JP2006167908A - 重複する段差溝構造を有するｃｍｐパッド - Google Patents

Abstract

【課題】研磨パッドの研磨層に供給されるスラリーの浪費を減らすことが可能な研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッド１０４は、環状研磨トラック１５２と、研磨パッドの回転中心１２８を中心に周方向に反復される溝１１２の複数のグループ１６０とを有する。各グループ中の複数の溝は、環状研磨トラック内に複数の重複する段を提供するよう、オフセットし、重複する手法で軌道に沿って設けられている。グループは、互いに離間した関係又は入れ子の関係で設けることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は一般にケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）の分野に関する。特に、本発明は、重複する段差溝構造を有するＣＭＰパッドに関する。

集積回路及び他の電子機器の製造においては、導体、半導体及び誘電体材料の多数の層を半導体ウェーハの表面上に付着させたり同表面から除去したりする。導体、半導体及び誘電体材料の薄い層は、多数の付着技術を使用して付着させることができる。最新のウェーハ加工で一般的な付着技術としては、とりわけ、スパッタリングとも知られる物理蒸着法（ＰＶＤ）、化学蒸着法（ＣＶＤ）、プラズマ化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ）及び電気化学的めっき法がある。一般的な除去技術としては、とりわけ、湿式及び乾式の等方性及び異方性エッチングがある。

材料層が逐次に付着され、除去されるにつれ、ウェーハの一番上の表面が非平坦になる。後続の半導体加工（たとえばメタライゼーション）はウェーハが平坦面を有することを要するため、ウェーハは平坦化されなければならない。望ましくない表面トポログラフィーならびに表面欠陥、たとえば粗面、凝集した材料、結晶格子の損傷、スクラッチ及び汚染された層又は材料を除去するためにはプラナリゼーション（平坦化）が有用である。

ケミカルメカニカルプラナリゼーション又はケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）は、半導体ウェーハのような加工物を平坦化するために使用される一般的な技術である。従来のＣＭＰでは、ウェーハキャリヤ又は研磨ヘッドがキャリヤアセンブリに取り付けられる。研磨ヘッドがウェーハを保持し、ＣＭＰ装置内で研磨パッドの研磨層と接する状態に配置する。キャリヤアセンブリがウェーハと研磨パッドとの間に制御可能な圧を供給する。それと同時に、スラリー又は他の研磨媒体が研磨パッド上に流され、ウェーハと研磨層との間の隙間に流し込まれる。研磨を起こさせるためには、研磨パッド及びウェーハを互いに対して動かす、通常は回転させる。ウェーハ面は、研磨層及び表面上の研磨媒体の化学的かつ機械的作用によって研磨され、平坦化される。研磨パッドがウェーハの下で回転すると、ウェーハは、ウェーハ面が研磨層と直接対面するところの、通常は環状の研磨トラック又は研磨領域を描き出す。

研磨層を設計する際の重要な考慮事項としては、とりわけ、研磨層の面上の研磨媒体の分散、研磨トラックへの新鮮な研磨媒体の流れ、研磨トラックからの使用済み研磨媒体の流れ及び実質的に使用されないまま研磨ゾーンを通過する研磨媒体の量がある。これらの考慮事項に対処する一つの方法は、研磨層に溝を設けることである。何年にもわたり、かなり多くの異なる溝パターン及び配置が具現化されてきた。従来技術の溝パターンとしては、とりわけ、放射状、同心円状、デカルト格子状及びらせん状がある。従来技術の溝配置としては、すべての溝の深さが均一である配置及び溝の深さが溝ごとに異なる配置がある。

ＣＭＰ実施者の間では、同等の材料除去速度を達成する場合に特定の溝パターンが他のパターンよりも高いスラリー消費を結果的に生じさせるということが一般に認知されている。研磨層の周縁に接続しない円形の溝は、パッド回転から生じる力の下でスラリーがパッド円周に達するための可能な最短経路を提供する半径方向の溝よりもスラリー消費が少ない傾向にある。研磨層の周縁までに様々な長さの経路を提供するデカルト格子状の溝は中間的な立場をとる。

