JP2006151967A - ブロックイソシアネート化合物の製造方法 - Google Patents

ブロックイソシアネート化合物の製造方法 Download PDF

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Abstract

【解決手段】本発明に係る一般式(III)で示されるブロックイソシアネート化合物の製造方法は、ピラゾール系化合物(I)と、エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)とを、0℃〜90℃の温度範囲で反応させることを特徴とする。
Figure 2006151967

(式中、R1、R2、Q1、Q2は、明細書に記載された意味と同一である。)
【効果】本発明の製造方法によれば、効率良くブロックイソシアネート化合物が得られるとともに、副生物の生成がほとんどないため、該化合物を高純度で得ることができる。さらに、本発明の製造方法は、従来のようにトルエンやキシレンなどの不活性溶媒を用いる必要がないため、人体や環境への安全性に優れるとともに、製造工程や製造設備を簡易なものとすることができる。本発明により製造されたブロックイソシアネート化合物は、不活性溶媒が残留しておらず、各種コーティング剤、接着剤、成形材料などの広範な分野で好適に使用することができる。
【選択図】 なし

Description

本発明は各種コーティング剤、接着剤、成形材料の原料モノマーとして好適なエチレン性不飽和基含有イソシアネートのブロック体であるブロックイソシアネート化合物の製造方法に関する。さらに詳しくは、工業的生産において重合などによる副生物の生成を回避し、ブロックイソシアネート化合物を高純度で得ることができる製造方法に関するものである。
ブロックイソシアネート化合物は、イソシアネート基を活性水素基含有化合物(ブロック剤)と反応させて常温で不活性としたものであり、これを加熱するとブロック剤が解離してイソシアネート基が再生されるという性質を持つものである。このため、硬化剤のイソシアネート基をブロック化することにより、活性水素基を有する主剤とあらかじめ配合しておくことが可能となり、コーティング剤、接着剤、成形材料などに広く用いられている。
イソシアネート基をブロック化するブロック剤としては、アルコール類、フェノール類、ラクタム類、オキシム類、アセト酢酸アルキルエステル類、マロン酸アルキルエステル類、フタルイミド類、イミダゾール類、塩化水素、シアン化水素または亜硫酸水素ナトリウムなどが知られている。この内でも、置換フェノール類、オキシム類、アセト酢酸アルキルエステル類、マロン酸アルキルエステル類、フタルイミド類、イミダゾール類、塩化水素、シアン化水素または亜硫酸水素ナトリウムによりイソシアネート基がブロック化されたブロックイソシアネート化合物は、比較的低温で解離してイソシアネート基を再生する。例えば、特許文献1によれば、次の化合物によりブロックされたヘキサメチレンジイソシアネートの20分間加熱での解離温度は以下のとおりである。
n−ブタノール:約170℃
フェノール:約160℃
カプロラクタム:約160℃
メチルエチルケトンオキシム:約150℃
アセト酢酸エステル:約140℃
マロン酸ジエチルエステル:約130℃
イソシアネート基をブロック剤によってブロック化したブロックイソシアネート化合物としては、例えば、特許文献2には1,2,4−トリアゾール、3,5−ジメチルピラゾールをブロック剤として用いたポリブロックイソシアネート化合物が例示されている。特許文献3にはアセト酢酸エステルをブロック剤として用いたポリブロックイソシアネート化合物が例示されている。特許文献4にはマロン酸ジエステルをブロック剤として用いたポリブロックイソシアネート化合物が例示されている。
イソシアネート基をピラゾール系化合物によってブロック化する反応例としては、例えば特許文献5には有機溶媒中でポリイソシアネートと3,5−ジメチルピラゾールとを50℃〜110℃、好ましくは70℃〜90℃で反応させる方法が例示されている。また、特許文献6には、有機溶剤中でポリイソシアネートとピラゾール系化合物を50℃未満の温度で反応させる方法が例示されている。これらの先行文献に記載の方法は、有機溶剤中でイソシアネート基とピラゾール系化合物とを反応させるため、反応後の生成物中に反応で使用した溶剤が残り、さらにその除去が困難であるという問題がある。また、エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物のような重合性化合物に対するブロック剤の反応に関しては記載されていない。
また、エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物のイソシアネート基を、ピラゾール系化合物でブロック化する方法としては、例えば特許文献7には、ピラゾールまたはその誘導体を融点以上に加熱して溶融するか、またはピラゾールまたはその誘導体をトルエンやキシレンなどの不活性溶媒に溶解または分散させておき、これにエチレン性不飽和基含有化合物、または該化合物を不活性溶媒に溶かした溶液を加える方法が例示されている。この方法は、ブロックイソシアネート化合物が重合することなく安定して得られるとともに、副生物の生成がほとんどなく優れている。
しかし、特許文献7に記載された、ピラゾールまたはその誘導体を融点以上に加熱する方法では、ピラゾールまたはその誘導体が昇華するため、反応を円滑に進行させるためには過剰量のピラゾールまたはその誘導体が必要となり、生産性の面で好ましくない。したがって、より効率的にブロックイソシアネート化合物が得られる方法が求められている。一方、特許文献7に記載された不活性溶媒を使用する方法では、比較的低い温度で反応を行うことができ、ピラゾールまたはその誘導体の昇華が防止されて反応が円滑に進行するため好ましい。しかしながら、トルエンやキシレンなどの不活性溶媒を用いており、人体や環境に対する安全性に問題があり、かつ製造工程が複雑になる問題もあった。さらに、反応で使用した不活性溶媒の除去が困難であり、生成物に溶媒が残留する。そのため、ブロックイソシアネート化合物を各種コーティング剤、接着剤、成形材料の原料モノマーなどとして使用することができない可能性があり、不活性溶媒を用いないブロックイソシアネート化合物の製造方法が求められている。
特開平03−017116号公報 特開平07−304843号公報 特開昭52−116420号公報 特開昭57−121065号公報 特開平08−225509号公報 特開平08−104726号公報 特開平10−316663号公報
本発明は、ブロックイソシアネート化合物の製造方法、すなわち、エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物のイソシアネート基をピラゾール系化合物によってブロック化するブロックイソシアネート化合物の製造方法において、該化合物がより効率的に得られ、かつ不活性溶媒を用いない製造方法を提供することを目的とする。
本発明者らは鋭意検討した結果、本発明によれば上記課題を解決することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
