JP2006104500A - 無電解スズメッキ方法及び当該メッキ用の前処理液 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 イオウ系錯化剤を含有し、且つ、酸を含有しない中性乃至弱塩基性の前処理液に被メッキ物を浸漬した後、可溶性第一スズ塩、酸及びイオウ系錯化剤を含有する無電解スズメッキ液を用いて被メッキ物に無電解メッキを行う無電解スズメッキ方法である。チオ尿素類などのイオウ系錯化剤を含有し、且つ、酸を含有しない前処理液で予め被メッキ物を浸漬処理するため、無電解メッキで得られたスズ皮膜にシミや色調ムラが生じるのを有効に防止でき、特に、厚付けメッキに際しても優れた皮膜外観を付与できる。
【選択図】 なし
Description
例えば、特許文献1には、析出結晶を微細化してめっきムラを防止することを目的として、チオ尿素類と界面活性剤を含有する酸性の前処理液を銅系基材の被メッキ面に接触させた後、無電解スズメッキ又はハンダメッキを施すことが開示されている。
この前処理液は、塩酸、硫酸、有機スルホン酸などの酸によって酸性液とされ、液中の酸濃度が低すぎると銅基材表面を活性化する効果が不充分になることが指摘されている(段落11参照)。また、実施例1〜2の無電解ハンダメッキ用の前処理液にはメタンスルホン酸又は塩酸が含有され(段落16〜22参照)、実施例3の無電解スズメッキ用の前処理液にはメタンスルホン酸が含有される(段落26〜27参照)。
また、この前処理の後、無電解スズメッキに際して、例えば、浴温70℃、メッキ時間5分で1μm程度以上の厚付けメッキを行うと、スズ皮膜の膜厚のバラツキが大きくなり、電子部品などでは品質に問題が生じる。
本発明は、無電解スズメッキに際して、主に皮膜にシミや色調ムラが発生するのを有効に防止して、皮膜外観を改善することを技術的課題とする。
これに対して、本発明では、チオ尿素類などのイオウ系錯化剤を含有し、且つ、酸を含有しない前処理液で予め被メッキ物を浸漬処理するため、無電解メッキで得られたスズ皮膜にシミや色調ムラが生じるのを有効に防止でき、皮膜外観に優れる。
この前処理では、イオウ系錯化剤が被メッキ物の表面に吸着されるなどの化学作用を呈し、後の無電解メッキでスズの置換析出を促進すると推定できるが、前処理液に界面活性剤を添加すると、表面張力の低下でイオウ系錯化剤の吸着展開がより円滑になり、無電解皮膜の外観は一層良好になる。
また、本発明の酸を含まない前処理液で処理すると、無電解メッキで得られるスズ皮膜の被メッキ物表面への密着性を向上できるとともに、無電解メッキの際に厚付けメッキを行っても、スズ膜厚のバラツキを低減することができる。このため、例えば、各種の電子部品に本発明の前処理を行うと、後に無電解の厚付けメッキを施しても、スズ膜厚のバラツキを抑制して、生産性を高めながら、メッキを施した電子部品の品質を保持できる。
上記イオウ系錯化剤はローンペアを有するイオウ原子を分子内に含む化合物であり、従って、例えば、有機スルホン酸などではイオウ原子の外殻電子がオクテット構造になっているため、含イオウ化合物ではあるが、本発明の錯化剤から排除される。但し、錯化剤のうち、下記に示すチオグリコール酸、チオジグリコール酸、メルカプトコハク酸などは酸であるが、上記本発明2に示すように、添加剤レベルで錯化剤を微量添加する場合には、中性域からあまり外れないため本発明の錯化剤からは排除されない。
(イ)チオアミド類
チオ尿素、並びに、1,3―ジメチルチオ尿素、トリメチルチオ尿素、ジエチルチオ尿素(例えば、1,3―ジエチル―2―チオ尿素)、N,N′―ジイソプロピルチオ尿素、アリルチオ尿素、アセチルチオ尿素、エチレンチオ尿素、1,3―ジフェニルチオ尿素、二酸化チオ尿素、チオセミカルバジドなどのチオ尿素誘導体