従来技術において、スラリー消費を減らし、研磨層上でのスラリー滞留時間を最大にしようとする種々の溝パターンが開示されている。たとえば、Osterheldらへの米国特許第６，２４１，５９６号は、パッドの中心から外方へ概ね外側へ放射するジグザグ路を画定する溝を有する回転タイプ研磨パッドを開示している。一つの実施態様では、Osterheldらのパッドは、長方形の「ｘ−ｙ」格子状の溝を含む。ジグザグ路は、ｘ方向の溝とｙ方向の溝との間の交差点のいくつかを選択的に塞ぎ、他の交差点を塞がずにおくことによって画定される。もう一つの実施態様では、Osterheldらのパッドは、概ね放射状の複数の不連続なジグザグ溝を含む。一般に、ｘ−ｙ格子状の溝内に画定される、又は不連続なジグザグ溝によって画定されるジグザグ路は、少なくとも、閉塞のない長方形のｘ−ｙ格子状溝及びまっすぐな半径方向溝に関して、対応する溝を通過するスラリーの流れを阻害する。スラリー滞留時間を増大させるとして記載されているもう一つの従来技術の溝パターンは、パッド回転の力の下でスラリーを研磨層の中心に向けて押すと考えられるらせん溝パターンである。

最先端技術の計算流体力学的シミュレーションを含む今日までのＣＭＰの研究及びモデル化が、一定又は徐々に変化する深さを有する溝のネットワークにおいては、各溝の最深部のスラリーが接触なしでウェーハの下を流れるため、かなりの量の研磨スラリーがウェーハと接触しないおそれがあることを明らかにした。溝は、スラリーを確実に運ぶために最小限の深さで設けられなければならないが、従来の研磨層においては、スラリーが研磨に関与することなく流れる途切れのない流路が加工物の下に存在するため、研磨層の表面が損耗するにつれ、過度の深さが、研磨層に供給されたスラリーの一部が利用されない結果を生じさせる。したがって、研磨層に供給されるスラリーの十分に利用されない量を減らし、結果的にスラリーの浪費を減らすような手法で設けられた溝を有する研磨層が要望される。

本発明の一つの態様で、ａ）研磨媒体の存在で磁性、光学又は半導体基材の少なくとも一つの表面を研磨するように構成され、回転軸及び回転軸と同心的な環状研磨トラックを含む研磨層、ならびにｂ）研磨層中に形成され、環状研磨トラックを通過して延びる軌道に沿って複数のグループとして設けられた複数の溝を含む研磨パッドであって、各グループ内の複数の溝が、環状研磨トラック内に重複する段差パターンを形成するものである研磨パッドを提供する。

本発明のもう一つの態様で、ａ）研磨媒体の存在で磁性、光学又は半導体基材の少なくとも一つの表面を研磨するように構成され、回転軸及び回転軸と同心的な環状研磨トラックを含む研磨層、ならびにｂ）研磨層中に形成され、環状研磨トラックを通過して延びる軌道に沿って複数のグループとして設けられた複数の溝を含む研磨パッドであって、各グループ内の複数の溝が、環状研磨トラック内に少なくとも１つの重複する段差を形成するものである研磨パッドを提供する。

図面を参照すると、図１は、符号１００によって指定される本発明のケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）システムを示す。ＣＭＰシステム１００は、半導体ウェーハ１２０又は他の加工物、たとえば、とりわけガラス、シリコンウェーハ及び磁気情報記憶ディスクの研磨の際に研磨パッドに適用される研磨媒体１１６の利用度を改善するように設けられ、配置された複数の溝１１２を含む研磨層１０８を有する研磨パッド１０４を含む。便宜上、以後の記載では用語「ウェーハ」を使用する。しかし、当業者は、ウェーハ以外の加工物が本発明の範囲に入るということを理解するであろう。以下、研磨パッド１０４及びその独自の特徴を詳細に説明する。

ＣＭＰシステム１００は、プラテンドライバ（図示せず）によって軸１２８を中心に回転可能である研磨プラテン１２４を含むことができる。プラテン１２４は、研磨パッド１０４が取り付けられる上面を有することができる。軸１３６を中心に回転可能であるウェーハキャリヤ１３２を研磨層１０８の上方に支持することができる。ウェーハキャリヤ１３２は、ウェーハ１２０と係合する下面を有することができる。ウェーハ１２０は面１４０を有し、この面が研磨層１０８と対面し、研磨中に平坦化される。ウェーハキャリヤ１３２は、ウェーハ１２０を回転させ、ウェーハ面１４０を研磨層１０８に対して押し付けるための下向きの力Ｆを提供して、研磨中にウェーハ面と研磨層との間に所望の圧力を存在させるように適合されたキャリヤ支持アセンブリ（図示せず）によって支持することができる。

ＣＭＰシステム１００はまた、研磨層１０８に研磨媒体１１６を供給するための供給システム１４４を含むことができる。供給システム１４４は、研磨媒体１１６を保持するリザーバ（図示せず）、たとえば温度制御式リザーバを含むことができる。導管１４８が研磨媒体１１６をリザーバから研磨パッド１０４に隣接する位置まで運ぶことができ、その位置で研磨媒体が研磨層１０８の上に小出しされる。流量制御弁（図示せず）を使用してパッド１０４への研磨媒体１１６の小出しを制御してもよい。研磨作業中、プラテンドライバがプラテン１２４及び研磨パッド１０４を回転させ、供給システム１４４が起動されて研磨媒体１１６を回転中の研磨パッド上に小出しする。研磨媒体１１６は、研磨パッド１０４の回転により、研磨層１０８上に、ウェーハ１２０と研磨パッド１０４との間の隙間を含めて延展する。ウェーハキャリヤ１３２は、ウェーハ面１４０が研磨層１０８に対して動くよう、選択した速度、たとえば０rpm〜１５０rpmで回転させることができる。ウェーハキャリヤ１３２はまた、ウェーハ１２０と研磨パッド１０４との間に所望の圧力、たとえば０psi〜１５psi（０kPa〜１０３kPa）の圧力を誘発するため、下向きの力Ｆを提供するように制御することができる。研磨プラテン１２４は通常０〜１５０rpmの速度で回転させられる。研磨パッド１０４がウェーハ１２０の下で回転すると、ウェーハの表面１４０は、通常は環状のウェーハトラック又は研磨トラック１５２を研磨層１０８上に描き出す。

特定の状況の下、研磨トラック１５２は厳密に環状でなくてもよいということが理解されよう。たとえば、ウェーハ１２０の表面１４０が、その一つの寸法が別の寸法よりも長く、それらの寸法が研磨層１０８上の同じ場所で常に同様の方向に向けられるような特定の速度でウェーハ及び研磨パッド１０４が回転させられるならば、研磨トラック１５２は概ね環状になるであろうが、長い方の寸法から短い方の寸法まで異なる幅を有するであろう。ウェーハ１２０の表面１４０が円形又は正方形の場合のように二軸対称であるが、ウェーハがその表面の回転中心に対して偏心的に取り付けられる場合にも、特定の回転速度で同様な効果が生じるであろう。研磨トラック１５２が全体的には環状にならないさらに別の例は、ウェーハ１２０が、研磨層１０８に対して平行な平面で振動し、研磨パッド１０４が、研磨層に対する振動によるウェーハの位置がパッドの各回転で同じになるような速度で回転する場合である。通常は例外的であるこれらすべての場合でも、研磨トラック１５２は本質的には環状であり、したがって、追加された請求の範囲で使用する用語「環状」の範囲に入ると見なされる。

