JP2006143519A - ガラスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 本発明は、フッ素等の屈折率制御物質をガラス微粒子堆積体に添加する時間を短縮し、かつ容器に供給する前記屈折率制御物質の量に対するガラス微粒子堆積体に添加される前記屈折率制御物質の量の比(収率)を向上させることを目的とする。
【解決手段】 本発明は、ガラス微粒子堆積体を容器に入れ、屈折率制御物質を含む添加ガスを前記容器に供給し、かつ前記容器内のガスを排気して、前記屈折率制御物質を前記ガラス微粒子堆積体に添加し、さらに前記ガラス微粒子堆積体を加熱して透明化するガラスの製造方法に関する。本発明では、目標とする前記ガラスの屈折率により前記添加ガス中の前記屈折率制御物質の最終設定濃度を決定し、前記最終設定濃度よりも高い設定濃度の前記屈折率制御物質を含む前記添加ガスを前記容器に供給した後、前記最終設定濃度の前記屈折率制御物質を含む前記添加ガスを前記容器内に供給する。
【選択図】 図1
【解決手段】 本発明は、ガラス微粒子堆積体を容器に入れ、屈折率制御物質を含む添加ガスを前記容器に供給し、かつ前記容器内のガスを排気して、前記屈折率制御物質を前記ガラス微粒子堆積体に添加し、さらに前記ガラス微粒子堆積体を加熱して透明化するガラスの製造方法に関する。本発明では、目標とする前記ガラスの屈折率により前記添加ガス中の前記屈折率制御物質の最終設定濃度を決定し、前記最終設定濃度よりも高い設定濃度の前記屈折率制御物質を含む前記添加ガスを前記容器に供給した後、前記最終設定濃度の前記屈折率制御物質を含む前記添加ガスを前記容器内に供給する。
【選択図】 図1
Description
本発明はガラスおよびその製造方法に関する。
ガラス微粒子堆積体を容器に入れ、前記容器内を加熱しながら、前記容器にフッ素化合物ガスを供給して、前記ガラス微粒子堆積体にフッ素を添加し、その後ガラス微粒子堆積体を透明ガラス化してフッ素添加ガラスを製造する方法が特許文献1に開示されている。
特許文献1には、フッ素をガラス微粒子堆積体に添加する間は、容器内のフッ素原料濃度を4体積%にすることが開示されている。
上記の文献に開示された方法では、大部分のフッ素化合物が容器を素通りして排気されてしまい、容器に供給するフッ素の量に対するガラス微粒子堆積体に添加されるフッ素の量の比(収率)が非常に小さく、高価なフッ素化合物の大部分が無駄になっていた。
本発明では、フッ素等の屈折率制御物質をガラス微粒子堆積体に添加する時間を短縮し、かつ容器に供給する前記屈折率制御物質の量に対するガラス微粒子堆積体に添加される前記屈折率制御物質の量の比(収率)を向上させることを目的とする。
本発明では、フッ素等の屈折率制御物質をガラス微粒子堆積体に添加する時間を短縮し、かつ容器に供給する前記屈折率制御物質の量に対するガラス微粒子堆積体に添加される前記屈折率制御物質の量の比(収率)を向上させることを目的とする。
本発明は、ガラス微粒子堆積体を容器に入れ、屈折率制御物質を含む添加ガスを前記容器に供給し、かつ前記容器内のガスを排気して、前記屈折率制御物質を前記ガラス微粒子堆積体に添加し、さらに前記ガラス微粒子堆積体を加熱して透明化するガラスの製造方法に関する。本発明では、目標とする前記ガラスの屈折率により前記添加ガス中の前記屈折率制御物質の最終設定濃度を決定し、前記最終設定濃度よりも高い設定濃度の前記屈折率制御物質を含む前記添加ガスを前記容器に供給した後、前記最終設定濃度の前記屈折率制御物質を含む前記添加ガスを前記容器内に供給する。
本発明のガラスの製造方法において、前記最終設定濃度の前記屈折率制御物質を含む前記添加ガスの流量をf(l/分)、前記容器の容積のうちの前記ガラス微粒子堆積体の有効部を取り囲む部分の体積から前記ガラス微粒子堆積体の有効部の体積を引いた体積をV(l)として、f/V≦0.1(分−1)を満たす流量fで前記添加ガスを流すことが効果的である。
本発明により、ガラス微粒子堆積体に屈折率制御物質を添加する時間が短縮され、また前記屈折率制御物質の収率が向上する。特に、屈折率制御物質の流量を少なくする場合に、本発明は効果的である。