(ロ)メルカプタン類
チオグリコール(SH−CH2CH2OH)、チオジグリコール(HOCH2CH2−S−CH2CH2OH)、チオグリコール酸(HSCH2COOH)、メルカプトプロピオン酸(CH3CH(SH)COOH)、メルカプトコハク酸(HOOCCH2−CH(SH)COOH)
(a)モノ又はジスルフィド結合の両側或は片側に隣接してオキシエチレン基、オキシプロピレン基又はオキシ(ヒドロプロピレン基)を単数又は繰り返し分子内に有するオキシアルキレン型脂肪族スルフィド類であり、具体的には、下記の化合物が挙げられる。
(1)H−(OCH2CH2)3−S−(CH2CH2O)3−Hで表されるビス(トリエチレングリコール)チオエーテル
(2)H−(OCH2CH2)6−S−(CH2CH2O)6−Hで表されるビス(ヘキサエチレングリコール)チオエーテル
(3)H−(OCH2CH2)10−S−(CH2CH2O)10−Hで表されるビス(デカエチレングリコール)チオエーテル
(4)H−(OCH2CH2)12−S−(CH2CH2O)12−Hで表されるビス(ドデカエチレングリコール)チオエーテル
(5)H−(OCH2CH2)15−S−(CH2CH2O)15−Hで表されるビス(ペンタデカエチレングリコール)チオエーテル
(6)H−(OCH2CH2)20−S−(CH2CH2O)20−Hで表されるビス(イコサエチレングリコール)チオエーテル
(7)H−(OCH2CH2)30−S−(CH2CH2O)30−Hで表されるビス(トリアコンタエチレングリコール)チオエーテル
(8)H−(OCH2CH2)40−S−(CH2CH2O)40−Hで表されるビス(テトラコンタエチレングリコール)チオエーテル
(9)H−(OCH2CH2)50−S−(CH2CH2O)50−Hで表されるビス(ペンタコンタエチレングリコール)チオエーテル
(10)HOCH2CH2−S−CH2CH2OHで表される2,2′−チオジグリコール
(11)HOCH2CH2CH2−S−CH2CH2CH2OHで表される3,3′−チオジプロパノール
(12)H−(OCH2CH2)5−S−S−(CH2CH2O)5−Hで表されるビス(ω−ヒドロキシペンタエトキシ)ジスルフィド
(13)H−(OCH2CH2)12−S−S−(CH2CH2O)12−Hで表されるビス(ω−ヒドロキシドデカエトキシ)ジスルフィド
(14)H−(OCH2CH2)20−S−S−(CH2CH2O)20−Hで表されるビス(ω−ヒドロキシイコサエトキシ)ジスルフィド
(15)H−(OCH2CH2)50−S−S−(CH2CH2O)50−Hで表されるビス(ω−ヒドロキシペンタコンタエトキシ)ジスルフィド
(16)H−OCH2CH(OH)CH2−(OC2H4)10−S−S−(C2H4O)10−CH2CH(OH)CH2O−Hで表されるビス(ω−ヒドロキシモノグリセロキシデカエトキシ)ジスルフィド
(17)H−(OC2H4)5−S−CH2CH2−S−(C2H4O)5−Hで表されるS,S′−ビス(ペンタエチレングリコール)エチレンジチオエーテル
(18)H−(OC2H4)15−S−CH2CH2−S−(C2H4O)15−Hで表されるS,S′−ビス(ペンタデカエチレングリコール)エチレンジチオエーテル
(19)H−(OC2H4)30−S−CH2CH2CH2−S−(C2H4O)30−Hで表されるS,S′−ビス(トリアコンタエチレングリコール)プロピレンジチオエーテル
(20)H−(OCH2CH2)2−S−(CH2CH2O)2−Hで表されるビス(ジエチレングリコール)チオエーテル