図２Ａ及び２Ｂは、図１の研磨パッド１０４を図１よりも詳細に示す。図２Ａ及び２Ｂを参照すると、溝１１２が、概して、研磨パッド１０４の回転軸１２８の中心に概ね半径方向に分布した複数のグループ１６０として設けられ、必ずしもとはいえないが好ましくは、互いに同一である。各グループ１６０は、Ｎ本の溝１１２を含むことができる（Ｎ≧２）。この例では、各グループ１６０は４本の溝１１２を含む（すなわちＮ＝４）。各グループ１６０内の溝１１２は、概ね軌道１６４に沿って位置する「重複する段差構造」と記すことができるものを画定するように設けられ、配置されている。グループ１６０内の各溝１１２は、半径方向内側の端部１６６と、半径方向外側の端部１６８とを有すると考えることができる。したがって、記載の「重複」部分とは、研磨パッド１０４に対して周方向１７０に互いに離間した直接隣り合う溝１１２の、ゼロではない重複長さＬに沿う半径方向内側及び半径方向外側の端部１６６、１６８をいう。記載の「段差」部分とは、距離Ｄだけ互いに離間又はオフセットして不連続な研磨媒体流路を軌道１６４に沿って概ね形成する、各グループ１６０中の重複する溝１１２のうち隣接する溝をいう。各軌道１６４をその一端から他端まで縦断するとき、遭遇する各オフセットは概ね階段の外観を有する。したがって、これらのオフセットそれぞれは、段、より具体的には、重複長さＬを有する重複する段差１７２を画定すると考えることができる。

上述したように、各グループ１６０中の溝１１２は、Ｎ≧２のいかなる数で設けてもよい。したがって、各グループ１６０は、Ｎ−１の重複する段差１７２を有する。すぐ後に記載する理由のため、すべての重複する段差１７２は、研磨トラック１５２内に位置するべきである。概ね、グループ１６０の基礎を成す主要な概念は、研磨媒体が研磨トラック１５２内で流れるためのセグメント化された経路を提供することである。研磨媒体が溝１１２の１本の中に存在するならば、その研磨媒体は通常、研磨中に研磨パッド１０４が回転するときの遠心力の影響の下、その溝の中を流れる。しかし、研磨媒体は、この遠心力の影響の下で、１本の溝１１２から隣接する溝へと、それらの間のランド領域１７４を乗り越えて流れようとするのではない。むしろ、研磨媒体は一般に、ウェーハが研磨パッド１０４と対面しながら回転又は回転かつ振動するとき、主にウェーハ１２０と研磨層１０８上の研磨媒体との相互作用により、１本の溝１１２から隣接する溝へとランド領域１７４を乗り越えて移動する。

不連続な溝１１２のグループ１６０を設けることにより、研磨トラック中を延びる連続的な溝を有する従来の研磨パッド（図示せず）の場合よりも効率的に研磨媒体を利用することができる。概して、その理由は、研磨媒体は、実質的にウェーハ１２０が存在して研磨媒体を動かしてランド領域１７４を乗り越えさせるときだけ、研磨パッド１０４の周縁１７６の方向に１本の溝１１２から別の溝１１２へと進むからである。これは、ウェーハが存在しないときでも単に研磨パッドの回転のせいで研磨媒体が研磨パッドの周縁の方向へと進む、連続的な溝（図示せず）に典型的な状況とは対照的である。

各グループ１６０が３本以上の溝１１２を有し、それに応じて２つ以上の重複する段差１７２が研磨トラック１５２内に位置するならば、Ｎ−２本の溝それぞれは、通常、研磨トラック１５２の幅Ｗよりも小さい端部間の直線距離Ｓ（すなわち、当該溝の終点１６６、１６８を接続する直線の距離）を有する。典型的な研磨パッド１０４では、各グループ１６０中の４本の溝１１２が、研磨トラック１５２内に全体的に位置する３つの重複する段差１７２を提供する。したがって、各グループ１６０中の４本の溝１１２のうち２本は、研磨トラック１５２の幅Ｗよりも短い直線距離Ｓを有する。実際、この例では、各グループ１６０内の４本すべての溝１１２が、幅Ｗよりも短い直線距離Ｓを有する。Ｓ＜Ｗの関係があらゆる設計に当てはまるわけではないことに注意しなければならない。たとえば、研磨トラック１５２内に２つの重複する段差１７２があるＮ＝３の場合、特に軌道１６４が比較的大きな周方向成分を研磨トラック内に有する場合、直線距離Ｓは幅Ｗ以上であってもよい。

