JP2006128422A - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】 降圧回路の配置や、電源間保護回路に対する均等配置の点において半導体チップの空きスペースを有効活用する。
【解決手段】 半導体チップに、複数の外部信号端子と、複数の外部電源端子と、複数のグランド端子と、前記外部電源端子から供給される外部電源電圧を降圧する複数の降圧回路(7)と、前記外部信号端子に接続され前記外部電源電圧を動作電源として用いる複数のバッファ回路(5)と、電源配線とグランド配線の間の高電圧変動に対する保護回路(6)とを有する。降圧回路は前記バッファ回路の矩形セル領域とは異なる矩形セル領域に配置し、降圧回路の一部であるクランプMOSトランジスタを分離してバッファ回路のセル領域に分散させることを行わない。半導体チップ四隅のコーナー部を活用して保護回路を配置することにより、ESD等の高圧サージに対する保護の信頼性向上に資することができる。
【選択図】 図1
Description
2 外部信号端子
3 外部電源端子
4 外部グランド端子
5 外部入出力バッファ回路
6 保護回路
7 降圧回路
7A クランプMOSトランジスタ
7B 降圧制御部
7C 空き領域
10 中央処理装置
23 電源配線
24 グランド配線
CA1〜CA13、CB1〜CB9 矩形セル領域
RA チップコーナー部の空き領域
Claims (5)
- 半導体チップに、複数の外部信号端子と、複数の外部電源端子と、複数のグランド端子と、前記外部電源端子から供給される外部電源電圧を降圧する複数の降圧回路と、前記外部信号端子に接続され前記外部電源電圧を動作電源として用いる複数のバッファ回路と、電源配線とグランド配線の間の高電圧変動に対する保護回路とを有し、
前記各々のバッファ回路は半導体チップ上に分散された所定の矩形セル領域に形成され、
前記各々の降圧回路は半導体チップ上に分散された所定の矩形セル領域に形成され、外部電源電圧に接続されるクランプMOSトランジスタと、クランプMOSトランジスタのコンダクタンスを制御する降圧制御部とを有し、前記降圧回路は前記バッファ回路の矩形セル領域とは異なる矩形セル領域に配置され、
前記保護回路は半導体チップ上に分散された所定の矩形セル領域に形成され、
半導体チップのコーナー部は前記保護回路の矩形セル領域を含む半導体集積回路。 - 前記コーナー部における前記保護回路の矩形セル領域は、前記半導体チップを周回する電源配線とグランド配線に対して、コーナー部を挟む隣接保護回路との間でより均等な間隔を採る位置に配置される請求項1記載の半導体集積回路。
- バッファ回路は出力の駆動能力を可変とする論理回路を有する請求項2記載の半導体集積回路。
- 半導体チップに、複数の外部信号端子と、複数の外部電源端子と、複数のグランド端子と、前記外部電源端子から供給される外部電源電圧を降圧する複数の降圧回路と、前記外部信号端子に接続され前記外部電源電圧を動作電源として用いる複数のバッファ回路と、電源配線とグランド配線の間の高電圧変動に対する保護回路とを有し、
前記保護回路は半導体チップ上に分散された所定の矩形セル領域に形成され、
半導体チップのコーナー部は前記保護回路の矩形セル領域を含み、
前記コーナー部における前記保護回路の矩形セル領域は、前記半導体チップを周回する電源配線とグランド配線に対して、コーナー部を挟む隣接保護回路との間でより均等な間隔を採る位置に配置される半導体集積回路。 - 前記各々の降圧回路は半導体チップ上に分散された所定の矩形セル領域に形成され、外部電源電圧に接続されるクランプMOSトランジスタと、クランプMOSトランジスタのコンダクタンスを制御する降圧制御部とを有し、前記降圧回路は前記バッファ回路の矩形セル領域とは異なる矩形セル領域に配置される請求項4記載の半導体集積回路。
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- 2004-10-29 JP JP2004315074A patent/JP2006128422A/ja active Pending
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