JP2006140254A - 表面実装型電子部品の製造方法及びその電極形成方法 - Google Patents

表面実装型電子部品の製造方法及びその電極形成方法 Download PDF

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雅彦 尾関
Aya Tanabe
彩 田邉
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Abstract

【課題】 下面にのみ電極を有する表面実装型電子部品を大量に少ない工数で製造する。
【解決手段】 基板12に有底の溝14を所定の間隔をおいてほぼ平行に複数形成し、 各溝14に導電体16を埋め込み、各溝14の方向に沿って及び各溝14にほぼ直交する方向に沿って基板12を切断する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、表面実装型電子部品、特にその電極形成方法に関する。
従来、表面実装型電子部品の製造方法としては、例えば特許文献1に開示されているようなものがある。この技術では、電子素子を1単位ずつ縦横に形成したマザー基板を製作し、このマザー基板に一単位の電子素子の両端部に沿って基板の表裏方向に貫通したスリットを形成し、これらスリットの両縁に沿って各電子素子の外部電極を形成し、マザー基板をスリットと直交する方向に切断し、一単位ずつの電子素子に分離するものである。
特開平7−245228号公報
上述した技術では、電子素子の両端にその上面及び下面及びこれらの間を端面とを有する側面形状がコ字状の外部電極を形成することができる。近年、電子部品の下面にのみ電極を有するタイプの表面実装型電子部品がある。このようなタイプの表面実装型電子部品の製造には、特許文献1の技術は適用不可能である。
本発明は、電子部品の下面にのみ電極を有するタイプの表面実装型電子部品用の電極を一括して大量に製造することができる製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様では、まず、基板に有底のスリットを所定の間隔をおいてほぼ平行に複数形成する。焼成前の基板にスリットを形成することもできるし、焼成済みの基板に各スリットを形成することもできる。各スリットに導電体が埋め込まれる。この導電体は、例えば電極のベースとして形成することができる、導電体としては、銀、銀パラジウム、タングステン、モリブデンを使用することができる。これら導電体の間に電子部品を形成することができる。各スリットの方向に沿って及び各スリットにほぼ直交する方向に沿って前記基板を切断する。
以上のように、本発明によれば、下面にのみ電極を有する表面実装型電子部品を大量に少ない工数で製造することができ、コストも低減することができる。
本発明の第1の実施形態は、表面実装型電子部品、例えば図1(e)に示すような表面実装型の超小型薄膜ヒューズ2を製造するものである。このヒューズ2は、概略直方体状の本体4の下面の両端に、電極6、8を有するものである。これら電極6、8は、本体4の短縁全域に沿って形成されている。しかし、本体4の両端面全域及び上面にまでは形成されていない。本体4の上面側には可溶体10が形成され、この可溶体10は、適切な方法で電極6、8に電気的に接続されている。
この薄膜ヒューズ2を製造するために、この実施の形態では、図1(a)に示すような基板12を準備する。この基板12は、例えば未焼成のセラミック基板である。この基板12に同図(b)に示すように、所定の間隔、例えば可溶体10の長さ寸法よりも若干長い間隔をあけて、複数本の凹所、例えば溝14を平行に形成する。これら溝14は、図2に示すように一方の面から反対側の面の途中まで形成された有底のもので、これら溝14は基板12の一方の端から他方の端まで連続した長手のものである。
同図(c)に示すように、これら溝14に導体16を埋め込む。この導体16は、例えば銀、銀パラジウム、タングステン、モリブデン等である。この導体16の埋め込み後に、基板12を焼成する。
焼成後に、同図(d)に示すように各溝14の中央及び各溝14に対してほぼ垂直に所定の間隔をおいて基板12を切断する。これによって、電極6、8の下地を有する本体4が大量に同時に形成される。この後、下地部分を基に電極6、8、さらに、本体4の上面側に可溶体10を形成し、可溶体10を電極6、8に接続して、表面実装型の薄膜ヒューズ2を形成する。なお、同図(c)の段階で、溝14が形成されている面と反対側の面に可溶体10をそれぞれ形成し、その後に同図(d)に示すように基板12を切断することもできる。
第2の実施の形態も、図3(d)に示すよう表面実装型の超小型薄膜ヒューズ2aを製造するものである。このヒューズ2aは、概略直方体状の本体4の下面の両端の中央に、電極6a、8aを有するものである。他は第1の実施の形態と同様に構成されている。
この薄膜ヒューズ2aを形成するために、同図(a)に示すように、焼成済みのセラミック基板12aに、マトリックス状に、即ち縦方向及び横方向に間隔をあけて凹所、例えば直方体状の短溝14aを形成する。これは、例えばサンドブラストによって形成することができ、第1の実施の形態の溝14と同様に有底のものである。同図(b)に示すように、これら短溝14aに導電性ペースト16aを充填し、導電体を構成する。その後に、同図(c)に示すように、各短溝14aを通過するように縦横に基板12aを切断し、電極6a、8aの下地を有する本体4aが大量に同時に形成される。この後、下地部分を基に電極6a、8a、さらに、本体4aの上面側に可溶体10を形成し、可溶体10を電極6a、8aに接続して、表面実装型の薄膜ヒューズ2aを形成する。なお、同図(b)の段階で、短溝14aが形成されている面と反対側の面に可溶体10をそれぞれ形成し、その後に同図(c)に示すように基板12を切断することもできる。
第1の実施の形態では未焼成の基板12に溝14を形成したが、焼成済みの基板に溝14を、例えばダイシングによって一定ピッチの複数の溝14を形成し、これら溝14に導体を埋め込んでもよい。
本発明の第1の形態による表面実装型電子部品の製造方法の各過程を示す図である。 図1の製造方法において形成される基板上の溝を示す図である。 本発明の第2の実施形態による表面実装型電子部品の製造方法の各過程を示す図である。
符号の説明
2 2a 薄膜ヒューズ
4 4a 本体
6 6a 8 8a 電極
10 可溶体
12 12a 基板
14 14a 溝(凹所)
16 16a 導体

Claims (4)

  1. 基板に有底の凹所を所定の間隔をおいてほぼ平行に複数形成する過程と、
    前記各凹所に導電体を埋め込む過程と、
    前記各凹所の方向に沿って及び各凹所にほぼ直交する方向に沿って前記基板を切断する過程とを、
    具備する表面実装型電子部品の電極形成方法。
  2. 請求項1記載の表面実装型電子部品の電極形成方法において、前記各凹所が連続した溝であることを特徴とする表面実装型電子部品の電極形成方法。
  3. 請求項1記載の表面実装型電子部品の電極形成方法において、前記凹所を前記基板にマトリックス状に形成する表面実装型電子部品の電極形成方法。
  4. 請求項1記載の表面実装型電子部品の電極形成方法において、前記凹所間に電子部品を形成する表面実装型電子部品の製造方法。
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