本発明は、以下の事項からなる。
〔1〕一般式(I)
Figure 2006151967
〔式中、Q1およびQ2はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、RCONH−、またはROCO−(Rは炭素数1〜6のアルキル基である)を表わす〕で示されるピラゾール系化合物(I)と、
一般式(II)
Figure 2006151967
〔式中、R1は水素原子またはメチル基を表わし、R2は−CO−、−COOR3−(R3は、炭素数2〜6のアルキレン基である)を表わす〕で示されるエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)とを、
0℃〜90℃の温度範囲で反応させることを特徴とする一般式(III)で示されるブロックイソシアネート化合物の製造方法。
Figure 2006151967
(式中、R1、R2、Q1、Q2は、上記式と同一である。)
〔2〕一般式(III)で示されるブロックイソシアネート化合物(III)を溶媒または分散媒として用いることを特徴とする〔1〕に記載の製造方法。
〔3〕前記ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散された前記ピラゾール系化合物(I)に、前記エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)を添加することを特徴とする〔2〕に記載の製造方法。
〔4〕前記ピラゾール系化合物(I)に、前記ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散されたエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)を添加することを特徴とする〔2〕に記載の製造方法。
〔5〕前記ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散された前記ピラゾール系化合物(I)に、前記ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散されたエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)を添加することを特徴とする〔2〕に記載の製造方法。
〔6〕前記ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散されたエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)に、前記ピラゾール系化合物(I)を添加することを特徴とする〔2〕に記載の製造方法。
〔7〕前記エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)に、前記ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散された前記ピラゾール系化合物(I)を添加することを特徴とする〔2〕に記載の製造方法。
〔8〕前記ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散されたエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)に、前記ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散された前記ピラゾール系化合物(I)を添加することを特徴とする〔2〕に記載の製造方法。
〔9〕前記ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散された前記ピラゾール系化合物(I)と、前記ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散されたエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)とを、反応器内へ同時に添加することを特徴とする〔2〕に記載の製造方法。
〔10〕Q1およびQ2が炭素数1〜5のアルキル基である〔1〕〜〔9〕のいずれかに記載の製造方法。
〔11〕R2が−COOR3−(R3は、炭素数2〜6のアルキレン基である)である〔1〕〜〔10〕のいずれかに記載の製造方法。
〔12〕重合禁止剤の存在下で、前記ピラゾール系化合物(I)と前記エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)とを反応させることを特徴とする〔1〕〜〔11〕のいずれかに記載の製造方法。
〔13〕前記重合禁止剤を、ブロックイソシアネート化合物(III)に対し10〜20000ppmの量となるように用いることを特徴とする〔12〕に記載の製造方法。
〔14〕前記エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)に対して前記ピラゾール系化合物(I)を0.5〜2.0倍モル量で反応させることを特徴とする〔1〕〜〔13〕のいずれかに記載の製造方法。
〔15〕未反応のエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)を1000ppm以下の量で含有していることを特徴とする前記〔1〕〜〔14〕のいずれかに記載の製造方法で得られたブロックイソシアネート化合物。
〔16〕未反応のピラゾール系化合物(I)を含有していないか、あるいは3重量%以下の量で含有していることを特徴とする前記〔1〕〜〔14〕のいずれかに記載の製造方法で得られたブロックイソシアネート化合物。
本発明の製造方法によれば、効率良くブロックイソシアネート化合物が得られるとともに、副生物の生成がほとんどないため、該化合物を高純度で得ることができる。さらに、
本発明の製造方法は、従来のようにトルエンやキシレンなどの不活性溶媒を用いる必要がないため、人体や環境への安全性に優れるとともに、製造工程や製造設備を簡易なものとすることができる。
本発明により製造されたブロックイソシアネート化合物は、不活性溶媒が残留しておらず、各種コーティング剤、接着剤、成形材料などの広範な分野で好適に使用することができる。
以下、本発明についてより詳細に説明する。
本発明に係る一般式(III)で示されるブロックイソシアネート化合物(III)の製造方法は、ピラゾール系化合物(I)と、エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)とを、0℃〜90℃の温度範囲で反応させる方法である。
Figure 2006151967
(式中、R1、R2、Q1、Q2は、下記式と同一である。)
このような製造方法によれば、原料であるピラゾール系化合物(I)の昇華が起き難くなり、原料を過剰に使用する必要がないため、効率良くブロックイソシアネート化合物が得られる。また、副生物がほとんど生成しないため、ブロックイソシアネート化合物を高純度で得ることができる。さらに、不活性溶媒を用いる必要がないため、人体や環境への安全性に優れるとともに、製造工程や製造設備を簡易なものとすることができる。
本発明の製造方法において用いられるピラゾール系化合物(I)は、一般式(I)