研磨トラック１５２は通常、研磨パッド１０４の回転軸１２８から離間した概ね円形の内側境界線１８０と、パッドの周縁１７６に隣接するが、それから離間している概ね円形の外側境界線１８４とを有する。必ずしもではないが通常は、内側境界線１８０が研磨層１０８の中央領域１８８を画定する。同様に、通常は、外側境界線１８４及び周縁１７６が周辺領域１９０を画定する。中央領域１８８及び周辺領域１９０の一方、他方又は両方が存在しなくてもよいことに注意しなければならない。内側境界線１８０が研磨パッド１０４の回転軸１２８と一致する場合又は回転軸が研磨トラック１５２に含まれる場合、中央領域１８８は存在しないであろう。外側境界線１８４が周縁１７６と一致する場合、周辺領域１９０は存在しないであろう。

中央領域１８８を有する研磨パッド１０４を使用し、研磨媒体をパッドの中央領域に供給するＣＭＰシステム、たとえば図１のＣＭＰシステム１００では、溝１１２の各グループ１６０は、中央領域から研磨トラック１５２の中に延びる半径方向最内の溝１９２を含むことができる。このようにして、溝１９２は、研磨中、中央領域１８８から研磨トラック１５２の中への研磨媒体の動きを支援することができる。上述したように、研磨媒体は、ウェーハ１２０が存在しない場合でも、溝１９２を含む溝１１２の中を流れようとする。溝１９２が概ね半径方向である場合、研磨パッド１０４を一定速度で回転させることによって生じる遠心力がこれらの溝の中の研磨媒体をパッドの周縁１７６に向けて流れさせようとする。

研磨パッド１０４が周辺領域１９０を含む場合、溝１１２の各グループ１６０は、研磨トラック１５２及び周辺領域の両方に存在する半径方向最外の溝１９４を含むことができる。溝１９４は、研磨パッド１０４の回転方向に対するそれらの向きに依存して、研磨トラック１５２の外への研磨媒体の輸送を支援しようとする。具体的な設計に依存して、半径方向最外の溝１９４のいくつか又はすべてが周縁１７６まで延びてもよいし、どれも周縁１７６まで延びなくてもよい。最外の溝１９４を周縁１７６まで延ばすことは、これらの溝が周縁の手前で終端する場合よりも高い速度で研磨媒体を周辺領域１９０の外へ、かつ研磨パッド１０４から移動させようとする。特定の向きの場合、これは、研磨パッド１０４の回転の影響の下で研磨媒体が溝１９４の中を流れようとする傾向のせいである。

各グループ１６０の軌道１６４は広く、所望の形状、たとえば、とりわけ図示する円弧形、図示する湾曲よりも大きいもしくは小さい湾曲又は図示する方向とは反対方向への湾曲を有する円弧形、半径方向もしくはそれに対して斜めの直線形又は波形もしくはジグザグ形を有することができる。グループ１６０は、図示するように周方向１７０に互いに離間していてもよいし、あるいはまた、以下に説明する図３Ａに示すように互いに入れ子状態であってもよい。通常は、軌道１６４と同じ特徴を有する中間線１９６を二つのグループの軌道の中間に引くことができ、一方のグループのすべての溝１１２が中間線の一方の側に位置し、他方のグループのすべての溝が中間線の他方の側に位置するならば、一方のグループ１６０は、隣り合うグループに対して「離間」している。

