JP2006147735A - 3次元多面構造複合半導体チップ及び演算処理装置 - Google Patents
3次元多面構造複合半導体チップ及び演算処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006147735A JP2006147735A JP2004333855A JP2004333855A JP2006147735A JP 2006147735 A JP2006147735 A JP 2006147735A JP 2004333855 A JP2004333855 A JP 2004333855A JP 2004333855 A JP2004333855 A JP 2004333855A JP 2006147735 A JP2006147735 A JP 2006147735A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- composite semiconductor
- dimensional multi
- dimensional
- transmission pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
Abstract
【解決手段】基板に回路部6が形成された四角形のエレメント半導体チップ4を複数貼り合わせ内側に共有閉鎖空間を有する多面体を構成する。各エレメント半導体チップ4の貼り合わせ面には配線用コンタクト12を形成し、互いに向き合った配線用コンタクト12どうしの接触により、互いに貼り合わせた一対のエレメント半導体チップ4の回路部6を電子的に接続する。各エレメント半導体チップ4の表面に電磁/電界結合用の面接触伝送パターン8を形成し、背面にアンテナ10を形成し、該面接触伝送パターン8とアンテナ10を対応する回路部6に接続する。
【選択図】図1
Description
本発明は、上記問題点を解決することを目的とするものである。
また本発明は、前記エレメント半導体チップの背面に背面にアンテナを形成し、該アンテナを前記回路部に接続したものである。
また本発明は、前記各エレメント半導体チップの貼り合わせ面に配線用コンタクトを形成し、互いに向き合った配線用コンタクトどうしの接触により、互いに貼り合わせた一対のエレメント半導体チップの回路部を電子的に接続したものである。
また本発明は、前記回路部は演算回路ブロックと、該演算回路ブロックを制御する制御回路ブロックと、該制御回路ブロックと前記演算回路ブロックに接続するマルチプレクサとより構成され、該マルチプレクサが前記面接触伝送パターンとアンテナに接続しているものである。
また本発明は、基板に回路部が形成された四角形のエレメント半導体チップを複数貼り合わせ、互いの回路部を接続して内側に共有閉鎖空間を有する多面体形状とし、前記各エレメント半導体チップの表面に電磁/電界結合用の面接触伝送パターンを形成し、背面にアンテナを形成し、該面接触伝送パターンと前記アンテナを前記回路部に接続した3次元多面構造複合半導体チップを多数用意し、これら多数の3次元多面構造複合半導体チップを面接触させ、前記面接触伝送パターンを介して任意の方向に結合したものである。
また本発明は、前記3次元多面構造複合半導体チップが立方体であることを特徴とするものである。
また本発明は、前記多数の3次元多面構造複合半導体チップは、回路部が演算回路ブロックを含む演算用3次元多面構造複合半導体チップと、前記共有閉鎖空間に冷却媒体が充填された熱伝導のための3次元多面構造複合半導体チップと、回路部が電力伝送回路ブロックを含む電力伝送のための3次元多面構造複合半導体チップとからなるものである。
図1に示す3次元多面構造複合半導体チップ2は、六面体の各面が、四角形のLSIチップからなるエレメント半導体チップ4により構成されている。前記3次元多面構造複合半導体チップ2は、その構成要素である前記エレメント半導体チップ4の回路特性により、演算処理用の3次元多面構造複合半導体チップ2Aと、熱伝導用の3次元多面構造複合半導体チップ2Bと、電力伝送用の3次元多面構造複合半導体チップ2Cとが用意されている。
3次元多面構造複合半導体チップ2を構成する6枚のエレメント半導体チップ4は、所定の位置に設定された貼り合わせ部が接着され、6面にLSIチップが形成され内側に共有閉鎖空間5が形成された立方体などの多面体を構成する。3次元多面構造複合半導体チップ2は、図1(D)のように、演算回路のクラスタ接続の原理に基づいて、複数、立体状に当接配置することにより、互いの接触面の面接触伝送パターン18を通じて、各3次元多面構造複合半導体チップ2が電磁的、あるいは、電界的に結合する。
t1時間において、ka1,ka0+mb1,mb0+nc1
t2時間において、ka2,ka1+mb2,ka0+mb1+nc2m
となる。
符号25は、8面体からなる3次元多面構造複合半導体チップであり、これに6面体の3次元多面構造複合半導体チップ2Aが図示の如くクラスタ接合している。8面体の3次元多面構造複合半導体チップ25の各面に結合する複数の3次元多面構造複合半導体チップ2Aは図示の如く、α,β,γの各列を構成する。
上記した構成において、Rは系全体の結果、αはα列の結果、βはβ列の結果、γはγ列の結果とすると、αは時間t毎に共通クロックで次の式で示されるように、アンテナから出力される。
α1=nc0
α2=mb0+nc1
α3=ka0+mb1+nc2
α4=ka1+mb2+nc3
αt=kat−3+mbt−2+nct−2
同様にβとγは次式で示されるようにアンテナから出力される。
βt=odt−3+pet−2+qft−1
γt=ugt−3+vht−2+wjt−1
ここで、a,b,cはα列の3次元多面構造複合半導体チップへの入力、k,l,mは、α列のそれぞれの3次元多面構造複合半導体チップの演算チップに設定された係数、d,e,fはβ列の3次元多面構造複合半導体チップへの入力、o,p,qはβ列のそれぞれの3次元多面構造複合半導体チップの演算チップの係数、u,v,wは、γ列の3次元多面構造複合半導体チップへの入力、g,h,jはγ列のそれぞれの3次元多面構造複合半導体チップの演算チップの係数である。