Figure 2006151967
で表され、式中、Q1およびQ2はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、RCONH−、またはROCO−(Rは炭素数1〜6のアルキル基)であり、好ましくは炭素数1〜5のアルキル基であることが望ましい。また、Rは、炭素数1〜4のアルキル基であることが好ましい。
このようなピラゾール系化合物(I)としては、例えば、無置換ピラゾール、3,5−ジメチルピラゾール、3−アセチルアミノピラゾール、ピラゾール−3,5−ジカルボン
酸ジエチルエステルなど各種のものを用いることができる。これらの内でも、入手が容易であり、さらに硬化性樹脂として用いた場合の硬化性やその他の物性などの面から3,5−ジメチルピラゾールが特に好ましい。本発明において用いられるピラゾール系化合物(I)は従来公知の方法により製造することができる。
本発明の製造方法において用いられるエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)は、一般式(II)
Figure 2006151967
で表わされる。式中、R1は水素原子またはメチル基である。R2は、−CO−、−COOR3−(R3は、炭素数2〜6のアルキレン基である)であり、好ましくは−COOR3−(R3は、前記と同様)であることが望ましい。
このようなエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)としては、例えば2−イソシアナトエチル(メタ)アクリレート、3−イソシアナトプロピル(メタ)アクリレート、2−イソシアナト−1−メチルエチル(メタ)アクリレート、メタクリロイルイソシアネートなどが挙げられる。本発明において用いられるエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)は従来公知の方法により製造することができる。
本発明のブロックイソシアネート化合物(III)は、このようなピラゾール系化合物(I)と、エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)とを、0℃〜90℃の温度範囲で反応させて製造する。これらの化合物の添加順序は特に制限されず、例えば、
(1)反応器中にピラゾール系化合物(I)を仕込み、攪拌下、エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)を添加し、化合物(I)および(II)を反応させる方法、
(2)反応器中にエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)を仕込み、攪拌下、ピラゾール系化合物(I)を添加し、化合物(I)および(II)を反応させる方法、
(3)反応器中に攪拌下、ピラゾール系化合物(I)と、エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)の両方を同時に添加し、化合物(I)および(II)を反応させる方法、などによりブロックイソシアネート化合物(III)を製造することができる。
ピラゾール系化合物(I)とエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)との反応温度は、該化合物(I)および化合物(II)の種類によって異なるが、ピラゾール系化合物(I)の融点以下であることが好ましく、通常0℃〜90℃、好ましくは5℃〜70℃、さらに好ましくは10℃〜60℃であることが望ましい。このような温度範囲であると、効率良くブロックイソシアネート化合物が得られるとともに、副生物の生成がほとんどないため、該化合物を高純度で得ることができる。つまり、反応温度が0℃未満であると、反応速度が遅くなり生産性に影響を与えるため効率良くブロックイソシアネート化合物が得られず、一方反応温度が90℃を超えると、ピラゾール系化合物(I)が昇華するため効率良くブロックイソシアネート化合物が得られず、さらにエチレン性不飽和基の重合によりゲル化するおそれがありブロックイソシアネート化合物(III)を高純度で得ることができない。なお、反応温度の上限はピラゾール系化合物(I)が昇華しない範囲が好ましく、使用するピラゾール系化合物(I)の種類によって適宜決定される。なお、この反応温度には、ピラゾール系化合物(I)および/またはエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)を滴下などにより添加する際の反応温度も含まれる。
反応は、通常、ピラゾール系化合物(I)またはエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)がほとんど消費されるまで行われる。したがって、その反応時間は特に限定されないが、通常30分〜8時間程度である。ピラゾール系化合物(I)の消失は、例えば高速液体クロマトグラフィー分析の結果、該化合物(I)が検出限界以下となったことを確認することにより行う。一方、エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)の消失は、例えばIR測定の結果、NCO基に基づく吸収が検出限界以下となったことを確認することにより行う。なお、この反応時間には、ピラゾール系化合物(I)および/またはエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)を滴下などにより添加する時間も含まれる。
本発明の製造方法においては、エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)に対して、ピラゾール系化合物(I)を0.5〜2.0倍モル、好ましくは0.8〜1.5倍モル、さらに好ましくは1.0〜1.2倍モルとなる量で用いることが望ましい。これら化合物の反応比率は、理論的には1:1(モル比)であるが、上記範囲のモル比となるように添加することにより反応を円滑に進行させることができる。本発明のブロックイソシアネート化合物の製造方法は、上記範囲の温度で反応が行われるため、原料であるピラゾール系化合物(I)の昇華が起き難く、従来のように原料を過剰に使用する必要がない。したがって、効率良くブロックイソシアネート化合物を得ることができ、未反応の原料化合物(I)、(II)がほとんど残留していない。
また、反応系には、重合禁止剤を添加しておくことも好ましい。重合禁止剤は、遊離基重合反応において単量体から生じた遊離基とすみやかに反応するため、遊離基による重合反応が進行しないように安定化させることができる。