図1を参照して、本発明でガラス微粒子堆積体に屈折率制御物質を添加する態様を以下に説明する。図1に示す容器10は中央部に炉心管11を有し、炉心管11の外部には熱源13が配置される。さらに熱源13は外壁12で覆われる。熱源13と外壁12との間には断熱材が置かれる。外壁12の一部に切り欠きをつけて、そこに放射温度計21を取り付ける。放射温度計21と熱源13の間には断熱材を置かない。炉心管11の下部には供給口14が設けられ、そこに供給管15が取り付けられる。炉心管11の上部には排出口16が設けられ、そこに排出管17が取り付けられる。
図1に示すように、ダミーロッド2を介してガラス微粒子堆積体1を昇降装置20に吊り下げて容器10内に入れて蓋18を閉める。ダミーロッド2は蓋18を貫通するが、ダミーロッド2と蓋18とは隙間なく密封する。
昇降装置20を駆動させて熱源13に囲まれる位置までガラス微粒子堆積体1を降下させる。ガラス微粒子堆積体1の外径定常部分Aが熱源13に囲まれる位置で昇降装置20を止め、ガラス微粒子堆積体1の位置を固定する。
図1に示すように、ダミーロッド2を介してガラス微粒子堆積体1を昇降装置20に吊り下げて容器10内に入れて蓋18を閉める。ダミーロッド2は蓋18を貫通するが、ダミーロッド2と蓋18とは隙間なく密封する。
昇降装置20を駆動させて熱源13に囲まれる位置までガラス微粒子堆積体1を降下させる。ガラス微粒子堆積体1の外径定常部分Aが熱源13に囲まれる位置で昇降装置20を止め、ガラス微粒子堆積体1の位置を固定する。
供給管15を通じて供給口14から、塩素や四塩化珪素等の脱水ガスを含むガスを容器10内に供給しながら、熱源13の温度を1000〜1300℃程度まで上昇させて、ガラス微粒子堆積体1を加熱しながらガラス微粒子堆積体1を脱水する。炉内の水分を排出口16から炉内の気体とともに吸引して排出する。熱源13は抵抗加熱型ヒータや誘導加熱型ヒータが使用可能である。それらの熱源を使用する場合、放射温度計21で熱源の温度13を測定して、所定の温度となるように熱源13に通電する電圧や電流を制御する。
熱源13の温度が1000〜1300℃程度まで昇温すれば、脱水ガスを止め、熱源13をその温度に維持する。そして、屈折率制御物質を含む添加ガスを供給口14から容器10内(炉心管11内)に供給する。引き続き排出口16から炉内の気体を吸引して排気するがその排気量は供給される屈折率制御物質を含むガスの流量によりそれまでの流量から適宜変化させる。
供給口14から供給された添加ガスは上方に流れ、炉心管11内には供給口14から排気口16にかけての気流が形成される。
数十分ないし数時間、加熱しながら屈折率制御物質を炉内に流すことによりガラス微粒子堆積体に屈折率制御物質を添加することができる。
数十分ないし数時間、加熱しながら屈折率制御物質を炉内に流すことによりガラス微粒子堆積体に屈折率制御物質を添加することができる。
SiF4ガスを使用してガラス微粒子堆積体にフッ素を添加する場合について、フッ素濃度を一定とした場合の添加時間とガラス微粒子堆積体に添加されたフッ素の量との関係を図3に例示する。ここで、添加時間はSiF4ガスを容器に供給開始した時から経過した時間である。図3に示すように、添加時間が長くなるにつれて添加されたフッ素の量は増加するが、やがて飽和に達する。この飽和添加量は飽和に達するときのガラス微粒子堆積体周囲のフッ素濃度に依存する。以降、この飽和添加量を与える濃度を最終設定濃度という。
図3に示すように、容器に供給するフッ素濃度が一定であれば、単位時間にガラス微粒子堆積体に添加されるフッ素の量(図3のグラフの接線の傾き)は、開始直後で多く、時間の経過につれて少なくなる。添加開始からの時間が同じであれば、単位時間あたりのフッ素の添加量はフッ素濃度に依存し、濃度が高いほど単位時間あたりのフッ素の添加量は多い。
図3に示すように、容器に供給するフッ素濃度が一定であれば、単位時間にガラス微粒子堆積体に添加されるフッ素の量(図3のグラフの接線の傾き)は、開始直後で多く、時間の経過につれて少なくなる。添加開始からの時間が同じであれば、単位時間あたりのフッ素の添加量はフッ素濃度に依存し、濃度が高いほど単位時間あたりのフッ素の添加量は多い。
