JP2006165483A - 超磁歪アクチュエータ - Google Patents
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Abstract
【課題】 比較的簡易な手段によって、超磁歪アクチュエータの高効率化や小型化を図ることができる技術を提供すること。
【解決手段】 超磁歪素子6と、超磁歪素子に磁界変化を与えるコイル7と、超磁歪素子に圧縮荷重を加えるばね4と、超磁歪素子にバイアス磁界を印加する磁石51,52とがケース1内に収納され、超磁歪素子の基端はケース内に位置決めされ、自由端には可動ロッド2が連結され、その可動ロッドとケースとの間にばね4が配置された超磁歪アクチュエータであって、ケース1、可動ロッド2及びばね4が磁性材料で形成されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 超磁歪素子6と、超磁歪素子に磁界変化を与えるコイル7と、超磁歪素子に圧縮荷重を加えるばね4と、超磁歪素子にバイアス磁界を印加する磁石51,52とがケース1内に収納され、超磁歪素子の基端はケース内に位置決めされ、自由端には可動ロッド2が連結され、その可動ロッドとケースとの間にばね4が配置された超磁歪アクチュエータであって、ケース1、可動ロッド2及びばね4が磁性材料で形成されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、超磁歪素子を用いた超磁歪アクチュエータの高効率化や小型化を図るのに有効な技術に関する。
超磁歪アクチュエータは、磁界の強さに応じて生じる超磁歪素子の寸法変化(伸縮)を利用したもので、高速かつ大変位・高パワーなアクチュエータとして近年注目されている。
図6は、音声振動発生源として超磁歪アクチュエータを使用したスピーカ(超磁歪スピーカ)の従来例である。この超磁歪スピーカは、ケース1内に、音声信号が供給されるコイル7と、コイル7の生じる磁界変化により伸縮する棒状の超磁歪素子6と、超磁歪素子6に圧縮荷重を加えるばね4と、超磁歪素子6にバイアス磁界を印加する磁石(永久磁石)51、52とが収納されている。
超磁歪素子6の基端は、ケース1の底板1aの内面に嵌め込まれた慣性質量1bに対し磁石52を介して位置決めされている。超磁歪素子6の自由端には、磁石51を介して可動ロッド2が連結されている。この可動ロッド2の先端は、ケース1の開口部を閉じる蓋(キャップ)3を貫通して外部に突出している。そして、この可動ロッド2の先端には、図示しない振動板が接触あるいは取り付けられる。これにより、可動ロッド2は、超磁歪素子6の伸縮に伴って変位する。したがって、コイル7に音声信号を供給することにより、その音声信号に応じた変位が可動ロッド2を介して振動板に伝達され、振動板が振動して空間に放音される(特許文献1参照)。
特開2003−276375号公報
しかしながら、このような超磁歪アクチュエータは、次のような点で解決すべき課題がある。
(1)超磁歪アクチュエータの高効率化の課題である。超磁歪素子6の高効率変位を実現するためには、磁気回路をクローズ(磁界を閉ループ)にすると共に、コイル7のボビン8と超磁歪素子6との間だのギャップを可能な限り小さくすることが好ましい。この点、従来では、図示例のようにケース1やキャップ3、可動ロッド2等が樹脂等の非磁性体で形成されていたため、磁界が閉ループに形成されていない問題があった。
(1)超磁歪アクチュエータの高効率化の課題である。超磁歪素子6の高効率変位を実現するためには、磁気回路をクローズ(磁界を閉ループ)にすると共に、コイル7のボビン8と超磁歪素子6との間だのギャップを可能な限り小さくすることが好ましい。この点、従来では、図示例のようにケース1やキャップ3、可動ロッド2等が樹脂等の非磁性体で形成されていたため、磁界が閉ループに形成されていない問題があった。
(2)超磁歪素子3は広帯域で振動(伸縮)するため、ボビン8と接触させたり、超磁歪素子6の両端に必要部品を接着固定化することは好ましくない。この点に配慮し、従来は、ボビン8と超磁歪素子6との間に適宜なギャップを設けると共に、超磁歪素子6の両端に配置するバイアス磁界印加用の磁石51、52を利用し、それらの磁気力のみで超磁歪素子6を定位置に固定する構成としていた。そのため、超磁歪素子6の振動による位置ずれが生じボビン8と接触する問題があった。この接触を防止するために、超磁歪素子6とボビン8との間のギャップを大きくすると、その分、超磁歪アクチュエータ自体の効率が低下する問題があった。