(21)HOCH2CH(OH)CH2−S−CH2CH(OH)CH2OHで表されるビス(モノグリセロール)チオエーテル
(22)H−(OCH2CH2)41−S−S−(CH2CH2O)41−Hで表されるビス(ω−ヒドロキシヘンテトラコンタエトキシ)ジスルフィド
(23)HOCH2CH2−S−CH2CH2−S−CH2CH2OHで表される3,6−ジチオ−1,8−オクタンジオール(DTOD)
(24)H−(OC2H4)10−S−C3H6−S−(OC2H4)10−Hで表されるS,S′−ビス(デカエチレングリコール)プロピレンジチオエーテル
(25)H−(OCH2CH2)5−S−CH2CH(OH)CH2−S−(CH2CH2O)5−Hで表されるS,S′−ビス(ペンタエチレングリコール)−2−ヒドロキシプロピレンジチオエーテル
(26)H−(OCH2CH2)20−S−CH2CH2−S−(CH2CH2O)20−Hで表されるS,S′−ビス(イコサエチレングリコール)エチレンジチオエーテル
(27)CH3−S−CH2CH2OHで表される2−(メチルチオ)エタノール
(28)HOCH2CH2−S−CH2CH2CH2CH2−S−CH2CH2−OHで表される4,7−ジチオ−1,10−デカンジオール(DTDD)
(1)2−エチルチオアニリン
(2)2−(2−アミノエチルジチオ)ピリジン
(3)2,2′−ジチアジアゾリルジスルフィド
(4)5,5′−ジ(1,2,3−トリアゾリル)ジスルフィド
(5)2,2′−ジピラジニルジスルフィド
(6)2,2′−ジピリジルジスルフィド
(7)2,2′−ジチオジアニリン
(8)4,4′−ジピリジルジスルフィド
(9)2,2′−ジアミノ−4,4′−ジメチルジフェニルジスルフィド
(10)2,2′−ジピリダジニルジスルフィド
(11)5,5′−ジピリミジニルジスルフィド
(12)2,2′−ジ(5−ジメチルアミノチアジアゾリル)ジスルフィド
(13)5,5′−ジ(1−メチルテトラゾリル)ジスルフィド
(14)2,2′−ジ(1−メチルピロリル)ジスルフィド
(15)2−ピリジル−2−ヒドロキシフェニルジスルフィド
(16)2,2′−ジピペリジルジスルフィド
(17)2,2′−ジピリジルスルフィド
(18)2,6−ジ(2−ピリジルジチオ)ピリジン
(19)2,2′−ジピペラジニルジスルフィド
(20)2,2′−ジ(3,5−ジヒドロキシピリミジニル)ジスルフィド
(21)2,2′−ジキノリルジスルフィド
(22)2,2′−ジ{6−(2−ピリジル)}ピリジルジスルフィド
(23)2,2′−α−ピコリルジスルフィド
(24)2,2′−ジ(8−ヒドロキシキノリル)ジスルフィド
(25)5,5′−ジイミダゾリルジスルフィド
(26)2,2′−ジチアゾリルジスルフィド
(27)2−ピリジル−2−アミノフェニルジスルフィド
(28)2−ピリジル−2−キノリルジスルフィド
(29)2,2′−ジチアゾリニルジスルフィド
(30)2,2′−ジ(4,5-ジアミノ-6-ヒドロキシピリミジニル)ジスルフィド
(31)2,2′−ジ(6−クロロピリジル)テトラスルフィド
(32)2,2′−ジモルホリノジスルフィド
(33)2,2′−ジ(8−メトキシキノリル)ジスルフィド
(34)4,4′−ジ(3−メトキシカルボニルピリジル)ジスルフィド
(35)2−ピリジル−4−メチルチオフェニルジスルフィド
(36)2−ピペラジル−4−エトキシメチルフェニルジスルフィド
(37)2,2′−ジ{6-(2-ピリジルジチオ)ピリジル}ジスルフィド
(38)2,2′−ジキノキサリニルジスルフィド
(39)2,2′−ジプテリジニルジスルフィド
(40)3,3′−ジフラザニルジスルフィド
(41)3,3′−ジフェナントロリニルジスルフィド
(42)8,8′−ジキノリルジスルフィド
(43)1,1′−ジフェナジニルジスルフィド
(44)4,4′−ジ(3−カルボキシルピリジル)トリスルフィド
(45)2,2′−ジチアゾリニルジスルフィド
(46)2,2′−ジピコリルジスルフィド
(47)ジメチルアミノジエチルジスルフィド
(48)2,2′−ジペルヒドロインドリルジスルフィド
(49)6,6′−ジイミダゾ[2,1−b]チアゾリルジスルフィド
(50)2,2′−ジ(5−ニトロベンズイミダゾリル)ジスルフィド
(51)2,4,6−トリス(2−ピリジルジチオ)−1,3,5−トリアジン
(52)2−アミノエチル−2′−ヒドロキシエチルジスルフィド
(53)ジ(2−ピリジルチオ)メタン
チオジグリコール酸(HOOCCH2−S−CH2COOH)
(ニ)亜硫酸塩
これらのイオウ系錯化剤は単用又は併用でき、前処理液中での含有量は特に制限されないが、10-8モル/L〜4モル/Lが好ましく(本発明2参照)、より好ましくは0.1〜1.0モル/Lである。
上記界面活性剤には通常のノニオン系、アニオン系、両性、或はカチオン系などの各種界面活性剤が挙げられ、メッキ皮膜の外観、緻密性、平滑性、密着性などの改善に寄与する。
上記アニオン系界面活性剤としては、アルキル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレン多環フェニルエーテル硫酸エステル塩、ポリオキシエチレンアリルエーテル硫酸エステルナトリウム塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩などが挙げられる。カチオン系界面活性剤としては、モノ〜トリアルキルアミン塩、ジメチルジアルキルアンモニウム塩、トリメチルアルキルアンモニウム塩などが挙げられる。ノニオン系界面活性剤としては、C1〜C20アルカノール、フェノール、ナフトール、ビスフェノール類、C1〜C25アルキルフェノール、アリールアルキルフェノール、C1〜C25アルキルナフトール、C1〜C25アルコキシルリン酸(塩)、ソルビタンエステル、ポリアルキレングリコール、C1〜C22脂肪族アミドなどにエチレンオキシド(EO)及び/又はプロピレンオキシド(PO)を2〜300モル付加縮合させたものなどが挙げられる。両性界面活性剤としては、カルボキシベタイン、イミダゾリンベタイン、スルホベタイン、アミノカルボン酸などが挙げられる。
当該界面活性剤の前処理液への添加量は0.001〜50g/Lが適当であり、好ましくは0.1〜20g/Lである。
上記酸は、硫酸、塩酸、ホウフッ化水素酸などの無機酸や、有機スルホン酸、カルボン酸などの有機酸を問わない。但し、前述したように、イオウ系錯化剤が酸に属しても、微量添加して前処理液が中性付近にとどまる場合には、その錯化剤を添加することは差し支えない。
尚、被メッキ物への前処理液の接触は前処理液への浸漬が基本であるが、この浸漬処理に替えて、前処理液を被メッキ物に噴霧したり、刷毛などで塗布することを排除するものではない。
この場合、前処理の後、被メッキ物を水洗してから無電解スズメッキを施すと、無電解メッキ浴に前処理液の成分が持ち込まれず、得られる皮膜外観をより良好に形成できる。 無電解スズメッキ浴の組成は特に制限はされず、通常のメッキ浴を使用でき、一般に、可溶性第一スズ塩と、酸と、イオウ系錯化剤を基本成分とする。
上記可溶性第一スズ塩としては、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、2−プロパノールスルホン酸、p−フェノールスルホン酸などの有機スルホン酸の第一スズ塩を初め、ホウフッ化第一スズ、スルホコハク酸第一スズ、硫酸第一スズ、酸化第一スズ、塩化第一スズなどが挙げられる。
上記酸としては、有機スルホン酸、脂肪族カルボン酸などの有機酸、或は、ホウフッ化水素酸、ケイフッ化水素酸、スルファミン酸、塩酸、硫酸、過塩素酸などの無機酸が挙げられ、これらの塩を使用することもできる。酸としては、排水処理の容易性や第一スズ塩の溶解性の見地から、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、2−ヒドロキシエタンスルホン酸、2−ヒドロキシプロパンスルホン酸、フェノールスルホン酸などの有機スルホン酸が好ましい。
また、上記イオウ系錯化剤は被メッキ物の銅又は銅合金に配位して、銅の電極電位を卑の方向に遷移させる作用をする化合物であり、前記前処理液に添加するイオウ系錯化剤と基本的に同じである。このイオウ系錯化剤としてはチオ尿素類が好ましい。
一方、厚付けメッキを行う場合には、ベース酸として次亜リン酸を含有し、次亜リン酸以外の無機酸又は有機酸を含有せず、次亜リン酸の含有量が1.3モル/L以上である無電解スズメッキ浴を用いるのが有効である。
さらに、ベース酸として次亜リン酸及び補助酸を含有し、補助酸は次亜リン酸以外の硫酸、塩酸、ホウフッ化水素酸、スルファミン酸などの無機酸、又は有機スルホン酸、カルボン酸、スルホコハク酸などの有機酸であり、次亜リン酸の含有量が1.3モル/L以上で、且つ、補助酸の含有量が0.5モル/L以下であるメッキ浴も厚付け用の無電解スズ浴として有効である。補助酸が0.5モル/Lを越えると、得られるメッキ皮膜にシミや色調ムラが生じて、皮膜外観を損なう恐れがあるが、本発明の前処理を行うと、その弊害を抑制することができる(後述の試験例参照)。
当該界面活性剤は前記前処理液に含有可能な界面活性剤と同様で良い。
酸化防止剤は浴中のSn2+の酸化防止を目的としたもので、次亜リン酸又はその塩、アスコルビン酸又はその塩、ハイドロキノン、カテコール、レゾルシン、フロログルシン、クレゾールスルホン酸又はその塩、フェノールスルホン酸又はその塩、カテコールスルホン酸又はその塩、ハイドロキノンスルホン酸又はその塩、ヒドラジン等が挙げられる。
本発明の無電解スズメッキ方法を施す(即ち、前処理液に浸漬する)被メッキ物には、各種電子部品が適している。この電子部品としては、半導体デバイス、プリント基板、フレキシブルプリント基板、フィルムキャリア、IC、コネクタ、スイッチ、抵抗、可変抵抗、コンデンサ、フィルタ、インダクタ、サーミスタ、水晶振動子、リード線などが挙げられる。
尚、本発明は下記の実施例、試験例に拘束されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意の変形をなし得ることは勿論である。
下記の実施例1〜6のうち、実施例1〜3は前処理液中のチオ尿素の濃度を変えた例であり、実施例4〜6は前処理液中のチオ尿素類とノニオン系界面活性剤を濃度を変えた例である。実施例4〜6のうち、実施例4はチオ尿素類にチオ尿素を単用した例、実施例5はチオ尿素誘導体を単用した例、実施例6はチオ尿素とチオ尿素誘導体を併用した例である。
一方、比較例1〜3のうち、比較例1は被メッキ物に対して前処理なしで無電解スズメッキのみを行ったブランク例であり、比較例2は冒述の特許文献1に準拠して、チオ尿素とノニオン系界面活性剤と酸を含有する(従って、酸性の)前処理液で処理した後に無電解メッキを行った例、比較例3はチオ尿素と酸を含有する(従って、酸性の)前処理液で処理した後に無電解メッキを行った例である。
