JP2006148099A - エッチング終点の検出方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 正確性（検出精度）が向上されたエッチング終点の検出方法を提供する。
【解決手段】 本発明によるエッチング終点の検出方法は、(a)エッチング対象物１２０のパターン領域上にマスク１３２を形成する過程と、(b)マスク１３２によりカバーされなかった前記エッチング対象物１２０のエッチング領域上に少なくとも一つのエッチング表示子１３４，１３６を供給する過程と、(c)マスク１３２を使用して前記エッチング対象物１２０をエッチングする過程と、(d) 前記エッチング表示子１３４，１３６の存在の有無によって、マスク１３２によりカバーされた残留対象物のサイズを判定する過程と、を含む。
【選択図】 図３
【解決手段】 本発明によるエッチング終点の検出方法は、(a)エッチング対象物１２０のパターン領域上にマスク１３２を形成する過程と、(b)マスク１３２によりカバーされなかった前記エッチング対象物１２０のエッチング領域上に少なくとも一つのエッチング表示子１３４，１３６を供給する過程と、(c)マスク１３２を使用して前記エッチング対象物１２０をエッチングする過程と、(d) 前記エッチング表示子１３４，１３６の存在の有無によって、マスク１３２によりカバーされた残留対象物のサイズを判定する過程と、を含む。
【選択図】 図３
Description
本発明は、半導体素子を製造するための一連の工程の中の一の工程であるエッチング工程(ｅｔｃｈｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ)に関し、特に、エッチング終点(ｅｎｄ−ｐｏｉｎｔ ｏｆ ｅｔｃｈｉｎｇ)を検出するための方法に関する。より詳しくは、本発明は、マスク(ｍａｓｋ)を使用して所望のパターン(ｐａｔｔｅｒｎ)を作るように対象物をエッチングする工程において、マスクによりカバーされた残留対象物(ｒｅｍａｉｎｉｎｇ ｏｂｊｅｃｔ)のサイズが目標サイズ(ｔａｒｇｅｔ ｓｉｚｅ)に到逹する時点であるエッチング終点を検出（ないし検知）するための方法に関する。
半導体素子の一種であるレーザーダイオード(ｌａｓｅｒ ｄｉｏｄｅ)は、レーザーが発振する狭い幅の活性層(ａｃｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ)を有している。このような活性層は、有機金属化学蒸着法(ＭＯＣＶＤ:ｍｅｔａｌｌ−ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ)または分子ビーム蒸着法(ＭＢＥ：ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ)を用いて、ウェハー(ｗａｆｅｒ)上に多量子井戸(ＭＱＷ：ｍｕｌｔｉ−ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ)を成長させることによって形成される。
以下に、レーザーダイオードの活性層を製作する方法について説明する。
まず、第１段階では、ｎ＋タイプの半導体基板上に有機金属化学蒸着法あるいは分子ビーム蒸着法を用いて活性層を成長させ、その活性層上に、電流供給のためのｐ＋タイプの半導体クラッド(ｃｌａｄ)を積層する。
次の第２段階では、マスクを形成するために、クラッド上にＳｉＯ２やＳｉＮｘのような誘電体材質のマスク層(ｍａｓｋ ｌａｙｅｒ)を積層する。
続く第３段階では、写真エッチング工程(ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ)を使用して、予め設定された矩形のパターンを示すようにマスク層をエッチングすることにより、マスク(すなわちパターニング(ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ)されたマスク層)を形成する。
さらに、次の第４段階では、そのマスクを使用して予め設定された矩形パターンを示すように、活性層及びクラッドを乾式エッチングまたは湿式エッチングする。一般的に、マスクによりカバーされた活性層の残留幅（以下、残留している活性層を「残留活性層」ともいう。）は、単一モード(ｓｉｎｇｌｅ ｍｏｄｅ)を維持することができるように１〜１.６μｍの範囲とされ、また、光ファイバーとの整列を容易にするために、残留活性層の端部にスポットサイズ変換領域(ｓｐｏｔ ｓｉｚｅ ｃｏｎｖｅｒｔｉｎｇ ｒｅｇｉｏｎ)を形成する場合には、スポットサイズ変換領域の幅は、０.４〜０.６μｍの範囲とされる。
一方、他の方法としては、マスクを活性層上に形成し、活性層のエッチング過程が完了した後にクラッドを積層することもできる。
このような活性層のエッチング過程においては、エッチング速度が一定ではなく、また、クラッド(または活性層)とマスクとの界面(ｉｎｔｅｒｆａｃｅ)状態が均一（uniform）ではないので、仮に同一のマスクを使用した場合であっても、一定時間エッチングした後に得られる残留活性層の幅は、均一ではない。したがって、従来の一般的な方法としては、エッチングの時間を（本来必要な時間よりも）短くし、残留活性層の幅とマスクの幅を顕微鏡で観察して、所望の目標サイズまでエッチングされたか否かを確認する必要があり、ここで、残留活性層の幅が目標サイズよりも広く形成されている場合には、追加的にエッチングする必要がある。
レーザー発振と遠視野像(ＦＦＰ：ｆａｒ ｆｉｅｌｄ ｐａｔｔｅｒｎ)の特性を予測するために、残留活性層に対してコンピュータ・シミュレーション実験を実施した結果では、所望の特性を得ることができる残留活性層の幅についての公差は、±０.１μｍ程度である。しかしながら、可視光線を使用する光学顕微鏡を用いて残留活性層の幅を観察する場合には、実質的に０.２μｍ以下の差を識別するのは難しいため、残留活性層の幅を正確に把握することは困難である。このような理由により、レーザーダイオード素子を製作した場合には、レーザー発振特性及び遠視野像が希望のものとは異なった結果になってしまう場合が多かった。
このように、従来の光学顕微鏡を用いたエッチング終点の検出方法は、正確性に乏しい（すなわち精度が低い）という問題点があった。したがって、正確性（検出の精度）が一層向上された新たなエッチング終点の検出方法が要求されている。
本発明は、上述したような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、従来よりも精度が向上されたエッチング終点の検出方法を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明によるエッチング終点の検出方法は、(a) エッチング対象物のパターン領域上にマスクを形成する過程と、(b) 前記マスクによりカバーされなかった前記エッチング対象物のエッチング領域上に、少なくとも一つのエッチング表示子（etching indicator）を供給する過程と、(c) 前記マスクを使用して前記エッチング対象物をエッチングする過程と、(d) 前記エッチング表示子の存在の有無によって、前記マスクによりカバーされた残留対象物のサイズを判定する過程と、を含む。
本発明によれば、エッチング終点の検出方法において、顕微鏡または肉眼で観察可能なエッチング表示子を使用して、従来よりも正確性（検出精度）を向上させることが可能となる。
また、本発明によるエッチング終点の検出方法をレーザーダイオードのような光半導体チップに適用する場合には、チップにエッチング表示子を集積してチップを完成した後に、チップをカットすることなく光学顕微鏡を使用して、チップ表面のエッチング表示子によって発光点の幅を正確に把握でき、必要あれば、発光点の幅によってチップを区別することができる利点が得られる。
以下、本発明の望ましい実施形態を添付図面を参照して詳細に説明する。以下の説明において、同一の構成要素については出来るだけ同一の参照番号及び参照符号を使用する。また、明瞭性と簡潔性の観点より、本発明に関連した公知機能や構成に関する具体的な説明が本発明の要旨を不明瞭にすると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。
図１乃至図５は、本発明の好ましい第１の実施形態によるチップ(ｃｈｉｐ)単位のエッチング終点の検出方法について説明するための図である。エッチング終点の検出方法は、エッチング表示子(ｅｔｃｈｉｎｇ ｉｎｄｉｃａｔｏｒ)を形成する過程と、エッチング表示子を使用してエッチング終点を検出する過程と、を含む。
図１乃至図３は、エッチング表示子を形成する過程について説明するための図である。
図１を参照すると、チップ単位（chip-by-chip）の半導体基板１１０上に、エッチング対象物である多量子井戸構造の活性層１２０を、有機金属化学蒸着法（ＭＯＣＶＤ）または分子ビーム蒸着法（ＭＢＥ）を用いて成長させる。また、この活性層１２０上に、ＳｉＯ２またはＳｉＮｘのような誘電体材質のマスク層１３０を積層する。マスク層１３０としては、誘電体に加えて、金属、高分子性物質、或いは活性層１２０の物性とは相異なる物性を有する半導体、などの材質を使用することができる。
以後、マスク層１３０上にフォトレジスト(ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ)を用いた写真エッチングを実行する。
図２及び図２に示された構成を平面図で示した図３を参照すると、マスク層１３０を写真エッチングすることにより、活性層１２０のパターン領域１２２上にはマスク１３２(すなわちマスク層１３０の一つのパターン)を形成し、マスク１３２によりカバーされなかった活性層１２０のエッチング領域１２４，１２６上には、第１及び第２のエッチング表示子１３４，１３６(すなわちマスク層１３０の他のパターン)を形成する。
なお、本実施形態では、エッチング領域１２６とエッチング領域１２４の双方がエッチング対象となるが、マスク１３２を基準として左右対称の形状にエッチングするため、エッチング領域１２４にはエッチング表示子を形成する必要はなく、この場合であっても正確なエッチングをすることが可能である。なお、これとは逆の形成とすること、すなわち、エッチング領域１２６の代わりにエッチング領域１２４のみに第１のエッチング表示子１３４及び第２のエッチング表示子１３６を形成してエッチングしても良いことは勿論である。
以下は、エッチング領域１２６にのみエッチング表示子を形成して、エッチング領域１２６とエッチング領域１２４の双方を同時にエッチングする場合について説明する。
マスク１３２と第１及び第２のエッチング表示子１３４，１３６は、各々予め定義（設定）された幅と、その幅よりも大きい長さを有する直方形またはストライプ(ｓｔｒｉｐｅ)形状を有する。マスク１３２の幅ＷＭは、以後のエッチング過程でパターン領域１２２内の活性層１２０の部分がその端部から中心方向に(幅方向に)エッチングされるので、活性層１２０の目標幅ＷＴよりも大きい値を有する。したがって、マスク１３２の幅は、活性層１２０に対する幅方向のエッチング速度を考慮して設定される。また、目標幅を得るためには、一つのエッチング表示子(ここでは第１のエッチング表示子１３４)だけでも十分であるが、本発明の第１の実施形態では、エッチング過程を詳細に説明するために、二つのエッチング表示子１３４，１３６を形成した場合を例示する。なお、他の実施形態としては、必要に応じて、活性層１２０上に１〜２０個のエッチング表示子を生成することができ、このとき、エッチング表示子ら間の幅の差は、０.０１〜２μｍの範囲で設定することができる。
第１のエッチング表示子１３４の幅ＷＩ１は、下記の数式１により決定される。
マスク１３２の幅ＷＭが５.２μｍである場合に、目標幅ＷＴが０.４μｍであれば、第１のエッチング表示子１３４の幅ＷＩ１は、４.８μｍ(＝５.２μｍ−０.４μｍ)に設定され、目標幅ＷＴが０.５μｍであれば、第１のエッチング表示子１３４の幅ＷＩ１は、４.７μｍ(＝５.２μｍ−０.５μｍ)に設定される。本発明の第１の実施形態において、マスク１３２の幅ＷＭは５.２μｍであり、第１のエッチング表示子１３４の幅ＷＩ１は４.８μｍであり、第２のエッチング表示子１３６の幅ＷＩ２は４.７μｍである。
図４及び図５は、第１のエッチング表示子１３４を使用してエッチング終点を検出する過程について説明するための図である。ここでは、エッチング方式は、乾式エッチング及びエッチング溶液を使用した湿式エッチングを含み、活性層１２０の幅方向のエッチング速度は、同一ウェハー上のマスク１３２の幅に関係なく一定であると仮定する。
図２及び図４を参照すると、本実施形態では、エッチング過程を進行してパターン領域１２２内の活性層１２０の残留幅（すなわち残留活性層（１２０）の幅）が０.５μｍになると、エッチング領域内の残留活性層１２０の幅は０.１μｍ以下になり、第２のエッチング表示子１３６によりカバーされた残留活性層１２０の幅は０μｍになる。一方、エッチング領域１２４にはエッチング表示子が形成されていないので、エッチング領域１２４内の残留活性層１２０の幅は０μｍである。したがって、図４に示すように、第２のエッチング表示子１３６は、通常のリフト−オフ(ｌｉｆｔ−ｏｆｆ)工程と同様に、消滅される。
ここで、作業者は、光学顕微鏡を使用して第２のエッチング表示子１３６が消滅されたことを確認することによって、パターン領域１２２内の残留活性層１２０の幅が０.５μｍであることを把握（認識）し、その後、追加エッチング過程を進行させる。
図５を参照すると、以後の追加エッチング過程を進行してパターン領域１２２内の残留活性層１２０の幅が０.４μｍになると、エッチング領域１２６内の残留活性層１２０の幅も０μｍになる。したがって、第１のエッチング表示子１３４も消滅される。
ここで、作業者は、光学顕微鏡を使用して第１のエッチング表示子１３４が消滅されたことを確認することによって、パターン領域１２２内の残留活性層１２０の幅が目標幅に該当する０.４μｍであることを把握（認識）して、エッチング過程を終了する。
図６及び図７は、本発明によるエッチング表示子についての様々な形態の例を示す図である。各図に示すように、エッチング表示子は、エッチング対象物がエッチングされる様態(例えば、対象物の材質が有するエッチング特性、エッチング方法、対象物の目標パターン(ｔａｒｇｅｔ ｐａｔｔｅｒｎ)など)に応じて、様々な形状とすることができる。また、エッチング表示子は、２〜１０μｍ×２〜２００μｍの範囲のサイズとすることが好ましい。ここで、図６Ａは、三角形のエッチング表示子を示し、図６Ｂは四角形のエッチング表示子を示し、図６Ｃは、菱形のエッチング表示子を示し、図６Ｄは、六角形のエッチング表示子を示し、図６Ｅは、円形のエッチング表示子を示し、図６Ｆは、楕円形のエッチング表示子を示す。
エッチングを終了する時点(即ち、エッチング終点)を正確に把握（認識）するためには、希望する対象物の目標パターンと相似ないし近似する形状のエッチング表示子を使用することが好ましい。例えば、エッチング対象物をエッチングして直方形のパターンを作る場合には、直方形のエッチング表示子を使用すること、或いはエッチング表示子がエッチング対象物(例えば、チップなど)内に位置する空間的余裕を考慮して、正方形の形状のエッチング表示子を使用することが適切である。
また、エッチング対象物をエッチングして円形パターンを作る場合には、楕円形のエッチング表示子を使用すること、或いはエッチング表示子がエッチング対象物(例えば、チップなど)内に位置する空間的な余裕を考慮して、円形のエッチング表示子を使用することが適切である。ここで、楕円形のエッチング表示子を使用する場合には、該楕円の短軸がマスクの幅方向に沿うように形成する。また、このような楕円形のエッチング表示子を円形のエッチング表示子に置き換える場合には、空間的な余裕を考慮して、当該楕円の短軸の長さを直径とする円形のエッチング表示子を形成すればよい。
以下に、エッチング対象物の目標パターンと同一にエッチング表示子の形状が決定される場合の、エッチング表示子のサイズを設定する方法について例示して説明する。すなわち、以下の例は、活性層１２０上に、図３で説明した長方形のマスク１３２に代えて、正方形のマスク、或いは円形、多角形、などの他の種々の形状のマスクが形成された場合を想定している。
活性層１２０上に正方形のマスクが形成され、これに対応して図６Ｂに示すような四角形のエッチング表示子をエッチング領域に形成する場合には、該エッチング表示子のサイズ(幅で定義される値)は、正方形の形状のマスクの幅から目標サイズ(対象物の目標パターンが有する幅として定義される値)を減算して得られた値に決定される。
また、活性層１２０上に円形のマスクが形成され、これに対応して図６Ｅに示すような円形のエッチング表示子をエッチング領域に形成する場合には、該エッチング表示子のサイズ(直径で定義される値)は、円形マスクの直径から目標サイズ(対象物の目標パターンが有する直径として定義される値)を減算して得られた値に決定される。
さらに、活性層１２０上に、三角形、菱形、六角形などの多角形のマスクが形成され、これに対応して図６Ａ、図６Ｃ及び図６Ｄに示すような三角形、菱形、六角形などの多角形のエッチング表示子をエッチング領域に形成する場合には、該エッチング表示子のサイズ(それぞれ、図形の各辺から図形の中心までの距離の中で最も短い距離の二倍に定義される値)は、多角形マスクのサイズから目標サイズ(対象物の目標パターンの各辺からその中心までの距離の中で最も短い距離の二倍に定義される)を減算して得られた値に決定される。本発明によるエッチング表示子は、上述の形態以外にも、その他の多角形、数字、文字などの種々の形状とすることができる。
一般図形の形態のエッチング表示子を使用する場合には、エッチング表示子の幅についての情報を作業者等が予め知っておかなければならないという不便な面もある。これに鑑みて、エッチング表示子のサイズをエッチング表示子自らが示すようにするために、エッチング表示子の他の例としては、図７Ａ乃至図７Ｃに示すように、数字や文字の形態として使用する。このうち、図７Ａは‘１'の形のエッチング表示子を示し、図７Ｂは‘２'の形のエッチング表示子を示し、図７Ｃは‘Ａ'の形のエッチング表示子を示す。
このとき、角をなす部分の幅が直線部分や曲線部分の幅と比較して大きくなることにより、正確なエッチング地点を検出することを妨害し得るので、エッチング表示子を数字や文字の形状とする場合には、図示のように、それぞれ分離された直方形のユニット(ｕｎｉｔ)の形態で構成されるようにして、数字や文字の角をなす部分（すなわち屈曲、屈折等する箇所）が表れない（ないし接続されない）ようにすることが好ましい。また、各直方形ユニット(ｕｎｉｔ)の幅は、対象物のマスクサイズ(マスクの幅あるいは対角線や直径で定義される値)から目標サイズ(対象物の目標パターンが有する幅あるいは対角線や直径で定義される値)を減算して得られた値に定義される。
上述のように、本発明によるエッチング終点の検出方法はチップ単位に適用できるが、このような場合にはチップのサイズが非常に小さいので、作業者が顕微鏡を用いてエッチング終点を検出（検知）する必要がある。
これに対して、後述のように、本発明の第２の実施形態によるエッチング終点の検出方法は、ウェハー単位に適用でき、このような場合に作業者は、上述のように顕微鏡を使うことなく肉眼でエッチング終点を検出（検知）することができる。
図８乃至図１０は、本発明の好ましい第２の実施形態によるエッチング終点の検出方法について説明するための図である。エッチング終点の検出方法は、エッチング表示子を形成する過程と、エッチング表示子を使用してエッチング終点を検出する過程と、を含む。
図８は、第１乃至第７のエッチング表示子２２０乃至２８０を有するウェハーを示す図である。図８に示すように、第１乃至第７のエッチング表示子２２０乃至２８０は、各々１×１ｍｍの矩形（正方形）の領域を有し、該領域は１００×７０マトリクス(ｍａｔｒｉｘ)構造のユニット２２５乃至２８５からなる。第１乃至第７のエッチング表示子２２０乃至２８０は、相互に異なるユニット幅（図８の横（左右）方向の幅）を有しており、この実施形態では、順に、４.３μｍ，４.４μｍ，４.５μｍ，４.６μｍ，４.７μｍ，４.８μｍ，及び４.９μｍの幅を有したユニットを有する。ユニット幅の差は、必要に応じて、０.０１〜２μｍに設定できる。ウェハー２１０上にはエッチング対象物である活性層２１４が形成され、ウェハー２１０は、複数のチップ２１２に区分（分割）される。各チップ２１２が占める活性層２１４部分のパターン領域には、直方形のマスク２１６が形成されている。ここで、マスク２１６の幅（図８の左右方向の長さ）は５.２μｍであり、各チップ２１２が占める活性層２１４部分の目標幅（すなわち、エッチング工程を通じて得ようとする、マスク２１６により覆われた残留活性層（２１４）の幅で、図８の左右方向の長さ）は、０.４μｍである。
第１乃至第７のエッチング表示子２２０乃至２８０は、活性層２１４上に形成される。必要に応じて、第１乃至第７のエッチング表示子２２０乃至２８０は、各々２００〜５０００μｍ×３００〜５０００μｍのサイズを有することができ、また、各々三角形、矩形（正方形ないし長方形）、円形、楕円形、菱形、その他の多角形、数字、文字などの形状を有することができる。
各ユニット２２５乃至２８５は、必要に応じて、２〜１０μｍ×２〜２００μｍのサイズを有することができ、三角形、矩形（正方形ないし長方形）、円形、楕円形、菱形、その他の多角形、数字、文字などの形状を有することができる。また、各ユニット２２５乃至２８５は、誘電体、金属、高分子性物質、或いは活性層１２０の物性とは相異なる物性を有する半導体、などの材質を使用することができる。
図９及び図１０は、第１乃至第７のエッチング表示子２２０乃至２８０を使用してエッチング終点を検出する過程について説明するための図である。このとき、エッチング方法は、乾式エッチング及びエッチング溶液を用いた湿式エッチングを含み、活性層２１４の幅方向のエッチング速度はマスク２１６の幅に関係なく一定である。
図９を参照すると、エッチング過程を進行して各パターン領域上の残留活性層２１４の幅が０.５μｍになると、第１乃至第５のエッチング表示子２２０〜２６０が消滅される。
作業者は、肉眼で第５のエッチング表示子２６０まで消滅されたことを確認することによって、残留活性層２１４の幅が０.５μｍであることを把握し、続いて追加エッチング過程を進行する。
図１０を参照すると、以後の追加エッチング過程を進行して残留活性層２１４の幅が０.４μｍになると、第６のエッチング表示子２７０も消滅される。
