JP2006093668A - 有機半導体の精製方法及び半導体装置 - Google Patents
有機半導体の精製方法及び半導体装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】この有機半導体の精製方法の一は、有機半導体を混合したスルホキシド溶液を濾過する処理を含むことを特徴としている。半導体装置は、第1の有機半導体を混合したスルホキシド溶液を濾過する処理をして得られた第2の有機半導体を活性層として用いていることを特徴としている。
【選択図】なし
Description
本発明のペンタセンの精製方法は、有機半導体を混合したスルホキシド溶液を濾過する処理を含む。つまりスルホキシド溶液をろ液として用いている。
本発明の半導体装置とその作製方法の一態様について図1(A)〜(D)を用いて説明する。
本発明の半導体装置とその作製方法の一態様について図2(A)〜(D)を用いて説明する。
本発明の半導体装置を含む液晶装置の態様について、図5を用いて説明する。
実施例2に記載の半導体装置に対する比較例として、昇華精製を4回繰り返した後得られたペンタセン(ペンタセン(2))を用いて半導体装置を作製した。半導体装置は、ペンタセン(1)の替わりにペンタセン(2)を用いて半導体層306を形成した他は、実施例2と同様にして作製した。
実施例2に記載の半導体装置に対する比較例として、実施例1に記載の精製も、昇華精製もしていない、未精製のペンタセン(ペンタセン(3))を用いて半導体装置を作製した。半導体装置は、ペンタセン(1)の替わりにペンタセン(3)を用いて半導体層306を形成した他は、実施例2と同様にして作製した。
102 ゲート電極
103 ゲート絶縁層
104 ソース電極
105 ドレイン電極
106 半導体層
201 基板
202 ゲート電極
203 ゲート絶縁層
204 半導体層
205 ソース電極
206 ドレイン電極
501 素子基板
502 対向基板
503 画素部
504 端子部
505 フレキシブルプリント配線
521 素子基板
522 ゲート電極
523 ゲート絶縁層
524 半導体層
525 電極
526 電極
527 トランジスタ
528 絶縁層
529 画素電極
530 配向膜
531 対向基板
532 対向電極
534 液晶層
535 スペーサ
551 素子基板
552 ゲート電極
553 ゲート絶縁層
554 電極
555 電極
556 半導体層
557 トランジスタ
558a 絶縁層
558b 絶縁層
559 画素電極
560 配向膜
561 対向基板
562 対向電極
564 液晶層
565 スペーサ
5551 表示部
5552 本体
5553 アンテナ
5554 音声出力部
5555 音声入力部
5556 操作スイッチ
5531 表示部
5532 筐体
5533 スピーカー
5541 支持体
5542 表示部
5543 集積回路チップ
5544 集積回路
301 基板
302 ゲート電極
303 ゲート絶縁層
304 ソース電極
305 ドレイン電極
306 半導体層
Claims (10)
- 有機半導体を混合したスルホキシド溶液を濾過する処理を含むことを特徴とする有機半導体の精製方法。
- 第1の有機半導体をスルホキシド溶液に混合して第1の溶液を作製する第1の工程と、
前記第1の溶液を濾過する第2の工程と、
前記第2の工程後に前記スルホキシド溶液と分離された第2の有機半導体をアルコール溶液を用いて洗浄処理した後、乾燥させる第3の工程と、
を含むことを特徴とする有機半導体の精製方法。 - ペンタセンを混合したスルホキシド溶液を濾過する処理を含むことを特徴とする有機半導体の精製方法。
- 第1のペンタセンをスルホキシド溶液に混合して第1の溶液を作製する第1の工程と、
前記第1の溶液を濾過する第2の工程と、
前記第2の工程後に前記スルホキシド溶液と分離された第2のペンタセンをアルコール溶液を用いて洗浄処理した後、乾燥させる第3の工程と、
を含むことを特徴とする有機半導体の精製方法。 - 前記スルホキシド溶液は、ジメチルスルホキシド溶液であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の有機半導体の精製方法。
- 半導体層を有し、
前記半導体層は、第1の有機半導体を混合したスルホキシド溶液を濾過する処理によって得られた第2の有機半導体を含む
ことを特徴とする半導体装置。 - 半導体層を有し、
前記半導体層は、第1のペンタセンを混合したスルホキシド溶液を濾過する処理によって得られた第2のペンタセンを含む
ことを特徴とする半導体装置。 - ゲート電極と、ドレイン電極と、ソース電極と、半導体層と、前記ゲート電極と前記半導体層とに挟まれたゲート絶縁層と、
を有し、
前記ドレイン電極及び前記ソース電極は、それぞれ前記半導体層と接し、
前記半導体層は、第1の有機半導体を混合したスルホキシド溶液を濾過する処理によって得られた第2の有機半導体を含む
ことを特徴とする半導体装置。 - ゲート電極と、ドレイン電極と、ソース電極と、半導体層と、
前記ゲート電極と前記半導体層とに挟まれたゲート絶縁層と、
を有し、
前記ドレイン電極及び前記ソース電極は、それぞれ前記半導体層と接し、
前記半導体層は、第1のペンタセンを混合したスルホキシド溶液を濾過する処理によって得られた第2のペンタセンを含む
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項6乃至請求項9のいずれか一項に記載の半導体装置を回路素子として用いていることを特徴とする電子機器。
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JP2005234101A JP2006093668A (ja) | 2004-08-23 | 2005-08-12 | 有機半導体の精製方法及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004242792 | 2004-08-23 | ||
JP2005234101A JP2006093668A (ja) | 2004-08-23 | 2005-08-12 | 有機半導体の精製方法及び半導体装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2006093668A true JP2006093668A (ja) | 2006-04-06 |
JP2006093668A5 JP2006093668A5 (ja) | 2008-09-18 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2005234101A Withdrawn JP2006093668A (ja) | 2004-08-23 | 2005-08-12 | 有機半導体の精製方法及び半導体装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015111703A (ja) * | 2009-07-18 | 2015-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02199192A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-08-07 | Inst Chem Przemyslowej | コールタール誘導アントラセンの分離及び精製方法 |
JP2002110999A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | トランジスタおよびその製造方法 |
JP2004158709A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Asahi Kasei Corp | 半導体装置 |
JP2004179249A (ja) * | 2002-11-25 | 2004-06-24 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機半導体材料及びそれを用いた有機電子デバイス、及び有機電子デバイスの製造方法 |
-
2005
- 2005-08-12 JP JP2005234101A patent/JP2006093668A/ja not_active Withdrawn
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