本発明では、屈折率制御物質の添加工程の初期、つまり単位時間あたりの屈折率制御物質の添加量が多いときに、前記屈折率制御物質の設定濃度を所定の最終設定濃度よりも高濃度として、前記屈折率制御物質の添加を加速し、その後、前記屈折率制御物質の設定濃度を所定の最終設定濃度として所定の飽和量(目標値)まで屈折率制御物質をガラス微粒子堆積体に添加する。これにより、このガラス微粒子堆積体を加熱透明化して得られたガラスの屈折率が所定の値となる。
ガラス微粒子にフッ素を添加する場合を例にして本発明と従来技術とを対比して以下に説明する。ガラス微粒子堆積体に添加するフッ素の量をn1としたときに、それだけのフッ素を添加するためのフッ素の最終設定濃度をc1とする。図2に実線で示す場合は、フッ素添加開始から時刻t1まではフッ素の設定濃度をc2(>c1)とし、時刻t1でフッ素の設定濃度をc1とする場合である。この場合は、時刻t2で所定量n1のフッ素がガラス微粒子堆積体に添加される。一方、従来技術は、図2に破線で示す場合であり、フッ素添加開始からフッ素の設定濃度をc1とし、時刻t3(>t2)で所定量n1のフッ素がガラス微粒子堆積体に添加されることが完了する。
屈折率制御物質の設定濃度は、図4に示すように階段状に変化させてもよい。また、図5に示すように連続的に変化させてもよい。
本発明では、図6に示すよう、屈折率制御物質の添加を開始してからしばらくして屈折率制御物質の設定濃度を高くすることもできる。ただし、屈折率制御物質の添加開始直後が屈折率制御物質の単位時間の添加量が多いので、その時期に屈折率制御物質の設定濃度を最終設定濃度よりも高くするのが、添加時間の短縮の効果が大きく好ましい。
本発明では、図6に示すよう、屈折率制御物質の添加を開始してからしばらくして屈折率制御物質の設定濃度を高くすることもできる。ただし、屈折率制御物質の添加開始直後が屈折率制御物質の単位時間の添加量が多いので、その時期に屈折率制御物質の設定濃度を最終設定濃度よりも高くするのが、添加時間の短縮の効果が大きく好ましい。
本発明に使用するガラス微粒子堆積体は、酸水素火炎中にガラス原材料となるSiCl4やGeCl4を流し、火炎加水分解反応によりSiO2やGeO2なるガラス微粒子を生成し、出発ロッドに前記ガラス微粒子を堆積させるVAD法やOVD法などで作製することができる。
本発明で使用する屈折率制御物質は主にハロゲン系元素である。屈折率制御物質を含む添加ガスには、例えば、SiF4、SF6、GeCl4、CF4、C2F6、CCl2F2、Cl2やSiCl4などを挙げることができる。添加ガスは、それらをHeガス等の不活性ガスや窒素ガス等の反応性の低いガスで希釈したガスであってもよい。
炉心管11に囲まれた空間では、供給された屈折率制御物質がガラス微粒子堆積体の微粒子間の空隙に入り込んでガラス微粒子堆積体内全体に拡散しつつもいずれかのガラス微粒子の珪素原子に結合してガラス微粒子堆積体1に添加される。屈折率制御物質は供給口14に近い側(図1では下側)からガラス微粒子堆積体1に添加されていくので、炉心管11内のガラス微粒子堆積体1の周囲の空間では、屈折率制御物質の濃度が供給口14に近い側では高く、供給口14から遠ざかるにしたがってまたは排出口16に近づくにしたがって低くなる。つまり、炉心管11内の空間では、ガラス微粒子堆積体1の長さ方向にそって濃度勾配が生じる。
屈折率制御物質を含む添加ガスの単位時間当たりの流量がガラス微粒子堆積体を取り囲む容器容積に比して小さいときは、その比が大きいときに比べて、容器に供給された屈折率制御物質のより多くが、排出口まで至る間にガラス微粒子堆積体に添加される。つまり、ガラス微粒子堆積体の排気口に近い側の周囲の屈折率制御物質濃度が低くなる。したがって、ガラス微粒子堆積体の排気口に近い側では屈折率制御物質が飽和に達するまでの時間が長くかかる。本発明では、前記ガラス微粒子堆積体に添加された前記屈折率制御物質の量が飽和に達する以前に、所定の最終設定濃度よりも高い設定濃度で前記屈折率制御物質を前記容器内に供給することにより、屈折率制御物質のガラス微粒子堆積体への添加を加速するが、これによる添加時間短縮の効果は、屈折率制御物質を含むガスの流量がガラス微粒子堆積体を取り囲む容器容積に比して小さいときに大きい。