(3)可動ロッド2とキャップ3との接触を防ぐために、キャップ3の穴3aの内径を大きくすると、外部から塵埃やごみなどがケース1内に入り、それが超磁歪素子6とボビン6との間だの隙間に侵入する問題があった。
(4)超磁歪アクチュエータを長時間、高周波数帯域で使用すると、超磁歪素子6及びコイル7から発熱する。この発熱によりそれぞれの特性が変化して振動状態が変わり、高域特性が悪化する問題がある。
よって、本発明の課題は、比較的簡易な手段によって、超磁歪アクチュエータの高効率化や小型化を図ることができる技術を提供することにある。
また、本発明の課題は、超磁歪アクチュエータのケースの密封性を高めて塵埃の侵入を効率的に防止することができる技術を提供することにある。
更に、本発明の課題は、超磁歪アクチュエータの放熱性を高めて、発熱による高域特性の悪化を防止することができる技術を提供することにある。
また、本発明の課題は、超磁歪アクチュエータのケースの密封性を高めて塵埃の侵入を効率的に防止することができる技術を提供することにある。
更に、本発明の課題は、超磁歪アクチュエータの放熱性を高めて、発熱による高域特性の悪化を防止することができる技術を提供することにある。
前記課題を解決するため、本発明では以下の手段を採用した。
本発明は、超磁歪素子と、超磁歪素子に磁界変化を与えるコイルと、超磁歪素子に圧縮荷重を加えるばねと、超磁歪素子にバイアス磁界を印加する磁石とがケース内に収納され、超磁歪素子の基端はケース内に位置決めされ、自由端には可動ロッドが連結され、その可動ロッドとケースとの間にばねが配置された超磁歪アクチュエータであって、ケース、可動ロッド及びばねが磁性材料で形成されていることを特徴とする。
本発明は、超磁歪素子と、超磁歪素子に磁界変化を与えるコイルと、超磁歪素子に圧縮荷重を加えるばねと、超磁歪素子にバイアス磁界を印加する磁石とがケース内に収納され、超磁歪素子の基端はケース内に位置決めされ、自由端には可動ロッドが連結され、その可動ロッドとケースとの間にばねが配置された超磁歪アクチュエータであって、ケース、可動ロッド及びばねが磁性材料で形成されていることを特徴とする。
本発明によれば、ケース、可動ロッド及びばねが磁性材料で形成されているので、超磁歪素子の両端に配置してあるバイアス磁界印加用の磁石による磁界は、可動ロッド、ばね及びケースを経由する完全磁気回路(閉ループ)を構成する。これにより、超磁歪アクチュエータの高効率化を実現することができる。さらに、このように高効率化を図ることで、その分、小型化も図ることができる。
本発明において、前記ばねが皿ばねであり、可動ロッドの先端は皿ばねの中心部及びケースに同軸に設けられた穴をそれぞれ貫通して外部に突出し、皿ばねの周縁部はケースの内面に密接してケースの穴をケース内から覆っている構成とすることが望ましい。このように、超磁歪素子に圧縮荷重を加えるばねにいわゆるドーム状の皿ばねを用いることで、その周縁部を、可動ロッドが貫通する穴の周囲のケース内面に密接させた形態とすることができる。これより、可動ロッドが貫通するケースの穴は皿ばねにより覆われる。したがって、可動ロッドと穴との間だの隙間からケース内に侵入した塵埃等はそれよりも内部に侵入しないように皿ばねにより阻止される。この結果、超磁歪アクチュエータの防塵性能が高まり、屋外での使用も可能になる。
本発明において、前記ケースは、一端側が開口した有底筒状のケース本体と、そのケース本体の開口部を閉じる蓋とを備え、蓋の内面には皿ばねの周縁部を嵌め込んで位置決めする第1凹部が設けられていることが望ましい。このように、蓋の内面に皿ばねの周縁部を嵌め込んで位置決めする第1凹部を設けた場合、皿ばね自体が確実に位置決めされるため、皿ばねの中心部を貫通する可動ロッドも皿ばねによって位置決め(芯出し)される。
本発明において、前記超磁歪素子にバイアス磁界を印加する磁石は、超磁歪素子の基端及び自由端にそれぞれ配置され、可動ロッドの基端部には、超磁歪素子の自由端とその自由端に配置された磁石とを嵌め込んで位置決めする第2凹部が設けられていることが望ましい。このように構成した場合、第2凹部によって、超磁歪素子の自由端とその自由端に配置された磁石との両方を可動ロッドに対して同軸に位置決めすることができる。これにより、超磁歪素子の自由端とその自由端に配置された磁石と可動ロッドの基端部とが位置ずれしないように高精度に連結することができる。
本発明において、前記ケース本体の底面部には、超磁歪素子の基端部及びその基端部に配置された磁石とを嵌め込んで位置決めする第3凹部が設けられていることが望ましい。このように構成した場合、第3凹部によって、超磁歪素子の基端とその基端に配置された磁石との両方をケース本体の底面部に対して同軸に位置決めすることができる。これにより、超磁歪素子の基端とその基端に配置された磁石とがケース本体の底部から位置ずれしないように高精度に位置決めすることができる。
本発明において、前記ケース本体の底面部には、コイルのボビンの一部を嵌め込んで固定する第4凹部が設けられていることが望ましい。このように構成した場合、第4凹部によって、コイルのボビンをケース本体の底面部に対して確実に位置決めすることができる。これにより、超磁歪素子とボビンとの間だの隙間を高精度にかつ微少隙間に設定することができる。
本発明において、前記コイルのボビンは熱伝導性樹脂で形成されていることが望ましい。ボビンを熱伝導性樹脂で形成した場合、ボビン自体の放熱性が良くなる。これにより、発熱するコイル及び超磁歪素子からの放熱効果を高めることができる。その結果、発熱によりそれぞれの特性が変化して振動状態が変わり、高域特性が悪化するといった問題を解決することができる。
本発明において、超磁歪素子は、間に磁石を介して連結された複数の単位磁歪素子を含む構成とすることもできる。磁界の強さに応じて生じる超磁歪素子の寸法変化(伸縮)は、磁界が強いほど、かつ超磁歪素子が長いほど大きくなる。したがって、超磁歪素子に関し、間に磁石を介して連結された複数の単位磁歪素子を含む構成とすることで、超磁歪素子を長く、かつバイアス磁界を強くすることが可能となる。これにより、超磁歪アクチュエータの更なる高効率化を図ることができる。
本発明によれば、比較的簡易な手段によって、超磁歪アクチュエータの高効率化や小型化を図ることができる。
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照して説明する。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る超磁歪アクチュエータの断面図である。この実施形態の超磁歪アクチュエータAは、超磁歪素子6と、超磁歪素子6に磁界変化を与えるコイル7と、超磁歪素子6に圧縮荷重を加えるばね4と、超磁歪素子6にバイアス磁界を印加する磁石(マグネット)51、52とがケース1内に収納されている。超磁歪素子6の基端はケース1内に位置決めされ、自由端には可動ロッド2が連結され、その可動ロッド2とケース1との間にばね4が配置されている。そして、ケース1、可動ロッド2及びばね4は鉄などの磁性材料で形成されている。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る超磁歪アクチュエータの断面図である。この実施形態の超磁歪アクチュエータAは、超磁歪素子6と、超磁歪素子6に磁界変化を与えるコイル7と、超磁歪素子6に圧縮荷重を加えるばね4と、超磁歪素子6にバイアス磁界を印加する磁石(マグネット)51、52とがケース1内に収納されている。超磁歪素子6の基端はケース1内に位置決めされ、自由端には可動ロッド2が連結され、その可動ロッド2とケース1との間にばね4が配置されている。そして、ケース1、可動ロッド2及びばね4は鉄などの磁性材料で形成されている。
次いで、これらの詳細について説明する。
ケース1は、一端側(図1において上端)が開口した有底筒状のケース本体11、と、そのケース本体11の開口部を閉じる蓋3とを備えている。ばね4はこの実施形態では皿ばねとして形成されている。そして、可動ロッド2の先端はこの皿ばね4の中心部及び蓋3に同軸に設けられた穴41、32をそれぞれ貫通して外部に突出している。皿ばね4の周縁部はケース本体11の内面に密接して蓋3の穴32をケース1内から覆っている。
ケース1は、一端側(図1において上端)が開口した有底筒状のケース本体11、と、そのケース本体11の開口部を閉じる蓋3とを備えている。ばね4はこの実施形態では皿ばねとして形成されている。そして、可動ロッド2の先端はこの皿ばね4の中心部及び蓋3に同軸に設けられた穴41、32をそれぞれ貫通して外部に突出している。皿ばね4の周縁部はケース本体11の内面に密接して蓋3の穴32をケース1内から覆っている。
