JP2006147785A - 電子デバイスおよびそれを用いた電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 導電性の有機分子層を備え、有機分子層は、第1の共役π電子系を構成する主鎖と、主鎖の少なくとも一方の端に結合している末端基とを備える有機分子を主成分として含む。その末端基は第2の共役π電子系を構成し、主鎖に直交する方向における第2の共役π電子系の広がりが、主鎖に直交する方向における第1の共役π電子系の広がりよりも大きい。そして、その末端基は、表面に露出するように配位結合した金属元素を含まない。
【選択図】 図15
Description
実施形態1では、本発明の電子デバイスの一例として、電界効果トランジスタ(以下、「FET」という場合がある)について説明する。
実施形態2では、実施形態1で説明した本発明のFETを備える機器の例として、アクティブマトリクス型ディスプレイ、無線IDタグ、および携帯用機器について説明する。
実施形態1および2では、本発明のFETおよびそれを用いた機器について説明した。実施形態3では、本発明の他の電子デバイスについて説明する。
12 ゲート電極
13 ゲート絶縁層
14 半導体層(有機分子層)
15 ソース電極
16 ドレイン電極
100a〜d FET
110 FET駆動回路
130 無線IDタグ
140 携帯テレビ
150 通信端末
160 携帯用医療機器
170 センサ素子
174、184 有機導電体層(有機分子層)
180 コンデンサ
190 レーザ
Claims (12)
- 導電性の有機分子層を備える電子デバイスであって、
前記有機分子層が、第1の共役π電子系を構成する主鎖と、前記主鎖の少なくとも一方の端に結合している末端基とを備える有機分子を主成分として含み、
前記末端基は第2の共役π電子系を構成し、
前記主鎖に直交する方向における前記第2の共役π電子系の広がりが、前記主鎖に直交する方向における前記第1の共役π電子系の広がりよりも大きく、
前記末端基は、表面に露出するように配位結合した金属元素を含まない電子デバイス。 - 前記第2の共役π電子系が、2次元的に広がっている請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記末端基がポルフィリンの構造またはフタロシアニンの構造を有する請求項2に記載の電子デバイス。
- 前記第2の共役π電子系が、3次元的に広がっている請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記末端基がフラーレンの構造を有する請求項4に記載の電子デバイス。
- 前記有機分子層が、前記主鎖を包接する環状分子をさらに含み、
前記有機分子層が前記有機分子と前記環状分子とを主成分とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の電子デバイス。 - 前記主鎖の鎖長が3nm〜30nmの範囲にある請求項1〜6のいずれか1項に記載の電子デバイス。
- 前記有機分子は前記主鎖に結合した側鎖を有し、
前記側鎖が第3の共役π電子系を構成する請求項1〜7のいずれか1項に記載の電子デバイス。 - 前記有機分子層が半導体層であり、前記有機分子層に接触するように配置されたソース電極およびドレイン電極と、前記有機分子層に電界を印加するゲート電極とを備え、
電界効果トランジスタとして機能する請求項1〜8のいずれか1項に記載の電子デバイス。 - スイッチング素子を備えるアクティブマトリクス型ディスプレイであって、
前記スイッチング素子が請求項9に記載の電子デバイスであるアクティブマトリクス型ディスプレイ。 - 複数の半導体素子を含む無線IDタグであって、
前記複数の半導体素子の少なくとも一部が請求項9に記載の電子デバイスである無線IDタグ。 - 複数の半導体素子を含む携行用機器であって、
前記複数の半導体素子の少なくとも一部が請求項9に記載の電子デバイスである
携行用機器。
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