テスト用のプリント基板(JIS C5012の付録援用)を被メッキ物として、下記(a)の組成で前処理液を調製して、被メッキ物をこの前処理液に浸漬処理することにより、前処理を行った。
次いで、前処理した被メッキ物を水洗した後、下記(b)の組成で建浴した無電解スズメッキ浴を用いて、無電解の厚付けメッキを行った。
尚、当該無電解スズメッキ浴は次亜リン酸を主体のベース酸とし、メタンスルホン酸をベース酸の残りとして併用した厚付け用のメッキ浴である。
チオ尿素 0.33モル/L
[前処理液への浸漬条件]
液温:40℃
浸漬時間:30秒
(b)無電解スズメッキ浴
メタンスルホン酸第一スズ(Sn2+として) 30g/L
メタンスルホン酸 55g/L
次亜リン酸 150g/L
チオ尿素 150g/L
ノニルフェノールポリエトキシレート(EO12モル) 5g/L
[無電解メッキの条件]
浴温:70℃
メッキ時間: 5分
上記実施例1を基本として、前処理液の組成を下記(a)に調製した以外は、実施例1と同様の条件で前処理と無電解スズメッキを行った(従って、前処理の浸漬条件及び無電解メッキの条件は実施例1と同じである。以下の実施例3〜6も同様)。
(a)前処理液
チオ尿素 0.65モル/L
前記実施例1を基本として、前処理液の組成を下記(a)に調製した以外は、実施例1と同様の条件で前処理と無電解スズメッキを行った。
(a)前処理液
チオ尿素 1.30モル/L
前記実施例1を基本として、前処理液の組成を下記(a)に調製した以外は、実施例1と同様の条件で前処理と無電解スズメッキを行った。
(a)前処理液
チオ尿素 0.65モル/L
ノニルフェノールポリエトキシレート(EO10モル) 3.0g/L
前記実施例1を基本として、前処理液の組成を下記(a)に調製した以外は、実施例1と同様の条件で前処理と無電解スズメッキを行った。
(a)前処理液
1,3−ジメチルチオ尿素 0.57モル/L
ノニルフェノールポリエトキシレート(EO10モル) 5.0g/L
前記実施例1を基本として、前処理液の組成を下記(a)に調製した以外は、実施例1と同様の条件で前処理と無電解スズメッキを行った。
(a)前処理液
チオ尿素 0.30モル/L
1,3−ジメチルチオ尿素 0.20モル/L
ノニルフェノールポリエトキシレート(EO10モル) 3.0g/L
前記実施例1を基本として、前処理を行わず、実施例1と同様の条件で無電解スズメッキのみを行った。
前記実施例1を基本として、前処理液の組成を下記(a)に調製した以外は、実施例1と同様の条件で前処理と無電解スズメッキを行った。
(a)前処理液
メタンスルホン酸 0.2モル/L
チオ尿素 0.2モル/L
ノニルフェノールポリエトキシレート(EO10モル) 0.2g/L
前記実施例1を基本として、前処理液の組成を下記(a)に調製した以外は、実施例1と同様の条件で前処理と無電解スズメッキを行った。
(a)前処理液
メタンスルホン酸 0.2モル/L
チオ尿素 0.2モル/L
上記実施例1〜6及び比較例1〜3の各無電解スズメッキ方法で得られたメッキ皮膜について、下記の通り、目視外観と厚付けメッキの際の膜厚を評価するとともに、セロハンテープを用いた密着性試験を行った。
(1)目視外観評価
無電解メッキ方法で得られた各スズメッキ皮膜を目視で観察し、次の基準で皮膜外観の優劣を評価した。
○:皮膜にシミや色調ムラがなく、均一で美麗な外観を呈した。
×:皮膜にシミや色調ムラが見られ、外観不良を呈した。
無電解メッキ方法で得られた各スズメッキ皮膜について、JIS K 5400の「8.塗膜の抵抗性に関する試験方法」に記載される「8.5 付着性」の項目中の碁盤目テープ法に準じて試験を行い、次の基準でメッキ皮膜の密着性を評価した。
○:8点〜10点であった。
×:6点以下であった。
実施例1〜6及び比較例1〜3の中から、実施例2、実施例4、比較例1〜2を抽出して、この4例の各無電解メッキ方法を別々の被メッキ物に5回繰り返して適用し、得られた各スズメッキ皮膜について、蛍光X線膜厚計(SFT3300S;セイコーインスツルメンツ(株)製)を用いて膜厚を測定して、繰り返し回数内での中心膜厚とその中心値からのバラツキ値を算出して、厚付けメッキの際のバラツキ度合を評価した。
目視外観 密着性 膜厚(μm)
実施例1 ○ ○ −−
実施例2 ○ ○ 1.7±0.3
実施例3 ○ ○ −−
実施例4 ○ ○ 1.5±0.4
実施例5 ○ ○ −−
実施例6 ○ ○ −−
比較例1 × × 1.9±0.9
比較例2 × × 1.3±1.0
比較例3 × × −−
これに対して、チオ尿素類を含み、酸を含まない前処理液を用いた実施例1〜6では、シミや色調ムラがなく、均一で優れた外観の皮膜が得られた。密着性も良好であった。
また、厚付けメッキをした場合、膜厚のバラツキも小さいことから、例えば、各種電子部品に対して実用的な厚付けメッキを行うことができる点が確認された。
また、チオ尿素のみを含む前処理液を用いた実施例2では、無電解メッキによって均一な外観の皮膜が得られたが、チオ尿素に加えてノニオン系界面活性剤を含む前処理液を用いた実施例4では、実施例2よりスズ皮膜の色調の均質性や密着性が若干向上していた。ちなみに、厚付けメッキでの膜厚のバラツキは余り変わらなかった。
さらに、チオ尿素誘導体を含む前処理液を用いた実施例5においても、無電解メッキで得られたスズ皮膜の外観や密着性は実施例1〜4と変わらないことから、前処理液への含有成分は、チオ尿素とチオ尿素誘導体を問わずに有効であることが確認できた。
Claims (7)
- イオウ系錯化剤を含有し、且つ、酸を含有しない中性乃至弱塩基性の前処理液に被メッキ物を浸漬した後、可溶性第一スズ塩、酸及びイオウ系錯化剤を含有する無電解スズメッキ液を用いて被メッキ物に無電解メッキを行うことを特徴とする無電解スズメッキ方法。
- 前処理液のイオウ系錯化剤の含有量が10-8モル/L〜4モル/Lであることを特徴とする請求項1に記載の無電解スズメッキ方法。
- イオウ系錯化剤がチオ尿素類であることを特徴とする請求項1又は2に記載の無電解スズメッキ方法。
- 前処理液にさらに界面活性剤を含有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の無電解スズメッキ方法。
- 前処理液に浸漬する条件として、液温が10〜90℃であり、浸漬時間が1秒〜20分であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の無電解スズメッキ方法。
- イオウ系錯化剤を含有し、且つ、酸を含有せず、中性乃至弱塩基性を示すことを特徴とする無電解スズメッキ用の前処理液。
- イオウ系錯化剤がチオ尿素類であることを特徴とする請求項6の無電解スズメッキ用の前処理液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006104500A true JP2006104500A (ja) | 2006-04-20 |
JP4618488B2 JP4618488B2 (ja) | 2011-01-26 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4618488B2 (ja) |
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