図３Ａ及び３Ｂは、ＣＭＰシステム、たとえば図１のＣＭＰシステム１００とで使用することができる本発明の代替研磨パッド３００を示す。図３Ｂで見てとれるように、研磨パッド３００の基本構成は、図２Ａ及び２Ｂの研磨パッド１０４の溝１１２が対応する軌道１６４に沿ってグループ１６０として設けられているのと実質的に同じ手法で、溝３０４を、軌道３１２に対して概ね平行である複数の重複する段差グループ３０８として設けることである。図３Ａ及び３Ｂの各グループ３０８内の溝３０４の配設の詳細な説明に関しては、図２Ａ及び２Ｂの各グループ１６０での溝１１２の配設に関する説明を類推によって使用することができる。図３Ａ及び３Ｂの典型的な研磨パッド３００では、各グループ３０８は、環状研磨領域３２０内で軌道３１２に対して概ね平行な５つの重複する段差３１６を提供する６本の溝３０４を含む。溝３０４の重複する段差構造は、図２Ａ及び２Ｂに関連して先に記した溝構造の機能性に類似した機能性を提供する。図２Ａ及び２Ｂのグループ１６０と同様に、図３Ａ及び３Ｂのグループ３０８は、Ｎ本の溝３０４及び対応するＮ−１の重複する段差３１６を含むことができる。同様に、グループ３０８の軌道３１２は、図２Ｂの軌道１６４に対して先に記した形状のいずれを有してもよい。また、研磨トラック３２０内に全体的に含まれる少なくともＮ−２本の溝３０４は、それぞれ、研磨トラック３２０の幅Ｗ′よりも小さい直線距離Ｓ′を有することができる。

図２Ａの溝１１２のグループ１６０は、隣り合うグループから離間していると考えられるが、図３Ａのグループ３０８は、隣接するグループとで入れ子状態にあると考えられる。グループ３０８の入れ子は、説明の便宜上、特にそのようなものとして列挙される図３ＢのグループＧ₁、Ｇ₂、Ｇ₃及びＧ_nに関連して見てとれる。グループＧ₁は、６本の溝Ｇ₁１、Ｇ₁２、Ｇ₁３、Ｇ₁４、Ｇ₁５、Ｇ₁６を含む。同様に、グループＧ₂は、溝Ｇ₂１、Ｇ₂２、Ｇ₂３、Ｇ₂４、Ｇ₂５、Ｇ₂６を含み、グループＧ₃は、溝Ｇ₃１、Ｇ₃２、Ｇ₃３、Ｇ₃４、Ｇ₃５、Ｇ₃６を含む。広義には、隣接するグループ３０８の「入れ子」とは、２本の隣接する軌道の中間に位置する、軌道３１２と同じ特徴を有する中間線（図示しないが、図２Ａの中間線１９６に類似）が一つのグループを別のグループから分割しないことをいう。もっと正確にいうと、二つの隣接するグループ３０８それぞれの溝３０４及びおそらくは他のグループからの溝が中間線の両側に位置する。入れ子グループ３０８の特定の実施態様では、一つのグループの特定の溝３０４が、他のグループの特定の溝と整合するように位置している。これは、図３Ａで示され、グループＧ₁、Ｇ₂、Ｇ₃及びＧ_nに関連して図３Ｂで具体的に示されている。とはいうものの、入れ子は、グループ３０８の溝３０４が別のグループの溝のいずれかと整合することを必ずしも要しないということが記される。

