JPH05304212A - 半導体集積回路装置及びその動作機能試験方法 - Google Patents
半導体集積回路装置及びその動作機能試験方法Info
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- JPH05304212A JPH05304212A JP4109772A JP10977292A JPH05304212A JP H05304212 A JPH05304212 A JP H05304212A JP 4109772 A JP4109772 A JP 4109772A JP 10977292 A JP10977292 A JP 10977292A JP H05304212 A JPH05304212 A JP H05304212A
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Abstract
定されていたため、不必要な能力を使わざるをえないと
いう問題がある。そこで、本発明は、用途に応じた能力
を有する出力バッファ部を持つ半導体集積回路装置を提
供することを目的とする。 【構成】内部回路2からの出力信号及び制御信号は、出
力信号線8と制御信号線9とを介し制御回路10に入力
し、制御回路10からの出力信号は、制御回路出力信号
線11、12を介しそれぞれ独立した第1、第2出力バ
ッファ部13、14に入力する。第1、第2出力バッフ
ァ部13、14の出力は、選択的に出力信号線15を介
し出力端子3から外部回路5に出力される。 【効果】本発明によれば、用途に応じた能力を持つ出力
バッファ部を選択的に使用することが可能となる。
Description
(以下ICと称する)に関し、特に出力バッファ部に関
する。
びに[図6]に示すBi−CMOS出力バッファ部を参
照して説明する。
内部回路2と出力端子3の間に挿入された出力バッファ
部4から構成され、出力端子3からは外部回路5へ出力
信号を出力している。出力バッファ部4は、内部回路2
からの出力信号を外部回路5へ出力するにあたり、内部
回路2と外部回路5との間の整合をとるように動作す
る。すなわち、出力バッファ部4は内部回路2から外部
回路5へ出力されるべく出力された信号を、信号の持つ
値を変えずに外部回路5に応じた能力に変換して出力す
るものである。
ァ部は、[図5]に示した出力バッファ部4の一例であ
り、CMOSインバ−タ6とBi−CMOSインバ−タ
7から構成されている正転出力バッファ部である。[図
6]に示したBi−CMOS出力バッファ部の機能は、
内部回路2内の微小電流駆動から外部回路5を駆動する
ための大電流駆動への電流駆動力の変換を行なうことに
ある。電流駆動力は変換され大きくなるが、信号の持つ
値は変換されない。
だけの機能で一つだけの能力を有する単一回路から構成
されていた。従来の出力バッファ部の機能としては、上
述した電流駆動力の増減の他にも、内部3V系から出力
5V系への電源系の変換、デジタル信号からアナログ信
号への変換等がある。それらは、いずれも出力バッファ
部4へ入力する信号、すなわち、IC1から外部回路5
へ出力すべき値を持つ信号を、その値を変えることな
く、外部回路5に応じた能力に変換し、出力するもので
ある。
Cと称する)においては、出力信号が、あたかも電源系
の切り換えや駆動電流値の切り換えが行なわれている、
換言すれば、複数の出力バッファ部があり複数の機能や
能力を持っているがごとくの振る舞いを見せるが、DA
Cの出力バッファ部としての機能、能力は、単一のもの
である。例えば、1Vの出力と2Vの出力は、使い分け
られるものではなく、同一の外部回路に対し、DACの
入力信号の値に応じて出力されるものである。すなわ
ち、特定の外部回路には1Vのみ出力し、他の外部回路
には2Vのみ出力するといった使い分けは、DACとし
ての機能を果たせないものとなるためできない。この事
は、DACの動作機能試験を行なう場合、1Vのみ出力
していたのでは、動作機能試験とはならないことからも
容易に理解できることである。従って、DACの出力バ
ッファ部は、単一の機能の独立した出力バッファ部とし
てとらえなければならない。
力バッファ部を用いているICの場合は負荷が軽いとき
でも大電流を流すことになるため、消費電流の増大を招
く。また、負荷が軽いときに大電流を流すため、配線の
インダクタンスの影響により、オ−バ−シュ−ト、アン
ダ−シュ−トなどのノイズが発生しやすくなり、さら
に、電源電圧の変動の原因ともなる。また、動作機能試
験時に通常のLSIテスタでは従来の大電流駆動出力バ
ッファ部のみを有しているICに対しては電流容量が不
足するため、補助電源などの付属設備が必要となるか、
もしくは大電流容量LSIテスタを使わざるをえなくな
る。他の方法としては、テストパタ−ンに同時スイッチ
ングを避けるパタ−ンを使わなければならないため、テ
スト時間が増長する。これらの問題は近年多ピン化傾向
が顕著であるため出力ピン数が増大しさらに大きな問題
となっている。
系の出力バッファ部を用いている場合は、ECL系の入
力回路を持つ外部回路を用いているシステムでは使え
ず、逆に、ECL系の出力バッファ部を用いている場合
はCMOS系の入力回路を持つ外部回路を用いているシ
ステムでは使えないという問題があった。これらは、電
圧系を変換するインタ−フェイス回路を挿入することで
解決してきたが、部品数の増大や、それに伴う消費電
流、ボ−ドサイズ、遅延時間等の増大を招き、やはり問
題となる。また、異なる電源系を持つ複数の外部回路に
接続されるICの場合、試験時に複数の電源系が必要と
なり、容易に試験を行なうことができないという問題も
あった。
一の機能、単一の能力を持つものに固定されていたた
め、不必要な能力を使わざるをえなくなるか、もしくは
外付部品がなければ、使えなくなるという問題があっ
た。そこで、本発明は上記欠点を除去し、用途による切
り換えが可能な出力バッファ部を持つICを提供するこ
とを目的とする。
に、本発明においては、内部回路と、この内部回路と外
部回路へ出力信号を送出する出力端子間に出力バッファ
部を有するICにおいて、少なくとも第1並びに第2の
複数の出力バッファ部と、前記第1並びに第2出力バッ
ファ部を選択的に作動せしめる制御回路を備えたICを
提供する。さらに、本発明に係わる前記ICにおいて、
前記第1出力バッファ部の電流駆動力が前記第2出力バ
ッファ部の電流駆動力より大なるICを提供する。
おいて、前記第1出力バッファ部がBi−CMOS回路
から構成され前記第2出力バッファ部がCMOS回路か
ら構成されているICを提供する。
おいて、前記第1出力バッファ部が第1の電源電圧によ
り駆動され、前記第2出力バッファ部が前記第1の電源
電圧とは異なる電圧の第2の電源電圧により駆動される
ICを提供する。
用いて行なうICの動作機能試験方法において、試験時
には試験に適した第1の出力バッファ部を通常動作さ
せ、他の出力バッファ部をHz出力状態とするICの動
作機能試験方法を提供する。
いては、制御回路を起動することにより、IC内に設け
た複数の独立した出力バッファ部が切り換えられるた
め、ICの出力が供給される外部回路の特性、用途に応
じた能力の出力バッファ部を選択的に使用することがで
きる。さらに、本発明に係わるICにおいては、動作機
能試験時に出力バッファ部の能力を変えることにより、
容易で正確な動作機能試験を行なうことができる。
4]を参照して説明する。
図である。IC1内の内部回路2からの出力信号と制御
信号はそれぞれ内部回路出力信号線8と制御信号線9を
介して制御回路10に入力し、制御回路出力信号は制御
回路出力信号線11、12を介してそれぞれ第1出力バ
ッファ部13、第2出力バッファ部14に入力する。第
1並びに第2出力バッファ部13、14の出力は出力信
号線15を介して出力端子3から外部回路5に出力され
る。
より制御回路10が動作し、第1出力バッファ部13、
第2出力バッファ部14が切り換えられる。内部回路2
からの出力信号は、内部回路出力信号線8、制御回路1
0を介して、第1出力バッファ部13あるいは第2出力
バッファ部14のうち動作状態にあるものを経由して、
外部回路5に出力される。
としてBi−CMOS出力バッファ部を用い、第2出力
バッファ部としてCMOS出力バッファ部を用いた実施
例を示す。
は、制御信号として入力バッファ部17を介して制御信
号線9から制御回路10に入力する。内部回路2からの
出力信号は、内部回路出力信号線8から制御回路10に
入力する。制御回路10の出力信号は、制御回路出力信
号線18、19を介して、第1出力バッファ部である大
電流駆動用出力バッファ部20に、制御回路出力信号線
21、22を介して、第2出力バッファ部である小電流
駆動用出力バッファ部23にそれぞれ入力する。大電流
駆動用出力バッファ部20と小電流駆動用出力バッファ
部23の出力は、出力信号線15を介して出力端子3か
ら出力される。
流駆動したい場合は、制御信号入力端子16に入力する
信号を、高レベル信号(以下Hと称する)とし、大電流
駆動したい場合は、低レベル信号(以下Lと称する)と
する。もしくは大電流駆動したい場合、制御信号入力端
子16を開放としプルダウン抵抗24によりLとするこ
ともできる。
は、制御信号がHになるため、制御回路10の出力のう
ち制御回路出力信号線18から出力される信号はインバ
−タ25と2入力ナンド26によりHに、制御回路出力
信号線19から出力される信号は2入力ノア27により
Lに決まる。そのため、大電流駆動用出力バッファ部2
0の出力は、ハイインピ−ダンス状態(以下Hzと称す
る)となり、大電流駆動は行なわれない。制御回路10
の出力のうち制御回路出力信号線21、22から出力さ
れる信号は内部回路出力信号の論理とは反転出力となる
ため、小電流駆動用出力バッファ部23はインバ−タ動
作し、その出力は内部回路出力信号と同じ論理の出力と
なる。すなわち、出力端子3から出力される出力信号
は、小電流駆動用出力バッファ部23のみに駆動される
こととなる。
は、制御信号がLになるため、制御回路10の出力のう
ち制御回路出力信号線21から出力される信号は2入力
ナンド28によりHに、制御回路出力信号線22から出
力される信号はインバ−タ29と2入力ノア30により
Lに決まる。そのため、小電流駆動用出力バッファ部2
3の出力はHzとなり、小電流駆動は行なわれない。制
御回路10の出力のうち制御回路出力信号線18、19
から出力される信号は、内部回路出力信号の論理とは反
転出力となるため、大電流駆動用出力バッファ部20は
インバ−タ動作し、その出力は、内部回路出力信号と同
じ論理の出力となる。すなわち、出力端子3から出力さ
れる出力信号は、大電流駆動用出力バッファ部20のみ
に駆動されることとなる。
てBi−CMOS出力バッファ部を用い第2出力バッフ
ァ部としてCMOS出力バッファ部を用いた実施例は、
電流駆動力を切り換えるものであるが、第1並びに第2
出力バッファ部の電源電圧を異なる値として電源系の変
換などに利用することもできる。[図3]は、本発明の
第1並びに第2出力バッファ部としていずれもCMOS
三値出力バッファ部に用いた実施例を示す。
三値制御信号は、それぞれ内部回路出力信号線8、制御
信号線9及び三値制御信号線31を介し制御回路10に
入力する。制御回路10からの出力信号は、それぞれ制
御回路出力信号線32、33を介し第1出力バッファ部
34に、制御回路出力信号線35、36を介し第2出力
回路部37に入力する。第1並びに第2出力バッファ部
34、37の出力は、出力信号線15を介し出力端子3
から出力される。
流駆動したい場合は、制御信号線9の制御信号をHと
し、大電流駆動したい場合はLとする。Hzにしたい場
合は、いずれの場合も三値制御信号線31の三値制御信
号をHにする。
のうち制御回路出力信号線35から出力される信号はイ
ンバ−タ38と3入力ナンド39によりHに、制御回路
出力信号線36から出力される信号は3入力ノア40に
よりLに決まる。そのため、第2出力バッファ部37の
出力は、内部回路2からの出力信号及び三値制御信号に
関係なくHzとなり、電流駆動は行なわれない。制御回
路10の出力のうち制御回路出力信号線32、33から
出力される信号は、内部回路2からの出力信号及び三値
制御信号により決定され、第1出力バッファ部34は通
常動作となる。すなわち、出力端子3から出力される出
力信号は、第1出力バッファ部34のみにより駆動され
ることとなり、小電流駆動となる。
は、内部回路2からの出力信号及び三値制御信号により
決定されるため、第1並びに第2出力バッファ部34、
37の両出力バッファ部とも同時に通常動作となる。す
なわち、出力端子3から出力される出力信号は、第1並
びに第2出力バッファ部34、37の双方に駆動される
こととなり、大電流駆動となる。
つ出力バッファ部として、第1出力バッファ部34のみ
の場合と、第1並びに第2出力バッファ部34、37と
を合わせた場合との二つとして考える。第1並びに第2
出力バッファ部34、37は、同一の機能を有してお
り、従って、第1出力バッファ部34と第2出力バッフ
ァ部37とが、同一の能力のものでも異なる能力のもの
でも使用できる。
実施例の回路を、応用する例としては、半導体集積回路
装置の動作機能試験時に小電流駆動させ、治具やLSI
テスタに負担を掛けることなく試験し、実使用時に大電
流駆動させることがある。この試験方法の場合、大電流
容量テスタや、特別の治具、補助電源などが不要とな
る。また大電流駆動用出力バッファ部を同時スイッチン
グさせないような特別なテストパタ−ンを作る制限もな
くなるため、よりテスト時間を短縮することも可能とな
る。[図4]は、本発明を電源系の変換出力バッファ部
に用いた実施例を示す。
は、それぞれ内部回路出力信号線8と制御信号線9とを
介し制御回路10に入力する。制御回路10からの出力
信号は、制御回路出力信号線41、42を介し第1出力
バッファ部である3V系出力バッファ部43に、制御回
路出力信号線44、45を介し第2出力バッファ部であ
る5V系出力バッファ部46にそれぞれ入力する。3V
系出力バッファ部43、5V系出力バッファ部46の出
力は、出力信号線15を介し出力端子3から出力され
る。制御回路10は5V系電源で、内部回路2は3V系
電源で、それぞれ動作している。出力端子3から出力さ
れる出力信号を5V系電源で駆動したい場合は、制御信
号線9の制御信号をHとし、3V系電源で駆動したい場
合は、Lとする。
あり、制御信号がHの場合は、3V系出力バッファ部4
3の出力をHzとし、5V系出力バッファ部46を通常
動作させ、Lの場合は、5V系出力バッファ部46の出
力をHzとし、3V系出力バッファ部43を通常動作さ
せる。
例としては、外部回路として5V系電源で駆動されるI
Cと3V系電源で駆動されるICとがある場合、出力を
どちらか一方の電源系に統一して、動作機能試験を行な
うという方法を採れば、容易に試験することが可能にな
る。
は、出力バッファ部が二個の例について説明したが、本
発明はこれに限定されるものではなく、三個以上の出力
バッファ部を用いてもよい。
半導体集積回路装置に接続された外部回路の用途に応じ
た能力を持つ複数の独立した出力バッファ部を選択して
使用することが可能となる。加えて、容易で正確な動作
機能試験を行なうことが可能となる。
Claims (5)
- 【請求項1】 内部回路と、この内部回路と外部回路へ
出力信号を送出する出力端子間に前記内部回路と前記外
部回路との整合をとるべく挿入された出力バッファ部を
有する半導体集積回路装置において、前記出力バッファ
部は前記内部回路と前記外部回路との整合をとるために
設けられ、少なくとも第1並びに第2の複数の独立した
出力バッファ部からなり、前記第1並びに第2出力バッ
ファ部を選択的に作動せしめる制御回路を具備すること
を特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項2】 前記第1出力バッファ部の電流駆動力が
前記第2出力バッファ部の電流駆動力より大なることを
特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。 - 【請求項3】 前記第1出力バッファ部がBi−CMO
S回路から構成され前記第2出力バッファ部がCMOS
回路から構成されていることを特徴とする請求項1並び
に請求項2記載の半導体集積回路装置。 - 【請求項4】 前記第1出力バッファ部が第1の電源電
圧により駆動され、前記第2出力バッファ部が前記第1
の電源電圧とは異なる電圧の第2の電源電圧により駆動
されることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路
装置。 - 【請求項5】 半導体集積回路装置の動作機能試験方法
において、出力端子に共通に接続された複数の独立した
出力バッファ部の内、試験に適した能力を有する第1の
出力バッファ部のみを通常出力状態とし、他の出力バッ
ファ部をハイインピ−ダンス出力状態とする切り換え手
段を具備し、前記第1の出力バッファ部からの通常出力
により試験を行なうことを特徴とする半導体集積回路装
置の動作機能試験方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4109772A JP2937619B2 (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | 半導体集積回路装置 |
US08/053,405 US5404056A (en) | 1992-04-28 | 1993-04-28 | Semiconductor integrated circuit device with independently operable output buffers |
KR1019930007138A KR960011256B1 (ko) | 1992-04-28 | 1993-04-28 | 반도체 집적회로장치 및 그 기능시험방법 |
US08/332,408 US5523702A (en) | 1992-04-28 | 1994-10-31 | Sequentially switching output buffers |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4109772A JP2937619B2 (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05304212A true JPH05304212A (ja) | 1993-11-16 |
JP2937619B2 JP2937619B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=14518840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4109772A Expired - Lifetime JP2937619B2 (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2937619B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08220196A (ja) * | 1995-02-17 | 1996-08-30 | Nec Corp | 半導体集積回路装置及びテスト方法 |
US6646952B2 (en) | 2001-11-12 | 2003-11-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor circuit and semiconductor device |
JP2006128422A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路 |
KR100892734B1 (ko) | 2008-02-14 | 2009-04-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 입력 회로 및 그 제어 방법 |
US8031533B2 (en) | 2008-02-14 | 2011-10-04 | Hynix Semiconductor Inc. | Input circuit of semiconductor memory apparatus and controlling method thereof |
-
1992
- 1992-04-28 JP JP4109772A patent/JP2937619B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
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JP2006128422A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路 |
KR100892734B1 (ko) | 2008-02-14 | 2009-04-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 입력 회로 및 그 제어 방법 |
US8031533B2 (en) | 2008-02-14 | 2011-10-04 | Hynix Semiconductor Inc. | Input circuit of semiconductor memory apparatus and controlling method thereof |
US8477557B2 (en) | 2008-02-14 | 2013-07-02 | SK Hynix Inc. | Input circuit of semiconductor memory apparatus and controlling method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2937619B2 (ja) | 1999-08-23 |
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