屈折率制御物質を含む添加ガスの流量をF(l/分)、容器の容積のうちのガラス微粒子堆積体の有効部を取り囲む部分の体積からガラス微粒子堆積体の有効部の体積を引いた分をV(l)とすると、屈折率制御物質の添加終了直前のF/Vが0.1(分−1)のときに本発明の効果が特に大きいことが分かった。ここで、前記容器の容積のうちの前記ガラス微粒子堆積体の有効部を取り囲む部分の体積は、ガラス微粒子堆積体の有効部の両端を含む仮想的な端面と容器の内面で取り囲まれる容器内部空間の体積をいう。例えば、この体積は、ガラス微粒子堆積体の長さ方向に垂直な容器断面積をガラス微粒子の有効部の区間で積分した値である。
図1について説明すると、容器とは炉心管11であり、前記容器の容積のうちの前記ガラス微粒子堆積体の有効部を取り囲む部分の体積は、炉心管11をガラス微粒子堆積体の長さ方向に垂直な方向で切った断面積をガラス微粒子堆積体の有効部Aの区間で積分した値である。図1で炉心管11が内径2Rが一定の円筒であり、ガラス微粒子堆積体の有効部の半径がrであるとすれば、ガラス微粒子堆積体の有効部Aの長さをLとして、V=π(R2−r2)Lである。
屈折率制御物質を添加した後は、供給管15を通じて供給口14から容器10内にHeガスなどの不活性ガスや窒素ガスなどのほぼ反応性のないガスを供給して、熱源の温度を1500℃程度まで上昇してその温度で数十分ないし数時間ガラス微粒子堆積体を加熱して透明化し、透明ガラスを得る。
本発明は、図1に示すように、ガラス微粒子堆積体の有効部が熱源の長さよりも短く、かつガラス微粒子堆積体に屈折率制御物質を添加するときにガラス微粒子堆積体を熱源に対してその長さ方向に移動することがない場合に有効である。
(実施例1)
VAD法により外径150mm、長さ1200mmのガラス微粒子堆積体を製造した。
これを、内径200mmの炉心管に入れ、Cl2ガスおよびHeガスを流して1250℃まで加熱して脱水した。炉心管の容積のうちの前記ガラス微粒子堆積体の有効部を取り囲む部分の体積から前記ガラス微粒子堆積体の有効部の体積を引いた体積V(l)は、16.5(l)である。
Cl2ガスの供給を停止した後、ただちにSiF4ガスとHeガスをそれぞれ1.2(l/分)、9(l/分)の流量で流し、排出口からの排気量を10.2(l/分)とした。熱源の温度を1250℃に保ち、0.6時間経過後、SiF4ガスの流量を0.6(l/分)に変更した。Heガスの流量はそのままとした。排気量は9.6(l/分)に変更した。さらに1.2時間経過後(SiF4ガスを流し始めてから1.8時間経過後)、SiF4ガスの供給を停止した。添加ガスの流量は当初10.2(l/分)であるが、途中から9.6(l/分)である。f/V(分−1)は、当初0.618(分−1)であるが、途中から0.582(分−1)である。
SiF4ガスの供給を停止した後もHeガスは同流量で流し続け、熱源の温度を1450℃まで上昇し、その温度で2時間加熱を続けて、透明ガラスを得た。
得られたガラスの屈折率を長さ方向に位置を変えて6点の測定点で測定したところ、純シリカガラスに対する比屈折率差は−0.35%±0.01%であった。
VAD法により外径150mm、長さ1200mmのガラス微粒子堆積体を製造した。
これを、内径200mmの炉心管に入れ、Cl2ガスおよびHeガスを流して1250℃まで加熱して脱水した。炉心管の容積のうちの前記ガラス微粒子堆積体の有効部を取り囲む部分の体積から前記ガラス微粒子堆積体の有効部の体積を引いた体積V(l)は、16.5(l)である。
Cl2ガスの供給を停止した後、ただちにSiF4ガスとHeガスをそれぞれ1.2(l/分)、9(l/分)の流量で流し、排出口からの排気量を10.2(l/分)とした。熱源の温度を1250℃に保ち、0.6時間経過後、SiF4ガスの流量を0.6(l/分)に変更した。Heガスの流量はそのままとした。排気量は9.6(l/分)に変更した。さらに1.2時間経過後(SiF4ガスを流し始めてから1.8時間経過後)、SiF4ガスの供給を停止した。添加ガスの流量は当初10.2(l/分)であるが、途中から9.6(l/分)である。f/V(分−1)は、当初0.618(分−1)であるが、途中から0.582(分−1)である。
