JP2006100786A - ウェハの製造方法 - Google Patents
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
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Abstract
【解決手段】 単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェハを得るスライス工程と,スライス工程によって得られたウェハを面取りする面取り工程と,面取り工程において面取りされたウェハの表面と裏面を,ラッピング工程あるいは両頭研削工程を行うことなく,研削砥石によって各々順番に研削する研削工程と,研削工程において研削されたウェハWの両面を,固定砥粒研磨パッドと,研磨材を含まない研磨液とによって研磨する研磨工程と,を含む。
【選択図】 図1
Description
まず,図1に基づいて,本実施形態にかかるウェハの製造方法について説明する。なお,図1は,本実施形態にかかるウェハの製造方法の各工程を示すフローチャートである。
(片面研磨)
定盤回転数:50rpm
研磨圧 :200g/cm2
研磨液流量:200ml/min
(両面研磨)
定盤回転数:25rpm
研磨圧 :200g/cm2
研磨液流量:3000ml/min
上記条件により実験を行った結果を図8に示す。なお,図8は,上記条件により実験を行った結果を示す写真図である。
14 研磨テーブル
16 固定砥粒研磨パッド
20 基板保持部
22 リング
25 研磨液
30 片面研削用の研削装置
32 チャックテーブル
33 スピンドル33
34 研削ヘッド
35 回転機構
36 移動機構
40 両面研磨用の研磨装置
41 上定盤
42 下定盤
43 太陽ギヤ
44 インターナルギヤ
45 キャリアプレート
W ウェハ
Claims (3)
- 単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェハを得るスライス工程と,
前記スライス工程によって得られたウェハを面取りする面取り工程と,
前記面取り工程において面取りされたウェハの表面と裏面を,ラッピング工程あるいは両頭研削工程を行うことなく,研削砥石によって各々順番に片面研削する研削工程と,
前記研削工程において研削されたウェハの両面を,固定砥粒研磨パッドと,研磨材を含まない研磨液とによって研磨する研磨工程と,
を含む,ことを特徴とするウェハの製造方法。 - 前記研磨工程は,前記ウェハの表面と裏面を各々順番に片面研磨する工程,あるいは前記ウェハの表面と裏面とを同時に両面研磨する工程である,ことを特徴とする請求項1に記載のウェハの製造方法。
- 前記固定砥粒研磨パッドの弾性値は,測定雰囲気の温度が20〜80℃の温度範囲において,5×107Pa以上である,ことを特徴とする請求項1または2に記載のウェハの製造方法。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008235899A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Siltronic Ag | 複数の半導体ウェハを同時に研削するための方法 |
JP2009285768A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの研削方法および研削装置 |
DE102009030454A1 (de) | 2008-07-11 | 2010-02-04 | Disco Corp. | Waferbehandlungsverfahren |
JP2010030030A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-02-12 | Fujifilm Corp | 薄膜脆性材料の表面研摩方法 |
JP2010264537A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | キャリアプレート |
KR101133355B1 (ko) | 2009-10-28 | 2012-04-06 | 실트로닉 아게 | 반도체 웨이퍼의 연마 방법 |
WO2013027762A1 (ja) * | 2011-08-25 | 2013-02-28 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの製造方法 |
DE102009025242B4 (de) * | 2009-06-17 | 2013-05-23 | Siltronic Ag | Verfahren zum beidseitigen chemischen Schleifen einer Halbleiterscheibe |
CN108747597A (zh) * | 2018-04-25 | 2018-11-06 | 苏州智能制造研究院有限公司 | 一种氧化铝陶瓷基片表面加工方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0997775A (ja) * | 1995-07-21 | 1997-04-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体鏡面ウェーハの製造方法 |
JP2000141207A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-23 | Ibaraki Prefecture | 精密平面加工機械 |
JP2001001270A (ja) * | 1999-06-17 | 2001-01-09 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 研摩用パッド |
JP2004063883A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP2004071833A (ja) * | 2002-08-06 | 2004-03-04 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体ウェーハの両面研磨方法 |
JP2006297847A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Nippei Toyama Corp | 半導体ウエーハの製造方法およびワークのスライス方法ならびにそれらに用いられるワイヤソー |
-
2005
- 2005-07-04 JP JP2005195448A patent/JP4860192B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0997775A (ja) * | 1995-07-21 | 1997-04-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体鏡面ウェーハの製造方法 |
JP2000141207A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-23 | Ibaraki Prefecture | 精密平面加工機械 |
JP2001001270A (ja) * | 1999-06-17 | 2001-01-09 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 研摩用パッド |
JP2004063883A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP2004071833A (ja) * | 2002-08-06 | 2004-03-04 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体ウェーハの両面研磨方法 |
JP2006297847A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Nippei Toyama Corp | 半導体ウエーハの製造方法およびワークのスライス方法ならびにそれらに用いられるワイヤソー |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008235899A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Siltronic Ag | 複数の半導体ウェハを同時に研削するための方法 |
US8113913B2 (en) | 2007-03-19 | 2012-02-14 | Siltronic Ag | Method for the simultaneous grinding of a plurality of semiconductor wafers |
JP2009285768A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの研削方法および研削装置 |
JP2010030030A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-02-12 | Fujifilm Corp | 薄膜脆性材料の表面研摩方法 |
US8021963B2 (en) | 2008-07-11 | 2011-09-20 | Disco Corporation | Wafer treating method |
DE102009030454A1 (de) | 2008-07-11 | 2010-02-04 | Disco Corp. | Waferbehandlungsverfahren |
DE102009030454B4 (de) | 2008-07-11 | 2022-02-03 | Disco Corporation | Waferbehandlungsverfahren |
JP2010264537A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | キャリアプレート |
DE102009025242B4 (de) * | 2009-06-17 | 2013-05-23 | Siltronic Ag | Verfahren zum beidseitigen chemischen Schleifen einer Halbleiterscheibe |
KR101133355B1 (ko) | 2009-10-28 | 2012-04-06 | 실트로닉 아게 | 반도체 웨이퍼의 연마 방법 |
WO2013027762A1 (ja) * | 2011-08-25 | 2013-02-28 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの製造方法 |
JP2013045909A (ja) * | 2011-08-25 | 2013-03-04 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
CN108747597A (zh) * | 2018-04-25 | 2018-11-06 | 苏州智能制造研究院有限公司 | 一种氧化铝陶瓷基片表面加工方法 |
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