蓋3の内面には皿ばね4の周縁部を嵌め込んで位置決めする皿ばね用凹部(第1凹部)31が設けられている。蓋3の内面に皿ばね4の周縁部を嵌め込んで位置決めする第1凹部31を設けたのは、皿ばね4自体を確実に位置決めするためである。さらに、皿ばね4の中心部を貫通する可動ロッド2も皿ばね4によって位置決め(芯出し)可能にするためである。
超磁歪素子6にバイアス磁界を印加する磁石51,52は、超磁歪素子6の基端及び自由端にそれぞれ配置されている。可動ロッド2の基端部には、超磁歪素子6の自由端とその自由端に配置された磁石51とを嵌め込んで位置決めする連結用凹部(第2凹部)22が設けられている。この可動ロッド2の基端部には、その基端部を大径にするためのフランジ21が設けられている。第2凹部22は下向き開口の凹部として形成されている。この第2凹部22の深さは、磁石51の厚さよりも深く形成されている。これにより、第2凹部22内には磁石51が収容され、さらに超磁歪素子6の自由端も挿入されている。
このような深さの第2凹部22を設けたのは、第2凹部22によって、超磁歪素子6の自由端とその自由端に配置された磁石51との両方を可動ロッド2に対して同軸に位置決め可能にするためである。これにより、超磁歪素子6の自由端とその自由端に配置された磁石51と可動ロッド2の基端部とが位置ずれしないように高精度に芯出しして連結することができる。この結果、超磁歪素子6、磁石51、及び可動ロッド2を接着剤等を使用しなくても連結することが可能になる。勿論、接着剤等により連結することもできる。
ケース本体11の底面部12には、超磁歪素子6の基端部及びその基端部に配置された磁石52とを嵌め込んで位置決めする位置決め用凹部(第3凹部)13が設けられている。この第3凹部13は上向き開口の凹部として形成されている。この第3凹部13の深さは、磁石52の厚さよりも深く形成されている。これにより、第3凹部13内には磁石52が収容され、さらに超磁歪素子6の基端も挿入されている。
このような深さの第3凹部13を設けたのは、第3凹部13によって、超磁歪素子6の基端とその基端に配置された磁石52との両方をケース本体11の底面部12に対して同軸に位置決めするためである。これにより、超磁歪素子6の基端とその基端に配置された磁石52とがケース本体11の底面部12から位置ずれしないように高精度に芯出しして位置決めすることができる。
ケース本体11の底面部12には、コイル7のボビン8の一部を嵌め込んで固定するボビン用凹部(第4凹部)14が設けられている。ボビン8は、超磁歪素子6が貫通する円筒部81と、その両端に設けられた円板状フランジ82、83を有している。従って、第4凹部14の平面形状はこのボビン8の端面の形状に対応する。いわゆるドーナツ状の凹部として形成されている。この第4凹部14を設けたのは、コイル7のボビン8をケース本体11の底面部12に対して確実に位置決めして、超磁歪素子6とボビン8との間だの隙間を高精度にかつ微少隙間に設定可能にするためである。なお、底面部12の中央部分には円筒状のリブ15が立ち上げられており、このリブ15によって前記第3凹部13及び第4凹部14が形成されている。
また、この実施形態では、ケース本体11及び蓋3からなるケース1と、可動ロッド2と、皿ばね4とが磁性材料で形成されているのに加えて、コイル7のボビン8は熱伝導性樹脂で形成されている。熱伝導性樹脂としては、例えば、日本科学冶金製の(商品名:NT−783)を挙げることができる。ボビン8を熱伝導性樹脂で形成したのは、ボビン8自体の放熱性を高めるためである。即ち、発熱するコイル7及び超磁歪素子6からの放熱効果を高めるためである。放熱効果を高めることによって、発熱によりそれぞれの特性が変化して振動状態が変わり、高域特性が悪化するといった問題を根本的に解決することができる。
また、この実施形態によれば、ケース1、可動ロッド2及び皿ばね4が磁性材料で形成されているので、超磁歪素子6の両端に配置してあるバイアス磁界印加用の磁石51,52による磁界は、図1において矢印付き破線で示すように、可動ロッド2、皿ばね4及びケース1を経由する完全磁気回路(閉ループ)を構成する。これにより、超磁歪アクチュエータの高効率化を実現することができる。この結果、バッテリー駆動も実現できるので、この超磁歪アクチュエータを例えばモバイル商品等へ組み込むことも可能となる。さらに、このように高効率化を図ることで、その分、小型化も図ることができる。