4 エレメント半導体チップ
5 共有閉鎖空間
6 回路部
8 面接触伝送パターン
10 アンテナ
12 配線用コンタクト
14 配線パターン
16 電気的ドライバ・レシーバ
18 電磁/電界結合器
20 演算回路ブロック
20A 電力伝送回路ブロック
22 マルチプレクサ
24 制御回路ブロック
25 3次元多面構造複合半導体チップ
26 入力チップ
28 乗算チップ
30 加算チップ
32 出力チップ
34 送信チップ
36 閉鎖空間
38 受信チップ
40 インターフェースチップ
Claims (8)
- 基板に回路部が形成された四角形のエレメント半導体チップを複数貼り合わせ、互いの回路部を接続して内側に共有閉鎖空間を有する多面体形状とし、前記各エレメント半導体チップの表面に電磁/電界結合用の面接触伝送パターンを形成し、該面接触伝送パターンを前記回路部に接続したことを特徴とする3次元多面構造複合半導体チップ。
- 前記エレメント半導体チップの背面にアンテナを形成し、該アンテナを前記回路部に接続したことを特徴とする請求項1に記載の3次元多面構造複合半導体チップ。
- 前記各エレメント半導体チップの貼り合わせ面に配線用コンタクトを形成し、互いに向き合った配線用コンタクトどうしの接触により、互いに貼り合わせた一対のエレメント半導体チップの回路部を電子的に接続したことを特徴とする請求項1に記載の3次元多面構造複合半導体チップ。
- 前記回路部は演算回路ブロックと、該演算回路ブロックを制御する制御回路ブロックと、該制御回路ブロックと前記演算回路ブロックに接続するマルチプレクサとより構成され、該マルチプレクサが前記面接触伝送パターンとアンテナに接続していることを特徴とする請求項2に記載の3次元多面構造複合半導体チップ。
- 基板に回路部が形成された四角形のエレメント半導体チップを複数貼り合わせ、互いの回路部を接続して内側に共有閉鎖空間を有する多面体形状とし、前記各エレメント半導体チップの表面に電磁/電界結合用の面接触伝送パターンを形成し、該面接触伝送パターンを前記回路部に接続した3次元多面構造複合半導体チップを多数用意し、これら多数の3次元多面構造複合半導体チップを面接触させ、前記面接触伝送パターンを介して任意の方向に結合したことを特徴とする演算処理装置。
- 基板に回路部が形成された四角形のエレメント半導体チップを複数貼り合わせ、互いの回路部を接続して内側に共有閉鎖空間を有する多面体形状とし、前記各エレメント半導体チップの表面に電磁/電界結合用の面接触伝送パターンを形成し、背面にアンテナを形成し、該面接触伝送パターンと前記アンテナを前記回路部に接続した3次元多面構造複合半導体チップを多数用意し、これら多数の3次元多面構造複合半導体チップを面接触させ、前記面接触伝送パターンを介して任意の方向に結合したことを特徴とする演算処理装置。
- 前記3次元多面構造複合半導体チップが立方体であることを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の演算処理装置。
- 前記多数の3次元多面構造複合半導体チップは、回路部が演算回路ブロックを含む演算用3次元多面構造複合半導体チップと、前記共有閉鎖空間に冷却媒体が充填された熱伝導のための3次元多面構造複合半導体チップと、回路部が電力伝送回路ブロックを含む電力伝送のための3次元多面構造複合半導体チップとからなることを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の演算処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004333855A JP4591051B2 (ja) | 2004-11-18 | 2004-11-18 | 3次元多面構造複合半導体チップ及び演算処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004333855A JP4591051B2 (ja) | 2004-11-18 | 2004-11-18 | 3次元多面構造複合半導体チップ及び演算処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006147735A true JP2006147735A (ja) | 2006-06-08 |
JP4591051B2 JP4591051B2 (ja) | 2010-12-01 |
Family
ID=36627086
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004333855A Expired - Fee Related JP4591051B2 (ja) | 2004-11-18 | 2004-11-18 | 3次元多面構造複合半導体チップ及び演算処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4591051B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6199361A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-17 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPS63143855A (ja) * | 1986-12-01 | 1988-06-16 | モトローラ・インコーポレーテッド | モジュラ集積回路およびその製造方法 |
JPH10335570A (ja) * | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Kobe Nippon Denki Software Kk | 多面体icパッケージ |