重合禁止剤としては、フェノチアジン、p−メトキシフェノール、2,6−ジターシャリーブチル−4−メチルフェノール(BHT)など、一般的に使用されているものを用いることができる。重合禁止剤の投入方法は特に制限されるものではないが、例えば、ピラゾール系化合物(I)とともに反応器内へ投入する方法、エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)に溶解させ、反応器内へ投入する方法、ピラゾール系化合物(I)およびエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)の両方に添加し、それぞれ反応器内へ投入する方法、さらに反応終了後、生成したブロックイソシアネート化合物(III)へ投入する方法などを挙げることができる。エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)同士を重合させることなくブロックイソシアネート化合物(III)を製造するためには、重合禁止剤の存在下で、ピラゾール系化合物(I)とエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)とを反応させることが好ましい。
重合禁止剤の使用量は、ピラゾール系化合物(I)およびエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)の種類によって異なるが、該化合物(I)と化合物(II)との反応により得られるブロックイソシアネート化合物(III)に対し、通常10〜20000ppm、好ましくは50〜10000ppm、さらに好ましくは100〜5000ppmの量となるように使用されることが望ましい。なお、この重合禁止剤を10ppm未満となる量で用いると、ブロックイソシアネート化合物(III)を製造する際に、エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)のエチレン性不飽和基が重合するおそれがある。また、重合禁止剤を20000ppmを超える量で用いると、ブロックイソシアネート化合物(III)が有する、エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)由来のエチレン性不飽和基の反応性が悪くなる傾向がある。
本発明の一般式(III)で示されるブロックイソシアネート化合物(III)は、上述の方法により製造することができるが、このブロックイソシアネート化合物(III)を溶媒ま
たは分散媒として使用し、該媒体中で、さらにブロックイソシアネート化合物(III)を調製することも好ましい。
ブロックイソシアネート化合物(III)を溶媒または分散媒として使用することにより、攪拌効率が良くなり、化合物(I)と化合物(II)との反応を円滑に進行させることができる。さらに反応温度が比較的低温となるため、原料であるピラゾール系化合物(I)の昇華が起き難くなり、原料を過剰に使用しなくても反応を完結させることができ、効率良くブロックイソシアネート化合物が得られる。また、副生物がほとんど生成しないため、ブロックイソシアネート化合物を高純度で得ることができる。さらに、従来のようにトルエンやキシレンなどの不活性溶媒を用いる必要がないため、人体や環境への安全性に優れるとともに、製造工程や製造設備を簡易なものとすることができる。
ブロックイソシアネート化合物(III)を溶媒または分散媒として使用して、該化合物(III)を製造する方法としては、例えば、
(1)ブロックイソシアネート化合物(III)と、ピラゾール系化合物(I)とを反応器内へ仕込み、該ピラゾール系化合物(I)を溶解または分散させ、次いで、エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)を反応器へ添加し、化合物(I)および(II)を反応させる方法、
(2)ピラゾール系化合物(I)を反応器内へ仕込み、次いで、ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散されたエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)を反応器へ添加し、化合物(I)および(II)を反応させる方法、
(3)ブロックイソシアネート化合物(III)と、ピラゾール系化合物(I)とを反応器内へ仕込み、該ピラゾール系化合物(I)を溶解または分散させ、次いで、ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散されたエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)を反応器へ添加し、化合物(I)および(II)を反応させる方法、
(4)ブロックイソシアネート化合物(III)と、エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)とを反応器内へ仕込み、エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)を溶解または分散させ、次いで、ピラゾール系化合物(I)を反応器へ添加し、化合物(I)および(II)を反応させる方法、
(5)エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)を反応器内へ仕込み、次いで、ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散されたピラゾール系化合物(I)を反応器へ添加し、化合物(I)および(II)を反応させる方法、
(6)ブロックイソシアネート化合物(III)と、エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)とを反応器内へ仕込み、該エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)を溶解または分散させ、次いで、ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散されたピラゾール系化合物(I)を反応器へ添加し、化合物(I)および(II)を反応させる方法、
(7)ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散された前記ピラゾール系化合物(I)と、ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散されたエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)とを、反応器内へ同時に添加し、化合物(I)および(II)を反応させる方法、などによりブロックイソシアネート化合物(III)を製造することができる。
このような(1)〜(7)の方法で製造することにより、原料の流動性がよくなり、実生産規模であっても容易に原料を移送することができ、反応を円滑に進めることができる。これらのうち、上記(1),(6),(7)に記載の方法が特に好ましい。
なお、ブロックイソシアネート化合物(III)を溶媒または分散媒として用いる場合には、該化合物(III)を調製する際に用いられたものと同一のピラゾール系化合物(I)とエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)とを用いることが好ましい。
ブロックイソシアネート化合物(III)を溶媒または分散媒として使用する場合、該化合物(III)の使用量に特に制限はないが、ピラゾール系化合物(I)に対して、0.01〜50倍モル、好ましくは、0.01〜10倍モル、さらに好ましくは、0.01〜5倍モルとなる量で用いることが望ましい。使用する量が0.01倍モル未満であると、反応には何ら問題は生じないが、溶媒または分散媒としての効果が期待されず、例えば反応速度が遅くなることが考えられる。一方、使用する量が50倍モルを超えると、反応には何ら問題は生じないが、生産性が低下することがある。