また、可動ロッド2、皿ばね4、超磁歪素子6、バイアス磁界印加用の磁石51,52、及びボビン8等を、第1〜第4凹部によって位置決めしてあるので、振動等に強いアクチュエータとなり、モバイル化を容易にすることができる。
(第2実施形態)
次に、図2を参照して本発明の第2実施形態について説明する。なお、この第2実施形態において、第1実施形態と基本的に同一の構成要素については同一符号を付してその説明を簡略化する。
次に、図2を参照して本発明の第2実施形態について説明する。なお、この第2実施形態において、第1実施形態と基本的に同一の構成要素については同一符号を付してその説明を簡略化する。
この実施形態の特徴は、可動ロッド2のフランジ21を、途中に段部23を有する二段構成にして、その段部23に皿ばね4の中心部の穴41を嵌合させて密着構造としたものである。さらに、磁石51,52の直径が超磁歪素子6の直径以下の場合に、第2凹部22をフランジ21及び可動ロッド2と一体構造とし、かつ、第3凹部13をケース本体1の底面部12と一体構造となるように構成したものである。このように構成しても、先の第1実施形態と同様の効果が得られるが、特に、部品点数を少なくして、組み立て性を向上させることができる。
(第3実施形態)
次に、図3を参照して本発明の第3実施形態について説明する。なお、この第3実施形態において、第1実施形態と基本的に同一の構成要素については同一符号を付してその説明を簡略化する。
次に、図3を参照して本発明の第3実施形態について説明する。なお、この第3実施形態において、第1実施形態と基本的に同一の構成要素については同一符号を付してその説明を簡略化する。
この実施形態の特徴は、可動ロッド2のフランジ21を、途中に段部23を有する二段構成にして、その段部23に皿ばね4の中心部の穴41を嵌合させて密着構造としたものである。また、磁石51,52の直径が超磁歪素子6の直径以上の場合に、第2凹部22を、一体構造である可動ロッド2の基端部及びフランジ21の一部と、下面合わせ部材9の一部とで形成する構成としたものである。下面合わせ部材9は、フランジ21の外径と同一に形成され、その中央には超磁歪素子6の自由端が貫通する貫通孔9aが形成されている。
また、第3凹部13を、ケース本体1の底面部12の一部と、上面合わせ部材10の一部とで形成する構成としたものである。下面合わせ部10は、円筒状のリブ15の外径と同一に形成され、その中央には超磁歪素子6の基端が貫通する貫通孔10aが形成されている。
このように構成しても、先の第1実施形態と同様の効果が得られるが、特に、磁石51、52によるバイアス磁界を強めるために各磁石を大きくする際に好適な構造とすることができる。
(第4実施形態)
次に、図4を参照して本発明の第4実施形態について説明する。
この実施形態の特徴は、超磁歪素子6に関し、間に磁石53を介して連結された複数の単位磁歪素子61、62を含む構成としたものである。即ち、超磁歪素子6が長くなる場合に、超磁歪素子6の両端に配置した磁石51、52の他に、磁石53を間に入れて超磁歪素子6を二つに分割することで、超磁歪素子6に印加するバイアス磁界を強める構成としたものである。
次に、図4を参照して本発明の第4実施形態について説明する。
この実施形態の特徴は、超磁歪素子6に関し、間に磁石53を介して連結された複数の単位磁歪素子61、62を含む構成としたものである。即ち、超磁歪素子6が長くなる場合に、超磁歪素子6の両端に配置した磁石51、52の他に、磁石53を間に入れて超磁歪素子6を二つに分割することで、超磁歪素子6に印加するバイアス磁界を強める構成としたものである。
磁界の強さに応じて生じる超磁歪素子6の寸法変化(伸縮)は、磁界が強いほど、かつ超磁歪素子6が長いほど大きくなる。従って、このように超磁歪素子6を長くし、さらにバイアス磁界印加用の磁石を超磁歪素子6の軸方向に間隔をおいて3つ配置することで、超磁歪アクチュエータの更なる高効率化を図ることができる。
ここで、分割した単位磁歪素子61、62を磁石53を介して連結する方法としては種々の方法が考えられる。図4に示す例の場合、磁石53と単位磁歪素子61、62の相互の接合面にピン孔をそれぞれ設けておき、それらのピン孔に挿入(無理嵌め)可能な締結ピン63、63により芯出し状態で連結した例を示している。この連結方法によれば、超磁歪素子6の外径に影響を及ぼさない構成とすることができる。
(第5実施形態)
図5は、磁石53を介して単位磁歪素子61、62を連結する他の方法を示すものである。この図5に示す例では、薄くて磁石53より長い筒状の樹脂製カバー64にて、磁石53と超磁歪素子61、62の相互の接合部分を覆う構成としたものである。この連結方法によれば、筒状の樹脂製カバー64を用いるだけの簡易な構成とすることができる。
図5は、磁石53を介して単位磁歪素子61、62を連結する他の方法を示すものである。この図5に示す例では、薄くて磁石53より長い筒状の樹脂製カバー64にて、磁石53と超磁歪素子61、62の相互の接合部分を覆う構成としたものである。この連結方法によれば、筒状の樹脂製カバー64を用いるだけの簡易な構成とすることができる。
なお、超磁歪素子6としては、間に磁石を介して単位磁歪素子を2つ以上連結する構成としてもよい。
1 ケース
11 ケース本体
12 底面部
13 第3凹部
14 第4凹部
2 可動ロッド
22 第2凹部
21 フランジ(大径部)
3 蓋(キャップ)
31 第1凹部
32 穴
4 皿ばね
41 穴
51,52、53 磁石(マグネット)
6 超磁歪素子
61、62 単位磁歪素子
7 コイル
8 ボビン
9 下面合わせ部材
10 上面合わせ部材
11 ケース本体
12 底面部
13 第3凹部
14 第4凹部
2 可動ロッド
22 第2凹部
21 フランジ(大径部)
3 蓋(キャップ)
31 第1凹部
32 穴
4 皿ばね
41 穴
51,52、53 磁石(マグネット)
6 超磁歪素子
61、62 単位磁歪素子
7 コイル
8 ボビン
9 下面合わせ部材
10 上面合わせ部材
Claims (8)
- 超磁歪素子と、超磁歪素子に磁界変化を与えるコイルと、超磁歪素子に圧縮荷重を加えるばねと、超磁歪素子にバイアス磁界を印加する磁石とがケース内に収納され、超磁歪素子の基端はケース内に位置決めされ、自由端には可動ロッドが連結され、その可動ロッドと前記ケースとの間に前記ばねが配置された超磁歪アクチュエータであって、
前記ケース、可動ロッド及びばねが磁性材料で形成されている、超磁歪アクチュエータ。 - 前記ばねが皿ばねであり、前記可動ロッドの先端は前記皿ばねの中心部及び前記ケースに同軸に設けられた穴をそれぞれ貫通して外部に突出し、前記皿ばねの周縁部は前記ケースの内面に密接してケースの穴をケース内から覆っている、請求項1に記載の超磁歪アクチュエータ。
- 前記ケースは、一端側が開口した有底筒状のケース本体と、そのケース本体の開口部を閉じる蓋とを備え、前記蓋の内面には前記皿ばねの周縁部を嵌め込んで位置決めする第1凹部が設けられている、請求項1又は2に記載の超磁歪アクチュエータ
- 前記超磁歪素子にバイアス磁界を印加する磁石は、超磁歪素子の基端及び自由端にそれぞれ配置され、前記可動ロッドの基端部には、前記超磁歪素子の自由端とその自由端に配置された磁石とを嵌め込んで位置決めする第2凹部が設けられている、請求項1又は2に記載の超磁歪アクチュエータ。
- 前記ケース本体の底面部には、前記超磁歪素子の基端部及びその基端部に配置された磁石とを嵌め込んで位置決めする第3凹部が設けられている、請求項1〜4の何れかに記載の超磁歪アクチュエータ。
- 前記ケース本体の底面部には、前記コイルのボビンの一部を嵌め込んで固定する第4凹部が設けられている、請求項1〜5の何れかに記載の超磁歪アクチュエータ。
- 前記コイルのボビンは熱伝導性樹脂で形成されている、請求項1〜6の何れかに記載の超磁歪アクチュエータ。
- 前記超磁歪素子は、間に磁石を介して連結された複数の単位磁歪素子を含む、請求項1〜7の何れかに記載の超磁歪アクチュエータ。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004358928A JP2006165483A (ja) | 2004-12-10 | 2004-12-10 | 超磁歪アクチュエータ |
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