作業者は、肉眼で第６のエッチング表示子２７０が消滅されたことを確認することにより残留活性層２１４の幅が０.４μｍであることを把握して、エッチング過程を終了する。
上述のように、本発明の実施形態によれば、顕微鏡または肉眼で観察可能なエッチング表示子を使用し、マスクによりカバーされた残留対象物のサイズを、エッチング表示子の存在の有無（すなわち消滅したか否か）によって判定することとにより、従来よりも正確性（検出精度）が向上されたエッチング終点の検出を行うことが可能となる。
また、本発明によるエッチング終点の検出方法をレーザーダイオードのような光半導体チップに適用する場合には、チップにエッチング表示子を集積してチップを完成した後に、チップをカットすることなく光学顕微鏡を使用して、チップ表面のエッチング表示子によって発光点の幅を正確に把握でき、必要あれば、発光点の幅によってチップを区別することができる利点が得られる。
以上、本発明を具体的な実施形態に則して詳細に説明したが、形式や細部についての種々の変更が、特許請求の範囲の記載に基づいた本発明の精神及び範囲から逸脱することなく行われることが可能であることは、当該技術分野における通常の知識を有する者には明らかである。従って、本発明の範囲は、前述の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載及びこれと均等なものに基づいて定められるべきである。
１２０ 活性層（エッチング対象物）
１２２ パターン領域
１２４，１２６ エッチング領域
１３２，２１６ マスク
１３４，１３６ エッチング表示子
２１４ 活性層（エッチング対象物）
２２０〜２８０ エッチング表示子
１２２ パターン領域
１２４，１２６ エッチング領域
１３２，２１６ マスク
１３４，１３６ エッチング表示子
２１４ 活性層（エッチング対象物）
２２０〜２８０ エッチング表示子
Claims (10)
- (a) エッチング対象物のパターン領域上にマスクを形成する過程と、
(b) 前記マスクによりカバーされなかった前記エッチング対象物のエッチング領域上に、少なくとも一つのエッチング表示子（etching indicator）を供給する過程と、
(c) 前記マスクを使用して前記エッチング対象物をエッチングする過程と、
(d) 前記エッチング表示子の存在の有無によって、前記マスクによりカバーされた残留対象物のサイズを判定する過程と、を含むこと
を特徴とするエッチング終点の検出方法。 - 前記エッチング表示子は、２〜１０μｍ×２〜２００μｍのサイズであること
を特徴とする請求項１に記載のエッチング終点の検出方法。 - 前記エッチング表示子は、三角形，矩形，円形，楕円形，菱形，多角形，数字，または文字の形状を有すること
を特徴とする請求項１に記載のエッチング終点の検出方法。 - 前記エッチング表示子は、誘電体，金属，高分子，または半導体の材質からなること
を特徴とする請求項１に記載のエッチング終点の検出方法。 - 前記(b)過程において、前記マスクによりカバーされなかった前記エッチング対象物のエッチング領域上に、相異なるサイズを有する複数のエッチング表示子を形成すること
を特徴とする請求項１に記載のエッチング終点の検出方法。 - 前記エッチング表示子は、全て矩形の形状を有し、前記エッチング表示子間の幅の差は、０.０１〜２μｍに設定されること
を特徴とする請求項５に記載のエッチング終点の検出方法。 - 前記マスク及び前記エッチング表示子は、全て矩形の形状を有し、前記エッチング表示子の幅は、前記マスクの幅から前記エッチング対象物の目標幅を減算した値により決定されること
を特徴とする請求項１に記載のエッチング終点の検出方法。 - 前記(b)過程において、前記マスクによりカバーされなかった前記エッチング対象物のエッチング領域上に複数のエッチング表示子を形成し、
前記各エッチング表示子は、複数のユニットからなること
を特徴とする請求項１に記載のエッチング終点の検出方法。 - 前記複数のエッチング表示子は、相異なるユニット幅を有し、ユニット幅の差は、０.０１〜２μｍに設定されること
を特徴とする請求項８に記載のエッチング終点の検出方法。 - 前記エッチング対象物は、光半導体チップを含み、
前記エッチング表示子を前記光半導体チップに集積することにより、前記光半導体チップの完成後に、前記エッチング表示子を使用して前記光半導体チップの発光点の幅を検出すること
を特徴とする請求項１に記載のエッチング終点の検出方法。
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