からガスを導入するガス導入管11と上下(y方向)からガスを導入するガス導入管21とに分岐している。ガス導入管11は、さらに分岐点Q2でガス導入管12と13に分岐している。ガス導入管12は、ニードルバルブ12aを介して分岐管14,15,16に配管接続され、分岐管14,15,16は、それぞれシャワーヘッド14a,15a,16aに配管接続されている。ガス導入管13は、ニードルバルブ13aを介して分岐管17,18,19に配管接続され、分岐管17,18,19は、それぞれシャワーヘッド17a,15a,19aに配管接続されている。
材料ガスG1は、材料ガス導入システム10によりチャンバー1内に導入され、放電ガスG2は、放電ガス導入システム30によりチャンバー1内に導入され、ガス導入を行いながら排気管4を通して不図示の真空ポンプにより排気することにより、チャンバー1内の圧力は0.1〜50Pa程度の所定圧力に保持される。
2:マイクロ波導波管
3:誘電体板
10:材料ガス導入システム
11〜13:ガス導入管
12a,13a:ニードルバルブ
14〜19:分岐管
14a〜19a:シャワーヘッド
21〜23:ガス導入管
22a,23a:ニードルバルブ
24〜27:分岐管
24a〜27a:シャワーヘッド
30:放電ガス導入システム
31〜36:ガス導入管
33a〜36a:ニードルバルブ
33b〜36b:ガス流路
33c〜36c:ガス噴出口
100:SWP−CVD装置
A1〜A4:ガス導入系(材料ガス)
B1〜B4:ガス導入系(放電ガス)
G1:材料ガス
G2:放電ガス
P:プラズマ
S:基板
Z1〜Z4:ゾーン
Claims (3)
- 成膜チャンバー内にマイクロ波を導入して表面波を形成し、前記表面波により放電ガスを励起して表面波励起プラズマを生成し、前記表面波励起プラズマにより材料ガスを乖離して被処理基板に成膜する表面波励起プラズマCVD装置において、
前記成膜チャンバーへ前記材料ガスを導入するための複数系統の材料ガス導入系と、
前記材料ガス導入系に対応して設けられ、そのガス流量を制御する材料ガス用コンダクタンス制御手段とを備えることを特徴とする表面波励起プラズマCVD装置。 - 請求項1に記載の表面波励起プラズマCVD装置において、
前記成膜チャンバーへ前記放電ガスを導入するための複数系統の放電ガス導入系と、
前記放電ガス導入系に対応して設けられ、そのガス流量を制御する放電ガス用コンダクタンス制御手段とをさらに備えることを特徴とする表面波励起プラズマCVD装置。 - 請求項1または2に記載の表面波励起プラズマCVD装置において、
前記材料ガス用コンダクタンス制御手段は、前記成膜チャンバー内の各々の所定領域で前記材料ガス濃度が均一となるように、前記材料ガスの流量を独立に変化させることを特徴とする表面波励起プラズマCVD装置。
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