また、ブロックイソシアネート化合物(III)を溶媒または分散媒として使用する場合においても、該化合物(III)を溶媒または分散媒として使用する以外は、上記の製造方法と同一の条件で反応を行う。
上述のような本発明の製造方法により、本発明の一般式(III)
Figure 2006151967
(式中、R1、R2、Q1、Q2は、上記式と同一である。)で表わされるブロックイソシアネート化合物(III)が得られる。
なお、本発明のブロックイソシアネート化合物(III)には、未反応の原料などの不純物が少量含まれていてもよく、後述する重合禁止剤が残っていてもよい。また、これらを通常の方法により除去し精製してもよい。
本発明のブロックイソシアネート化合物(III)の製造方法においては、上記の温度で反応を進行させているため、ピラゾール系化合物(I)がほとんど昇華することがなく反応が円滑に進行する。したがって、本発明によれば、未反応の前記ピラゾール系化合物(I)を含有していないか、あるいは3重量%以下の量で、または未反応のエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)を1000ppm以下の量で含有するに過ぎない、高純度のブロックイソシアネート化合物(III)を得ることができる。
また、本発明のブロックイソシアネート化合物(III)は、その製造方法においてトルエンやキシレンなどの不活性溶媒が使用されていないため、溶媒が残留していない。したがって、ブロックイソシアネート化合物(III)を各種コーティング剤、接着剤、成形材料の原料モノマーなどとして好適に使用することができる。
[実施例]
以下、実施例及び比較例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの記載により何らの限定を受けるものではない。なお、実施例で行った測定方法は以下の通りである。
<測定方法>
・赤外線吸収スペクトル測定(以下、IRスペクトル測定)
機器:日本分光社製 赤外分光光度計 FT/IR−8000
分析方法:透過法(KBr板使用)
・高速液体クロマトグラフィー分析(1)(以下、LC分析(1))
カラム:Shodex シリカ C18M 4E
検出器:日本分光社製 875−UV UV220nm
溶離液:水/アセトニトリル=65/35
ポンプ:Shodex DS−4
流速:1ml/min
インテグレーター:島津社製 C−R8A
オーブン:Shodex AO−50 45℃
サンプル調製:10mlメスフラスコにサンプルを約0.1g測りとり、溶離液でメスアップ
・高速液体クロマトグラフィー分析(2)(以下、LC分析(2))
カラム:Shodex シリカ SIL 10B
検出器:Shodex UV−41 UV254nm
溶離液:n−ヘキサン/酢酸エチル=7/3
ポンプ:Shodex DS−4
流速:0.6ml/min
インテグレーター:島津社製 C−R7Aplus
オーブン:Shodex AO−50 40℃
サンプル調製:10mlメスフラスコにサンプルを約0.1g測りとり、溶離液でメスアップ
・ガスクロマトグラフィー分析(以下、GC分析)
分析機器:HP社製 HP6850
カラム:J&W社製 DB−1 30m×0.32mm×1μm
カラム温度:70℃ 10℃/min 250℃まで昇温 18分ホールド
インテグレーター:HP3396
インジェクション温度:250℃
ディテクター温度:300℃ FID
検出器:FID H2 40ml/min Air 400ml/min
キャリアーガス:He 30ml/min
・核磁気共鳴スペクトル測定(以下、NMR測定)
機器:日本電子社製 JNM−400
溶媒:CDCl3
(実施例1)
攪拌機、温度計、滴下ロート、還流冷却器を備えた100ml容量の四つ口フラスコに、窒素雰囲気下、3,5−ジメチルピラゾール(日本ヒドラジン工業(株)社製、純度99%、以下同じ)19.81g(0.204モル)と、BHT(東京化成工業(株)社製
純度99%、以下同じ)0.2g(0.84ミリモル)とを仕込み、攪拌しながら、15℃の水浴で冷却した。次いで、滴下ロートから、2−イソシアナトエチルメタクリレート(昭和電工(株)社製、カレンズMOI、以下同じ)31.03g(0.2モル)を90分間かけて滴下した。滴下により内部の温度が15℃から40℃へ変化した。滴下終了後、水浴で温度コントロールを行いながら、内部温度30℃から40℃の温度範囲で1時間攪拌を継続した。反応系内から少量のサンプルを採取し、IRスペクトル測定を行った結果、NCO基に基づく2270cm-1付近の吸収が検出限界以下になり、C=O基に基づく1720〜1750cm-1の吸収が観測されたので反応を終了した。室温まで冷却し、淡黄色透明の液体生成物を51.1g得た。1H-NMR測定により、次式に示されるブロックイソシアネート化合物の生成が確認された。1H-NMRスペクトルを図1に示す。LC分析(1)の結果、3,5−ジメチルピラゾールの含有量は0.76重量%であった。また、GC分析の結果、BHTの含有量は4400ppmであった。
Figure 2006151967
(実施例2)
攪拌機、温度計、滴下ロート、還流冷却器を備えた100ml容量の四つ口フラスコに、実施例1の方法で合成されたブロックイソシアネート化合物 17.09g(0.068モル)と、3,5−ジメチルピラゾール 19.81g(0.204モル)と、BHT 0.2g(0.84ミリモル)とを仕込み、室温で1時間攪拌した。次いで、滴下ロートから、2−イソシアナトエチルメタクリレート 31.03g(0.2モル)を90分間かけて滴下した。滴下により内部の温度が25℃から40℃へ変化した。滴下終了後、水浴で温度コントロールを行いながら、内部温度30℃から40℃の温度範囲で1時間攪拌を継続した。反応系内から少量のサンプルを採取し、IRスペクトル測定を行った結果、NCO基に基づく2270cm-1付近の吸収が検出限界以下になり、C=O基に基づく1720〜1750cm-1の吸収が観察されたので反応を終了した。室温まで冷却し、淡黄色透明の液体生成物を67.9g得た。1H-NMR測定により、実施例1と同様のブロックイソシアネート化合物の生成が確認された。LC分析(1)の結果、3,5−ジメチルピラゾールの含有量は0.76重量%であった。また、GC分析の結果BHTの含有量は4400ppmであった。
(実施例3)
100ml容量のフラスコ内に、実施例1の方法で合成されたブロックイソシアネート化合物 17.09g(0.068モル)と、2−イソシアナトエチルメタクリレート 31.03g(0.2モル)とを仕込み、室温で1時間攪拌して溶液Aを調製した。攪拌器、温度計、滴下ロート、還流冷却器を備えた100ml容量の四つ口フラスコに、3,5−ジメチルピラゾール 19.81g(0.204モル)およびBHT 0.2g(0.84ミリモル)を仕込み、攪拌下、室温で溶液Aを滴下ロートから90分かけて滴下した。滴下により内部の温度上昇が観察された。内部温度は25℃から40℃へ変化した。滴下終了後、水浴で温度コントロールを行い、内部温度が30℃から40℃の温度範囲で1時間攪拌を継続した。反応系内から少量のサンプルを採取し、IRスペクトル測定を行った。測定の結果、NCO基に基づく2270cm-1付近の吸収が検出限界以下になり、C=O基に基づく1720〜1750cm-1の吸収が観察されたので反応を終了した。室温まで冷却し、淡黄色透明の液体生成物を68.0g得た。1H−NMR測定により、実施例1と同様のブロックイソシアネート化合物の生成が確認された。LC分析(1)の結果、3,5−ジメチルピラゾールの含有量は0.76重量%であった。また、GC分析の結果BHTの含有量は4400ppmであった。
(実施例4)
1L容量のフラスコに、実施例1の方法で合成されたブロックイソシアネート化合物 768.97g(3.06モル)と、2−イソシアナトエチルメタクリレート 31.03g(0.2モル)とを仕込み、室温で1時間攪拌して溶液Aを調製した。攪拌器、温度計、滴下ロート、還流冷却器を備えた2000mlの四つ口フラスコに、実施例1の方法で合成されたブロックイソシアネート化合物 768.97g(3.06モル)と、3,5−ジメチルピラゾール 19.81g(0.204モル)と、BHT 0.2g(0.84ミリモル)とを仕込み、室温で1時間攪拌した。次いで、滴下ロートから溶液Aを3時
間かけて滴下した。内部温度は25℃から40℃へ変化した。滴下終了後、水浴で温度コントロールを行い、内部温度が30℃から40℃の温度範囲で1時間攪拌を継続した。反応系内から少量のサンプルを採取し、IRスペクトル測定を行った。測定の結果、NCO基に基づく2270cm-1付近の吸収が検出限界以下になり、C=O基に基づく1720〜1750cm-1の吸収が観察されたので反応を終了した。室温まで冷却し、淡黄色透明の液体生成物を1588.5g得た。1H−NMR測定により、実施例1と同様のブロックイソシアネート化合物の生成が確認された。LC分析(1)の結果、3,5−ジメチルピラゾールの含有量は0.76重量%であった。また、GC分析の結果BHTの含有量は4400ppmであった。
(実施例5)
攪拌器、温度計、滴下ロート、還流冷却器を備えた100ml容量の四つ口フラスコに、実施例1の方法で合成されたブロックイソシアネート化合物 17.09g(0.068モル)と、2−イソシアナトエチルメタクリレート 31.03g(0.2モル)と、BHT 0.2g(0.84ミリモル)とを仕込み、室温で1時間攪拌した。次いで、3,5−ジメチルピラゾール 19.81g(0.204モル)を少量ずつ90分間かけてフラスコ内に投入した。3,5−ジメチルピラゾールの投入により内部の温度上昇が観察された。内部温度は25℃から40℃へ変化した。滴下終了後、水浴で温度コントロールを行い、内部温度が30℃から40℃の温度範囲で1時間攪拌を継続した。反応系内から少量のサンプルを採取し、IRスペクトル測定を行った。測定の結果、NCO基に基づく2270cm-1付近の吸収が検出限界以下になり、C=O基に基づく1720〜1750cm-1の吸収が観察されたので反応を終了した。室温まで冷却し、淡黄色透明の液体生成物を67.9g得た。1H−NMR測定により、実施例1と同様のブロックイソシアネート化合物の生成が確認された。LC分析(1)の結果、3,5−ジメチルピラゾールの含有量は0.76重量%であった。また、GC分析の結果BHTの含有量は4400ppmであった。
(実施例6)
攪拌機、温度計、滴下ロート、還流冷却器を備えた100ml容量の四つ口フラスコに、2−イソシアナトエチルメタクリレート 31.03g(0.2モル)およびBHT 0.3gを仕込み、50℃の水浴で加温しながら1時間攪拌した。次に、別の容器で、実施例1の方法で合成されたブロックイソシアネート化合物 256.32g(1.02モル)と、3,5−ジメチルピラゾール 19.81g(0.204モル)とを室温で1時間攪拌してスラリーを調製し、このスラリーを、プランジャーポンプを使用して120分間かけてフラスコ内に投入した。投入により内部の温度が50℃から60℃へ変化した。投入終了後、水浴で温度コントロールを行いながら、内部温度が50℃から55℃の温度範囲で1時間攪拌を継続した。反応系内から少量のサンプルを採取し、IRスペクトル測定を行った結果、NCO基に基づく2270cm-1付近の吸収が検出限界以下になり、C=O基に基づく1720〜1750cm-1の吸収が観察されたので反応を終了した。室温まで冷却し、淡黄色透明の液体生成物を307.3g得た。1H-NMR測定により、実施例1と同様のブロックイソシアネート化合物の生成が確認された。LC分析(1)の結果、3,5−ジメチルピラゾールの含有量は0.76重量%であった。また、GC分析の結果BHTの含有量は4400ppmであった。
(実施例7)
1L容量のフラスコに、実施例1の方法で合成されたブロックイソシアネート化合物 768.97g(3.06モル)と、3,5−ジメチルピラゾール 19.81g(0.204モル)とを、室温で1時間攪拌しスラリー溶液Aを調製した。攪拌器、温度計、滴下ロート、還流冷却器を備えた2000mlの四つ口フラスコに、実施例1の方法で合成されたブロックイソシアネート化合物 768.97g(3.06モル)と、2−イソシ
アナトエチルメタクリレート 31.03g(0.2モル)と、BHT 0.2g(0.84ミリモル)とを仕込み、室温で1時間攪拌した。次いで、スラリー溶液Aをプランジャーポンプを使用して3時間かけて四つ口フラスコ内に投入した。内部温度は25℃から40℃へ変化した。滴下終了後、水浴で温度コントロールを行い、内部温度が30℃から40℃の温度範囲で1時間攪拌を継続した。反応系内から少量のサンプルを採取し、IRスペクトル測定を行った。測定の結果、NCO基に基づく2270cm-1付近の吸収が検出限界以下になり、C=O基に基づく1720〜1750cm-1の吸収が観察されたので反応を終了した。室温まで冷却し、淡黄色透明の液体生成物を1588.5g得た。1H−NMR測定により、実施例1と同様のブロックイソシアネート化合物の生成が確認された。LC分析(1)の結果、3,5−ジメチルピラゾールの含有量は0.76重量%であった。また、GC分析の結果BHTの含有量は4400ppmであった。
(実施例8)
1L容量のフラスコに、実施例1の方法で合成されたブロックイソシアネート化合物 768.97g(3.06モル)と、3,5−ジメチルピラゾール 19.81g(0.204モル)とを仕込み、室温で1時間攪拌してスラリー液Aを調製した。別の1L容量のフラスコに、実施例1の方法で合成されたブロックイソシアネート化合物 768.94g(3.06モル)と、2−イソシアナトエチルメタクリレート 31.03g(0.2モル)とを仕込み、室温で1時間攪拌して溶液Bを調製した。攪拌機、温度計、滴下ロート、還流冷却器を備えた2000ml容量の四つ口フラスコに、BHT 0.2g(0.84ミリモル)を仕込んだ。攪拌下、室温でスラリー溶液Aと溶液Bとを3時間かけて同時に四つ口フラスコ内に滴下した。滴下により内部の温度が25℃から30℃へ変化した。滴下終了後、水浴で温度コントロールを行いながら、内部温度30℃から40℃の温度範囲で1時間攪拌を継続した。反応系内から少量のサンプルを採取し、IRスペクトル測定を行った結果、NCO基に基づく2270cm-1付近の吸収が検出限界以下になり、C=O基に基づく1720〜1750cm-1の吸収が観察されたので反応を終了した。室温まで冷却し、淡黄色透明の液体生成物を1588.5g得た。1H-NMR測定により、実施例1と同様のブロックイソシアネート化合物の生成が確認された。LC分析(1)の結果、3,5−ジメチルピラゾールの含有量は0.76重量%であった。また、GC分析の結果BHTの含有量は4400ppmであった。
(実施例9)
攪拌機、温度計、滴下ロート、還流冷却器を備えた100ml容量の四つ口フラスコに、窒素雰囲気下、3,5−ジメチルピラゾール 29.13g(0.300モル)およびBHT 0.6g(2.54ミリモル)を仕込み、攪拌しながら15℃の水浴で冷却した。次いで、滴下ロートから2−イソシアナトエチルメタクリレート 31.03g(0.2モル)を90分間かけて滴下した。滴下により内部の温度が15℃から40℃へ変化した。滴下終了後、水浴で温度コントロールを行いながら、内部温度が30℃から40℃の温度範囲で1時間攪拌を継続した。反応系内から少量のサンプルを採取し、IRスペクトル測定を行った結果、NCO基に基づく2270cm-1付近の吸収が検出限界以下になり、C=O基に基づく1720〜1750cm-1の吸収が観測されたので反応を終了した。室温まで冷却し、淡黄色透明の液体生成物を51.1g得た。1H-NMR測定により、実施例1と同様のブロックイソシアネート化合物の生成が確認された。LC分析(1)の結果、3,5−ジメチルピラゾールの含有量は15.8重量%であった。また、GC分析の結果BHTの含有量は10350ppmであった。
(実施例10)
攪拌機、温度計、滴下ロート、還流冷却器を備えた1000ml容量の四つ口フラスコに、実施例1の方法で合成されたブロックイソシアネート化合物 753.84g(3.00モル)と、3,5−ジメチルピラゾール 29.13g(0.300モル)と、BHT
0.6g(2.54ミリモル)とを仕込み、水浴で内部温度が80℃になるように調整しながら1時間攪拌した。次いで、滴下ロートから2−イソシアナトエチルメタクリレート31.03g(0.2モル)を90分間かけて滴下した。滴下により内部の温度が80℃から83℃へ変化した。滴下終了後、水浴で温度コントロールを行いながら、内部温度が30℃から40℃の温度範囲で1時間攪拌を継続した。反応系内から少量のサンプルを採取し、IRスペクトル測定を行った結果、NCO基に基づく2270cm-1付近の吸収が検出限界以下になり、C=O基に基づく1720〜1750cm-1の吸収が観察されたので反応を終了した。室温まで冷却し、淡黄色透明の液体生成物を814.6g得た。1H-NMR測定により、実施例1と同様のブロックイソシアネート化合物の生成が確認された。LC分析(1)の結果、3,5−ジメチルピラゾールの含有量は15.8重量%であった。また、GC分析の結果BHTの含有量は10350ppmであった。
(実施例11)
攪拌機、温度計、滴下ロート、還流冷却器を備えた100ml容量の四つ口フラスコに、窒素雰囲気下、3,5−ジメチルピラゾール 19.81g(0.204モル)およびp−メトキシフェノール 0.005g(0.04ミリモル)を仕込み、攪拌しながら15℃の水浴で冷却した。次いで、滴下ロートから2−イソシアナトエチルアクリレート 28.23g(0.2モル)を90分間かけて滴下した。滴下により内部の温度が15℃から40℃へ変化した。滴下終了後、水浴で温度コントロールを行いながら、内部温度が30℃から40℃の温度範囲で1時間攪拌を継続した。反応系内から少量のサンプルを採取し、IRスペクトル測定を行った結果、NCO基に基づく2270cm-1付近の吸収が検出限界以下になり、C=O基に基づく1720〜1750cm-1の吸収が観測されたので反応を終了した。室温まで冷却し、淡黄色透明の液体生成物を48.0g得た。1H-NMR測定により、次式に示されるブロックイソシアネート化合物の生成が確認された。LC分析(1)の結果、3,5−ジメチルピラゾールの含有量は0.78重量%であった。また、GC分析の結果p−メトキシフェノールの含有量は100ppmであった。
Figure 2006151967
(実施例12)
攪拌機、温度計、滴下ロート、還流冷却器を備えた100ml容量の四つ口フラスコに、窒素雰囲気下、実施例11で合成したブロックイソシアネート化合物 16.13gと、3,5−ジメチルピラゾール 19.81g(0.204モル)と、p−メトキシフェノール 0.005g(0.04ミリモル)とを仕込み、攪拌しながら15℃の水浴で冷却した。予め、2−イソシアナトエチルアクリレート 28.23g(0.2モル)と、p-メトキシフェノール 0.005g(0.04ミリモル)とを混合した溶液を調製しておき、この溶液を滴下ロートから90分間かけて滴下した。滴下により内部の温度が15℃から40℃へ変化した。滴下終了後、水浴で温度コントロールを行いながら、内部温度が30℃から40℃の温度範囲で1時間攪拌を継続した。反応系内から少量のサンプルを採取し、IRスペクトル測定を行った結果、NCO基に基づく2270cm-1付近の吸収が検出限界以下になり、C=O基に基づく1720〜1750cm-1の吸収が観測されたので反応を終了した。室温まで冷却し、淡黄色透明の液体生成物を61.1g得た。1H-NMR測定により、実施例11と同様のブロックイソシアネート化合物の生成が確認され
た。LC分析(1)の結果、3,5−ジメチルピラゾールの含有量は0.79重量%であった。また、GC分析の結果4−メトキシフェノールの含有量は1000ppmであった。
(実施例13)
2−イソシアナトエチルメタクリレートの代わりにメタクリロイルイソシアネート 22.22g(0.2モル)を用いた以外は実施例1と同様に反応させ、NCO基に基づく2270cm-1付近の吸収が検出限界以下になり、C=O基に基づく1720〜1750cm-1の吸収が観測されたので反応を終了した。室温まで冷却し、淡黄色透明の液体生成物を42.0g得た。1H-NMR測定により、次式に示されるブロックイソシアネート化合物の生成が確認された。LC分析(1)の結果、3,5−ジメチルピラゾールの含有量は0.92重量%であった。また、GC分析の結果BHTの含有量は5000ppmであった。
Figure 2006151967
(実施例14)
3,5−ジメチルピラゾールの代わりにピラゾール−3,5−ジカルボン酸ジエチルエステル 43.3g(0.202モル)を用いた以外は実施例1と同様に反応させ、NCO基に基づく2270cm-1付近の吸収が検出限界以下になり、C=O基に基づく1720〜1750cm-1の吸収が観測されたので反応を終了した。室温まで冷却し、淡黄色透明の液体生成物を74.3g得た。1H-NMR測定により、次式に示されるブロックイソシアネート化合物の生成が確認された。LC分析(1)の結果、ピラゾール−3,5−ジカルボン酸ジエチルエステルの含有量は0.57重量%であった。また、GC分析の結果BHTの含有量は13000ppmであった。
Figure 2006151967
(実施例15)
攪拌器、温度計、滴下ロート、還流冷却器を備えた100ml容量の四つ口フラスコに、実施例1の方法で合成されたブロックイソシアネート化合物 16.75g(0.067モル)と、3,5−ジメチルピラゾール 19.42g(0.200モル)と、BHT 0.2g(0.84ミリモル)とを仕込み、室温で1時間攪拌した。次いで、滴下ロートから、2−イソシアナトエチルメタクリレート 31.03g(0.2モル)を90分間かけてフラスコ内に滴下した。滴下により内部の温度上昇が観察された。内部温度は25℃から40℃へ変化した。滴下終了後、水浴で温度コントロールを行い、内部温度が30℃から40℃の温度範囲で1時間攪拌を継続した。反応系内から少量のサンプルを採取し
、LC分析(1)を行った。分析の結果、3,5−ジメチルピラゾールは検出限界以下であったので反応を終了し室温まで冷却した。また、IRスペクトル測定を行った結果、NCO基に基づく2270cm-1付近の吸収が僅かに検出され、C=O基に基づく1720〜1750cm-1の吸収が観察された。室温で淡黄色透明の液体生成物を67.9g得た。1H−NMR測定により、実施例1と同様のブロックイソシアネート化合物の生成が確認された。LC分析(2)の結果、2−イソシアナトエチルメタクリレートの含有量は900ppmであった。また、GC分析の結果BHTの含有量は4440ppmであった。
図1は、実施例1で得られたブロックイソシアネート化合物の1H-NMRスペクトルを示す。

Claims (16)

  1. 一般式(I)
    Figure 2006151967
    〔式中、Q1およびQ2はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、RCONH−、またはROCO−(Rは炭素数1〜6のアルキル基である)を表わす〕で示されるピラゾール系化合物(I)と、
    一般式(II)
    Figure 2006151967
    〔式中、R1は水素原子またはメチル基を表わし、R2は−CO−、−COOR3−(R3は、炭素数2〜6のアルキレン基である)を表わす〕で示されるエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)とを、
    0℃〜90℃の温度範囲で反応させることを特徴とする一般式(III)で示されるブロックイソシアネート化合物の製造方法。
    Figure 2006151967
    (式中、R1、R2、Q1、Q2は、上記式と同一である。)
  2. 一般式(III)で示されるブロックイソシアネート化合物(III)を溶媒または分散媒として用いることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
  3. 前記ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散された前記ピラゾール系化合物(I)に、前記エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)を添加することを特徴とする請求項2に記載の製造方法。
  4. 前記ピラゾール系化合物(I)に、前記ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散されたエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)を添加することを特徴とする請求項2に記載の製造方法。
  5. 前記ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散された前記ピラゾール系
    化合物(I)に、前記ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散されたエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)を添加することを特徴とする請求項2に記載の製造方法。
  6. 前記ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散されたエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)に、前記ピラゾール系化合物(I)を添加することを特徴とする請求項2に記載の製造方法。
  7. 前記エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)に、前記ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散された前記ピラゾール系化合物(I)を添加することを特徴とする請求項2に記載の製造方法。
  8. 前記ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散されたエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)に、前記ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散された前記ピラゾール系化合物(I)を添加することを特徴とする請求項2に記載の製造方法。
  9. 前記ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散された前記ピラゾール系化合物(I)と、前記ブロックイソシアネート化合物(III)に溶解または分散されたエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)とを、反応器内へ同時に添加することを特徴とする請求項2に記載の製造方法。
  10. 1およびQ2が炭素数1〜5のアルキル基である請求項1〜9のいずれかに記載の製造方法。
  11. 2が−COOR3−(R3は、炭素数2〜6のアルキレン基である)である請求項1〜10のいずれかに記載の製造方法。
  12. 重合禁止剤の存在下で、前記ピラゾール系化合物(I)と前記エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)とを反応させることを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載の製造方法。
  13. 前記重合禁止剤を、ブロックイソシアネート化合物(III)に対し10〜20000ppmの量となるように用いることを特徴とする請求項12に記載の製造方法。
  14. 前記エチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)に対して前記ピラゾール系化合物(I)を0.5〜2.0倍モル量で反応させることを特徴とする請求項1〜13のいずれかに記載の製造方法。
  15. 未反応のエチレン性不飽和基含有イソシアネート化合物(II)を1000ppm以下の量で含有していることを特徴とする請求項1〜14のいずれかに記載の製造方法で得られたブロックイソシアネート化合物。
  16. 未反応のピラゾール系化合物(I)を含有していないか、あるいは3重量%以下の量で含有していることを特徴とする請求項1〜14のいずれかに記載の製造方法で得られたブロックイソシアネート化合物。
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