JPH11168172A (ja) * | 1997-12-04 | 1999-06-22 | Toshiba Tec Corp | 半導体チップの製造方法及びその半導体チップによる3次元構造体、その製造方法及びその電気的接続方法 |
JP2004296925A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Kyocera Corp | 電子部品収納用パッケージ |
-
2004
- 2004-11-18 JP JP2004333855A patent/JP4591051B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6199361A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-17 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPS63143855A (ja) * | 1986-12-01 | 1988-06-16 | モトローラ・インコーポレーテッド | モジュラ集積回路およびその製造方法 |
JPH10335570A (ja) * | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Kobe Nippon Denki Software Kk | 多面体icパッケージ |
JPH11168172A (ja) * | 1997-12-04 | 1999-06-22 | Toshiba Tec Corp | 半導体チップの製造方法及びその半導体チップによる3次元構造体、その製造方法及びその電気的接続方法 |
JP2004296925A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Kyocera Corp | 電子部品収納用パッケージ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4591051B2 (ja) | 2010-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20220147793A1 (en) | Neural network accelerator tile architecture with three-dimensional stacking | |
TWI830729B (zh) | 具有中介件之微電子總成 | |
US20150199266A1 (en) | 3dic memory chips including computational logic-in-memory for performing accelerated data processing | |
JP2005228981A (ja) | 電子回路 | |
WO2015076153A1 (ja) | 集積回路及びそれを備える積層回路 | |
CN102915996A (zh) | 用于3d集成电路的电性互连机构 | |
US20150108657A1 (en) | Electronic device | |
CN115954351A (zh) | 基于晶圆的处理装置、任务处理方法及制备方法 | |
KR20160020285A (ko) | 시스템 온 칩, 시스템 온 칩을 포함하는 전자 장치 및 시스템 온 칩의 설계 방법 | |
JP4591051B2 (ja) | 3次元多面構造複合半導体チップ及び演算処理装置 | |
US8742839B2 (en) | Double through silicon via structure | |
JPH07335769A (ja) | 半導体集積回路 | |
CN108027870A (zh) | 半导体装置 | |
US10715142B2 (en) | Low-voltage differential signal driver and receiver module with radiation hardness to 300 kilorad | |
US20190252321A1 (en) | Interconnector with bundled interconnects | |
KR102295106B1 (ko) | 인쇄회로기판 | |
TWI451626B (zh) | 離散組件電磁耦合器 | |
JP6306048B2 (ja) | 互いに異なるピッチを有する音響要素のコンポーネントを有する音響プローブ | |
CN102916001B (zh) | 具有屏蔽电磁干扰功能的层结构 | |
KR20180088438A (ko) | 다이 및 패키지 | |
CN210723013U (zh) | 神经网络半导体结构和神经网络芯片 | |
US20230207523A1 (en) | Wafer to wafer high density interconnects | |
CN211125641U (zh) | 最大池化处理用半导体结构、芯片和最大池化处理用装置 | |
TWI844901B (zh) | 具有晶圓至晶圓高密度互連之晶圓級系統 | |
CN114565088A (zh) | 数据处理装置、方法、神经网络处理器、芯片及电子设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071105 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100820 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100826 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100830 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100827 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |