JP2006111488A - ダイヤモンド部品およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 この製造方法は、ダイヤモンドの基体1の表面上に第一層2を設ける第一層形成工程と、ドーム状表面5aを有する第二層5を第一層2上に設ける第二層形成工程と、第一層2がドーム状表面を有するまで第二層5及び第一層2をドライエッチングする第一ドライエッチング工程と、基体1の表面がドーム状表面8aを有するまで第一層6及び基体1をドライエッチングする第二ドライエッチング工程と、形成された基体のドーム状表面8aに集束イオンビームを照射する集束イオンビーム照射工程とを備える。
【選択図】 図1
Description
を有することを特徴とする。
(第1条件)
高周波周波数:13.56MHz
高周波電力:100W
チャンバ内圧力:3.0Pa
CF4ガス流量:10sccm
エッチング時間:30分
(第2条件)
高周波周波数:13.56MHz
高周波電力:200W
チャンバ内圧力:1.3Pa
CF4ガス流量:1sccm
O2ガス流量:50sccm
エッチング時間:30分
(第3条件)
加工電圧:40kV
ビーム電流値:37nA〜0.01nA
イオン源:Ga液体金属
分解能:6nm
アシストガス:なし
前処理コーティング:Au:10nm〜100nm
Claims (9)
- ダイヤモンド部品の製造方法であって、
ダイヤモンドの基体の表面上に第一層を設ける第一層形成工程と、
ドーム状表面を有する第二層を前記第一層上に設ける第二層形成工程と、
前記第一層がドーム状表面を有するまで前記第二層及び前記第一層をドライエッチングする第一ドライエッチング工程と、
前記基体の表面がドーム状表面を有するまで前記第一層及び前記基体をドライエッチングする第二ドライエッチング工程と、
形成された前記基体のドーム状表面に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム照射工程と、
を備えるダイヤモンド部品の製造方法。 - 前記第二層形成工程は、
前記第一層上に感光性材料を塗布する工程と、
この感光性材料を露光・現像することで略円柱状の感光性材料パターンを形成する工程と、
前記感光性材料パターンを加熱してその表面をドーム状に変形させた後、硬化させる工程と、
を有する請求項1に記載のダイヤモンド部品の製造方法。 - 前記第二層、前記第一層、前記基体それぞれのドーム状表面は複数であることを特徴とする請求項1又は2に記載のダイヤモンド部品の製造方法。
- 前記基体の裏面上に第三層を設ける第三層形成工程と、
ドーム状表面を有する第四層を前記第三層上に設ける第四層形成工程と、
前記第三層がドーム状表面を有するまで前記第四層及び前記第三層をドライエッチングする第三ドライエッチング工程と、
前記基体の裏面がドーム状表面を有するまで前記第三層及び前記基体をドライエッチングする第四ドライエッチング工程と、
を更に備え、
前記基体の表面側のドーム状表面の二次元位置は、裏面側のドーム状表面の二次元位置と略一致していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のダイヤモンド部品の製造方法。 - 前記基体の表面及び裏面のドーム状表面の周囲に位置する平坦部分を、これらのドーム状表面の形状を維持したまま除去する工程を更に備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のダイヤモンド部品の製造方法。
- 前記第一層の材料はダイヤモンドとは異なることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のダイヤモンド部品の製造方法。
- 前記集束イオンビーム照射工程における集束イオンビーム照射は、前記基体のドーム状表面の形状が三次元形状設計値に近づくように行われることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のダイヤモンド部品の製造方法。
- 前記集束イオンビーム照射工程は、
前記第二及び/又は第四ドライエッチング工程後の前記基体のドーム状表面の三次元形状を測定する工程と、
測定された三次元形状と前記三次元形状設計値との差分が無くなるようにドーム状表面に集束イオンビームを照射する工程と、
を有することを特徴とする請求項7に記載のダイヤモンド部品の製造方法。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の製造方法によって製造されたダイヤモンド部品。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008114388A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-22 | Chinontec Kk | マイクロデバイスの製造方法 |
CN105372726A (zh) * | 2015-12-14 | 2016-03-02 | 中山大学 | 一种金刚石微透镜阵列及其制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0741388A (ja) * | 1993-03-10 | 1995-02-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドの平坦化法および研磨法 |
JPH08179106A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 光学デバイス用材料・光学デバイス・光学デバイス製造方法 |
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2004
- 2004-10-14 JP JP2004300721A patent/JP4534709B2/ja not_active Expired - Fee Related
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