SiF4ガスの供給を停止した後もHeガスは同流量で流し続け、熱源の温度を1450℃まで上昇し、その温度で2時間加熱を続けて、透明ガラスを得た。
得られたガラスの屈折率を長さ方向に位置を変えて6点の測定点で測定したところ、純シリカガラスに対する比屈折率差は−0.35%±0.01%であった。
(比較例1)
実施例1と同じ大きさのガラス微粒子堆積体を同じ炉で脱水、フッ素添加および透明化して透明ガラスを製造した。ただし、フッ素添加時に流すガスの流量はSiF4ガスは0.6(l/分)、Heガスは9(l/分)でそれぞれ一定とした。透明化後の比屈折率差が−0.35%±0.01%と実施例1と同等なガラスを製造するには、フッ素添加の時間が3時間必要であった。脱水および透明化は実施例1と同様に行った。
実施例1と同じ大きさのガラス微粒子堆積体を同じ炉で脱水、フッ素添加および透明化して透明ガラスを製造した。ただし、フッ素添加時に流すガスの流量はSiF4ガスは0.6(l/分)、Heガスは9(l/分)でそれぞれ一定とした。透明化後の比屈折率差が−0.35%±0.01%と実施例1と同等なガラスを製造するには、フッ素添加の時間が3時間必要であった。脱水および透明化は実施例1と同様に行った。
実施例1では比較例1に比べて、1.2時間も製造時間を短縮できた。また、SiF4の使用量は実施例1では86.4l、比較例1では108lであり、実施例1ではSiF4ガスの収率を向上させSiF4ガスを節約することができた。
(実施例2)
実施例1と同じ大きさのガラス微粒子堆積体を同じ炉で脱水、フッ素添加および透明化して透明ガラスを製造した。ただし、フッ素添加時に流すガスは、当初はSiF4ガスとHeガスをそれぞれ0.2(l/分)、1.5(l/分)の流量で流し、排出口からの排気量を1.7(l/分)とした。熱源の温度を1250℃に保ち、1.5時間経過後、SiF4ガスの流量を0.1(l/分)に変更した。Heガスの流量はそのままとした。排気量は1.6(l/分)に変更した。さらに3.5時間経過後(SiF4ガスを流し始めてから5時間経過後)、SiF4ガスの供給を停止した。添加ガスの流量は当初1.7(l/分)であるが、途中から1.6(l/分)である。f/V(分−1)は、当初0.103(分−1)であるが、途中から0.097(分−1)である。
SiF4ガスの供給を停止した後もHeガスは同流量で流し続け、排気量は1.5(l/分)に変更し、熱源の温度を1450℃まで上昇し、その温度で2時間加熱を続けて、透明ガラスを得た。
得られたガラスの屈折率を実施例1と同様に6点の測定点で測定したところ、純シリカガラスに対する比屈折率差は−0.35%±0.01%であった。
実施例1と同じ大きさのガラス微粒子堆積体を同じ炉で脱水、フッ素添加および透明化して透明ガラスを製造した。ただし、フッ素添加時に流すガスは、当初はSiF4ガスとHeガスをそれぞれ0.2(l/分)、1.5(l/分)の流量で流し、排出口からの排気量を1.7(l/分)とした。熱源の温度を1250℃に保ち、1.5時間経過後、SiF4ガスの流量を0.1(l/分)に変更した。Heガスの流量はそのままとした。排気量は1.6(l/分)に変更した。さらに3.5時間経過後(SiF4ガスを流し始めてから5時間経過後)、SiF4ガスの供給を停止した。添加ガスの流量は当初1.7(l/分)であるが、途中から1.6(l/分)である。f/V(分−1)は、当初0.103(分−1)であるが、途中から0.097(分−1)である。
SiF4ガスの供給を停止した後もHeガスは同流量で流し続け、排気量は1.5(l/分)に変更し、熱源の温度を1450℃まで上昇し、その温度で2時間加熱を続けて、透明ガラスを得た。
得られたガラスの屈折率を実施例1と同様に6点の測定点で測定したところ、純シリカガラスに対する比屈折率差は−0.35%±0.01%であった。
(比較例2)
