JP2006156825A - 半導体基板用研磨液組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】セリン、システイン及びジヒドロキシエチルグリシンからなる群より選ばれる少なくとも1種類のアミノカルボン酸、セリア粒子、並びに水系媒体を含有してなる半導体基板用研磨液組成物、該研磨液組成物を、被研磨基板1cm2当たり0.01〜10g/分で該基板に供給し、表面にケイ素を含み凹凸形状を有する膜が形成された半導体基板に5〜100kPaの研磨荷重で研磨パッドを押し当てて研磨する。
【選択図】なし
Description
しかしながら、かかる研磨液組成物の作用は添加剤の濃度に非常に敏感であり、研磨布の状態等の研磨条件のわずかな変化でも、平坦化性能が低下する(凸部の研磨速度低下、あるいはディシングの発生)ため、製造プロセスの管理が難しかった。
特に、本発明の目的は、半導体基板上の、同一の部材からなる凹凸部に対して速やかに平坦化することができる半導体基板用研磨液組成物を提供することにある。
〔1〕 セリン、システイン及びジヒドロキシエチルグリシンからなる群より選ばれる少なくとも1種類のアミノカルボン酸、セリア粒子、並びに水系媒体を含有してなる半導体基板用研磨液組成物、
〔2〕 前記〔1〕記載の研磨液組成物を、被研磨基板1cm2当たり0.01〜10g/分で該基板に供給し、5〜100kPaの研磨荷重で研磨パッドを押し当てて研磨する半導体基板の研磨方法、
〔3〕 前記〔1〕記載の研磨液組成物の存在下で、表面にケイ素を含み凹凸形状を有する膜が形成された半導体基板に、5〜100kPaの研磨荷重で研磨パッドを押し当てて研磨する工程を有する半導体装置の製造方法
に関する。
本発明の研磨液組成物が、前記のような高い平坦化性能を示す理由は明確ではないが、セリア粒子及び特定のアミノカルボン酸が共存することにより、以下のようなメカニズムが起こっているためと推定される。
即ち、研磨液組成物を半導体基板に供した場合、特定のアミノカルボン酸が、セリア粒子表面及び/又は被研磨膜表面に吸着し皮膜を形成する。表面に形成された皮膜は、セリア粒子の被研磨膜表面への作用を阻害し、研磨速度を低下させる。一方、高い研磨荷重が加わると、特定のアミノカルボン酸の吸着皮膜が破断して、セリア粒子が被研磨膜表面に作用できるため研磨速度が発現する。従って、凹凸を有する被研磨膜を研磨する場合、凸部には局部的に高い研磨荷重が働くため、吸着膜が破断し研磨が進行し、反対に凹部は局部的に荷重が低く、吸着皮膜に保護され研磨が進行しない。従って凸部のみが選択的に研磨され効率的に凹凸段差の低減が進行する。
さらに、研磨が進行し、凹凸段差が減少すると凸部と凹部にかかる局部荷重は設定荷重に近づいていく。そこで予め平坦部では研磨がほとんど進行しないような研磨荷重に設定しておくことで、凹凸段差解消後(平坦化後)は研磨がほとんど進行しなくなるという特徴的な研磨特性(凸部/平坦部研磨選択性)を発現させることができる。
その結果、少ない研磨量でパターン依存性の少ない高度な平坦化が速やかに達成できるという優れた効果が発現する。この効果は半導体基板表面に少なくともケイ素を含む場合に顕著である。
本発明で使用される特定のアミノカルボン酸は、この研磨選択性の発現濃度範囲が広く、平坦化性能を安定して発現させることができるため、例えば研磨布の状態等の研磨条件の変化の影響を受けにくく、プロセス管理が容易な研磨が可能となる。
〔アミノカルボン酸〕
本発明に用いられるアミノカルボン酸は、セリン、システイン及びジヒドロキシエチルグリシンからなる群より選ばれる1種以上のものである。
中でも、凸部/平坦部研磨選択性発現領域拡大によるプロセス管理性向上の観点から、ジヒドロキシエチルグリシンが好ましい。
本発明に用いられるセリア粒子としては、種々の合成法が挙げられる。この合成法としては、焼成法、水熱合成法、塩・触媒法、気相法(PSV法)等が挙げられ、中でも、研磨速度の観点から、炭酸塩、硫酸塩、シュウ酸塩等のセリウム化合物を焼成し、酸化セリウム(セリア)を得る焼成法が好ましい。
本発明の研磨液組成物において、前記アミノカルボン酸/セリア粒子の重量比は、平坦化性能の観点から、1/20以上が好ましく、また、平坦化速度の観点から、50/1以下が好ましい。
前記アミノカルボン酸/セリア粒子の重量比は、1/20〜50/1が好ましく、1/10〜20/1がより好ましく、1/5〜10/1が更に好ましい。
本発明の研磨液組成物の残部は、水及びアルコール等の水と混合することが可能な水系媒体である。水系媒体は単独で又は2種以上を混合して使用することができる。水系媒体としては、イオン交換水等の水が好ましい。
研磨液組成物中の水系媒体の含有量としては、研磨速度を向上する観点並びにセリア粒子の沈降及び分離を防止する観点から、60〜99.8重量%が好ましく、70〜98重量%がより好ましい。
本発明の研磨液組成物は、前記セリア粒子、アミノカルボン酸を水系媒体に配合することにより調製することができる。なかでも配合時のセリア粒子の分散安定性の点から、予めセリア粒子を含む水分散体(セリアスラリー)を調製し、このセリアスラリーとアミノカルボン酸を溶解した水溶液とを混合撹拌する方法が好ましい。また、セリアスラリー及びアミノカルボン酸水溶液を混合する前にそれぞれ所定のpHに予め調整しておいてから混合する方法や、さらに保存安定性の観点から、セリアスラリーとアミノカルボン酸を溶解した水溶液とを別々に研磨定盤上に供給し、研磨定盤上で混合する方法が可能である。
セリアスラリーは、分散処理を行うことで調製することができる。分散処理としては、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機、湿式ボールミル等の攪拌機、で分散する方法が挙げられる。また、セリア粒子の分散性の観点から、分散処理の際に、分散剤を併用することが好ましい。なお、セリアスラリーのpHは、3〜10に調整されることが好ましい。
また、本発明の研磨液組成物には、任意成分(添加剤)として、ベンザルコニウムクロライド、ベンゼトニウムクロライド、1,2−ベンズイソチアゾリン−3−オン、過酸化水素、次亜塩素酸塩等の防腐剤を混合してもよい。また、過酸化物又は過マンガン酸、クロム酸、硝酸、ペルオキソ酸もしくはそれらの塩等の酸化剤を混合することができる。これらの任意成分は、前記セリアスラリー、アミノカルボン酸水溶液のいずれに混合してもよい。
かかる任意成分の量としては、研磨液組成物中において0.001〜10重量%が好ましく、0.01〜5重量%がより好ましい。
以上のような方法で得られる本発明の研磨液組成物のpH範囲としては、研磨速度の観点から、3〜10が好ましく、4〜8がより好ましく、5〜7が更に好ましい。
本発明の研磨液組成物は、半導体基板の研磨に用いられる。
半導体基板の材質としては、シリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン等の金属又は半金属、及びこれらの金属を主成分とした合金、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン等のガラス状物質、アルミナ、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、窒化タンタル、窒化チタン等のセラミック材料、ポリイミド樹脂等の樹脂等が挙げられるが、効率的な平坦化発現の観点から中でも基板表面にケイ素を含み凹凸形状を有する膜が形成されたものが好適である。ケイ素を含む膜としては、TEOS,石英,ガラス等の酸化ケイ素、BPSG(Boro-Phospho-Silicate Glass),PSG(Phospho-Silicate Glass)等のリン,ホウ素等の元素がドープされた酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリシリコン等が挙げられる。特に、二酸化ケイ素を主成分とする被研磨膜を有する半導体基板を研磨する際に本発明の研磨液組成物を用いた場合、効率的に平坦化が実現できる。
特に、凹凸段差が同一の部材からなる場合、本発明の研磨液組成物は、凸部を速やかに研磨して平坦化することができるという優れた効果が発現される。
本発明の研磨方法としては、前記研磨組成物を、被研磨基板1cm2当たり0.1〜20g/分で研磨パッド上に供給し、5〜100kPaの研磨荷重で研磨パッドを押し当てて研磨してなる方法が挙げられる。
研磨液組成物の供給量は、被研磨基板1cm2当たり、高い研磨速度を維持し、短時間で平坦化する観点から、0.01g/分以上、好ましくは0.1g/分以上であり、また、経済性の観点と廃液処理の観点から、10g/分以下、好ましくは5g/分以下である。該供給量は、0.01〜10g/分、好ましくは0.1〜5g/分である。
研磨荷重としては、研磨速度の観点から、5kPa以上、好ましくは10kPa以上であり、また、被研磨面の平坦化及び傷抑制の観点から、100kPa以下、好ましくは70kPa以下、より好ましくは50kPa以下である。研磨荷重は、5〜100kPa、好ましくは10〜70kPa、より好ましくは10〜50kPaである。
〔方法〕
本発明の半導体装置の製造方法は、前記研磨液組成物を用いて半導体基板を研磨する工程を有するものである。その例としては、前記研磨液組成物の存在下で、表面にケイ素を含み凹凸形状を有する膜が形成された半導体基板に、5〜100kPaの研磨荷重で研磨パッドを押し当てて研磨する工程を有する方法が挙げられる。
なお、研磨液組成物の供給量、研磨パッド等の研磨条件については、前記の研磨方法と同じものであればよい。
ジヒドロキシエチルグリシン(キレスト社製、キレストGA)2.0重量部にイオン交換水95.5重量部を加え、混合溶解し、撹拌状態で、さらにセリアの水分散液(固形分40重量%、セリア粒子の平均粒子径125nm、セリア粒子の結晶子サイズ28nm)2.5重量部(セリア粒子は1.0重量部)を加え、アンモニア水(アンモニア28重量%)によりpH6.0に調整し、研磨液組成物を得た。
研磨試験機:片面研磨機(品番:MA-300、エンギス社製、定盤径300mm)
研磨パッド:硬質ウレタンパッド(品番:IC-1000/Sub400、ニッタ・ハース社製)
定盤回転数:90r/min
ヘッド回転数:90r/min(回転方向は定盤と同じ)
研磨荷重:39.2kPa
研磨液供給量:50g/分(基板1cm2あたり、3.1g/分)
〔凸部研磨速度〕
CMP特性評価用市販ウエハ(パターンウエハ、商品名:SKW7−2、SKWアソシエーテス社(SKWAssociates,Inc.)製:凹凸段差800nmのパターンを形成した8インチ(200mm)シリコンウエハ上に厚さ2000nmのPE−TEOSを製膜した構造を有する)を40mm角に切断したものを用い、上記研磨条件で1分間研磨した。
平坦部の研磨速度は、凹凸段差が消失し平坦化が完了した被研磨面(図2参照)の研磨速度である。そこで評価には、被研磨基板として、8インチシリコン基板上にプラズマTEOS法により酸化珪素膜を2000nm成膜したものを40mm角に切断して使用した。研磨は上記研磨条件で2分間行った。
ジヒドロキシエチルグリシン2.0重量%を含有する研磨液組成物の研磨速度は、凸部が337nm/min、平坦部が5nm/minであり、凸部に対して顕著に高い研磨速度を発現し、平坦部は研磨速度が抑制されていることがわかった。すなわち特徴的な凸部/平坦部研磨選択性が発現していることがわかる。
しかし、C凸−Cpの値は、添加剤の純度の影響を受け、添加剤純度が低いほど、C凸及びCpの値は高濃度側にシフトし、C凸−Cpの絶対値は大きくなるため、正しくその化合物の性能を評価する指標としては不十分である。そこで、純度に依らず適用可能な指標として(C凸−Cp)/Cpを用いた。これにより、添加剤純度による影響を打ち消せる。(C凸−Cp)/Cpの値が大きくなるほど研磨条件の変化の影響を受けにくいため、プロセス管理が容易となる。
ジヒドロキシエチルグリシンでは、(C凸−Cp)/Cpの値は2.1である。
実施例1のジヒドロキシエチルグリシンにかえて、表2に記載の添加剤を用い、実施例1と同様にして、Cp及びC凸を求め、(C凸−Cp)/Cpの値を算出した。結果を表2に示す。
したがって、比較例1〜4ではいずれもパターン平坦化性能に劣る研磨が行われることがわかる。
Claims (5)
- セリン、システイン及びジヒドロキシエチルグリシンからなる群より選ばれる少なくとも1種類のアミノカルボン酸、セリア粒子、並びに水系媒体を含有してなる半導体基板用研磨液組成物。
- アミノカルボン酸とセリア粒子の重量比(アミノカルボン酸/セリア粒子)が1/20〜50/1である請求項1記載の研磨液組成物。
- 半導体基板が、その表面にケイ素を含み凹凸形状を有する膜が形成されてなるものである請求項1又は2記載の研磨液組成物。
- 請求項1〜3いずれか記載の研磨液組成物を、被研磨基板1cm2当たり0.01〜10g/分で該基板に供給し、5〜100kPaの研磨荷重で研磨パッドを押し当てて研磨する半導体基板の研磨方法。
- 請求項1〜3いずれか記載の研磨液組成物の存在下で、表面にケイ素を含み凹凸形状を有する膜が形成された半導体基板に、5〜100kPaの研磨荷重で研磨パッドを押し当てて研磨する工程を有する半導体装置の製造方法。
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