特に図３Ｂを参照すると、グループＧ₂がグループＧ₁とで入れ子状態である場合、グループＧ₂の溝Ｇ₂３がグループＧ₁の溝Ｇ₁１と整合していることが見てとれる。同様に、グループＧ₂の溝Ｇ₂４がグループＧ₁の溝Ｇ₁２と整合している。さらに、グループＧ₃がグループＧ₂及びＧ₁とで入れ子状態である場合、グループＧ₃の溝Ｇ₃６がグループＧ₂及びＧ₁の溝それぞれＧ₂４及びＧ₁２と整合している。同様に、グループＧ₃の溝Ｇ₃５がグループＧ₂及びＧ₁の溝それぞれＧ₂３及びＧ₁１と整合している。この入れ子は、溝Ｇ_n１が溝Ｇ₁３と整合し、溝Ｇ_n２が溝Ｇ₁４と整合し、溝Ｇ_n３が溝Ｇ₁５と整合し、溝Ｇ_n４が溝Ｇ₁６と整合するとき最終的にグループＧ_nがグループＧ₁とで入れ子状態になるまで周方向３２４に進行する。図３Ｂに示す溝Ｇ_n１〜６の配設によって提供される入れ子は、スラリーが１本の溝から隣接する溝まで移行するための多数の直列及び並列の経路を形成することにより、ウェーハの下のスラリーの移動を向上させ、スラリーが、溝の一つのグループによって提供される段差の経路及び隣接する入れ子グループ中の互いに整合した溝によって集合的に提供される滑らかなセグメント化経路の両方に沿ってランド区域を乗り越えて進むことを可能にする。

本発明のケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）システムの部分斜視図である。 パッドに対して周方向に互いに離間した、グループとして設けられた複数の重複する段差溝を有する図１の研磨パッドの平面図である。 離間した溝のグループの一つを示す、図２Ａの研磨パッドの平面図である。 パッドに対して周方向に互いに入れ子状態である、グループとして設けられた複数の重複する段差溝を有する本発明の代替研磨パッドの平面図である。 入れ子状態の溝のグループの一つ及びグループの入れ子状態を示す、図３Ａの研磨パッドの平面図である。

Claims (10)

1. ａ）研磨媒体の存在で磁性、光学又は半導体基材の少なくとも一つの表面を研磨するように構成され、回転軸及び回転軸と同心的な環状研磨トラックを含む研磨層、ならびに
   ｂ）研磨層中に形成され、環状研磨トラックを通過して延びる軌道に沿って複数のグループとして設けられた複数の溝
   を含む研磨パッドであって、各グループ内の複数の溝が、環状研磨トラック内に重複する段差パターンを形成するものである研磨パッド。
2. 複数のグループが回転軸周りに周方向に互いに離間している、請求項１記載の研磨パッド。
3. 複数のグループが回転軸周りに周方向に互いに入れ子状態である、請求項１記載の研磨パッド。
4. 複数のグループそれぞれが少なくとも３本の溝を含む、請求項１記載の研磨パッド。
5. 複数のグループそれぞれの軌道が円弧状である、請求項１記載の研磨パッド。
6. 研磨パッドが設計回転方向を有し、複数のグループそれぞれの軌道が設計回転方向に湾曲している、請求項５記載の研磨パッド。
7. ａ）研磨媒体の存在で磁性、光学又は半導体基材の少なくとも一つの表面を研磨するように構成され、回転軸及び回転軸と同心的な環状研磨トラックを含む研磨層、ならびに
   ｂ）研磨層中に形成され、環状研磨トラックを通過して延びる軌道に沿って複数のグループとして設けられた複数の溝
   を含む研磨パッドであって、各グループ内の複数の溝が、環状研磨トラック内に少なくとも１つの重複する段差を形成するものである研磨パッド
8. 各グループ内の複数の溝が、環状研磨トラック内に少なくとも２つの重複する段差を形成する、請求項７記載の研磨パッド。
9. パッドが周縁をさらに含み、環状研磨トラックが円形の内側境界線を含み、研磨層が、環状研磨トラックの円形の内側境界線によって画定される中央領域と、環状研磨トラックとパッドの周縁との間に位置する周辺領域とをさらに含み、複数のグループそれぞれが、中央領域及び環状研磨トラックにのみ存在する内側溝と、環状研磨トラック及び周辺領域にのみ存在する外側溝とを含む、請求項７記載の研磨パッド。
10. 環状研磨トラックが幅を有し、複数の溝の各溝が、環状研磨トラックの幅よりも短い長さを有する、請求項７記載の研磨パッド。

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