実施例1と同じ大きさのガラス微粒子堆積体を同じ炉で脱水、フッ素添加および透明化して透明ガラスを製造した。ただし、フッ素添加時に流すガスの流量はSiF4ガスは0.1(l/分)、Heガスは1.5(l/分)、排気量は1.6(l/分)でそれぞれ一定とした。透明化後の比屈折率差が−0.35%±0.01%と実施例2と同等なガラスを製造するには、フッ素添加の時間が9時間必要であった。脱水および透明化は実施例2と同様に行った。
実施例1と同じ大きさのガラス微粒子堆積体を同じ炉で脱水、フッ素添加および透明化して透明ガラスを製造した。ただし、フッ素添加時に流すガスの流量はSiF4ガスは0.1(l/分)、Heガスは1.5(l/分)、排気量は1.6(l/分)でそれぞれ一定とした。透明化後の比屈折率差が−0.35%±0.01%と実施例2と同等なガラスを製造するには、フッ素添加の時間が9時間必要であった。脱水および透明化は実施例2と同様に行った。
実施例1と実施例2とを比較すると、実施例2は屈折率制御物質を含むガスの流量を絞った場合である。実施例2は比較例2よりも4時間も製造時間を短縮でき、SiF4ガスの使用量も実施例2では比較例2よりも15lも節約できる。これより、屈折率制御物質を含むガスの流量を絞った場合であっても、本発明の効果があることが確認できる。実施例1と実施例2とを比較すると、屈折率制御物質を含むガスの流量を絞った場合には、ガスを流す時間が長くなるが、流すガスの総量を少なくすることができる。
屈折率制御物質を含むガスを流す時間についてみると、実施例1は比較例1の60%の時間で済んでおり、実施例2は比較例2の56%の時間で済んでいる。したがって、屈折率制御物質を含むガスの流量を絞った場合(例えば、実施例2に示されるように屈折率制御物質の添加終了直前でのf/Vが0.1(分−1)である場合)は、時間短縮の効果が大きい。
屈折率制御物質を含むガスを流す時間についてみると、実施例1は比較例1の60%の時間で済んでおり、実施例2は比較例2の56%の時間で済んでいる。したがって、屈折率制御物質を含むガスの流量を絞った場合(例えば、実施例2に示されるように屈折率制御物質の添加終了直前でのf/Vが0.1(分−1)である場合)は、時間短縮の効果が大きい。
本発明で製造されるガラスは屈折率の均一性がよいため、本発明は、光ファイバ用ガラス母材やフォトマスク用ガラス母材など多くの産業分野に品質の優れたガラスを提供することに利用可能である。
1 ガラス微粒子堆積体
2 ダミーロッド
3 吊り棒
10 容器
11 炉心管
12 外壁
13 熱源
14 供給口
15 供給管
16 排出口
17 排気管
18 蓋
20 昇降装置
21 放射温度計
2 ダミーロッド
3 吊り棒
10 容器
11 炉心管
12 外壁
13 熱源
14 供給口
15 供給管
16 排出口
17 排気管
18 蓋
20 昇降装置
21 放射温度計
Claims (2)
- ガラス微粒子堆積体を容器に入れ、屈折率制御物質を含む添加ガスを前記容器に供給し、かつ前記容器内のガスを排気して、前記屈折率制御物質を前記ガラス微粒子堆積体に添加し、さらに前記ガラス微粒子堆積体を加熱して透明化するガラスの製造方法であって、目標とする前記ガラスの屈折率により前記添加ガス中の前記屈折率制御物質の最終設定濃度を決定し、前記最終設定濃度よりも高い設定濃度の前記屈折率制御物質を含む前記添加ガスを前記容器内に供給した後、前記最終設定濃度の前記屈折率制御物質を含む前記添加ガスを前記容器内に供給するガラスの製造方法。
- 前記最終設定濃度の前記屈折率制御物質を含む前記添加ガスの流量をf(l/分)、前記容器の容積のうちの前記ガラス微粒子堆積体の有効部を取り囲む部分の体積から前記ガラス微粒子堆積体の有効部の体積を引いた体積をV(l)として、f/V≦0.1(分−1)を満たす流量fで前記添加ガスを流す請求項1に記載のガラスの製造方法。
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JP2004335334A JP2006143519A (ja) | 2004-11-19 | 2004-11-19 | ガラスの製造方法 |
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