JP2006147882A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006147882A JP2006147882A JP2004336503A JP2004336503A JP2006147882A JP 2006147882 A JP2006147882 A JP 2006147882A JP 2004336503 A JP2004336503 A JP 2004336503A JP 2004336503 A JP2004336503 A JP 2004336503A JP 2006147882 A JP2006147882 A JP 2006147882A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- concentration
- ppb
- conductive layer
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 絶縁膜に配線溝を形成し、電解めっきにより銅の導電層を成膜し、前記導電層の膜厚を減らす配線工程を有する半導体装置の製造方法が使用される。本方法では、銅よりイオン化傾向の大きい所定の金属イオンの濃度が50乃至500ppbの範囲内にあり、銅、塩素及び硫黄以外の無機金属イオンの濃度が100ppb以下である所定の硫酸銅基本浴を用いて前記電解めっきが行われる。
【選択図】 図10
Description
102 層間絶縁膜; 104,106 導電層; 108 層間絶縁膜; 112 第1領域; 122 第2領域; 124 バリアメタル; 126 シード; 130 導電層; 132 キャップ層;
302 めっきセル; 304 めっきタンク; 305,307 バルブ; 306 コントローラ; 308 添加剤タンク; 312 不純物タンク; 316 アノード; 318 電源; 320 基板
Claims (5)
- 絶縁膜に配線溝を形成し、電解めっきにより銅の導電層を成膜し、前記導電層の膜厚を減らす配線工程を有する半導体装置の製造方法において、銅よりイオン化傾向の大きい所定の金属イオンの濃度が50乃至500ppbの範囲内にあり、銅、塩素及び硫黄以外の無機金属イオンの濃度が100ppb以下である所定の硫酸銅基本浴を用いて前記電解めっきが行われる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記所定の金属イオンが、鉄イオンである
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記所定の金属イオンの濃度が、100乃至350ppbの範囲内にある
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 所与の硫酸銅基本浴に含まれる硫化銅、硫酸及び塩素以外の不純物無機金属イオンの濃度を50ppbより低くし、所定の金属イオンの濃度を50ppb以上に増やすことで、前記所定の硫酸銅基本浴が作成される
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記配線工程が、ダマシン法により行われる
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004336503A JP4300179B2 (ja) | 2004-11-19 | 2004-11-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004336503A JP4300179B2 (ja) | 2004-11-19 | 2004-11-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006147882A true JP2006147882A (ja) | 2006-06-08 |
JP4300179B2 JP4300179B2 (ja) | 2009-07-22 |
Family
ID=36627210
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004336503A Expired - Fee Related JP4300179B2 (ja) | 2004-11-19 | 2004-11-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4300179B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014185187A1 (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-20 | 国立大学法人茨城大学 | 半導体集積回路装置及びその製造方法、並びに該半導体集積回路装置に使用する低抵抗率銅配線の探索方法 |
-
2004
- 2004-11-19 JP JP2004336503A patent/JP4300179B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014185187A1 (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-20 | 国立大学法人茨城大学 | 半導体集積回路装置及びその製造方法、並びに該半導体集積回路装置に使用する低抵抗率銅配線の探索方法 |
JP2014222715A (ja) * | 2013-05-13 | 2014-11-27 | 国立大学法人茨城大学 | 半導体集積回路装置及びその製造方法、並びに該半導体集積回路装置に使用する低抵抗率銅配線の探索方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4300179B2 (ja) | 2009-07-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8698318B2 (en) | Superfilled metal contact vias for semiconductor devices | |
US7189650B2 (en) | Method and apparatus for copper film quality enhancement with two-step deposition | |
US7030016B2 (en) | Post ECP multi-step anneal/H2 treatment to reduce film impurity | |
US7381643B2 (en) | Wiring structure forming method and semiconductor device | |
TW201606934A (zh) | 形成互連之方法 | |
JP2006519503A (ja) | 欠陥のない薄い及び平坦なフィルム加工 | |
US6472023B1 (en) | Seed layer of copper interconnection via displacement | |
KR20150138087A (ko) | 반응성 금속 필름 상에 금속을 전기화학적으로 증착시키기 위한 방법 | |
US8636879B2 (en) | Electro chemical deposition systems and methods of manufacturing using the same | |
US7268075B2 (en) | Method to reduce the copper line roughness for increased electrical conductivity of narrow interconnects (<100nm) | |
JP2002155390A (ja) | 銅めっき液及びそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 | |
CN102683270B (zh) | 半导体器件制造方法以及半导体器件 | |
RU2486632C2 (ru) | Способ изготовления усовершенствованной многоуровневой медной металлизации с применением диэлектриков с очень низкой диэлектрической постоянной (ultra low-k) | |
KR20150138086A (ko) | 반응성 금속 필름 상에 금속을 전기화학적으로 증착시키기 위한 방법 | |
JP4300179B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20200350201A1 (en) | Copper metallization fill | |
JP4536809B2 (ja) | 銅めっきされた高アスペクト比のビア、及びその製造する方法 | |
JP5484691B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP4351595B2 (ja) | 銅の配線層を形成する方法 | |
CN102881647B (zh) | 铜金属覆盖层的制备方法 | |
US20050236181A1 (en) | Novel ECP method for preventing the formation of voids and contamination in vias | |
US20090239062A1 (en) | Method and structure of integrated rhodium contacts with copper interconnects | |
JP5239156B2 (ja) | 配線形成方法及び半導体装置 | |
KR20240036450A (ko) | 유리관통전극의 선택적 충진 방법 | |
KR20200080122A (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070919 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090127 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090326 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090414 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090420 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140424 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |